一種電路保護用平板式半導體元器件的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體元器件，尤其涉及一種電路保護用平板式半導體元器件。
技術背景
[0002]以往技術中，壓敏電阻器（VSR)是一種單獨使用的過壓保護元件，PTC熱敏電阻(正溫度系數熱敏電阻）是作為熱保護的自恢復保險絲使用，也是作為過流保護器件而單獨使用。然而，在集成電路要求越來越小型化的情況下，一種同時具有過壓、過流的用于電路保護PTC熱敏電阻與壓敏電阻合成封裝的三端半導體元件開始被提出。目前，大多數廠家都是壓敏電阻器和熱敏電阻通過疊裝的方式連接，然后通過封裝層引出引腳而成，其缺點就是熱敏電阻被封裝層封裝，又被壓敏電阻阻隔，熱敏電阻的散熱帶來一定的影響，導致被保護電路距離應該啟動的電流閥值還有些數值就提前啟動保護；現有的該類半導體封裝結構的引腳都是集中布置或者采用三角形方式布置，要么整體封裝結構體積不大，引腳間的絕緣安全系數不高，更難以提高封裝芯片的電壓，要么是電壓可以提高，卻又占據著比較大的立體布置空間。在現有的封裝技術下反復研宄，有必要研制一種散熱佳的啟動閥值精準的體積小的高安全性能的熱敏電阻與壓敏電阻合成封裝的三端半導體元器件。
【發明內容】
[0003]本實用新型克服了現有技術中的不足，提供了一種電路保護用平板式半導體元器件。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型是通過以下技術方案實現的：一種電路保護用平板式半導體元器件，包括壓敏電阻、熱敏電阻、導通銅膜、第一引腳、第二引腳、第三引腳、封裝層和散熱顆粒，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均具有連接部和導電部，所述連接部和導電部電連接，所述壓敏電阻的第二端通過導通銅膜串聯于熱敏電阻的第一端，所述第一引腳的連接部與壓敏電阻的第一端電連接，所述第二引腳的連接部與導通銅膜電連接，所述第三引腳的連接部與熱敏電阻的第二端電連接，所述壓敏電阻與熱敏電阻平鋪布置，所述壓敏電阻、熱敏電阻、導通銅膜、第一引腳連接部、第二引腳連接部和第三引腳連接部均置于封裝層內，所述封裝層呈現薄片狀，在封裝層表面布滿散熱顆粒，所述第二引腳的導電部從薄片狀封裝層的底邊中部引出，所述第一引腳的導電部從薄片狀封裝層的左側邊中部引出，所述第三引腳的導電部從薄片狀封裝層的右側邊中部引出，所述封裝層的底部連接有波形絕緣結構，所述第二引腳的導電部包括支撐部和焊接部，所述焊接部電連接于支撐部，所述支撐部電連接于連接部，所述波形絕緣結構覆蓋第二引腳的支撐部，使焊接部裸露在外面，所述波形絕緣結構與封裝層均使用同一材料進行整體封裝。
[0005]作為優選，所述波形絕緣結構連接于封裝層的波形較大，遠離于封裝層的波形逐漸減小。
[0006]作為優選，所述封裝層和波形絕緣結構均為環氧樹脂。
[0007]與現有技術相比，本實用新型的優點是:平板式連接的結構，使得整體結構呈現片狀，又有封裝層外表面設有的散熱顆粒協助散熱，使的更有利于內部芯片的散熱；同時，封裝后的元器件保護屬性更接近于熱敏電阻的自身屬性，減低了封裝材料對熱敏電阻工作性能影響，使得電路的保護閥值誤差減小，數值更為精準，所保護的電路可以承受更大的電流，而不提前啟動保護；由于兩端的引腳在封裝結構的外側，中間的引腳應用波形絕緣結構，可以使得爬電距離進一步增大，給封裝后的元器件提供了更高的安全性能，相同體積的封裝后的元器件可以應用至額定電壓值更高、功率更大的場合；同時中間引腳的波形絕緣結構使安裝使用更為便利。
【附圖說明】
[0008]圖1是本實用新型實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0009]下面結合附圖與【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0010]如圖1所示，一種電路保護用平板式半導體元器件，包括壓敏電阻1、熱敏電阻2、導通銅膜3、第一引腳5、第二引腳6、第三引腳7、封裝層4和散熱顆粒9，所述第一引腳5、第二引腳6和第三引腳7均具有連接部和導電部，所述連接部和導電部電連接，所述壓敏電阻I的第二端通過導通銅膜3串聯于熱敏電阻2的第一端，所述第一引腳5的連接部與壓敏電阻I的第一端電連接，所述第二引腳6的連接部與導通銅膜3電連接，所述第三引腳7的連接部與熱敏電阻2的第二端電連接，所述壓敏電阻I與熱敏電阻2平鋪布置，所述壓敏電阻1、熱敏電阻2、導通銅膜3、第一引腳5的連接部、第二引腳6的連接部和第三引腳7連接部均置于封裝層4內，所述封裝層4呈現薄片狀，在封裝層4表面布滿散熱顆粒9，所述第二引腳6的導電部從薄片狀封裝層的底邊中部引出，所述第一引腳5的導電部從薄片狀封裝層的左側邊中部引出，所述第三引腳7的導電部從薄片狀封裝層的右側邊中部引出，所述封裝層4的底部連接有波形絕緣結構8，所述第二引腳6的導電部包括支撐部和焊接部，所述焊接部電連接于支撐部，所述支撐部電連接于連接部，所述波形絕緣結構8覆蓋第二引腳6的支撐部，使焊接部裸露在外面，所述波形絕緣結構8與封裝層4均使用環氧樹脂進行整體封裝，所述波形絕緣結構8連接于封裝層4的波形較大，遠離于封裝層4的波形逐漸減小。
[0011]本實用新型使用時，由于壓敏電阻I與熱敏電阻2平鋪布置，使得整體結構呈現片狀，又有封裝層4外表面設有的散熱顆粒9協助散熱，使整個封裝結構更加有利于散熱，同時，封裝后的元器件降低了封裝結構對熱敏電阻2工作性能的影響，使得電路的保護閥值誤差減小，數值更為精準，所保護的電路可以承受更大的電流，而不提前啟動保護；由于第一引腳5與第三引腳7在整體封裝結構左右兩側中部，第二引腳6上使用波形絕緣結構8，可以使得爬電距離進一步增大，給封裝后的元器件提供了更高的安全性能，相同體積的封裝后的元器件可以應用至額定電壓值更高、功率更大的場合；同時第二引腳6的波形絕緣結構8還讓本實用新型的安裝使用更為便利，只需將本實用新型的引腳直接全部插進電路板即可達到產品的最大使用性能。
[0012]除了上述的實施例外，其他未述的實施方式也應在本實用新型的保護范圍之內。本文所述的具體實施例僅僅是對本實用新型精神作舉例說明，本實用新型所屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本實用新型的精神或超越所附權利要求書所定義的范圍。本文雖然透過特定的術語進行說明，但不排除使用其他術語的可能性，使用這些術語僅僅是為了方便地描述和解釋本實用新型的本質，把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實用新型精神相違背的。
【主權項】
1.一種電路保護用平板式半導體元器件，其特征在于，包括壓敏電阻、熱敏電阻、導通銅膜、第一引腳、第二引腳、第三引腳、封裝層和散熱顆粒，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均具有連接部和導電部，所述連接部和導電部電連接，所述壓敏電阻的第二端通過導通銅膜串聯于熱敏電阻的第一端，所述第一引腳的連接部與壓敏電阻的第一端電連接，所述第二引腳的連接部與導通銅膜電連接，所述第三引腳的連接部與熱敏電阻的第二端電連接，所述壓敏電阻與熱敏電阻平鋪布置，所述壓敏電阻、熱敏電阻、導通銅膜、第一引腳連接部、第二引腳連接部和第三引腳連接部均置于封裝層內，所述封裝層呈現薄片狀，在封裝層表面布滿散熱顆粒，所述第二引腳的導電部從薄片狀封裝層的底邊中部引出，所述第一引腳的導電部從薄片狀封裝層的左側邊中部引出，所述第三引腳的導電部從薄片狀封裝層的右側邊中部引出，所述封裝層的底部連接有波形絕緣結構，所述第二引腳的導電部包括支撐部和焊接部，所述焊接部電連接于支撐部，所述支撐部電連接于連接部，所述波形絕緣結構覆蓋第二引腳的支撐部，使焊接部裸露在外面，所述波形絕緣結構與封裝層均使用同一材料進行整體封裝。
2.根據權利要求1所述的一種電路保護用平板式半導體元器件，其特征在于，所述波形絕緣結構連接于封裝層的波形較大，遠離于封裝層的波形逐漸減小。
3.根據權利要求2所述的一種電路保護用平板式半導體元器件，其特征在于，所述封裝層和波形絕緣結構均為環氧樹脂。
【專利摘要】本實用新型公開了一種電路保護用平板式半導體元器件，包括壓敏電阻、熱敏電阻、導通銅膜、第一引腳、第二引腳、第三引腳、封裝層和散熱顆粒，本實用新型的技術方案可以更有利于內部芯片的散熱，使保護閥值數值更為精準，提供了更高的安全性能，相同體積的元器件可應用至額定電壓值更高、功率更大的場合，安裝使用更為便利。
【IPC分類】H01C1-084, H01C1-14, H01C1-02, H01C13-02
【公開號】CN204516534
【申請號】CN201520226228
【發明人】盧濤, 張小平
【申請人】江蘇晟芯微電子有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年4月15日