平面二極管的快速安裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種電子元件，尤其涉及平面二極管的快速安裝結構。
【背景技術】
[0002]二極管是一種具有單向導電的電子元件，現有比較常用的為晶體二極管;但是現有的晶體二極管在高頻率電路中使用時，存在反向恢復沖擊電流大，容易被擊穿，并且現有的二極管在安裝時由于沒有限位結構，安裝尺度難以控制，非常的不便。
【發明內容】
[0003]本實用新型的主要目的在于針對現有技術存在的問題，而提出一種平面二極管的快速安裝結構。
[0004]為了達到上述目的，本實用新型的技術方案如下：
[0005]本實用新型所涉及的二極管包括殼體、陽極引線和陰極引線;所述的陽極引線和陰極引線穿透殼體的上端面并伸入到殼體內，陽極引線和陰極引線的上端部位還設置有凸臺，所述的陽極引線的下端連接有緩沖層，所述的緩沖層的下端連接有PN結，所述的PN結的下端還設置有一半導體塊，所述的陰極引線的下端與半導體塊通過導線進行連接，所述的陽極引線和陰極引線通過設置的封裝層固定在殼體上。
[0006]所述的封裝層與陽極引線和陰極引線的接觸部位還設置有封裝套筒。
[0007]所述的封裝套筒為絕緣材料制成。
[0008]所述的殼體為合金材料制成。
[0009]所述的殼體的外表面還設置有散熱片。
[0010]所述的凸臺的寬度為2-3mm。
[0011]本實用新型的有益效果在于:本實用新型通過在陽極引線上設置緩沖層，可以使得二極管在高頻電路中的耐電流沖擊性較強，并且通過在引線上設置的凸臺，可以使二極管在安裝時便于控制尺寸，非常方便。
【附圖說明】
[0012]圖I為本實用新型的結構示意圖；
[0013]其中：I為殼體，2為半導體塊，3為PN結，4為緩沖層，5為陽極引線，6為陰極引線，7
為封裝套筒，8為封裝層。
【具體實施方式】
[0014]下面將結合附圖和具體實施例來對本實用新型做進一步說明：
[0015]如圖I所示，本實用新型所涉及的二極管包括合金材料制成的殼體1、陽極引線5和陰極引線6;陽極引線5和陰極引線6穿透殼體I的上端面并伸入到殼體I內，陽極引線5和陰極引線6的上端部位還設置有寬度為2-3mm的凸臺，陽極引線5的下端連接有緩沖層4，緩沖層4的下端連接有PN結3，PN結3的下端還設置有一半導體塊2，陰極引線6的下端與半導體塊2通過導線進行連接，陽極引線5和陰極引線6通過設置的封裝層8固定在殼體I上，封裝層8與陽極引線5和陰極引線6的接觸部位還設置有絕緣材料制成的封裝套筒7，殼體I的外表面還設置有散熱片9。
[0016]本實施例通過在陽極引線上設置緩沖層，可以使得二極管在高頻電路中的耐電流沖擊性較強，并且通過在引線上設置的凸臺，可以使二極管在安裝時便于控制尺寸，非常方便。
【主權項】
1.平面二極管的快速安裝結構，其特征在于:所述的二極管包括殼體（I)、陽極引線(5)和陰極引線（6);所述的陽極引線（5)和陰極引線（6)穿透殼體（I)的上端面并伸入到殼體(I)內，陽極引線(5)和陰極引線(6)的上端部位還設置有凸臺，所述的陽極引線(5)的下端連接有緩沖層(4)，所述的緩沖層(4)的下端連接有PN結(3)，所述的PN結(3)的下端還設置有一半導體塊(2)，所述的陰極引線(6)的下端與半導體塊(2)通過導線進行連接，所述的陽極引線(5)和陰極引線(6)通過設置的封裝層(8)固定在殼體(I)上。2.根據權利要求I所述的平面二極管的快速安裝結構，其特征在于:所述的封裝層(8)與陽極引線(5)和陰極引線(6)的接觸部位還設置有封裝套筒(7)。3.根據權利要求I所述的平面二極管的快速安裝結構，其特征在于：所述的封裝套筒(7)為絕緣材料制成。4.根據權利要求I所述的平面二極管的快速安裝結構，其特征在于:所述的殼體（I)為合金材料制成。5.根據權利要求I所述的平面二極管的快速安裝結構，其特征在于:所述的殼體（I)的外表面還設置有散熱片(9)。6.根據權利要求I所述的平面二極管的快速安裝結構，其特征在于:所述的凸臺的寬度為2_3mm0
【專利摘要】本實用新型提供平面二極管的快速安裝結構，所述的二極管包括殼體、陽極引線和陰極引線；所述的陽極引線和陰極引線穿透殼體的上端面并伸入到殼體內，陽極引線和陰極引線的上端部位還設置有凸臺，所述的陽極引線的下端連接有緩沖層，所述的緩沖層的下端連接有PN結，所述的PN結的下端還設置有一半導體塊，所述的陰極引線的下端與半導體塊通過導線進行連接，所述的陽極引線和陰極引線通過設置的封裝層固定在殼體上。本實用新型通過在陽極引線上設置緩沖層，可以使得二極管在高頻電路中的耐電流沖擊性較強，并且通過在引線上設置的凸臺，可以使二極管在安裝時便于控制尺寸，非常方便。
【IPC分類】H01L23/49
【公開號】CN205159312
【申請號】CN201520914897
【發明人】孫志文
【申請人】孫志文
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年11月17日