一種高出光率的led芯片結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型一種高出光率的LED芯片結構，屬于LED芯片技術領域。
【背景技術】
[0002]目前LED技術已經取得很大成果，但是LED電光轉換效率還不是很高。人們已經提出了多種能提高光提取效率的方法，比如倒裝結構、芯片形狀幾何化結構、圖形襯底、光子晶體、表面粗化、背鍍反射鏡、電流擴展優化等。然而，如何突破現有技術進一步提高出光效率仍然是當前需要解決的重要問題。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型克服現有技術存在的不足，所要解決的技術問題為提供一種高出光率的LED芯片結構，具體是提高LED芯片電流擴散、提高最終出光率。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案為:一種高出光率的LED芯片結構，包括發光本體，所述發光本體的上端設置有N電極，所述發光本體的下端設置有P電極，所述發光本體和N電極之間設置有P型金屬。
[0005]所述P型金屬蒸鍍在N電極的下端面上。
[0006]兩個所述的P電極對稱設置在發光本體的下部兩端。
[0007]所述N電極呈凸形，所述P型金屬位于N電極凸形的正下方，所述P型金屬的寬度小于N電極凸形的下部寬度。
[0008]本實用新型與現有技術相比具有的有益效果是:本實用新型解決了 LED芯片內部電流擴散不均勻所導致的出光率低的技術問題，在發光本體的上端設置N電極，在發光本體的下端設置P電極，將P型金屬設置在發光本體和N電極之間，通過提高LED芯片電流擴散，提高最終出光率。
【附圖說明】
[0009]下面結合附圖對本實用新型做進一步詳細的說明。
[0010]圖1為本實用新型的結構示意圖。
[0011]圖中:1為發光本體、2為N電極、3為P電極、4為P型金屬。
【具體實施方式】
[0012]如圖1所示，本實用新型一種高出光率的LED芯片結構，包括發光本體1，所述發光本體I的上端設置有N電極2，所述發光本體I的下端設置有P電極3，所述發光本體I和N電極2之間設置有P型金屬4。
[0013]所述P型金屬4蒸鍍在N電極2的下端面上。
[0014]兩個所述的P電極3對稱設置在發光本體I的下部兩端。
[0015]所述N電極2呈凸形，所述P型金屬4位于N電極2凸形的正下方，所述P型金屬4的寬度小于N電極2凸形的下部寬度。
[0016]本實用新型是在外延層表面進行微影作業，圖形與N-pad形狀類似，通過冷鍍方式將P型金屬蒸鍍于芯片N面，進行蝕刻作業，將P型金屬圖形化；然后在P型金屬表面蒸鍍 N-padο
[0017]通過上述方式，最終實現在紅光芯片的N-Pad下面蒸鍍一層P型金屬，形成Schottky使電流向四周擴散。
[0018]本實用新型的工作原理:在接通電源后，由于P型金屬的存在，電流不會集中于PAD正下方區域，而向電極周圍擴散，最大限度了通過芯片發光區，從而增加了芯片的出光率。
[0019]上面結合附圖對本實用新型的實施例作了詳細說明，但是本實用新型并不限于上述實施例，在本領域普通技術人員所具備的知識范圍內，還可以在不脫離本實用新型宗旨的前提下作出各種變化。
【主權項】
1.一種高出光率的LED芯片結構，其特征在于:包括發光本體(1)，所述發光本體(I)的上端設置有N電極(2 )，所述發光本體(I)的下端設置有P電極(3 )，所述發光本體(I)和N電極(2)之間設置有P型金屬(4)。2.根據權利要求1所述的一種高出光率的LED芯片結構，其特征在于:所述P型金屬(4)蒸鍍在N電極(2)的下端面上。3.根據權利要求1所述的一種高出光率的LED芯片結構，其特征在于:兩個所述的P電極(3)對稱設置在發光本體(I)的下部兩端。4.根據權利要求1所述的一種高出光率的LED芯片結構，其特征在于:所述N電極(2)呈凸形，所述P型金屬(4)位于N電極(2)凸形的正下方，所述P型金屬(4)的寬度小于N電極(2)凸形的下部寬度。
【專利摘要】本實用新型公開了一種高出光率的LED芯片結構，具體是提高LED芯片電流擴散、提高最終出光率；采用的技術方案為：一種高出光率的LED芯片結構，包括發光本體，所述發光本體的上端設置有N電極，所述發光本體的下端設置有P電極，所述發光本體和N電極之間設置有P型金屬；本實用新型廣泛應用于LED芯片技術領域。
【IPC分類】H01L33/36
【公開號】CN204632795
【申請號】CN201520187888
【發明人】沈志強, 許智程, 李莎莎
【申請人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年3月31日