一種高容值mos管器件的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及MOS管器件的技術領域，具體涉及一種高容值MOS管器件。
【背景技術】
[0002]如圖1所示，MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬一絕緣體(insulator) —半導體，包括柵極、源極和漏極。如圖2所示，MOS管作為MOS電容使用，容值由其內部的柵氧化層電容和耗盡區電容組成，即C =Cox+Cdep，其中C為MOS電容，Cox為柵氧化層電容，Cdep為柵極與襯底間形成的耗盡區電容。
[0003]在一般電路中，需要的補償電容很大，特別是在連接有MOS管的電路中，如果單單使用現有工藝庫中提供的MOS管，若想提高其MOS電容的容值，需采用面積較大的MOS管，會導致占用的電路面積較大，不利于電路的集成化、微型化設計。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述缺陷，提供一種。高容值MOS管器件，增大MOS管的容值。
[0005]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:提供一種高容值MOS管器件，包括設置在襯底上的柵極，還包括:
[0006]金屬區，其覆蓋在柵極上，并與柵極形成一電容；
[0007]絕緣層，其設置在柵極和金屬區之間。
[0008]其中，較佳方案是:該金屬區包括一金屬區引腳，該金屬區引腳與源極電連接。
[0009]其中，較佳方案是:該金屬區包括若干金屬層，該金屬層之間設有絕緣層。
[0010]其中，較佳方案是:該金屬區的外側還設有絕緣層。
[0011]其中，較佳方案是:該每一層絕緣層均密封包裹其內側的柵極或金屬層。
[0012]本實用新型的有益效果在于，與現有技術相比，本實用新型通過在MOS管柵極上覆蓋一層金屬層，并形成一寄生電容從而增大MOS電容值，進而節省電路面積，降低成本。
【附圖說明】
[0013]下面將結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中:
[0014]圖1是現有技術MOS管器件的結構示意圖；
[0015]圖2是現有技術MOS管器件的容值等效圖；
[0016]圖3是本實用新型高容值MOS管器件的結構示意圖；
[0017]圖4是本實用新型高容值MOS管器件的容值等效圖；
[0018]圖5是本實用新型具有多層金屬層結構的高容值MOS管器件的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0019]現結合附圖，對本實用新型的較佳實施例作詳細說明。
[0020]如圖3和圖4所示，本實用新型提供一種高容值MOS管器件的優選實施例，其中圖3是高容值MOS管器件的結構示意圖，圖4是高容值MOS管器件的容值等效圖。
[0021]—種高容值MOS管器件，包括設置在襯底40上的柵極10、源極20和漏極30，還包括金屬區50和絕緣層60，金屬區50覆蓋在柵極10上并與柵極10形成一電容Cmetal，絕緣層60設置在柵極10和金屬區50之間。
[0022]其中，柵極10與襯底40間還設有一柵極氧化層11，柵極氧化層11形成一電容Cox，柵極10與襯底40間形成一電容Cd印，故本實施例中的高容值MOS管器件的容值C =Cmetal+Cox+Cdepo
[0023]本實施例中的結構具體為，襯底40上形成一柵極氧化層11，在柵極氧化層11上設置柵極10，在柵極10外側設置一絕緣層60，絕緣層60密封包裹柵極10和柵極氧化層11 ;同時在絕緣層60外側設置一金屬區50，在金屬區50外側設置一外側絕緣層60 (圖中未顯示)，外側絕緣層60和絕緣層60密封包裹金屬區50。
[0024]優選地，外側絕緣層60和絕緣層60是同一材質，僅其位置不一樣。
[0025]進一步地，并參考圖4，本實施例中金屬區50與柵極10隔絕，并形成電容Cmetal，且由于使金屬區50與高容值MOS管器件形成一整體，金屬區50與源極20電連接，即金屬區50、源極20、漏極30和襯底40均是電連接，從而形成如圖4中的等效電容。
[0026]金屬區50包括一金屬區引腳，金屬區引腳引出并與源極20電連接，金屬區引腳優選被包裹在絕緣層60內。
[0027]本實施例中，為了增加MOS管的電容值并最大化利用金屬區50，在低壓工藝中，柵極10與金屬區50之間的介質，即絕緣層60，可很薄，節省MOS管的體積。在高壓工藝中，本實施例中的高容值MOS管器件在同等面積的MOS管中，容值更高。
[0028]如圖5所示，本實用新型提供一種具有多層金屬層結構的高容值MOS管器件的較佳實施例，其中圖5是具有多層金屬層結構的高容值MOS管器件的結構示意圖。
[0029]金屬區50包括若干金屬層，金屬層之間設有絕緣層60，用于絕緣密封。
[0030]本實施例中的結構具體為(采用兩層金屬層為例)，襯底40上形成一柵極氧化層11，在柵極氧化層11上設置柵極10，在柵極10外側設置第一絕緣層61，第一絕緣層61密封包裹柵極10和柵極氧化層11 ;同時在第一絕緣層61外側設置第一金屬層51，在第一金屬層51外側設置第二絕緣層62，第一絕緣層61和第二絕緣層62密封包裹第一金屬層51 ；在第二絕緣層62外側設置第二金屬層52，在第二金屬層52外側設置第三絕緣層60(圖中未顯示)，第二絕緣層62和第三絕緣層60密封包裹第二金屬層52。
[0031]第一金屬層51與柵極10形成第一電容Cmetal_l，第二金屬層52與柵極10形成第二電容Cmetal_2，故本實施例中的高容值MOS管器件的容值C =Cmetal—1+Cmetal—2+Cox+Cdep。
[0032]其中，第一金屬層51和第二金屬層52分別與源極20電連接。
[0033]以上所述者，僅為本實用新型最佳實施例而已，并非用于限制本實用新型的范圍，凡依本實用新型申請專利范圍所作的等效變化或修飾，皆為本實用新型所涵蓋。
【主權項】
1.一種高容值MOS管器件，包括設置在襯底上的柵極，其特征在于，還包括: 金屬區，其覆蓋在柵極上，并與柵極形成一電容； 絕緣層，其設置在柵極和金屬區之間。
2.根據權利要求1所述的高容值MOS管器件，其特征在于:該金屬區包括一金屬區引腳，該金屬區引腳與源極電連接。
3.根據權利要求2所述的高容值MOS管器件，其特征在于:該金屬區包括若干金屬層，該金屬層之間設有絕緣層。
4.根據權利要求3所述的高容值MOS管器件，其特征在于:該金屬區的外側還設有絕緣層。
5.根據權利要求1至4任一所述的高容值MOS管器件，其特征在于:該每一層絕緣層均密封包裹其內側的柵極或金屬層。
【專利摘要】本實用新型涉及MOS管器件的技術領域，具體涉及一種高容值MOS管器件，包括設置在襯底上的柵極，還包括：金屬區，其覆蓋在柵極上，并與柵極形成一電容；絕緣層，其設置在柵極和金屬區之間。本實用新型通過在MOS管柵極上覆蓋一層金屬層，并形成一寄生電容從而增大MOS電容值，進而節省電路面積，降低成本。
【IPC分類】H01L29-10, H01L29-78, H01L29-06
【公開號】CN204516771
【申請號】CN201520123592
【發明人】王春來, 孫申權
【申請人】深圳市麥積電子科技有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年3月3日