智能卡芯片封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及智能卡領域，尤其涉及一種智能卡芯片封裝結構。
【背景技術】
[0002]目前智能卡芯片的封裝主要有以下兩種方式。
[0003]參見圖1，一種方式是打線鍵合，是一種使用細金屬引線10，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線10與基板13的焊盤11緊密焊合，實現芯片12與基板13間的電氣互連和芯片間的信息互通。該種封裝方式在理想控制條件下，引線和基板間會發生電子共享或原子的相互擴散，從而使兩種金屬間實現原子量級上的鍵合。但是，其缺點在于，芯片面積有限，難以滿足復雜的功能。
[0004]參見圖2及圖3，另一種方式是倒裝芯片封裝，通過芯片20上的凸點22直接將元器件朝下互連到基板21上，也可以是互連到載體或電路板上，芯片20直接通過凸點22直接連接到基板和載體上。所述凸點22可以是在I/O焊墊上植錫鉛球，然后將芯片20翻轉加熱利用熔融的錫鉛球與基板21相結合。該封裝形式的芯片結構和I/O端(錫球)方向朝下，由于I/O引出端分布于整個芯片表面，故在封裝密度和處理速度上有良好的優勢。但是，其缺點在于，芯片面積過大，成本太高。
[0005]因此，急需一種封裝形式滿足人們的需求。
【實用新型內容】
[0006]本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種智能卡芯片封裝結構，其能夠降低成本，提尚芯片利用率。
[0007]為了解決上述問題，本實用新型提供了一種智能卡芯片封裝結構，包括基板及與所述基板倒裝焊接的倒裝芯片，所述倒裝芯片的一部分引腳倒裝焊接至基板，在所述基板上設置有至少一個焊墊，所述焊墊暴露于所述倒裝芯片之外，在倒裝芯片背離所述基板的一面，所述倒裝芯片的另一部分引腳通過金屬引線與所述焊墊電連接。
[0008]進一步，所述基板上設置有兩個焊墊，在所述倒裝芯片背離所述基板的一面，所述倒裝芯片的兩個引腳分別通過兩條金屬引線與所述兩個焊墊電連接。
[0009]進一步，所述兩個引腳分別為接地引腳和NFC引腳。
[0010]進一步，兩個所述焊墊設置在所述基板的同一邊。
[0011]進一步，所述倒裝芯片的一部分引腳通過焊球與所述基板焊接。
[0012]進一步，所述焊墊設置在所述基板邊緣，以便于在所述倒裝芯片與焊墊之間打線。
[0013]本實用新型的優點在于，同時采用倒裝封裝與打線封裝兩種封裝方式，與倒裝焊相比，芯片面積縮小，有利于降低成本，與純打線封裝相比，芯片的利用率有所提高。
[0014]本實用新型的另一個優點在于，接地引腳和NFC引腳可以單獨連出，有利于提高廣1(? f生會bo
【附圖說明】
[0015]圖1是現有的打線封裝的結構示意圖；
[0016]圖2是現有的倒裝封裝的結構示意圖
[0017]圖3是現有的倒裝封裝的截面示意圖；
[0018]圖4是本實用新型封裝結構的第一【具體實施方式】的示意圖；
[0019]圖5是本實用新型封裝結構的第一【具體實施方式】的截面示意圖；
[0020]圖6A~圖6D是本實用新型封裝方法的第一【具體實施方式】的的工藝流程圖；
[0021]圖7是是本實用新型封裝結構的第二【具體實施方式】的示意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結合附圖對本實用新型提供的智能卡芯片封裝結構的【具體實施方式】做詳細說明。
[0023]參見圖4及圖5，本實用新型一種智能卡芯片封裝結構的第一【具體實施方式】包括基板40及與所述基板40倒裝焊接的倒裝芯片41。
[0024]所述倒裝芯片41的一部分引腳倒裝焊接至所述基板40。在本【具體實施方式】中，所述倒裝芯片41的一部分引腳被植焊球42，翻轉所述倒裝芯片41，以使所述焊球42與基板40接觸，熔化所述焊球42，使得倒裝芯片41的一部分引腳通過焊球42與基板40固定及實現電連接。
[0025]在所述基板40上設置有至少一個焊墊43，所述焊墊43暴露于所述倒裝芯片41之夕卜，即所述倒裝芯片41并未遮擋所述焊墊43，以便于后續打線。在倒裝芯片41背離所述基板40的一面，所述倒裝芯片41的另一部分引腳通過金屬引線44與所述焊墊43電連接。所述金屬引線的材質可以為銅等本領域常用金屬。所述金屬引線44打線至倒裝芯片41背離基板40的一面，所述倒裝芯片41朝向基板40的一面的引腳可通過穿導孔45實現與金屬引線44的電連接。所述穿導孔45內填充有導電材料，即倒裝芯片41的引腳通過金屬化制程連接至倒裝芯片41背離基板40的一面。
[0026]在本【具體實施方式】中，所述基板40上設置有兩個焊墊43，在所述倒裝芯片41背離所述基板40的一面，所述倒裝芯片41的兩個引腳(附圖中未標示)，例如，接地引腳和NFC弓I腳(近距離無線通訊引腳)，分別通過兩個金屬引線44與兩個所述焊墊43電連接，以將所述倒裝芯片41的接地引腳和NFC引腳引至基板40。在本【具體實施方式】中，所述倒裝芯片41具有八個引腳，其中兩個引腳通過打線的方式與基板的焊墊43連接。
[0027]本文同時采用倒裝封裝與打線封裝兩種封裝方式，與倒裝焊相比，芯片面積縮小，有利于降低成本，與純打線封裝相比，芯片的利用率有所提高。另外，所述接地引腳和NFC引腳單獨引出，有利于提尚廣品的性能。
[0028]進一步，在本【具體實施方式】中，兩個所述焊墊43設置在所述基板40的同一邊，便于打線工序的進行。進一步，所述焊墊43設置在所述基板40的邊緣，以便于在所述倒裝芯片41與焊墊43之間打線，且節約空間，減小封裝體積。
[0029]圖7是本實用新型封裝結構的第二【具體實施方式】的示意圖，在本【具體實施方式】中，所述倒裝芯片41包含六個引腳，其中兩個引腳通過打線的方式與基板的焊墊43連接。
[0030]本實用新型還提供一種智能卡芯片封裝結構的封裝方法，參見圖6A~圖6D，以封裝結構的第一【具體實施方式】的結構為例，所述方法包括如下步驟。
[0031]步驟(1)，參見圖6A，提供基板60及芯片61，在所述基板60上設置有至少一個焊墊63。
[0032]在本【具體實施方式】中，所述基板60上設置有兩個焊墊63，由于附圖6六~圖60為截面示意圖，因此，僅能觀察到一個焊墊63。兩個所述焊墊63設置在所述基板60的同一邊，便于打線工序的進行。進一步，所述焊墊63設置在所述基板60的邊緣，以便于在所述芯片61與焊墊63之間打線，且節約空間，減小封裝體積。
[0033]步驟(2)，參見圖6B，在所述芯片61的一部分引腳上植焊球62。該方法為現有技術，本文不進行描述。
[0034]步驟(3)，參見圖6C，將植有焊球62的芯片61倒裝焊接至基板60，進而將所述芯片61的一部分引腳倒裝焊接至基板60，所述焊墊63暴露于所述芯片61之外，即所述芯片61并未遮擋所述焊墊63，以便于后續打線。
[0035]倒裝工藝中，翻轉所述芯片61，以使所述焊球62與基板60接觸，熔化所述焊球62，使得芯片61的一部分引腳通過焊球62與基板60固定及實現電連接。
[0036]步驟(4)，參見圖6D，在所述芯片61背離所述基板60的一面，將所述芯片61的另一部分引腳通過金屬引線64電連接至所述焊墊63。
[0037]在本【具體實施方式】中，所述芯片61的兩個引腳(附圖中未標示)，例如，接地引腳和NFC引腳，分別通過兩個金屬引線64與兩個所述焊墊63電連接，以將所述芯片61的接地引腳和NFC引腳引至基板60。
[0038]另一部分引腳通過金屬引線64電連接至所述焊墊63的方法即為打線方法，其為現有技術的方法，本文不描述，所述金屬引線的材質可以為銅等本領域常用金屬。所述金屬引線64打線至芯片61背離基板60的一面，所述芯片61朝向基板60的一面的引腳可通過穿導孔65實現與金屬引線64的電連接。所述穿導孔65內填充有導電材料，即芯片61的引腳通過金屬化制程連接至芯片61背離基板60的一面。
[0039]本實用新型同時采用倒裝封裝與打線封裝兩種封裝方式，與倒裝焊相比，芯片面積縮小，有利于降低成本，與純打線封裝相比，芯片的利用率有所提高。另外，所述接地引腳和NFC引腳單獨引出，有利于提尚廣品的性能。
[0040]以上所述僅是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員，在不脫離本實用新型結構的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種智能卡芯片封裝結構，包括基板及與所述基板倒裝焊接的倒裝芯片，其特征在于，所述倒裝芯片的一部分引腳倒裝焊接至基板，在所述基板上設置有至少一個焊墊，所述焊墊暴露于所述倒裝芯片之外，在倒裝芯片背離所述基板的一面，所述倒裝芯片的另一部分引腳通過金屬引線與所述焊墊電連接。2.根據權利要求1所述的智能卡芯片封裝結構，其特征在于，所述基板上設置有兩個焊墊，在所述倒裝芯片背離所述基板的一面，所述倒裝芯片的兩個引腳分別通過兩條金屬引線與所述兩個焊墊電連接。3.根據權利要求2所述的智能卡芯片封裝結構，其特征在于，所述兩個引腳分別為接地引腳和NFC引腳。4.根據權利要求2所述的智能卡芯片封裝結構，其特征在于，兩個所述焊墊設置在所述基板的同一邊。5.根據權利要求1所述的智能卡芯片封裝結構，其特征在于，所述倒裝芯片的一部分引腳通過焊球與所述基板焊接。6.根據權利要求1所述的智能卡芯片封裝結構，其特征在于，所述焊墊設置在所述基板邊緣，以便于在所述倒裝芯片與焊墊之間打線。
【專利摘要】本實用新型提供一種智能卡芯片封裝結構，所述封裝結構包括基板及與所述基板倒裝焊接的倒裝芯片，所述倒裝芯片的一部分引腳倒裝焊接至基板，在所述基板上設置有至少一個焊墊，所述焊墊暴露于所述倒裝芯片之外，在倒裝芯片背離所述基板的一面，所述倒裝芯片的另一部分引腳通過金屬引線與所述焊墊電連接。本實用新型的優點在于，同時采用倒裝封裝與打線封裝兩種封裝方式，與倒裝焊相比，芯片面積縮小，有利于降低成本，與純打線封裝相比，芯片的利用率有所提高。
【IPC分類】H01L21/60, H01L23/49, H01L23/488
【公開號】CN204991695
【申請號】CN201520676428
【發明人】高洪濤, 陸美華, 劉玉寶, 沈愛明, 張立
【申請人】上海伊諾爾信息技術有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年9月1日