一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，屬于半導體技術領域。
【背景技術】
[0002]半導體功率分立器件作為一種傳統的電子元器件被廣泛應用于各種電路中，因其只執行單一的功能，往往被獨立封裝，即一個封裝器件內只含有一顆芯片。當在某些特殊的應用領域，需要同時使用數量較多的半導體功率分立器件時，這種常規的封裝因占位面積大，不利于電路的微型化，制造成本也較高。例如:麻將機根據機型的不同，需要配置8?18個電機，每個電機需要使用一個晶閘管作為開關元件，現有技術是借助于現有的封裝結構如T0-220封裝或T0-252封裝，將單顆晶閘管芯片封裝于內，因現有封裝結構封裝體積大，使用器件數量較多，線路板上占位面積大，無法進一步小型化。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型針對諸如麻將機等低功耗應用領域，提供了一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，可將兩顆芯片同時封裝于同一封裝體內，可大幅度減少器件的使用數量和占位面積，本案由此產生。
[0004]為達到上述目的，本實用新型所采用的技術方案為:一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，包括塑封體、焊盤、引出端子、芯片、金屬引線，連接焊盤的引出端子有部分外露于塑封體外，芯片一面通過焊料焊接于焊盤上，另一面通過金屬引線與其他未放置芯片的焊盤相連，所述焊盤數量設置不少于四個，且兩兩相向設置，與焊盤相連的所述引出端子的數量與焊盤設置數量相同，所述芯片數量為兩個，未放置芯片且相向設置的其中兩個焊盤彼此相連。
[0005]若所封裝的兩顆芯片為同種類相同芯片，則所述相向設置的焊盤及所述引出端子彼此呈中心對稱結構，在后續器件測試和包裝工序，無須區分器件方向，可省去器件排向的麻煩。
[0006]進一步設置，所述引出端子在塑封體外露部分呈歐翼型，散熱路徑更長，也便于器件的焊接。
[0007]將所述放置芯片的焊盤所連接的引出端子的寬度，設置為大于其他未放置芯片的焊盤所連接的引出端子的寬度，更有利于芯片的散熱，同時也可作為引出端子極性的特殊標識Ο
[0008]本實用新型特別針對低功耗多器件應用領域，采用雙芯片集成封裝結構，能有效減小器件的占位面積，有利于電路的微型化設計，也大大降低了制造成本。
[0009]以下結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步說明。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型實施例之一外觀結構示意圖；
[0011]圖2為圖1的內部框架結構示意圖；
[0012]圖3為本實用新型實施例之二外觀結構示意圖；
[0013]圖4為圖3的內部框架結構示意圖。
【具體實施方式】
[0014]如圖1和圖2所示的一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，包括塑封體1、焊盤2、引出端子3、芯片、金屬引線，連接焊盤2的引出端子3有部分外露于塑封體1外，芯片一面通過焊料焊接于焊盤2上，另一面通過金屬引線與其他未放置芯片的焊盤2相連，其中焊盤2數量設置不少于四個，且兩兩相向設置，與焊盤2相連的引出端子3的數量與焊盤2設置數量相同，芯片數量為兩個，未放置芯片且相向設置的其中兩個焊盤2彼此相連。
[0015]上述結構所封裝的兩顆芯片，可以是同種類相同芯片，也可以是兩顆不同種類芯片。所封裝的芯片類型，包括晶閘管芯片、三極管芯片、M0S管芯片、二極管芯片。
[0016]焊盤2以及連接焊盤2的引出端子3的數量設置，則根據所封裝芯片類型的需要，例如:所封裝的兩顆芯片為晶閘管芯片、三極管芯片、M0S管芯片，則焊盤2及引出端子3各設置為六個；所封裝的兩顆芯片同為二極管芯片，則焊盤2及引出端子3各設置為四個。
[0017]當所封裝的兩顆芯片為同種類相同芯片時，相向設置的焊盤2及連接焊盤2的引出端子3彼此之間呈中心對稱結構，這樣設置在后續器件的測試和包裝工序，則可以省去排向的麻煩。
[0018]對于上述方案中引出端子3外露于塑封體1的部分，可設置成歐翼型，使得散熱路徑更長，也便于器件的焊接。
[0019]進一步優化，可將放置芯片的焊盤2所連接的引出端子3的寬度，設置為大于其他未放置芯片的焊盤2所連接的引出端子3的寬度，更有利于芯片的散熱，同時也可作為引出端子3極性的特殊標識。
[0020]下面針對麻將機中電機應用領域，以封裝兩顆相同的雙向晶閘管芯片為例，來說明本實用新型的【具體實施方式】之一:
[0021]一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，包括塑封體1、第一焊盤21、第二焊盤22、第三焊盤23、第四焊盤24、第五焊盤25、第六焊盤26、焊接于第一焊盤21上的第一雙向晶閘管芯片、焊接于第四焊盤24上的第二雙向晶閘管芯片、以及依次與第一焊盤21至第六焊盤26相連的引出端子31?36，其中第一焊盤21至第三焊盤23與第四焊盤24至第六焊盤26呈中心對稱結構，同樣引出端子31至33與引出端子34至36也呈中心對稱結構，第二焊盤22與第五焊盤25相向設置且彼此連接，第一雙向晶閘管芯片的門極通過金屬引線與第六焊盤26相連，與第一焊盤21相連的引出端子31為T2極，第一雙向晶閘管芯片的T1極通過金屬引線與第二焊盤22相連，同理，第二雙向晶閘管芯片的門極通過金屬引線與第三焊盤23相連，與第四焊盤24相連的引出端子34為T2極，第二雙向晶閘管芯片的T1極通過金屬引線與第五焊盤25相連，將引出端子2外露于塑封體1的部分設置為歐翼型，同時，將引出端子31和34的寬度設置相同，大于引出端子32、33、35、36的寬度。
[0022]以全自動四口麻將機為例，通常有14個電機，即:使用現有T0-252封裝器件需要用到14個器件，若將具有本實用新型上述封裝結構的雙向晶閘管器件應用于麻將機電機上，則只需使用7個器件，占位面積大幅度減少，制造成本下降明顯。特別是針對類似麻將機中使用，不始終處于工作狀態的低功耗應用領域，本實用新型的封裝結構還可根據芯片面積的減小進一步減小封裝體積，使占位面積和制造成本的下降更加顯著。
[0023]以下結合圖3和圖4來說明針對封裝二極管芯片應用領域，給出本實用新型的實施方式之二:一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，包括塑封體1、第一焊盤21、第二焊盤22、第三焊盤23、第四焊盤24、焊接于第一焊盤21上的第一二極管芯片、焊接于第三焊盤23上的第二二極管芯片、以及依次與第一焊盤21至第四焊盤24相連的引出端子31?34，其中第一焊盤21、第二焊盤22與第三焊盤23、第四焊盤24呈中心對稱結構，同樣引出端子31、32與引出端子33、34也呈中心對稱結構，第二焊盤22與第四焊盤24相向設置且彼此連接，第一二極管芯片的陰極與第一焊盤21相連，第一二極管芯片的陽極通過金屬引線與第二焊盤22相連，與第一焊盤21相連的引出端子31為二極管的陰極，同理，第二二極管芯片的陰極與第三焊盤23相連，第二二極管芯片的陽極通過金屬引線與第四焊盤24相連，與第三焊盤23相連的引出端子33為另一個二極管的陰極，兩個通過第二焊盤和第四焊盤彼此相連的引出端子32和34作為兩個二極管芯片的共陽極端子，將引出端子2外露于塑封體1的部分設置為歐翼型，同時，將引出端子31和33的寬度設置相同，大于引出端子32、34的寬度。
【主權項】
1.一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，包括塑封體、焊盤、引出端子、芯片、金屬引線，連接焊盤的引出端子有部分外露于塑封體外，芯片一面通過焊料焊接于焊盤上，另一面通過金屬引線與其他未放置芯片的焊盤相連，其特征在于:所述焊盤數量設置不少于四個，且兩兩相向設置，與焊盤相連的所述引出端子數量與焊盤設置數量相同，所述芯片數量為兩個，未放置芯片且相對設置的其中兩個焊盤彼此相連。2.根據權利要求1所述的一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，其特征在于:所述相向設置的焊盤及引出端子彼此呈中心對稱結構。3.根據權利要求1所述的一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，其特征在于:所述引出端子在塑封體外露部分呈歐翼型。4.根據權利要求1所述的一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，其特征在于:所述放置芯片的焊盤所連接的引出端子的寬度，大于其他未放置芯片的焊盤所連接的引出端子的寬度。
【專利摘要】本實用新型涉及一種半導體功率器件雙芯片混合封裝結構，屬于半導體技術領域。包括塑封體、焊盤、引出端子、芯片、金屬引線，其中引出端子與焊盤相連，芯片一面通過焊料焊接于焊盤上，另一面通過金屬引線與其他未放置芯片的焊盤相連，焊盤數量設置不少于四個，且兩兩相向設置，與焊盤相連的引出端子數量與焊盤設置數量相同，芯片數量為兩個，未放置芯片且相對設置的其中兩個焊盤彼此相連。本實用新型特別針對低功耗多器件應用領域，采用雙芯片集成封裝結構，能有效減小器件的占位面積，有利于電路的微型化設計，也大大降低了制造成本。
【IPC分類】H01L23/488, H01L23/49, H01L25/07
【公開號】CN205004333
【申請號】CN201520677833
【發明人】謝曉東
【申請人】浙江明德微電子股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年9月2日