一種新型電容器用金屬化薄膜的制作方法
【專利說明】
[0001]技術領域:
[0002]本實用新型涉及電容器技術領域，特別涉及一種新型電容器用金屬化薄膜。
[0003]【背景技術】:
[0004]現有金屬化薄膜電容器，在基膜表面均勻蒸鍍一層金屬層，邊緣處加厚再度一層，存在以下不足之處:(1)耐壓高的產品，由于鍍層比較薄，承受紋波電流能力不足，且產品在使用過程中容易氧化造成產品容量下降、損耗上升；(2)承受紋波電流能力強的產品，由于鍍層比較厚，自愈能力差，造成產品耐壓低。現有金屬化薄膜電容器在耐壓上與承受紋波電流能力上不能兼得，且存在反比現象，耐壓越高，承受紋波電流能力越差；反之，越好。同時現有耐壓高的產品鍍層一般為鋅鋁，方阻一般在30Ω以上，鍍層薄，極易氧化，造成產品提前失效。
[0005]
【發明內容】
:
[0006]本實用新型的目的是為了克服以上的不足，涉及一種用于制作電容器的新型金屬化薄膜，從而使產品同時具有耐壓高、承受紋波電流能力強，且不易氧化等優點。
[0007]本實用新型的目的通過以下技術方案來實現:一種新型電容器用金屬化薄膜，包括基膜和金屬層，在基膜上蒸鍍有金屬層，金屬層為鋁層、鋅層或鋅鋁合金層，基膜的寬度方向的一端邊設有未鍍金屬層的空白區，所述空白區的寬度為2-4_，金屬層根據方阻值大小由區域1、區域2和區域3組成，區域I為邊緣加厚區，寬度為3?10mm，方阻值為3_8 Ω ；區域2為低方阻區，寬度為基膜總長的1/4?1/2，方阻值為4-20 Ω ;區域3為高方阻區，方阻值大于10 Ω ;且在一張金屬化薄膜上，區域3方阻多區域2方阻多區域I方阻，方阻值呈現出階梯狀。
[0008]本實用新型與現有技術相比具有的優點:
[0009]1、此階梯式蒸鍍方式，邊緣加厚區2-1比常規蒸鍍方式的加厚區更寬，方阻更低，所以在電極引出上等效串聯電阻小，廣品的損耗小；
[0010]2、此種結構卷繞出來的電容芯子，其自愈能力、耐壓水平主要由區域3高方阻區決定，區域3的采用純鋁蒸鍍，鍍層薄，方阻高，自愈能力將更強，耐壓將更高；
[0011]3、此階梯式蒸鍍方式，區域1，區域2鍍層均加厚，金屬鍍層在整體上電阻表現得比常規蒸鍍方式要小，因此產品在承受同樣的紋波電流的情況下，發熱將更小，溫升將更低，故此種結構承受紋波電流能力將更強；
[0012]4、此階梯式蒸鍍方式，區域I與區域2為一般為方阻較小鍍層較厚的鋅鋁金屬層，而常規蒸鍍方式同樣耐壓等級的薄膜一般為方阻較高鍍層較薄的鋅鋁金屬層，鋅金屬在潮濕的空氣中極易氧化，因此方阻越高鍍層越薄體現的越明顯，故此階梯式蒸鍍方式在抗氧化能力上更有優勢。
[0013]【附圖說明】:
[0014]圖1是本實用新型的結構示意圖；
[0015]圖2是本實用新型的切面圖；
[0016]圖中標號:1_基U旲、2-金屬層、3_空白區、2-1_區域1、2-2-區域2、2-3-區域3。
[0017]【具體實施方式】:
[0018]為了加深對本實用新型的理解，下面將結合實施例和附圖對本實用新型作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型保護范圍的限定。
[0019]如圖1-2示出了本實用新型一種新型電容器用金屬化薄膜的【具體實施方式】:
[0020]實施例1
[0021]包括基膜I和金屬層2，在基膜I上蒸鍍有金屬層2，金屬層2為鋁層、鋅層或鋅鋁合金層，基膜I的寬度方向的一端邊設有未鍍金屬層2的空白區3，空白區3的寬度為2_，金屬層2根據方阻值大小由區域1、區域2和區域3組成，區域I為邊緣加厚區，寬度為3mm，方阻值為3Ω ;區域2為低方阻區，寬度為基膜I總長的1/4?1/2，方阻值為是4Ω ;區域3為高方阻區，方阻值為11 Ω ;且在一張金屬化薄膜上，區域3方阻多區域2方阻多區域I方阻，方阻值呈現出階梯狀。
[0022]實施例2
[0023]包括基膜I和金屬層2，在基膜I上蒸鍍有金屬層2，金屬層2為鋁層、鋅層或鋅鋁合金層，基膜I的寬度方向的一端邊設有未鍍金屬層2的空白區3，空白區3的寬度為3_，金屬層2根據方阻值大小由區域1、區域2和區域3組成，區域I為邊緣加厚區，寬度為5mm，方阻值為4Ω ;區域2為低方阻區，寬度為基膜I總長的1/4?1/2，方阻值為是10Ω ;區域3為高方阻區，方阻值為20 Ω ;且在一張金屬化薄膜上，區域3方阻多區域2方阻多區域I方阻，方阻值呈現出階梯狀。
[0024]實施例3
[0025]包括基膜I和金屬層2，在基膜I上蒸鍍有金屬層2，金屬層2為鋁層、鋅層或鋅鋁合金層，基膜I的寬度方向的一端邊設有未鍍金屬層2的空白區3，空白區3的寬度為3.5mm，金屬層2根據方阻值大小由區域1、區域2和區域3組成，區域I為邊緣加厚區，寬度為7.5mm，方阻值為6 Ω ;區域2為低方阻區，寬度為基膜I總長的1/4?1/2，方阻值為是15Ω ;區域3為高方阻區，方阻值為30Ω ;且在一張金屬化薄膜上，區域3方阻多區域2方阻多區域I方阻，方阻值呈現出階梯狀。
[0026]實施例4
[0027]包括基膜I和金屬層2，在基膜I上蒸鍍有金屬層2，金屬層2為鋁層、鋅層或鋅鋁合金層，基膜I的寬度方向的一端邊設有未鍍金屬層2的空白區3，空白區3的寬度為4mm，金屬層2根據方阻值大小由區域1、區域2和區域3組成，區域I為邊緣加厚區，寬度為10mm，方阻值為8Ω ;區域2為低方阻區，寬度為基膜I總長的1/4?1/2，方阻值為是20 Ω ；區域3為高方阻區，方阻值為50 Ω ;且在一張金屬化薄膜上，區域3方阻多區域2方阻多區域I方阻，方阻值呈現出階梯狀。
[0028]本實用新型邊緣加厚區2-1比常規蒸鍍方式的加厚區更寬，方阻更低，所以在電極引出上等效串聯電阻小，產品的損耗小；卷繞出來的電容芯子，其自愈能力、耐壓水平主要由區域3高方阻區決定，區域3的采用純鋁蒸鍍，鍍層薄，方阻高，自愈能力將更強，耐壓將更高；區域1，區域2鍍層均加厚，金屬鍍層在整體上電阻表現得比常規蒸鍍方式要小，因此產品在承受同樣的紋波電流的情況下，發熱將更小，溫升將更低，故此種結構承受紋波電流能力將更強；區域I與區域2為一般為方阻較小鍍層較厚的鋅鋁金屬層，而常規蒸鍍方式同樣耐壓等級的薄膜一般為方阻較高鍍層較薄的鋅鋁金屬層，鋅金屬在潮濕的空氣中極易氧化，因此方阻越高鍍層越薄體現的越明顯，故此階梯式蒸鍍方式在抗氧化能力上更有優勢
[0029]申請人又一聲明，本實用新型通過上述實施例來說明本實用新型的實現方法及裝置結構，但本實用新型并不局限于上述實施方式，即不意味著本實用新型必須依賴上述方法及結構才能實施。所屬技術領域的技術人員應該明了，對本實用新型的任何改進，對本實用新型所選用實現方法等效替換及步驟的添加、具體方式的選擇等，均落在本實用新型的保護范圍和公開的范圍之內。
[0030]本實用新型并不限于上述實施方式，凡采用和本實用新型相似結構及其方法來實現本實用新型目的的所有方式，均在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種新型電容器用金屬化薄膜，包括基膜(I)和金屬層(2)，其特征在于:在所述基膜(I)上蒸鍍有金屬層(2)，金屬層(2)為鋁層、鋅層或鋅鋁合金層。
2.根據權利要求1所述一種新型電容器用金屬化薄膜，其特征在于:所述基膜(I)的寬度方向的一端邊設有未鍍金屬層(2 )的空白區(3 )，所述空白區(3 )的寬度為2-4_。
3.根據權利要求2所述一種新型電容器用金屬化薄膜，其特征在于:金屬層(2)根據方阻值大小由區域I (2-1)、區域2 (2-2)和區域3 (2-3)組成，所述區域I (2_1)為邊緣加厚區，寬度為3?10mm，方阻值為3-8Ω ;所述區域2 (2_2)為低方阻區，寬度為基膜(I)總長的1/4?1/2，方阻值為是4-20 Ω ;所述區域3 (2_3)為高方阻區，方阻值大于10 Ω ;且在一張金屬化薄膜上，所述區域3 (2-3)方阻多區域2方阻多區域I方阻，方阻值呈現出階梯狀。
4.根據權利要求2所述一種新型電容器用金屬化薄膜，其特征在于:所述空白區(3)的寬度為2mm。
5.根據權利要求3所述一種新型電容器用金屬化薄膜，其特征在于:所述邊緣加厚區的方阻值為4 Ω。
6.根據權利要求3所述一種新型電容器用金屬化薄膜，其特征在于:所述區域3(2-3)為高方阻區，方阻值為11-50 Ω。
7.根據權利要求6所述一種新型電容器用金屬化薄膜，其特征在于:所述區域3(2-3)為高方阻區，方阻值為30 Ω。
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型電容器用金屬化薄膜，包括基膜和金屬層，在所述基膜1上蒸鍍有金屬層，金屬層為鋁層、鋅層或鋅鋁合金層，所述基膜1的寬度方向的一端邊設有未鍍金屬層的空白區，金屬層根據方阻值大小由區域1、區域2和區域3組成，區域1為邊緣加厚區，區域2為低方阻區，區域3且在一張金屬化薄膜上，區域3方阻≥區域2方阻≥區域1方阻，方阻值呈現出階梯狀。本實用新型具有耐壓高、承受紋波電流能力強的優點。
【IPC分類】H01G4-015, H01G4-008, H01G4-33
【公開號】CN204497059
【申請號】CN201520159233
【發明人】嚴文清, 黃海榮, 李鋼
【申請人】南通新三能電子有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年3月20日