半絕緣雙面拋光微波晶片的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半絕緣雙面拋光微波晶片。
【背景技術】
[0002]傳統單晶硅材質的微波片，經研磨后，其表面磨傷嚴重，深度有10 μ m左右，這樣的單晶硅不能直接用來制作器件使用；目前市場上的均是單面拋光，這種單面拋光的微波片電性能不一致，影響產品性能。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型要解決的技術問題是:克服現有技術的不足，提供一種半絕緣雙面拋光微波晶片。
[0004]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種半絕緣雙面拋光微波晶片，包括晶片本體，所述晶片本體的正面設置有上拋光層，所述晶片本體的背面設置有下拋光層，所述晶片本體的材質為砷化鎵。
[0005]進一步的，所述的上拋光層和下拋光層的厚度< 1.2 μπι。
[0006]進一步的，所述拋光微波晶片的厚度為450-550 μ m。
[0007]本實用新型的有益效果是:砷化鎵擁有一些較單晶硅還要好的電子特性，使得砷化鎵可以用在高于250GHz的場合。如果等效的砷化鎵和單晶硅元件同時都操作在高頻時，砷化鎵會產生較少的聲音。也因為砷化鎵有較高的崩潰壓，所以砷化鎵比同樣的單晶硅元件更適合操作在高功率的場合。
[0008]因為這些特性，砷化鎵電路可以運用在移動電話、衛星通訊、微波點對點連線、雷達系統等地方。
【附圖說明】
[0009]下面結合附圖對本實用新型進一步說明。
[0010]圖1是本實用新型半絕緣微波片的示意圖；
[0011 ] 其中，1、晶片本體，2、上拋光層，3、下拋光層。
【具體實施方式】
[0012]現在結合附圖對本實用新型作進一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。
[0013]如圖1所示，一種半絕緣雙面拋光微波晶片，包括晶片本體1，晶片本體I的正面設置有上拋光層2，晶片本體I的背面設置有下拋光層3，晶片本體I的材質為砷化鎵。
[0014]上拋光層2和下拋光層3的厚度< 1.2 μπι。拋光微波晶片的厚度為450-550 μ m。
[0015]砷化鎵擁有一些較單晶硅還要好的電子特性，使得砷化鎵可以用在高于250GHz的場合。如果等效的砷化鎵和單晶硅元件同時都操作在高頻時，砷化鎵會產生較少的聲音。也因為砷化鎵有較高的崩潰壓，所以砷化鎵比同樣的單晶硅元件更適合操作在高功率的場入口 O
[0016]因為這些特性，砷化鎵電路可以運用在移動電話、衛星通訊、微波點對點連線、雷達系統等地方。
[0017]以上述依據本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。
【主權項】
1.一種半絕緣雙面拋光微波晶片，其特征是，包括晶片本體(I)，所述晶片本體(I)的正面設置有上拋光層(2)，所述晶片本體(I)的背面設置有下拋光層(3)，所述晶片本體(I)的材質為砷化鎵。2.根據權利要求1所述的半絕緣雙面拋光微波晶片，其特征是，所述的上拋光層(2)和下拋光層⑶的厚度< 1.2μηι。3.根據權利要求1所述的半絕緣雙面拋光微波晶片，其特征是，所述拋光微波晶片的厚度為 450-550 μ m。
【專利摘要】本實用新型涉及一種半絕緣雙面拋光微波晶片，包括晶片本體，所述晶片本體的正面設置有上拋光層，所述晶片本體的背面設置有下拋光層，所述晶片本體的材質為砷化鎵。砷化鎵擁有一些較單晶硅還要好的電子特性，使得砷化鎵可以用在高于250GHz的場合。如果等效的砷化鎵和單晶硅元件同時都操作在高頻時，砷化鎵會產生較少的聲音。也因為砷化鎵有較高的崩潰壓，所以砷化鎵比同樣的單晶硅元件更適合操作在高功率的場合。
【IPC分類】H01L29/20
【公開號】CN204946905
【申請號】CN201520752951
【發明人】戚林
【申請人】江蘇中科晶元信息材料有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年9月25日