一種倒裝芯片 cob 基板的封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及LED封裝技術領域，具體的說是一種倒裝芯片COB基板的封裝結構。
【背景技術】
[0002]現有技術中，LED COB光源散熱基板裝置包括散熱基層、導熱絕緣層、線路層及絕緣反射層；線路層通過導熱絕緣層附在散熱基層上；在線路層上形成絕緣反射層。層級較多，生產工藝復雜。
[0003]一般的COB封裝，絕緣反射層表面采用刷白漆的方法，其反射率低，COB出光效果差，導致光效偏低。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型的目的在于針對上述問題，提供一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，提高了 COB的出光效率，減少了制作COB基板的層級，降低了生產成本。
[0005]為達到上述目的，本實用新型采用了以下技術方案:
[0006]一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，該結構至少包括一金屬導電層，在金屬導電層的背面設有絕緣層，在金屬導電層的正面設有嵌入式絕緣耐高溫填充層，在所述嵌入式絕緣耐高溫填充層上設有LED倒裝芯片，LED倒裝芯片跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層上且與兩側金屬導電層相連；所述分布有LED倒裝芯片的金屬導電層上封裝有熒光膠，并通過圍墻膠層封裝。
[0007]進一步地，所述金屬導電層設有的嵌入式絕緣耐高溫填充層呈矩形結構分布，矩形的兩對角上留有開口，開口處分布有延伸至金屬導電層邊沿處的嵌入式絕緣耐高溫填充層；所述嵌入式絕緣耐高溫填充層在矩形結構中呈網格狀分布，LED倒裝芯片跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層網格上。
[0008]進一步地，所述金屬導電層材料為Au、Sn、Cu、Ag或Al中的一種；所述金屬導電層為表面進行化學鎳金處理后的金屬導電層。
[0009]進一步地，所述嵌入式絕緣耐高溫填充層為聚鄰苯二酰胺PPA、聚酯PCT或環氧模塑化合物EMC。
[0010]進一步地，所述跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層上與兩側金屬導電層相連的LED倒裝芯片為串聯、并聯或串并聯混合的方式來固定芯片。
[0011]相對于現有技術，本實用新型的有益效果在于:
[0012]本實用新型倒裝基板的結構，基板層級較少，生產工藝簡單；最大限度的保留金屬區，金屬區具有更高的反光率，提高COB的出光率。其金屬區具有更高的反光率，可提高COB的出光率，解決了傳統金屬基板中絕緣層及白漆印刷層對出光率影響的問題。本實用新型與傳統金屬基板相比減少了很多層級，構造簡單。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型所述一種倒裝芯片COB的封裝結構示意圖；
[0014]圖2為本實用新型所述一種倒裝芯片COB基板主視圖；
[0015]圖3為本實用新型所述一種倒裝芯片COB基板俯視圖；
[0016]圖4為本實用新型所述一種倒裝芯片COB基板的芯片固定方式示意圖。
[0017]圖中，1-絕緣層，2-金屬導電層，3-嵌入式絕緣耐高溫填充層，4-LED倒裝芯片，5-圍墻膠層，6-熒光膠。
【具體實施方式】
[0018]下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。
[0019]如圖1、圖2所示，給出了本實用新型的一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，包括一金屬導電層2，在金屬導電層2的背面設有絕緣層I，在金屬導電層2的正面設有嵌入式絕緣耐高溫填充層3，在嵌入式絕緣耐高溫填充層3上設有LED倒裝芯片4，LED倒裝芯片4跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層3上且與兩側金屬導電層2相連；分布有LED倒裝芯片4的金屬導電層2上封裝有熒光膠6，并通過圍墻膠層5封裝。
[0020]參見圖3、圖4所示，其中，金屬導電層2設有的嵌入式絕緣耐高溫填充層3呈矩形結構分布，矩形的兩對角上留有開口，開口處分布有延伸至金屬導電層2邊沿處的嵌入式絕緣耐高溫填充層3 ;嵌入式絕緣耐高溫填充層3在矩形結構中呈網格狀分布，LED倒裝芯片4跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層3網格上。
[0021]金屬導電層2材料可以是Au、Sn、Cu、Ag、Al ;金屬導電層表面進行化學镲金處理。該金屬導電層是金屬基板通過沖壓或化學侵蝕后形成金屬區和非金屬區，在非金屬區使用絕緣耐高溫材料進行填充，如此便可形成基板的電氣性能。
[0022]金屬導電層2底部粘接的絕緣層I絕緣層為粘接在基板底部的一層高導熱、高絕緣的環氧樹脂。材料可以是樹脂中混入陶瓷粉。
[0023]在嵌入式絕緣耐高溫填充層3可以是聚鄰苯二酰胺PPA、聚酯PCT或環氧模塑化合物 EMC0
[0024]跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層3上與兩側金屬導電層2相連的LED倒裝芯片4為串聯、并聯或串并聯混合的方式來固定芯片。
[0025]下面給出倒裝芯片COB基板的制備方法，包括:
[0026]a.提供一種金屬基板作為金屬導電層，在其背面粘接混有陶瓷粉末的樹脂，形成絕緣層；
[0027]b.在金屬基板的正面使用沖壓或化學侵蝕形成金屬導電區；
[0028]c.在基板正面使用填充注塑的方法將絕緣耐高溫材料填充進非金屬區，將金屬區隔離絕緣；
[0029]d.在金屬區表面進行電鍍，形成電鍍層:首先在鎢銅合金凸臺表面電鍍一鎳電鍍層，然后再在鎳電鍍層上電鍍一金電鍍層，金電鍍層覆蓋在鎳電鍍層上。
[0030]倒裝基板的LED封裝結構，包括LED芯片4、在芯片周圍的圍墻膠5、涂覆在芯片上的熒光膠6，絕緣耐高溫材料將基板分為導電區和非導電區，芯片跨過非導電區固定在金屬區上，芯片周圍為一層圍墻膠，熒光膠涂覆在芯片上，圍墻膠內側。
[0031]以上所述僅為本實用新型的一種實施方式，不是全部或唯一的實施方式，本領域普通技術人員通過閱讀本實用新型說明書而對本實用新型技術方案采取的任何等效的變換，均為本實用新型的權利要求所涵蓋。
【主權項】
1.一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，其特征在于:該結構至少包括一金屬導電層(2)，在金屬導電層(2)的背面設有絕緣層(I)，在金屬導電層(2)的正面設有嵌入式絕緣耐高溫填充層(3)，在所述嵌入式絕緣耐高溫填充層(3)上設有LED倒裝芯片(4)，LED倒裝芯片(4)跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層(3)上且與兩側金屬導電層(2)相連；所述分布有LED倒裝芯片(4)的金屬導電層(2)上封裝有熒光膠￠)，并通過圍墻膠層(5)封裝。
2.根據權利要求1所述的一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，其特征在于:所述金屬導電層(2)設有的嵌入式絕緣耐高溫填充層(3)呈矩形結構分布，矩形的兩對角上留有開口，開口處分布有延伸至金屬導電層(2)邊沿處的嵌入式絕緣耐高溫填充層(3);所述嵌入式絕緣耐高溫填充層(3)在矩形結構中呈網格狀分布，LED倒裝芯片(4)跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層(3)網格上。
3.根據權利要求1所述的一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，其特征在于:所述金屬導電層⑵材料為Au、Sn、Cu、Ag或Al中的一種；所述金屬導電層為表面進行化學鎳金處理后的金屬導電層。
4.根據權利要求1所述的一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，其特征在于:所述嵌入式絕緣耐高溫填充層(3)為聚鄰苯二酰胺PPA、聚酯PCT或環氧模塑化合物EMC。
5.根據權利要求1所述的一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，其特征在于:所述跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層(3)上與兩側金屬導電層(2)相連的LED倒裝芯片(4)為串聯、并聯或串并聯混合的方式來固定芯片。
【專利摘要】本實用新型屬于LED技術領域，具體涉及一種倒裝芯片COB基板的封裝結構，該結構至少包括一金屬導電層，在金屬導電層的背面設有絕緣層，在金屬導電層的正面設有嵌入式絕緣耐高溫填充層，在所述嵌入式絕緣耐高溫填充層上設有LED倒裝芯片，LED倒裝芯片跨接在嵌入式絕緣耐高溫填充層上且與兩側金屬導電層相連；所述分布有LED倒裝芯片的金屬導電層上封裝有熒光膠，并通過圍墻膠層封裝。本實用新型金屬區具有更高的反光率，可提高COB的出光率，解決了傳統金屬基板中絕緣層及白漆印刷層對出光率影響的問題；本實用新型與傳統金屬基板相比減少了很多層級，構造簡單。
【IPC分類】H01L33-50, H01L33-52, H01L33-62
【公開號】CN204424315
【申請號】CN201520016445
【發明人】劉倩, 張靜, 高璇, 童華南, 李帆
【申請人】陜西光電科技有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2015年1月9日