一種rena濕法刻蝕設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及太陽能電池制造技術領域，更具體地說，涉及一種RENA濕法刻蝕設備。
【背景技術】
[0002]晶體硅太陽能電池常規生產工藝一般包括以下步驟:清洗、制絨、擴散、刻蝕、去PSG、PECVD、絲網印刷和燒結。其中刻蝕是其中的一個重要環節，其目的是去掉硅片背面和硅片四周的PN結，使正面和背面絕緣。目前，“RENA in-line”式結構的設備是一種常用的濕法刻蝕設備，其原理是:在HF/HN03體系中，利用表面張力和毛吸力的作用去除邊緣和背面的PN結，而不會影響太陽能電池的工藝結構。這種設備包括:刻蝕槽、水噴淋槽、堿槽、水噴淋槽、去PSG槽、水噴淋槽和吹干裝置。
[0003]然而，目前利用RENA濕法刻蝕設備進行生產的過程中，存在如下問題:其刻蝕槽蓋板常出現水汽凝結的現象，凝結的液滴會滴落在正在流通的硅片上，在硅片上發生腐蝕反應，導致硅片的外觀不良甚至PN結被破壞，使得硅片返工，這就造成成本的浪費。
【實用新型內容】
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種RENA濕法刻蝕設備，能夠防止蓋板冷凝滴液，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。
[0005]本實用新型提供的一種RENA濕法刻蝕設備，包括設置于RENA濕法刻蝕蓋板上部的加熱裝置。
[0006]優選的，在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置為浴霸燈。
[0007]優選的，在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置為功率范圍為I千瓦至20千瓦的加熱裝置，用于將所述RENA濕法刻蝕蓋板加熱到20°C至80°C的溫度范圍。
[0008]優選的，在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置與所述RENA濕法刻蝕蓋板之間的距離的范圍為1mm至50mm。
[0009]優選的，在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置的數量為四個，且四個所述加熱裝置在所述濕法刻蝕蓋板上方等距離設置。
[0010]優選的，在上述RENA濕法刻蝕設備中，還包括設置于所述濕法刻蝕蓋板側部的多個附屬加熱裝置。
[0011]優選的，在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述附屬加熱裝置的數量為四個，且分別設置于所述RENA濕法刻蝕設備蓋板的四個側邊處。
[0012]優選的，在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置設置于透明防腐蝕罩內。
[0013]從上述技術方案可以看出，本實用新型所提供的一種RENA濕法刻蝕設備，能夠加熱蓋板，且能夠提高液面和蓋板之間的水汽的溫度，以減少水汽和蓋板之間的溫差，因此能夠防止水汽在蓋板處冷凝而出現滴液現象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本申請實施例提供的一種RENA濕法刻蝕設備的示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0017]本申請實施例提供的一種RENA濕法刻蝕設備如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的一種RENA濕法刻蝕設備的示意圖。該設備包括設置于RENA濕法刻蝕蓋板I上部的加熱裝置2。
[0018]RENA濕法刻蝕蓋板上凝結的水汽主要來源于刻蝕槽后的水噴淋槽，水在噴淋過程中會形成大量的水汽，尤其是在氣溫較高的夏季，水的溫度較高，往往要高于生產車間的溫度，水的蒸汽分壓也較大，大量的水蒸汽會進入到刻蝕槽中，而RENA濕法刻蝕蓋板的溫度是受車間溫度控制的，會低于進入槽體內的水蒸氣的溫度，當水蒸氣遇到溫度較低的RENA濕法刻蝕蓋板時就發生凝結。
[0019]本申請實施例所提供的一種RENA濕法刻蝕設備，能夠加熱蓋板1，且能夠提高液面和蓋板I之間的水汽的溫度，以減少水汽和蓋板I之間的溫差，因此能夠防止水汽在蓋板I處冷凝而出現滴液現象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。
[0020]在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置可以優選為浴霸燈。這種浴霸燈較為常見，易于得到，且其熱量散發的范圍能夠基本覆蓋蓋板的表面，從而使加熱效果更好。
[0021]在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置為功率范圍為I千瓦至20千瓦的加熱裝置，用于將所述RENA濕法刻蝕蓋板加熱到20°C至80°C的溫度范圍。在這種功率范圍內，既能夠有效的減少蓋板和水汽之間的溫差，又不至于對刻蝕的環境造成不利影響。
[0022]在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置與所述RENA濕法刻蝕蓋板之間的距離的范圍為1mm至50mm。這種優選的距離范圍能夠保證對蓋板的加熱效果足夠好，而且也不至于對刻蝕環境造成不利影響。
[0023]在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置的數量可以優選為四個，且四個所述加熱裝置在所述濕法刻蝕蓋板上方等距離設置。這樣能夠使對蓋板的加熱更為均勻，使對水滴的防止效果更好。
[0024]在上述RENA濕法刻蝕設備中，還包括設置于所述濕法刻蝕蓋板側部的多個附屬加熱裝置。這種優選方案能夠使熱量從蓋板的側面進入，能夠增強加熱效果，全方位的防止水汽在蓋板處冷凝。
[0025]進一步的，所述附屬加熱裝置的數量為四個，且分別設置于所述RENA濕法刻蝕設備蓋板的四個側邊處。
[0026]在上述RENA濕法刻蝕設備中，所述加熱裝置設置于透明防腐蝕罩內。這樣能防止刻蝕所用的液體濺出而對加熱裝置造成腐蝕，從而提高加熱裝置的使用壽命。
[0027]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種RENA濕法刻蝕設備，其特征在于，包括設置于RENA濕法刻蝕蓋板上部的加熱裝置，所述加熱裝置為浴霸燈。2.根據權利要求1所述的RENA濕法刻蝕設備，其特征在于，所述加熱裝置為功率范圍為I千瓦至20千瓦的加熱裝置，用于將所述RENA濕法刻蝕蓋板加熱到20°C至80°C的溫度范圍。3.根據權利要求1所述的RENA濕法刻蝕設備，其特征在于，所述加熱裝置與所述RENA濕法刻蝕蓋板之間的距離的范圍為1mm至50mm。4.根據權利要求1所述的RENA濕法刻蝕設備，其特征在于，所述加熱裝置的數量為四個，且四個所述加熱裝置在所述濕法刻蝕蓋板上方等距離設置。5.根據權利要求1-4任一項所述的RENA濕法刻蝕設備，其特征在于，還包括設置于所述濕法刻蝕蓋板側部的多個附屬加熱裝置。6.根據權利要求5所述的RENA濕法刻蝕設備，其特征在于，所述附屬加熱裝置的數量為四個，且分別設置于所述RENA濕法刻蝕設備蓋板的四個側邊處。7.根據權利要求1-4任一項所述的RENA濕法刻蝕設備，其特征在于，所述加熱裝置設置于透明防腐蝕罩內。
【專利摘要】本申請公開了一種RENA濕法刻蝕設備，包括設置于RENA濕法刻蝕蓋板上部的加熱裝置。本申請提供的所述RENA濕法刻蝕設備，能夠加熱蓋板，且能夠提高液面和蓋板之間的水汽的溫度，以減少水汽和蓋板之間的溫差，因此能夠防止水汽在蓋板處冷凝而出現滴液現象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號】CN204760408
【申請號】CN201520419173
【發明人】黃華, 蔣方丹, 金浩
【申請人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年6月17日