一種分立器件圓胞排布結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于半導體制造技術領域，特別涉及一種分立器件圓胞排布結構。
【背景技術】
[0002]現有的分立器件的圓胞結構，如圖1和2所示，因為寄生三極管效應，寄生體電阻較大，限制了雪崩沖擊和短路能力。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的是提供一種分立器件圓胞排布結構。
[0004]本實用新型的技術方案是，一種分立器件圓胞排布結構，所述分立器件圓胞排布結構的接觸孔Contact的寬度小于源區N+的寬度，圓胞結構的源區N+是間隔排列。
[0005]所述分立器件的器件類型是VDMOS或IGBT。
[0006]所述分立器件的Poly結構是平面結構或者溝槽結構。
[0007]本實用新型通過減小接觸孔Contact與源區N+的接觸面積，降低寄生電阻效應，提升雪崩沖擊和短路能力。本實用新型可以降低寄生三極管的體電阻效應，提高圓胞的雪崩沖擊和短路能力。
【附圖說明】
[0008]通過參考附圖閱讀下文的詳細描述，本實用新型示例性實施方式的上述以及其他目的、特征和優點將變得易于理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本實用新型的若干實施方式，其中:
[0009]圖1是現有分立器件的一種圓胞結構俯視圖。
[0010]圖2是現有分立器件的另一種圓胞結構俯視圖。
[0011]圖3是本實用新型的圓胞結構俯視圖。
[0012]圖4是現有常規圓胞結構的剖面圖。
[0013]圖5是本實用新型的圓胞結構部分剖面圖。
[0014]其中，I——多晶(Poly)，2——接觸孔(Contact)，3——源區(N+)，4——P+阱區(P+Body)，5--N 型外延區。
【具體實施方式】
[0015]如圖3所示，一種分立器件圓胞排布結構，所述分立器件圓胞排布結構的接觸孔Contact的寬度小于源區N+的寬度，圓胞結構的源區N+是間隔排列。
[0016]其中，對于Poly⑶不限，可以隨器件性能要求做尺寸調整。
[0017]對于Contact⑶不限，可以隨器件性能要求做尺寸調整。
[0018]對于N+⑶和間距不限，可以隨器件性能要求做尺寸調整。
[0019]對于分立器件的器件類型不限，可以是VDM0S，IGBT等各種分立器件。
[0020]對于分立器件的Poly結構不限，可以是平面結構或者溝槽結構。
[0021]Poly⑶是多晶的條寬，Contact⑶是接觸孔的條寬，N+⑶是源區的條寬。
[0022]傳統的分立器件圓胞結構，因為寄生三極管效應，寄生體電阻較大，雪崩沖擊和短路能力較差，本實用新型可以顯著降低寄生三極管的體電阻，改善雪崩沖擊和短路能力。
[0023]值得說明的是，雖然前述內容已經參考若干【具體實施方式】描述了本實用新型創造的精神和原理，但是應該理解，本實用新型創造并不限于所公開的【具體實施方式】，對各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合，這種劃分僅是為了表述的方便。本實用新型創造旨在涵蓋所附權利要求的精神和范圍內所包括的各種修改和等同布置。
【主權項】
1.一種分立器件圓胞排布結構，其特征在于，所述分立器件圓胞排布結構的接觸孔Contact的寬度小于源區N+的寬度。2.如權利要求1所述分立器件圓胞排布結構，其特征在于，圓胞的源區N+是間隔排列。3.如權利要求1所述分立器件圓胞排布結構，其特征在于，所述分立器件的器件類型是 VDMOS 或 IGBT。
【專利摘要】本實用新型公開了一種分立器件圓胞排布結構，減小所述分立器件圓胞排布結構的接觸孔Contact與源區N+的接觸面積，所述分立器件的器件類型是VDMOS或IGBT。所述分立器件的Poly結構是平面結構或者溝槽結構。本實用新型可以顯著降低寄生三極管的體電阻,改善雪崩沖擊和短路能力。
【IPC分類】H01L29/06
【公開號】CN204857727
【申請號】CN201520542021
【發明人】陸懷谷
【申請人】深圳市谷峰電子有限公司, 香港谷峰半導體有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月23日