一種過溫檢測裝置的版圖布局結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及集成電路技術領域，具體涉及一種過溫檢測裝置的版圖布局結構。
【背景技術】
[0002]如何精確監控集成電路中熱源區域的溫度，如電路芯片溫度，避免功率芯片因熱損傷，導致使用壽命縮短，在集成電路的版圖布局中是非常重要的。
[0003]如圖1所示，現有版圖3布局中，過溫檢測器件I位于熱源元件2外側，這種布局方式會便于版圖3布局，減少工作量，適用于對過溫保護要求較低的集成電路中，但是在一些集成電路中，該布局方式不能很好的檢測集成電路熱源區域的最高溫度，啟動過溫保護功能。
[0004]特別是集成電路在惡劣環境中使用，并需過溫保護功能實現自我保護，如果實際檢測過溫點設置過低，使用中經常會過溫重啟，雖然保護了電路，但影響使用效果；如果實際檢測過溫點超過工藝極限溫度，會影響電路的使用壽命，甚至損壞電路。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述缺陷，提供一種過溫檢測裝置的版圖布局結構，精確檢測電路的工作溫度。
[0006]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:提供一種過溫檢測裝置的版圖布局結構，所述過溫檢測裝置包括熱源器件、溫檢器件和溫檢處理器，該熱源器件分別與溫檢器件和溫檢處理器連接，該溫檢器件與溫檢處理器連接，該熱源器件設置在集成電路的發熱主要區域，該溫檢器件貼近熱源器件安裝。
[0007]其中，較佳方案是:該熱源器件設置在集成電路的發熱主要區域的干路處。
[0008]其中，較佳方案是:該熱源器件為功率管。
[0009]其中，較佳方案是:該溫檢器件包括一三極管。
[0010]其中，較佳方案是:該溫檢處理器包括一功率放大器。
[0011]其中，較佳方案是:該功率放大器的同相輸入端與三極管的發射極連接，其輸出端與功率管的柵極連接。
[0012]本實用新型的有益效果在于，與現有技術相比，本實用新型將溫檢器件放置在熱源器件內，形成過溫檢測裝置，并將其放置在集成電路的熱源區域內部，精確檢測集成電路熱源區域的溫度，提高現有工藝的溫度檢測性能，提高電路工作效率，提高電路使用壽命。
【附圖說明】
[0013]下面將結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中:
[0014]圖1是現有技術過溫檢測器件的版圖布局結構示意圖；
[0015]圖2是本實用新型過溫檢測裝置的版圖布局結構示意圖；
[0016]圖3是本實用新型過溫檢測裝置的結構框圖；
[0017]圖4是本實用新型過溫檢測裝置的電路示意圖。
【具體實施方式】
[0018]現結合附圖，對本實用新型的較佳實施例作詳細說明。
[0019]如圖2和圖3所示，本實用新型提供一種過溫檢測裝置的版圖布局結構的優選實施例，其中，圖2是過溫檢測裝置的版圖布局結構示意圖，圖3是過溫檢測裝置的結構框圖。
[0020]一種過溫檢測裝置10的版圖布局結構，過溫檢測裝置10包括熱源器件11、溫檢器件12和溫檢處理器13，熱源器件11分別與溫檢器件12和溫檢處理器13連接，溫檢器件12與溫檢處理器13連接，熱源器件11設置在集成電路20的發熱主要區域。
[0021]其中，熱源器件11安裝在集成電路20的發熱主要區域，便于熱源器件11與集成電路20的發熱主要區域進行溫度同步；溫檢器件12用于檢測熱源器件11的實時溫度，從而檢測集成電路20的發熱主要區域的實時溫度，并將檢測到的溫度信息反饋到溫檢處理器13中；溫檢處理器13用于控制熱源器件11的開關，當接收到的溫度信息進行識別處理，當熱源器件11的溫度達到最高閥值時，其關閉熱源器件11，讓熱源器件11停止工作，停止熱量產生。
[0022]進一步地，熱源器件11設置在集成電路20的發熱主要區域的干路處，便于過溫檢測裝置10準確檢測集成電路20的發熱主要區域的溫度情況。
[0023]具體是，在現有的熱源器件11基礎上，將溫檢器件12放置在熱源器件11內，貼近安裝，并連接溫檢處理器13，形成過溫檢測裝置10。根據電路的布局需要，將不同類型的熱源器件11，即過溫檢測裝置安裝到集成電路20的發熱主要區域，對當前集成電路20的進行過溫保護，當溫度過高時，通過關閉溫檢測裝置，從而關閉當前集成電路20，讓當前集成電路20停止工作，停止熱量產生。同時，將熱源器件11設置在集成電路20的發熱主要區域的干路處，便于過溫檢測裝置10對當前集成電路20的控制。
[0024]其中，熱源器件11優選為功率管。
[0025]如圖4所示，本實用新型提供一種過溫檢測裝置的較佳實施例，其中，圖4是過溫檢測裝置的電路示意圖。
[0026]過溫檢測裝置10包括熱源器件11、溫檢器件12和溫檢處理器13，其中熱源器件11為功率管，優選為MOS管；溫檢器件12包括一三極管，其中三極管的發射極與MOS管連接，采集流經MOS管的電流I，溫檢器件12利用三極管的BE結正向壓降Vbe，提供負溫度系數，其中負溫度系數優選-2mv/°C，三極管的發射極又與溫檢處理器13連接，反饋溫度信息；溫檢處理器13包括一功率放大器，功率放大器的同相輸入端與三極管的發射極連接，其反向輸入端與內部電源連接，其輸出端與功率管的柵極連接。
[0027]其中，假設集成電路20內部溫度不可超過127°C，若超過此溫度可造成集成電路20失效。若外界環境溫度是27°C，為確保集成電路20不會由于溫度過高而失效，在集成電路20在工作時，其產生的能量導致芯片溫度升高不可超過100°C。
[0028]利用Vbe的負溫度系數-2mv/°C，當集成電路20的內部溫度升高100°C，Vbe下降200mv。令Vbe= 0.7V(—般PN正向壓降為0.7V左右，隨著溫度變化會發生變化的)，內部電源Vref = 0.5V (集成電路20內部產生的恒壓)。
[0029]當集成電路20內部溫度升高不超過100°C時，VBE>0.5V,功率放大器的輸出端輸出高電平，功率管繼續工作；當集成電路20內部溫度升高超過100°C時，VBE〈0.5V,功率放大器的輸出端輸出低電平，使功率管關閉，停止工作。
[0030]以上所述者，僅為本實用新型最佳實施例而已，并非用于限制本實用新型的范圍，凡依本實用新型申請專利范圍所作的等效變化或修飾，皆為本實用新型所涵蓋。
【主權項】
1.一種過溫檢測裝置的版圖布局結構，其特征在于:所述過溫檢測裝置包括熱源器件、溫檢器件和溫檢處理器，該熱源器件分別與溫檢器件和溫檢處理器連接，該溫檢器件與溫檢處理器連接，該熱源器件設置在集成電路的發熱主要區域，該溫檢器件貼近熱源器件安裝。
2.根據權利要求1所述的過溫檢測裝置的版圖布局結構，其特征在于:該熱源器件設置在集成電路的發熱主要區域的干路處。
3.根據權利要求2所述的過溫檢測裝置的版圖布局結構，其特征在于:該熱源器件為功率管。
4.根據權利要求3所述的過溫檢測裝置的版圖布局結構，其特征在于:該溫檢器件包括一三極管。
5.根據權利要求4所述的過溫檢測裝置的版圖布局結構，其特征在于:該溫檢處理器包括一功率放大器。
6.根據權利要求5所述的過溫檢測裝置的版圖布局結構，其特征在于:該功率放大器的同相輸入端與三極管的發射極連接，其輸出端與功率管的柵極連接。
【專利摘要】本實用新型涉及集成電路技術領域，具體涉及一種過溫檢測裝置的版圖布局結構,所述過溫檢測裝置包括熱源器件、溫檢器件和溫檢處理器，該熱源器件分別與溫檢器件和溫檢處理器連接，該溫檢器件與溫檢處理器連接，該熱源器件設置在集成電路的發熱主要區域，該溫檢器件貼近熱源器件安裝。本實用新型將溫檢器件放置在熱源器件內，形成過溫檢測裝置，并將其放置在集成電路的熱源區域內部，精確檢測集成電路熱源區域的溫度，提高現有工藝的溫度檢測性能，提高電路工作效率，提高電路使用壽命。
【IPC分類】H01L27-02, G01K13-00
【公開號】CN204516764
【申請號】CN201520124003
【發明人】王春來, 孫申權
【申請人】深圳市麥積電子科技有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年3月3日