一種p型太陽能電池片的制作方法
【技術領域】
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[0001]本實用新型涉及太陽能電池，尤其是一種P型太陽能電池片。
【背景技術】
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[0002]傳統的太陽能電池通常是采用通過恒溫，氧化，低溫擴散，恒溫擴散，高溫擴散，降溫等方法在硅片的正面和背面都制備銀電極，然而這種太陽能電池仍然存在光電轉換效率較低、生產效率低、成本高等缺點的問題。
[0003]因此，本實用新型在此提出一種改進的一種P型太陽能電池片。
【實用新型內容】:
[0004]針對現有技術中存在的缺陷，本實用新型的目的就是提供一種能夠降低生產成本、轉換效率高的一種P型太陽能電池片。
[0005]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種P型太陽能電池片，P型硅片、PN結、N型硅片及電極，其特征在于:所述P型硅片具有正面和背面，正面上設有多晶絨面結構，背面為平面結構，所述PN結和所述N型硅片依次鍍在所述P型硅片正面上，所述電極依次穿過P型硅片、PN結和N型硅片形成電極回路，所述P型硅片的厚度為150微米?200微米，所述PN結的厚度為0.3微米?0.5微米，所述N型硅片的厚度為50微米?70微米。
[0006]采用以上技術方案，本實用新型P型硅片的多晶絨面結構，并在P型硅片與N型硅片之間形成一層PN結，由于多晶絨面結構的發射率的發射效率高，致使少子載流子壽命高，提高了太陽能電池對長波段光的響應，且提高了光電轉換效率、降低了生產成本。
[0007]所述多晶絨面結構的發射率為26% -27%。
[0008]采用以上技術方案，本實用新型多晶絨面結構的發射率為26% _27%，進一步提高光電轉換效率。
【附圖說明】
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[0009]圖1是本實用新型結果示意圖。
[0010]圖標號說明:1-P型娃片，2-PN結，3-N型娃片，4_電極。
【具體實施方式】
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[0011]如圖1所示，本實用新型提供一種P型太陽能電池片，P型硅片(1)、PN結(2)、N型硅片(3)及電極(4)，其特征在于:所述P型硅片(I)具有正面和背面，正面上設有多晶絨面結構，背面為平面結構，所述PN結(2)和所述N型硅片(3)依次鍍在所述P型硅片(I)正面上，所述電極⑷依次穿過P型硅片(1)、PN結⑵和N型硅片(3)形成電極回路，所述P型硅片的厚度為150微米?200微米，所述PN結(2)的厚度為0.3微米?0.5微米，所述N型硅片(3)的厚度為50微米?70微米，本實用新型P型硅片(I)的多晶絨面結構，并在P型硅片(I)與N型硅片(3)之間形成一層PN結(2)，由于多晶絨面結構的反射率的反射效率高，致使少子載流子壽命高，提高了太陽能電池對長波段光的響應，且提高了光電轉換效率、降低了生產成本。
[0012]所述多晶絨面結構的發射率為26% -27%，本實用新型多晶絨面結構的發射率為26% -27%，進一步提高光電轉換效率。
【主權項】
1.一種P型太陽能電池片，P型硅片(I)、PN結(2)、N型硅片(3)及電極(4)，其特征在于:所述P型硅片(I)具有正面和背面，正面上設有多晶絨面結構，背面為平面結構，所述PN結⑵和所述N型硅片(3)依次鍍在所述P型硅片⑴正面上，所述電極⑷依次穿過P型硅片(1)、PN結⑵和N型硅片(3)形成電極回路，所述P型硅片的厚度為150微米?200微米，所述PN結⑵的厚度為0.3微米?0.5微米，所述N型硅片(3)的厚度為50微米?70微米。
2.根據權利要求1所述的P型太陽能電池片，其特征在于，所述多晶絨面結構的發射率為 26% -27% ο
【專利摘要】本實用新型提供一種P型太陽能電池片，P型硅片、PN結、N型硅片及電極，其特征在于：所述P型硅片具有正面和背面，正面上設有多晶絨面結構，背面為平面結構，所述PN結和所述N型硅片依次鍍在所述P型硅片正面上，所述電極依次穿過P型硅片、PN結和N型硅片形成電極回路，所述P型硅片的厚度為150微米～200微米，所述PN結的厚度為0.3微米～0.5微米，所述N型硅片的厚度為50微米～70微米，本實用新型P型硅片的多晶絨面結構，并在P型硅片與N型硅片之間形成一層PN結，由于多晶絨面結構的發射率的發射效率高，致使少子載流子壽命高，提高了光電轉換效率、降低了生產成本。
【IPC分類】H01L31-0236, H01L31-0368
【公開號】CN204558484
【申請號】CN201520138207
【發明人】陳德榜
【申請人】溫州海旭科技有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年3月5日