一種功率mosfet器件柵電極結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于半導體制造技術領域，特別涉及一種功率MOSFET器件柵電極結構。
【背景技術】
[0002]現有技術中，功率MOSFET器件，如圖1所示，其柵電極區域只是簡單的將圓胞區域每個圓胞的多晶柵引出來通過金屬互連在一起。這樣，在電路中一般都是在功率MOSFET器件驅動端加入一個柵極電阻來調整器件開關過程中的電壓尖峰。現有功率MOSFET器件柵電極只是作為圓胞區柵極的引出，在實際的應用電路中一般都是需要在驅動端加一個驅動電阻來調節開關過程中電壓尖峰問題。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的是提供一種功率MOSFET器件柵電極結構。
[0004]本實用新型的技術方案是，一種功率MOSFET器件柵電極結構，所述功率MOSFET器件柵電極結構具有長條狀多晶，該長條狀多晶將所述功率MOSFET器件柵電極引線區域和該功率MOSFET器件柵電極的打線區域連接在一起，所述長條狀多晶的電阻作為柵極電阻。
[0005]所述長條狀多晶與所述功率MOSFET器件柵極多晶同時工藝。
[0006]本實用新型提出一種集成有柵極電阻的功率MOSFET器件柵電極結構。利用長條狀的多晶電阻來作為柵極電阻。因為改長條狀的多晶是和柵極多晶同時工藝的，故不會增加功率MOSFET器件的制造成本，只是設計上的改動。有了這種結構，功率MOSFET器件中就能在不增加成本的前提下集成一個特定阻值的柵極電阻，從而在電路應用中就可以省略掉功率MOSFET器件驅動端的柵極電阻，節省電路成本。該柵極電阻可以有效的降低器件在開通過程中的柵極電壓尖峰，從而起到很好的保護器件柵極的作用。
【附圖說明】
[0007]通過參考附圖閱讀下文的詳細描述，本實用新型示例性實施方式的上述以及其他目的、特征和優點將變得易于理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本實用新型的若干實施方式，其中:
[0008]圖1是現有的功率MOSFET器件結構圖
[0009]圖2是本實用新型專利的工藝流程剖面圖，
[0010]其中，I——功率MOSFET器件柵電極區域，
[0011 ] 2——功率MOSFET器件源極區域，
[0012]3——功率MOSFET器件外圍終端區域，
[0013]4——圓胞區域的多晶柵，
[0014]5——功率MOSFET器件柵電極引線區域，
[0015]6--長條狀多晶，
[0016]7——功率MOSFET器件柵電極打線區域。
【具體實施方式】
[0017]如圖2所示，集成有柵極電阻的功率MOSFET器件柵電極結構，通過長條狀多晶將功率MOSFET器件柵電極引線區域和功率MOSFET器件柵電極打線區域連接在一起。利用這個長條狀多晶電阻作為柵極電阻，長條狀多晶是和圓胞區域的多晶柵極同時工藝制制造的，故不會增加工藝步驟，也不會增加工藝成本。
[0018]現有功率MOSFET器件柵電極只是作為圓胞區柵極的引出，在實際的應用電路中一般都是需要在驅動端加一個驅動電阻來調節開關過程中電壓尖峰問題。本實用新型在不增加功率MOSFET器件制造成本的前提下，利用長條狀的多晶電阻作為柵極電阻。
[0019]值得說明的是，雖然前述內容已經參考若干【具體實施方式】描述了本實用新型創造的精神和原理，但是應該理解，本實用新型創造并不限于所公開的【具體實施方式】，對各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合，這種劃分僅是為了表述的方便。本實用新型創造旨在涵蓋所附權利要求的精神和范圍內所包括的各種修改和等同布置。
【主權項】
1.一種功率MOSFET器件柵電極結構，其特征在于，所述功率MOSFET器件柵電極結構具有長條狀多晶，該長條狀多晶將所述功率MOSFET器件柵電極引線區域和該功率MOSFET器件柵電極的打線區域連接在一起，所述長條狀多晶的電阻作為柵極電阻。2.如權利要求1所述的功率MOSFET器件柵電極結構，其特征在于，所述長條狀多晶與所述功率MOSFET器件柵極多晶同時工藝。
【專利摘要】本實用新型公開了一種功率MOSFET器件柵電極結構，所述功率MOSFET器件柵電極結構具有長條狀多晶，該長條狀多晶將所述功率MOSFET器件柵電極引線區域和該功率MOSFET器件柵電極的打線區域連接在一起，所述長條狀多晶的電阻作為柵極電阻。所述長條狀多晶與所述功率MOSFET器件柵極多晶同時工藝。
【IPC分類】H01L29/423
【公開號】CN204760387
【申請號】CN201520541311
【發明人】陸懷谷
【申請人】深圳市谷峰電子有限公司, 香港谷峰半導體有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年7月23日