一種蝕刻金屬銅片emc支架的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種EMC支架，特別涉及一種蝕刻金屬銅片EMC支架。
【背景技術】
[0002]目前市場上已出現一種新型熱固性塑料包封支架封裝的LED器件，國內外的一些LED大廠，如日亞、三星、億光等，正大力推廣該類LED產品，這種使用EM C樹脂包封支架封裝的LED器件簡稱為EMC器件，EMC是一種以環氧樹脂為基體材料的熱固性材料，主要成分是環氧樹脂、二氧化硅、二氧化鈦等，其中環氧樹脂有粘合、硬化作用，二氧化硅作為調節EMC膨脹系數的填料，二氧化鈦用作反光材料。
[0003]傳統的金屬銅片EMC支架具有較多的弊端，比如，散熱性能較差，導致LED芯片的光衰嚴重，使用壽命短；同時傳統的金屬銅片EMC支架多采用沖裁的方式進行加工，但沖裁的方式對于加工較小且精密的零件困難大，且沖裁加工的斷面粗糙度不一樣，同時沖裁的零件必須進行毛刺處理，對于應力形變的零件還需要通過熱處理的方法來消除，導致EMC支架中金屬的結合界面質量不高，從而導致氣密性不高。
[0004]鑒于此，有必要設計一種新的金屬銅片EMC支架，具備良好的散熱、氣密性、耐熱、耐光衰性能，以此來解決目前存在的問題。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型要解決的技術問題是克服現有的缺陷，提供一種蝕刻金屬銅片EMC支架，具有良好的散熱性能，芯片的結溫低，EMC支架中金屬的結合界面質量高，CTE匹配差異小，有較高的氣密性以及更好的抗熱、抗光衰性能，有較高的可靠性及使用壽命，能有效解決技術背景中的問題。
[0006]為了解決上述技術問題，本實用新型提供了如下的技術方案:
[0007]本實用新型提供一種蝕刻金屬銅片EMC支架，包括金屬銅片、EMC塑料外框架、芯片腔和芯片電極，所述金屬銅片設有若干，并且之間通過反射腔相連，所述金屬銅片通過半蝕刻技術制成，所述芯片電極設于芯片腔內，所述芯片電極通過導線與金屬銅片相連，所述芯片腔和金屬銅片周圍設有EMC塑料外框。
[0008]作為本實用新型的一種優選技術方案，所述芯片腔設計為倒等腰梯形狀。
[0009]作為本實用新型的一種優選技術方案，所述反射腔為凸字形。
[0010]作為本實用新型的一種優選技術方案，所述金屬銅片為倒凸字形，且與反射腔為一體式結構。
[0011]作為本實用新型的一種優選技術方案，所述金屬銅片的厚度為2-4mm。
[0012]與現有技術相比本實用新型所達到的有益效果是:
[0013]1.本實用新型采用的是垂直散熱結構，芯片產生的熱量通過芯片下方的芯片電極直接傳導到該裝置外，芯片電極散熱面積較大，芯片的結溫低，CTE匹配差異小，具有更好的抗熱、抗光衰性能。
[0014]2.使用精密半蝕刻技術制造金屬銅片，其蝕刻金屬銅片斷面，蝕刻斷面一致性很好，有較好的可控斷面質量，而傳統的沖裁斷面則分為抽拉圓角、光亮面、破斷面幾個部分，各部分表面特性及粗糙度不一樣。
[0015]3.蝕刻技術可通過調整蝕刻藥水的配方來控制支架的斷面粗糙度，EMC支架中金屬的結合界面質量高，有較高的氣密性和較高的可靠性及使用壽命。
【附圖說明】
[0016]附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的限制。
[0017]在附圖中:
[0018]圖1是本實用新型主視結構示意圖；
[0019]圖中標號:1-金屬銅片；2- EMC塑料外框架；3_芯片腔；4_芯片電極；5_反射腔；6-導線。
【具體實施方式】
[0020]以下結合附圖對本實用新型的優選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0021]在本實用新型的描述中，需要理解的是，術語“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本實用新型，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。
[0022]實施例:如圖1所示，本實用新型提供一種蝕刻金屬銅片EMC支架，包括金屬銅片
1、EMC塑料外框架2、芯片腔3和芯片電極4，所述金屬銅片1設有若干，并且之間通過反射腔5相連，所述金屬銅片1通過半蝕刻技術制成，所述芯片電極4設于芯片腔3內，所述芯片電極4通過導線6與金屬銅片1相連，所述芯片腔3和金屬銅片1周圍設有EMC塑料外框架2。
[0023]進一步的，所述芯片腔3設計為倒等腰梯形狀。
[0024]進一步的，所述反射腔5為凸字形，減小反射腔反射率的衰減程度。
[0025]進一步的，所述金屬銅片1為倒凸字形，且與反射腔5為一體式結構。
[0026]進一步的，所述金屬銅片1的厚度為2_4mm。
[0027]本實用新型反射腔可以有效提高芯片封裝成的器件的出光效率和集中度。
[0028]本實用新型采用的是垂直散熱結構，芯片產生的熱量通過芯片下方的芯片電極4直接傳導到該裝置外，芯片電極4散熱面積較大，使用精密半蝕刻技術制造金屬銅片1，其蝕刻金屬銅片1斷面，蝕刻斷面一致性很好，有較好的可控斷面質量；傳統的沖裁斷面則分為抽拉圓角、光亮面、破斷面幾個部分，各部分表面特性及粗糙度不一樣，而蝕刻技術可通過調整蝕刻藥水的配方來控制支架的斷面粗糙度，EMC支架中金屬的結合界面質量高，氣密性好。
[0029]本實用新型具有良好的散熱性能，芯片的結溫低，EMC支架中金屬的結合界面質量高，CTE匹配差異小，有較高的氣密性以及更好的抗熱、抗光衰性能，有較高的可靠性及使用壽命，是一種值得廣泛推廣使用的EMC支架。
[0030]最后應說明的是:以上所述僅為本實用新型的優選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種蝕刻金屬銅片EMC支架，其特征在于，包括金屬銅片(1)、EMC塑料外框架(2)、芯片腔(3)和芯片電極(4)，所述金屬銅片(1)設有若干，并且之間通過反射腔(5)相連，所述金屬銅片(1)通過半蝕刻技術制成，所述芯片電極(4)設于芯片腔(3)內，所述芯片電極(4)通過導線(6)與金屬銅片(1)相連，所述芯片腔(3)和金屬銅片(1)周圍設有EMC塑料外框架(2)。2.根據權利要求1所述的一種蝕刻金屬銅片EMC支架，其特征在于，所述芯片腔(3)設計為倒等腰梯形狀。3.根據權利要求1所述的一種蝕刻金屬銅片EMC支架，其特征在于，所述反射腔(5)為凸字形。4.根據權利要求1所述的一種蝕刻金屬銅片EMC支架，其特征在于，所述金屬銅片(1)為倒凸字形，且與反射腔(5 )為一體式結構。5.根據權利要求1所述的一種蝕刻金屬銅片EMC支架，其特征在于，所述金屬銅片(1)的厚度為2-4mm。
【專利摘要】本實用新型提供了一種蝕刻金屬銅片EMC支架，包括金屬銅片、EMC塑料外框架、芯片腔和芯片電極，所述金屬銅片設有若干，所述金屬銅片為倒凸字形，并且之間通過反射腔相連，所述反射腔為凸字形且與金屬銅片為一體式結構，所述金屬銅片通過半蝕刻技術制成，所述芯片電極設于芯片腔內，所述芯片腔設計為倒等腰梯形狀，所述芯片電極通過導線與金屬銅片相連，所述芯片腔和金屬銅片周圍設有EMC塑料外框架，本實用新型具有良好的散熱性能,芯片的結溫低,EMC支架中金屬的結合界面質量高,CTE匹配差異小,有較高的氣密性以及更好的抗熱、抗光衰性能，有較高的可靠性及使用壽命。
【IPC分類】H01L33/48, H01L33/64
【公開號】CN205081138
【申請號】CN201520780433
【發明人】廖義澤
【申請人】深圳市虹鑫銅業有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年10月9日