預防短路的場效應晶體管結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種預防短路的場效應晶體管(FET)結構，運用于如金屬氧化物半導體場效晶體管(M0SFET)或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等晶體管型態的晶體管結構上，主要利用在金屬連通片與源極區域相接合的那面刷上銀線條，令錫膏不滲入柵極通道(GATE BUS)，以達到預防短路情況發生為其主要實用新型優點。
【背景技術】
[0002]傳統場效應晶體管，其芯片上設有柵極區域及源極區域，該柵極區域利用金屬線可與柵極區域相連結，源極區域亦利用多個金屬線可與周緣的晶體管引腳形成電性連接，然而這種用金屬線進行電信傳導的結構，不僅工藝繁復耗時，在封裝過程中往往容易因為沖壓而造成金屬線的斷裂或脫離，造成電訊導通性不佳，甚至在封裝后會有散熱不易而造成損壞率增尚等缺失；
[0003]為解決上述困擾，有業者便研發出利用片狀式的金屬連通片5，以一端整片式地覆蓋于源極區域1上，另一端連通于晶體管引腳連接的方式替代以金屬線連通的方式，如圖1及圖2所示，用此方式以提高其電訊連通穩定性、封裝工藝簡易、低電阻電氣特性及提高其散熱性，然而，在源極區域1上會切開有柵極通道2用以連通柵極區域的電性，而要將金屬連接片5固定于源極區域1上并進行電訊導通時，源極區域1的表面須先涂布有錫膏4，再將金屬連通片5覆蓋于源極區域1上并施壓予以固定，但此一施壓動作將會使錫膏4溢開并滲入柵極通道2中，如此一來便會使柵極區域3與源極區域1不斷地形成電訊導通而產生短路現象，形成業者所衍伸出的新困擾；
【實用新型內容】
[0004]而為了有效解決以上問題，本實用新型的目的在于提供一種具有避免錫膏溢開滲入柵極通道而造成短路現象的晶體管結構。
[0005]為達上述目的，本實用新型提供一種預防短路的場效應晶體管結構，其包括有:
[0006]—集成電路片，其上分設有源極區域與柵極區域，且在該源極區域上分切有柵極通道，以導通柵極區域的電訊流通；
[0007]—金屬連通片，一端與集成電路片的源極區域相連通，另一端與晶體管引腳相連通；
[0008]多個溝槽，挖設于金屬連通片上對應該金屬連通片與源極區域接合的面，且于該溝槽的表面設有一層銀金屬；
[0009]錫膏，點置于集成電路片的源極區域欲與金屬連通片相貼合的區域內。
[0010]上述的預防短路的場效應晶體管結構，其中該溝槽的形狀與大小的挖設，避開源極區域上的柵極通道所經過的區域。
[0011]上述的預防短路的場效應晶體管結構，其中該溝槽內的銀金屬，以涂布的方式形成，或以焊設的方式形成。
[0012]為達上述目的，本實用新型還提供一種預防短路的場效應晶體管結構，其包括有:
[0013]—集成電路片，其上分設有源極區域與柵極區域，且在該源極區域上分切有柵極通道，以導通柵極區域的電訊流通；
[0014]—金屬連通片，一端與集成電路片的源極區域相連通，另一端與晶體管引腳相連通；
[0015]多個銀金屬，設于該金屬連通片與源極區域接合的面；
[0016]錫膏，點置于集成電路片的源極區域欲與金屬連通片相貼合的區域內。
[0017]上述的預防短路的場效應晶體管結構，其中該銀金屬的形狀與大小的形成，避開源極區域上的柵極通道所經過的區域。
[0018]上述的預防短路的場效應晶體管結構，其中該銀金屬的形成，以涂布的方式形成，或以焊設的方式形成。
[0019]本實用新型系為一種預防短路的場效應晶體管(FET)結構，運用于如金屬氧化物半導體場效晶體管(M0SFET)或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等晶體管型態的晶體管結構上，主要利用在金屬連通片與源極區域相接合的那面刷上銀線條，令錫膏不滲入柵極通道(GATE BUS)，以達到預防短路情況發生為其主要實用新型目的。
[0020]以下結合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實用新型的限定。
【附圖說明】
[0021]圖1:為現有場效應晶體管的晶體管點上錫膏的平面俯視示意圖；
[0022]圖2:為另一習用場效應晶體管的晶體管在覆蓋金屬連通片后，錫膏溢開狀況的平面俯視示意圖；
[0023]圖3:為本實用新型預防短路的場效應晶體管(FET)結構的另一實施例金屬連通片俯視結構示意圖；
[0024]圖4:為本實用新型預防短路的場效應晶體管(FET)結構的金屬連通片俯視結構示意圖；
[0025]圖5:為本實用新型預防短路的場效應晶體管(FET)結構的晶體管在覆蓋金屬連通片后的俯視透視示意圖。
[0026]其中，附圖標記
[0027]現在技術
[0028]源極區域1
[0029]柵極通道2
[0030]柵極區域3
[0031]錫膏4
[0032]金屬連通片5
[0033]本實用新型
[0034]集成電路片10
[0035]源極區域11
[0036]柵極區域12
[0037]柵極通道111
[0038]金屬連通片20
[0039]溝槽201
[0040]銀金屬2011
[0041]錫膏30
【具體實施方式】
[0042]下面結合附圖對本實用新型的結構原理和工作原理作具體的描述:
[0043]請參閱圖4及圖5所示，主要包括有一集成電路片(MOSFET CHIP) 10，在該集成電路片10的表面分設有源極區域(SOURCE PAD) 11與柵極區域(GATE PAD) 12，而該源極區域11上分切有柵極通道(GATE BUS) 111，以導通柵極區域12的電訊流通；
[0044]有一金屬連通片(METAL CLIP) 20，一端與集成電路片10的源極區域11相連通，另一端與晶體管引腳(圖中未展示)相連通，在該金屬連通片20與集成電路片10的源極區域11接合的那面，向內挖設有溝槽201，該溝槽201所被挖設的形狀與大小，將會避開集成電路片10的源極區域11上柵極通道111會經過的區域，換言之，該溝槽201的形成沒有一定的形狀跟大小，但絕對不會有橫跨柵極通道111的情況發生，且在該溝槽201內涂布有一層銀金屬2011 ;
[0045]當要將金屬連通片20與集成電路片10的源極區域11接合時，會先在源極區域11上以避開柵極通道111的方式點上錫膏30，由于金屬連通片20上溝槽201位置的設置與錫膏30點置的位置是相對應，且錫膏30與銀金屬2011之間有一種相互吸引的金屬濕潤性，也就是說，錫膏30會跟著銀金屬2011走，加上金屬連通片20上涂布銀金屬2011的地方是凹設有溝槽201，因此錫膏30會被銀金屬2011所吸引并定位于溝槽201內，而不會在金屬連通片20壓合在集成電路片10的源極區域11時，造成錫膏30的溢出，甚至滲入柵極通道111中，因此能有效避免柵極區域12與源極區域11 一直處于電訊連通的情況，而能有效避免該集成電路片10短路情況的發生；
[0046]再請參閱圖3所示，圖3則是本實用新型另一實施例方法，其變化在于并不需要在金屬連通片20上挖設溝槽201，而是只在金屬連通片20上與源極區域11預備點置錫膏30的相對應位置刷上或焊上一層銀金屬2011，如此同樣能達到使錫膏30匯集于金屬連通片20上有銀金屬2011的區域處而不會溢出滲入柵極通道111中，以避免集成電路片10短路情況的發生；
[0047]綜上所述，本實用新型所為的預防短路的場效應晶體管(FET)結構，較之現有場效應晶體管的結構，除了能有效避免短路情況發生外，相對能延長該晶體管的使用壽命，同時金屬連通片20的設計不僅能使電訊連結狀態較佳外，還更能提高整個晶體管的散熱性。
[0048]當然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本實用新型作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本實用新型所附的權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種預防短路的場效應晶體管結構，其特征在于，包括有: 一集成電路片，其上分設有源極區域與柵極區域，且在該源極區域上分切有柵極通道，以導通柵極區域的電訊流通； 一金屬連通片，一端與集成電路片的源極區域相連通，另一端與晶體管引腳相連通； 多個溝槽，挖設于金屬連通片上對應該金屬連通片與源極區域接合的面，且于該溝槽的表面設有一層銀金屬； 錫膏，點置于集成電路片的源極區域欲與金屬連通片相貼合的區域內。2.根據權利要求1所述的預防短路的場效應晶體管結構，其特征在于，該溝槽的形狀與大小的挖設，避開源極區域上的柵極通道所經過的區域。3.根據權利要求1所述的預防短路的場效應晶體管結構，其特征在于，該溝槽內的銀金屬，以涂布的方式形成，或以焊設的方式形成。4.一種預防短路的場效應晶體管結構，其特征在于，包括有: 一集成電路片，其上分設有源極區域與柵極區域，且在該源極區域上分切有柵極通道，以導通柵極區域的電訊流通； 一金屬連通片，一端與集成電路片的源極區域相連通，另一端與晶體管引腳相連通； 多個銀金屬，設于該金屬連通片與源極區域接合的面； 錫膏，點置于集成電路片的源極區域欲與金屬連通片相貼合的區域內。5.根據權利要求4所述的預防短路的場效應晶體管結構，其特征在于，該銀金屬的形狀與大小的形成，避開源極區域上的柵極通道所經過的區域。6.根據權利要求4所述的預防短路的場效應晶體管結構，其特征在于，該銀金屬的形成，以涂布的方式形成，或以焊設的方式形成。
【專利摘要】本實用新型公開一種預防短路的場效應晶體管結構，尤指一種運用于功率的分離元件，如金屬氧化物半導體場效晶體管或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等晶體管型態的晶體管結構上，主要包括有一集成電路片(MOSFET？CHIP)及金屬連通片(METAL？CLIP)，主要是于金屬連通片在與柵極墊片相接合的那面刷上銀線條，用來避免黏著導通金屬連接片與柵極墊片的錫膏因溢開滲入柵極通道(GATE？BUS)而造成短路現象發生為其主要實用新型要點。
【IPC分類】H01L23/535, H01L29/78
【公開號】CN205069644
【申請號】CN201520377834
【發明人】資重興
【申請人】杰群電子科技（東莞）有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年6月3日