一種SiC外延法裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及石墨烯導電銀漿制備裝置技術領域，具體地說，特別涉及一種SiC外延法裝置。
【背景技術】
[0002]晶硅太陽能電池由于光電轉換效率高，材料本身對環境不造成影響，便于工業化及性能穩定，而在太陽能電池領域占主導地位。其中正背面電級的制備技術有光刻、磁控濺射、真空蒸鍍、刻槽埋柵及絲網印刷等。而絲網印刷法具有效率高、成本低以及設備簡單與耐用的特點，可作為工業化生產太陽能電池的方法。正面電級導電銀漿對電池性能如接觸電阻Rs、短路電流Isc、開路電壓Voc等影響很大，銀漿中的銀粉大小、形貌、粒度分布，無機黏結劑玻璃料的成分、配比，有機載體的成分，摻雜銀漿以及添加劑種類等為影響導電銀漿性能的重要參數。傳統石墨烯導電銀漿制備裝置生產出的石墨烯導電銀漿導電性差，貴金屬銀的使用量消耗大，以及附著力低及可焊性差等特性。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足，提供一種SiC外延法裝置，其結構簡單，可大幅降低貴金屬銀的使用量，以及生產出的石墨烯導電銀漿具有高附著力及可焊性佳，成本低廉且適合大批量生產。
[0004]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種SiC外延法裝置，包括殼體、碳化硅粉末筒、低溫熱源裝置、底蓋、下保溫裝置、外多孔石墨筒、碳化硅籽晶、碳化硅晶體、內多孔石墨筒、上保溫裝置、頂蓋和高溫熱源裝置；所述殼體底端中心設有安裝孔，所述底蓋安裝在殼體底端安裝孔里，所述下保溫裝置安裝在底蓋的頂面上且位于殼體內，所述低溫熱源裝置安裝在下保溫裝置的頂面上且位于殼體內，所述頂蓋安裝在殼體頂端，所述上保溫裝置安裝在頂蓋的底面上且位于殼體內，所述高溫熱源裝置安裝在上保溫裝置的底面上且位于殼體內，所述內多孔石墨筒上端安裝在高溫熱源裝置底端的圓柱凸臺上，其下端安裝在低溫熱源裝置頂端的圓柱凸臺上，所述外多孔石墨筒安裝在內多孔石墨筒外圓柱面上且其下端定位在低溫熱源裝置上，所述碳化硅粉末筒在內多孔石墨筒外圓柱面上且其底面安裝在外多孔石墨筒的頂面上，所述碳化硅籽晶安裝在低溫熱源裝置頂面的中心，所述碳化硅晶體安裝在碳化硅籽晶的頂面上，低溫熱源裝置、高溫熱源裝置和內多孔石墨筒圍成的空間內充滿碳化硅蒸氣。
[0005]作為優選，所述低溫熱源裝置由進氣口、保溫外筒、加熱管、導流板、第一測溫點、出氣口、防護罩、第二測溫點、接線孔和支架組成，保溫外筒外表面底端安裝有支架，保溫外筒左端設有進氣口，導流板安裝在保溫外筒的內壁上，加熱管通過導流板安裝在保溫外筒內，保溫外筒頂端靠近右側面設有出氣口，出氣口上安裝有第一測溫點，加熱管右端安裝在防護罩內，防護罩位于保溫外筒右側，防護罩底端設有接線孔，加熱管右端設有第二測溫點。
[0006]作為優選，所述殼體內壁上設有保溫層。
[0007]作為優選，所述低溫熱源裝置的支架上設有安裝孔。
[0008]本實用新型與現有技術相比具有以下優點:結構簡單，可大幅降低貴金屬銀的使用量，以及生產出的石墨烯導電銀漿具有高附著力及可焊性佳，成本低廉且適合大批量生產。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的一種【具體實施方式】的結構示意圖；
[0010]圖2為本實用新型低溫熱源裝置的結構示意圖。
[0011]附圖標記說明:
[0012]1-殼體，2-碳化硅粉末筒，3-低溫熱源裝置，4-底蓋，5-下保溫裝置，6_外多孔石墨筒，7_碳化娃軒晶，8_碳化娃晶體，9-內多孔石墨筒，10-上保溫裝置，11-頂蓋，12-尚溫熱源裝置；
[0013]301-進氣口，302-保溫外筒，303-加熱管，304-導流板，305-第一測溫點，306-出氣口，307-防護罩，308-第二測溫點，309-接線孔，310-支架。
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖及實施例描述本實用新型【具體實施方式】:
[0015]如圖1和圖2所示，一種SiC外延法裝置，包括殼體1、碳化硅粉末筒2、低溫熱源裝置3、底蓋4、下保溫裝置5、外多孔石墨筒6、碳化硅籽晶7、碳化硅晶體8、內多孔石墨筒
9、上保溫裝置10、頂蓋11和高溫熱源裝置12 ;所述殼體1底端中心設有安裝孔，所述底蓋4安裝在殼體1底端安裝孔里，所述下保溫裝置5安裝在底蓋4的頂面上且位于殼體1內，所述低溫熱源裝置3安裝在下保溫裝置5的頂面上且位于殼體1內，所述頂蓋11安裝在殼體1頂端，所述上保溫裝置10安裝在頂蓋11的底面上且位于殼體1內，所述高溫熱源裝置12安裝在上保溫裝置10的底面上且位于殼體1內，所述內多孔石墨筒9上端安裝在高溫熱源裝置12底端的圓柱凸臺上，其下端安裝在低溫熱源裝置3頂端的圓柱凸臺上，所述外多孔石墨筒6安裝在內多孔石墨筒9外圓柱面上且其下端定位在低溫熱源裝置3上，所述碳化硅粉末筒2在內多孔石墨筒9外圓柱面上且其底面安裝在外多孔石墨筒6的頂面上，所述碳化硅籽晶7安裝在低溫熱源裝置3頂面的中心，所述碳化硅晶體8安裝在碳化硅籽晶7的頂面上，低溫熱源裝置3、高溫熱源裝置12和內多孔石墨筒9圍成的空間內充滿碳化硅蒸氣。
[0016]優選的，所述低溫熱源裝置3由進氣口 301、保溫外筒302、加熱管303、導流板304、第一測溫點305、出氣口 306、防護罩307、第二測溫點308、接線孔309和支架310組成，保溫外筒302外表面底端安裝有支架310，保溫外筒302左端設有進氣口 301，導流板304安裝在保溫外筒302的內壁上，加熱管303通過導流板304安裝在保溫外筒302內，保溫外筒302頂端靠近右側面設有出氣口 306，出氣口 306上安裝有第一測溫點305，加熱管303右端安裝在防護罩307內，防護罩307位于保溫外筒302右側，防護罩307底端設有接線孔309，加熱管303右端設有第二測溫點308。
[0017]優選的，所述殼體1內壁上設有保溫層。
[0018]優選的，所述低溫熱源裝置3的支架310上設有安裝孔。
[0019]上面結合附圖對本實用新型優選實施方式作了詳細說明，但是本實用新型不限于上述實施方式，在本領域普通技術人員所具備的知識范圍內，還可以在不脫離本實用新型宗旨的如提下做出各種變化。
[0020]不脫離本實用新型的構思和范圍可以做出許多其他改變和改型。應當理解，本實用新型不限于特定的實施方式，本實用新型的范圍由所附權利要求限定。
【主權項】
1.一種SiC外延法裝置，其特征在于:包括殼體、碳化硅粉末筒、低溫熱源裝置、底蓋、下保溫裝置、外多孔石墨筒、碳化硅籽晶、碳化硅晶體、內多孔石墨筒、上保溫裝置、頂蓋和高溫熱源裝置；所述殼體底端中心設有安裝孔，所述底蓋安裝在殼體底端安裝孔里，所述下保溫裝置安裝在底蓋的頂面上且位于殼體內，所述低溫熱源裝置安裝在下保溫裝置的頂面上且位于殼體內，所述頂蓋安裝在殼體頂端，所述上保溫裝置安裝在頂蓋的底面上且位于殼體內，所述高溫熱源裝置安裝在上保溫裝置的底面上且位于殼體內，所述內多孔石墨筒上端安裝在高溫熱源裝置底端的圓柱凸臺上，其下端安裝在低溫熱源裝置頂端的圓柱凸臺上，所述外多孔石墨筒安裝在內多孔石墨筒外圓柱面上且其下端定位在低溫熱源裝置上，所述碳化硅粉末筒在內多孔石墨筒外圓柱面上且其底面安裝在外多孔石墨筒的頂面上，所述碳化硅籽晶安裝在低溫熱源裝置頂面的中心，所述碳化硅晶體安裝在碳化硅籽晶的頂面上，低溫熱源裝置、高溫熱源裝置和內多孔石墨筒圍成的空間內充滿碳化硅蒸氣。2.如權利要求1所述的一種SiC外延法裝置，其特征在于:所述低溫熱源裝置由進氣口、保溫外筒、加熱管、導流板、第一測溫點、出氣口、防護罩、第二測溫點、接線孔和支架組成，保溫外筒外表面底端安裝有支架，保溫外筒左端設有進氣口，導流板安裝在保溫外筒的內壁上，加熱管通過導流板安裝在保溫外筒內，保溫外筒頂端靠近右側面設有出氣口，出氣口上安裝有第一測溫點，加熱管右端安裝在防護罩內，防護罩位于保溫外筒右側，防護罩底端設有接線孔，加熱管右端設有第二測溫點。3.如權利要求1所述的一種SiC外延法裝置，其特征在于:所述殼體內壁上設有保溫層。4.如權利要求2所述的一種SiC外延法裝置，其特征在于:所述低溫熱源裝置的支架上設有安裝孔。
【專利摘要】本實用新型公開了一種SiC外延法裝置，主要內容為：所述殼體底端中心設有安裝孔，底蓋安裝在殼體底端安裝孔里，下保溫裝置安裝在底蓋的頂面上，低溫熱源裝置安裝在下保溫裝置的頂面上，所述頂蓋安裝在殼體頂端，上保溫裝置安裝在頂蓋的底面上，高溫熱源裝置安裝在上保溫裝置的底面上，內多孔石墨筒上端安裝在高溫熱源裝置底端的圓柱凸臺上，其下端安裝在低溫熱源裝置頂端的圓柱凸臺上，外多孔石墨筒安裝在內多孔石墨筒外圓柱面上，碳化硅粉末筒在內多孔石墨筒外圓柱面上，碳化硅籽晶安裝在低溫熱源裝置頂面的中心，碳化硅晶體安裝在碳化硅籽晶的頂面上，低溫熱源裝置、高溫熱源裝置和內多孔石墨筒圍成的空間內充滿碳化硅蒸氣。
【IPC分類】H01B13/00, H01L31/0224
【公開號】CN204991288
【申請號】CN201520723584
【發明人】秦崇德, 方結彬, 石強, 黃玉平, 何達能, 陳剛
【申請人】廣東愛康太陽能科技有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年9月17日