一種基于透明陶瓷基板的led燈絲的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及LED技術領域，尤其涉及一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲。
【背景技術】
[0002]隨著LED技術的不斷成熟，傳統白熾燈將逐漸被LED燈絲燈所取代。為了增加出光面積和角度，LED燈絲燈通常由多條LED燈絲相互拼接組成。現有技術中，LED燈絲通常采用金屬基板等非透光基板，只能單面透光，其單根LED燈絲的出光角度最多只能為180°，這大大限制了 LED的發光效果。同時現有技術中，LED燈絲上的LED芯片通常采用已封裝好的LED燈珠焊接在基板上，不僅增加了 LED燈絲的尺寸，同時增加了 LED燈絲制備工藝的復雜度。另外，LED燈絲上的電阻元件通常采用貼片電阻以焊接的方式固定在LED燈絲上，貼片電阻的一致性和穩定性存在無法得到保證，尤其在LED燈絲長時間使用的情況下，會極大影響LED燈絲的壽命，同時也增加了 LED燈絲制備工藝的復雜度。
[0003]故，針對目前現有技術中存在的上述缺陷，實有必要進行研究，以提供一種方案，解決現有技術中存在的缺陷。
【實用新型內容】
[0004]為了解決現有技術存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種用于LED燈絲并使其實現360°出光的基于透明陶瓷基板的LED燈絲。
[0005]為了克服現有技術的缺陷，本實用新型的技術方案為:
[0006]一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲，包括透明陶瓷基板，該透明陶瓷基板上設置一層ΙΤ0薄膜層，在所述ΙΤ0薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層，以及在所述透明陶瓷基板上形成多個固晶區，多個倒裝LED裸芯片設置在所述固晶區內，所述多個倒裝LED裸芯片串接在所述線路層中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都設有熒光層；在所述線路層的端部設有電極，所述電極用于與外接驅動電源相連接；在所述線路層設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ΙΤ0材料形成電阻。
[0007]優選地，所述ΙΤ0薄膜層通過濺射工藝形成在所述透明陶瓷基板上。
[0008]優選地，所述ΙΤ0薄膜層通過噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板上。
[0009]優選地，根據所述電阻的阻值控制在所述線路層的電阻圖形上沉積相應量的ΙΤ0材料，從而實現設置不同阻值的電阻。
[0010]優選地，所述透明陶瓷基板為長條形，所述電極設置在長條形透明陶瓷基板的兩端。
[0011]優選地，所述倒裝LED裸芯片通過固晶膠固定在所述固晶區。
[0012]優選地，所述ΙΤ0薄膜層為35 μ m?280 μ m。
[0013]優選地，所述線路層在所述固晶區兩端區域分別設有電極焊點，所述倒裝LED裸芯片上設有P極和N極；所述倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點電氣連接。
[0014]優選地，所示電極焊點上涂覆銀膠。
[0015]相對于現有技術，采用本實用新型的技術方案，由于采用透明陶瓷基板，從而使LED芯片真正實現360°出光，大大提升了 LED燈絲的立體出光效果；由于將倒裝LED裸芯片直接封裝在透明陶瓷基板上，大大縮小了 LED燈絲的尺寸，與正裝LED裸芯片相比，采用倒裝LED裸芯片省去了金線鍵合這一工藝步驟，同時也避免了金線對LED出射光線的阻礙，提高了發光效率。同時導電層采用ΙΤ0材料，其電阻率遠大于銅等金屬，故可在線路層上直接沉積ΙΤ0材料形成電阻，從而不需要焊接電阻元件，并保證了電阻元件的一致性和穩定性，從而延長LED燈絲的使用壽命。
【附圖說明】
[0016]圖1為本實用新型實施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的結構示意圖。
[0017]圖2為本實用新型實施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的平面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下是本實用新型的具體實施例并結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步的描述，但本實用新型并不限于這些實施例。
[0019]為了克服現有技術存在的缺陷，請參閱圖1，為本實用新型實施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的結構示意圖，其包括透明陶瓷基板1，透明陶瓷基板1是一塊薄玻璃片，其表面非常光滑，透光率在95%以上。該透明陶瓷基板1上設置一層ΙΤ0薄膜層，一層ΙΤ0 (氧化銦錫)薄膜層，ΙΤ0薄膜層是通過濺射工藝或者通過噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板1上，其厚度為35μπι?280 μπι。材料ΙΤ0(氧化銦錫)同時具有優良電學傳導和光學透明的特性，作為透明傳導鍍膜應用廣泛。由于采用透明陶瓷基板，從而使LED燈絲真正實現360°出光，大大提升了 LED燈絲的立體出光效果。
[0020]在透明陶瓷基板1上設置ΙΤ0薄膜層作為導電層，其作用類似于現有技術中的銅箔層。通過光刻膠掩膜蝕刻工藝可將電路圖形印制在ΙΤ0薄膜層上，也即在ΙΤ0薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層2，同時通過刻蝕工藝在透明陶瓷基板1上形成固晶區3，固晶區3用于設置倒裝LED裸芯片4，多個倒裝LED裸芯片4通過固晶膠設置在所述固晶區3內，由于倒裝LED裸芯片的P極和N極設置在裸芯片的底端，能夠直接以焊接的方式串接在所述線路層2中，省去了金線鍵合這一工藝步驟，同時也避免了金線對LED出射光線的阻礙，提高了發光效率。在透明陶瓷基板1的正面和反面分別設置由熒光材料形成的熒光層，由于透明陶瓷基板具有反向透光性，通過調節透明陶瓷基板1正面和反面的熒光材料配方，從而達到正反面均勻的立體發光LED燈絲。在所述線路層2的端部設有電極6，所述電極6用于與外接驅動電源相連接；在一種優選實施方式中，透明陶瓷基板1為長條形，電極6設置在長條形透明陶瓷基板1的兩端。
[0021]在所述線路層2設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ΙΤ0材料形成電阻5。由于ΙΤ0材料的電阻率遠大于銅等金屬，故可以在ΙΤ0薄膜層上直接設置電阻5。即在電路圖形的電阻元件位置，根據電阻5的阻值控制在所述線路層2相對應的電阻圖形以及在其上沉積相應量的ITO材料，從而實現設置不同阻值的電阻。根據其阻值的大小由電阻圖形的大小以及所沉積ITO材料的厚度決定，可以根據ITO材料的電阻率計算得出。由于在ITO薄膜層上直接形成電阻5，大大提升了電阻元件的一致性和穩定性，同時不需要焊接電阻元件，大大提升LED燈絲的性能和使用壽命。
[0022]在一種優選實施方式中，透明陶瓷基板1包括α -Α1203陶瓷粉、碳化硅以及四方相氧化鋯。α -Α1203陶瓷粉主要用于增加絕緣層的導熱率，其純度大于等于99.9%且均勻分散在透明樹脂混合劑中，α-Α1203陶瓷粉的含量應當適量。當α-Α1 203陶瓷粉的含量較低時，無法滿足LED燈絲的散熱要求。當α_Α1203陶瓷粉的含量較高時，導熱率雖然會有較大程度的增加，但耐壓性降低，無法滿足LED燈具的耐壓性要求。四方相氧化鋯(t-Zr02)占比較低，用于提高透明陶瓷基板1的韌性及與鋁基板的結合力。
[0023]參見圖2，本實用新型實施例提供的一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲的平面結構示意圖，線路層2在固晶區兩端區域分別設有電極焊點7，所述倒裝LED裸芯片4上設有P極和N極，倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點電氣連接。
[0024]在一種優選實施方式中，電極焊點上涂覆銀膠，增強LED燈絲的導電性能和導熱性能。
[0025]以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型的方法及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以對本實用新型進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本實用新型權利要求的保護范圍內。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，包括透明陶瓷基板，該透明陶瓷基板上設置一層ITO薄膜層，在所述ITO薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層，以及在所述透明陶瓷基板上形成多個固晶區，多個倒裝LED裸芯片設置在所述固晶區內，所述多個倒裝LED裸芯片串接在所述線路層中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都設有熒光層；在所述線路層的端部設有電極，所述電極用于與外接驅動電源相連接；在所述線路層設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ITO材料形成電阻。2.如權利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層通過濺射工藝形成在所述透明陶瓷基板上。3.如權利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層通過噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板上。4.如權利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，根據所述電阻的阻值控制在所述線路層的電阻圖形上沉積相應量的ITO材料，從而實現設置不同阻值的電阻。5.如權利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述透明陶瓷基板為長條形，所述電極設置在長條形透明陶瓷基板的兩端。6.如權利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述倒裝LED裸芯片通過固晶膠固定在所述固晶區。7.如權利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層為35 μ m ~ 280 μ m。8.如權利要求1所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所述線路層在所述固晶區兩端區域分別設有電極焊點，所述倒裝LED裸芯片上設有P極和N極；所述倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點電氣連接。9.如權利要求8所述的基于透明陶瓷基板的LED燈絲，其特征在于，所示電極焊點上涂覆銀膠。
【專利摘要】本實用新型提供一種基于透明陶瓷基板的LED燈絲，包括透明陶瓷基板，該透明陶瓷基板上設置一層ITO薄膜層，在所述ITO薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層，以及在所述透明陶瓷基板上形成多個固晶區，多個倒裝LED裸芯片設置在所述固晶區內，所述多個倒裝LED裸芯片以焊接的方式串接在所述線路層中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都設有熒光層；在所述線路層設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ITO材料形成電阻。采用本實用新型的技術方案，由于采用透明陶瓷基板，從而使LED芯片真正實現360°出光，大大提升了LED燈絲的立體出光效果；由于將倒裝LED裸芯片直接封裝在透明陶瓷基板上，大大縮小了LED燈絲的尺寸，也簡化了LED封裝工藝。
【IPC分類】H01L33/62, H01L25/075, H01L33/56, H01L33/48
【公開號】CN205140968
【申請號】CN201520862616
【發明人】計志峰
【申請人】嘉興市上村電子有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2015年10月31日