一種led封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體發光二極管領域，特別涉及一種LED封裝結構。
【背景技術】
[0002]LED芯片是通過在PN結上加正向電流，自由電子與空穴復合而發光，直接將電能轉化為光能，它作為一種新的照明光源材料被廣泛應用著，它具有反應速度快、抗震性好、壽命長、節能環保等優點而快速發展，目前已被廣泛應用于景觀美化及室內外照明等領域。
[0003]現有的LED芯片有三種結構:正裝芯片、倒裝芯片和垂直芯片。其中倒裝芯片和垂直芯片因具有較好的散熱能力和較高的出光效率而被廣泛的應用。而倒裝芯片和垂直芯片的傳統封裝工藝都是將芯片直接通過共晶焊接的方式固定在支架上，但是由于LED芯片中GaN材料與非陶瓷支架的熱膨脹系數相差很大，所以在LED器件長時間的使用過程中容易使得LED芯片產生裂紋，最終導致LED器件失效。因此，有必要提供一種新的LED封裝結構和制作方法來解決上述問題。
【發明內容】
[0004]針對現有技術的不足，本實用新型的目的是提供一種LED封裝結構，該結構能夠有效的改善LED芯片和支架之間熱膨脹系數嚴重不匹配所帶了的問題，延長LED的使用壽命O
[0005]為了實現上述目的，本實用新型提供一種LED封裝結構，包括支架，支架上固有LED芯片，其特征在于，在支架和LED芯片之間有一層低膨脹系數的底板，該底板上設有與LED芯片電極位置相對應的導電孔，實現LED芯片與支架的電連接。
[0006]優選地，所述底板的膨脹系數介于GaN材料的膨脹系數和支架的膨脹系數之間。
[0007]優選地，所述底板的膨脹系數為2~8PPM。
[0008]本實用新型通過在LED芯片和支架之間增加了一層低膨脹系數的底板，有效的改善了改善LED芯片和支架之間熱膨脹系數嚴重不匹配所帶了的問題，延長LED的使用壽命。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發明一種LED封裝結構示意圖。
【具體實施方式】
[0010]為了使本發明所解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖對本發明進行進一步的詳細說明。
實施例
[0011]將一層低膨脹系數的底板2 (膨脹系數為2~8PPM)采用銀膠或錫膏固定在支架I上，底板2上面設有與LED倒裝芯片3的電極4位置相對應的導電孔5，將LED倒裝芯片3通過錫膏或錫金焊接在該底板2上，實現LED倒裝芯片3與支架I的電連接，如圖1所示，最后點熒光膠形成白光LED。
[0012]以上所述，僅為本實用新型中的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉該技術的人在本實用新型中所揭露的技術范圍內，可輕易想到的變換或替換都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種LED封裝結構，包括支架，支架上固有LED芯片，其特征在于，在支架和LED芯片之間有一層低膨脹系數的底板，該底板上設有與LED芯片電極位置相對應的導電孔，實現LED芯片與支架的電連接。2.根據權利要求1所述的一種LED封裝結構，其特征在于所述底板的膨脹系數介于GaN材料的膨脹系數和支架的膨脹系數之間。3.根據權利要求2所述的一種LED封裝結構，其特征在于所述底板的膨脹系數為2~8PPMo
【專利摘要】本實用新型公開了一種LED封裝結構，包括支架，支架上固有LED芯片，其特征在于，在支架和LED芯片之間有一層低膨脹系數的底板，該底板上設有與LED芯片電極位置相對應的導電孔，實現LED芯片與支架的電連接。本實用新型通過在LED芯片和支架之間增加了一層低膨脹系數的底板，有效的改善了改善LED芯片和支架之間熱膨脹系數嚴重不匹配所帶了的問題，延長LED的使用壽命。
【IPC分類】H01L33/48, H01L33/62
【公開號】CN204680688
【申請號】CN201520209479
【發明人】張智聰
【申請人】江西省晶瑞光電有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年4月9日