一種金屬陶瓷表貼封裝二極管陣列板的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于半導體技術領域，具體的是一種金屬陶瓷表貼封裝二極管陣列板。
[0002]
【背景技術】
[0003]在需要處理多路邏輯信號或進行多路電流保護的電路中，一般需要在電路版上安裝一排獨立封裝的二極管器件，每個二極管作為邏輯開關或整流與續流使用，在這種多通路信號傳輸電路中占用電路的整體空間過多，而各路之間的電性能一致性不好，影響了電路板的集成化與穩定性。采用進口的塑封集成器件時，工作的溫度范圍、濕度范圍等環境條件受到限制。
[0004]本實用新型要解決的技術問題是提供一種可實現獨立的八通路邏輯開關、半波整流、脈沖續流的功能，各通路開關性能良，結構緊湊、占用空間小、散熱性好，可靠性高，可在惡劣環境下工作，的八路整流二極管陣列。
[0005]本實用新型涉及的八路整流二極管陣列，包括陶瓷金屬化管底座、金屬蓋板，其中金屬蓋板與陶瓷金屬化外殼封裝構成管殼，在管殼上設置扁平外引線，其特殊之處是:在陶瓷金屬化管底座上均設有八部分獨立且平行排列的金屬化區域，將八個硅整流二極管芯片通過導電膠分別粘接在對應的金屬化區域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內部部分進行電氣連接，管殼腔體內部采用AB膠進行填充。
[0006]本實用新型的有益效果是:
[0007]外殼內設有八部分獨立的平行排列金屬化區域，通過將八個硅整流二極管芯片封裝在一個表貼式陶瓷金屬化全密封外殼結構中，構成了八通路的二極管陣列，結構緊湊、占用空間小，散熱性好，實現了獨立的八通路邏輯開關、半波整流、脈沖續流的功能，在電路中可進行邏輯開關，或進行多路半波整流，或對電路進行續流保護;其中的硅整流二極管芯片具有耐壓高、導通壓降小、電流能力強的特點，產品的一致性與可靠性水平得到了進一步提高。可對國外的塑封器件進行功能替代，從而在高溫、高濕、強震動的惡劣條件下正常工作；
[0008]芯片與管殼腔體采用導電膠進行粘接，保證芯片的高頻開關特性一致性強。在完成內部電氣連接后用AB膠填充管殼腔體，提高了產品內部的絕緣強度與耐壓能力，灌封后的陶瓷金屬化密封外殼保證了產品在惡劣環境下正常工作。
[0009]目前二極管封裝外殼多為小電流或單芯片組低功率外殼，難以滿足市場對二極管小型化、集成度、大電流、大功率及高可靠性的發展趨勢。陶瓷-金屬封裝組件很好的糅合了這些趨勢因素，因其結構可小型化、高可靠性以及優異的電、熱性能的優點使其在二極管封裝行業中獲得了越來越多的應用，是二極管封裝組件發展趨勢之一。
[0010]傳統的基于陶瓷-金屬封裝的二極管芯片外殼主要采用單芯片封裝的方式，也就是說在一個陶瓷-金屬外殼內只封裝一個芯片。即使采用一個外殼內封裝多個芯片，也存在成本高、可靠性低、靈活度低的問題。
【實用新型內容】
[0011]本實用新型的目的是為了解決上述問題，提出一種金屬陶瓷表貼封裝二極管陣列板。
[0012]—種金屬陶瓷表貼封裝二極管陣列板，所述陣列板包括，陶瓷框，框體內穿置微帶線，框內側設第一鍵合區，框外側設引線；基板，設置在所述陶瓷框內側底部，具有陶瓷基體，以及所述將所述陶瓷基體金屬化的上側表面和下側表面，所述上側表面形成多個隔離區以及第二鍵合區，所述隔離區用于容納所述芯片;還包括熱沉，用于放置所述陶瓷框與所述基板，其中，所述熱沉與所述基板的所述下側表面直接接觸;所述基板的基體為高熱導率的陶瓷基體，其下側表面以及所述陶瓷框通過釬焊與所述熱沉連接;還包括可伐焊環，所述可伐焊環通過釬焊固定在所述陶瓷框的上表面;所述微帶線層厚度范圍為15微米?20微米;所述陶瓷框以及所述基板的所述陶瓷基體為基于高溫共燒陶瓷工藝一體成型。
[0013]將多個芯片與封裝組件進行電連接包括用金絲將所述第一鍵合區與所述第二鍵合區進行電連接、用金絲將第二鍵合區與所述芯片封裝組件的隔離區進行電連接中的一種或多種，通過金絲電連接所述第一鍵合區、二鍵合區或所述隔離區至所述微帶線，通過所述微帶線電連接至所述引線。
[0014]還包括將多個芯片進行電連接，具體為，用引線將多個所述第二鍵合區與多個所述第一鍵合區進行電連接，再用金絲將多個所述第二封裝組件的鍵合區進行電連接。
[0015]在陶瓷基體上均設有八部分獨立且平行排列的金屬化區域，將八個硅整流二極管芯片通過導電膠分別粘接在對應的金屬化區域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內部部分進行電氣連接，管殼腔體內部采用AB膠進行填充。
[0016]所述陶瓷基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化鋁和硅復合而成，所述基板由外而內共有5層，分別是硅層、氮化硅層、碳化硅層、碳層和氧化鋁基體層，每層的厚度為0.5-3_。
【附圖說明】
[0017]圖1是基板的結構示意圖。
[0018]其中，11是娃層、12是氣化娃層、13是碳化娃層、14是碳層、15是氧化招基體層。
【具體實施方式】
[0019]—種金屬陶瓷表貼封裝二極管陣列板，所述陣列板包括，陶瓷框，框體內穿置微帶線，框內側設第一鍵合區，框外側設引線；基板，設置在所述陶瓷框內側底部，具有陶瓷基體，以及所述將所述陶瓷基體金屬化的上側表面和下側表面，所述上側表面形成多個隔離區以及第二鍵合區，所述隔離區用于容納所述芯片;還包括熱沉，用于放置所述陶瓷框與所述基板，其中，所述熱沉與所述基板的所述下側表面直接接觸;所述基板的基體為高熱導率的陶瓷基體，其下側表面以及所述陶瓷框通過釬焊與所述熱沉連接;還包括可伐焊環，所述可伐焊環通過釬焊固定在所述陶瓷框的上表面;所述微帶線層厚度范圍為15微米?20微米;所述陶瓷框以及所述基板的所述陶瓷基體為基于高溫共燒陶瓷工藝一體成型。
[0020]將多個芯片與封裝組件進行電連接包括用金絲將所述第一鍵合區與所述第二鍵合區進行電連接、用金絲將第二鍵合區與所述芯片封裝組件的隔離區進行電連接中的一種或多種，通過金絲電連接所述第一鍵合區、二鍵合區或所述隔離區至所述微帶線，通過所述微帶線電連接至所述引線。
[0021]還包括將多個芯片進行電連接，具體為，用引線將多個所述第二鍵合區與多個所述第一鍵合區進行電連接，再用金絲將多個所述第二封裝組件的鍵合區進行電連接。
[0022]在陶瓷基體上均設有八部分獨立且平行排列的金屬化區域，將八個硅整流二極管芯片通過導電膠分別粘接在對應的金屬化區域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內部部分進行電氣連接，管殼腔體內部采用AB膠進行填充。
[0023]所述陶瓷基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化鋁和硅復合而成，所述基板由外而內共有5層，分別是硅層、氮化硅層、碳化硅層、碳層和氧化鋁基體層，每層的厚度為0.5-3_。
[0024]最后應說明的是:顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本實用新型所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本實用新型的保護范圍之中。
【主權項】
1.一種金屬陶瓷表貼封裝二極管陣列板，其特征在于:所述陣列板包括，陶瓷框，框體內穿置微帶線，框內側設第一鍵合區，框外側設引線;基板，設置在所述陶瓷框內側底部，具有陶瓷基體，以及將所述陶瓷基體金屬化的上側表面和下側表面，所述上側表面形成多個隔離區以及第二鍵合區，所述隔離區用于容納芯片;還包括熱沉，用于放置所述陶瓷框與所述基板，其中，所述熱沉與所述基板的所述下側表面直接接觸;所述基板的基體為高熱導率的陶瓷基體，其下側表面以及所述陶瓷框通過釬焊與所述熱沉連接;還包括可伐焊環，所述可伐焊環通過釬焊固定在所述陶瓷框的上表面;所述微帶線層厚度范圍為15微米20微米；所述陶瓷框以及所述基板的所述陶瓷基體為基于高溫共燒陶瓷工藝一體成型。2.根據權利要求1所述的陣列板，其特征在于:將多個芯片與封裝組件進行電連接包括用金絲將所述第一鍵合區與所述第二鍵合區進行電連接、用金絲將第二鍵合區與所述芯片封裝組件的隔離區進行電連接中的一種或多種，通過金絲電連接所述第一鍵合區、二鍵合區或所述隔離區至所述微帶線，通過所述微帶線電連接至所述引線。3.根據權利要求2所述的陣列板，其特征在于:還包括將多個芯片進行電連接，具體為，用引線將多個所述第二鍵合區與多個所述第一鍵合區進行電連接，再用金絲將多個第二封裝組件的鍵合區進行電連接。4.根據權利要求3所述的陣列板，其特征在于:在陶瓷基體上均設有八部分獨立且平行排列的金屬化區域，將八個硅整流二極管芯片通過導電膠分別粘接在對應的金屬化區域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內部部分進行電氣連接，管殼腔體內部采用AB膠進行填充。5.根據權利要求4所述的陣列板，其特征在于:所述陶瓷基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化鋁和硅復合而成，所述基板由外而內共有5層，分別是硅層、氮化硅層、碳化硅層、碳層和氧化鋁基體層，每層的厚度為0.5-3mm。
【專利摘要】本實用新型涉及一種金屬陶瓷表貼封裝二極管陣列板，所述陣列板包括，陶瓷框，框體內穿置微帶線，框內側設第一鍵合區，框外側設引線；基板，設置在所述陶瓷框內側底部，具有陶瓷基體，以及所述將所述陶瓷基體金屬化的上側表面和下側表面，所述上側表面形成多個隔離區以及第二鍵合區，所述隔離區用于容納所述芯片；還包括熱沉，用于放置所述陶瓷框與所述基板，其中，所述熱沉與所述基板的所述下側表面直接接觸；所述基板的基體為高熱導率的陶瓷基體，其下側表面以及所述陶瓷框通過釬焊與所述熱沉連接；還包括可伐焊環，所述可伐焊環通過釬焊固定在所述陶瓷框的上表面；所述微帶線層厚度范圍為15微米？20微米。
【IPC分類】H01L25/07, H01L23/18, H01L23/06, H01L23/488
【公開號】CN205140966
【申請號】CN201520957298
【發明人】吳炳剛, 李紀, 郭偉
【申請人】沈陽飛達電子有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2015年11月26日