一種片式led芯片封裝基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及LED用基板，具體的說是涉及一種片式LED芯片封裝基板。
【背景技術】
[0002]陶瓷基板是一層由氧化鋁或氮化鋁做成的基片，用此材料做成的封裝基板可為芯片提供極佳的散熱條件。在陶瓷基片上印一層銀漿，再燒結成厚膜電路，應用于LED行業，這種技術在國外已經有了很大的發展。目前用于LED行業的此類產品，相關技術有HTCC (高溫共燒)，LTCC(低溫共燒)等，都存在以下幾個難以克服的問題:
[0003]1.銀漿印刷厚度及印刷精度不容易控制，效率低，難以大批量生產；
[0004]2.HTCC與LTCC受限于工藝因素，使得產品難以制備成小尺寸；
[0005]3.HTCC與LTCC產品大大衰減了 Al2O3材料本身具有的高熱傳導率。
【實用新型內容】
[0006]針對上述技術中的不足，本實用新型提供了一種收縮比例一致、尺寸精度高、成本低的片式LED芯片封裝基板。
[0007]為解決上述技術問題，本實用新型通過以下方案來實現:
[0008]一種片式LED芯片封裝基板，該封裝基板包括熟陶瓷基片，所述熟陶瓷基片為已燒結過的基片，在已燒結過的熟陶瓷基片上設置有陣列式厚膜電路預置模，所述厚膜電路預置模印有銀漿。
[0009]進一步的，所述熟陶瓷基片為熟氧化鋁陶瓷基板。
[0010]進一步的，所述熟陶瓷基片為含有96% Al2O3的基片。
[0011]進一步的，所述熟陶瓷基片規格為4.5*4.5mm。
[0012]本實用新型的有益效果是:
[0013]1.滿足較大的PNL SIZE生產，效率高，適合大批量生產封裝基板；
[0014]2.張力不變，線路平整性和精度保證一次成功；
[0015]3.符合高功率小尺寸的LED產品發展趨勢；
[0016]4.陶瓷封裝基板燒結溫度低、時間短，相對HTCC和LTCC而言，節能；
[0017]5.不損耗陶瓷基板本身的熱傳導率。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實用新型片式LED芯片封裝基板示意圖。
【具體實施方式】
[0019]以下結合附圖對本實用新型作詳細說明。
[0020]請參照附圖1所示，本實用新型的一種片式LED芯片封裝基板，該封裝基板包括熟陶瓷基片1，所述熟陶瓷基片I為已燒結過的基片，在已燒結過的熟陶瓷基片I上設置有陣列式厚膜電路預置模2，所述厚膜電路預置模2印有銀漿。所述熟陶瓷基片I為熟氧化鋁陶瓷基板，且含有96% Al2O3材料，其規格為4.5*4.5mm。
[0021]本實用新型的上述結構在通過鋼網印刷技術直接在已燒結的熟氧化鋁陶瓷基板上印刷電路導線圖形，再通過干燥爐150°C低溫干燥和燒結爐850°C短時間(10?20min)燒結，使銀漿上的粘結物揮發掉，銀粉重新結晶成銀面，與陶瓷表面粘結，形成導線。這種方式可避免傳統技術中如生產效率低，收縮比例不一致(熟陶瓷再燒結一次不會收縮)，尺寸精度低，生產成本高，熱導率低等問題。
[0022]因此，本實用新型具有較強的實用性，對于產品的生產效率、收縮比例、尺寸精度、生產成本、熱導率都有很大的改善。
[0023]以上所述僅為本實用新型的優選實施方式，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種片式LED芯片封裝基板，該封裝基板包括熟陶瓷基片(1)，其特征在于:所述熟陶瓷基片(I)為已燒結過的基片，在已燒結過的熟陶瓷基片(I)上設置有陣列式厚膜電路預置模(2)，所述厚膜電路預置模(2)印有銀漿。
2.根據權利要求1所述的一種片式LED芯片封裝基板，其特征在于:所述熟陶瓷基片(I)為熟氧化鋁陶瓷基板。
3.根據權利要求1或2所述的一種片式LED芯片封裝基板，其特征在于:所述熟陶瓷基片⑴為含有96% Al2O3的基片。
4.根據權利要求1或2所述的一種片式LED芯片封裝基板，其特征在于:所述熟陶瓷基片(I)規格為4.5*4.5mmο
【專利摘要】本實用新型涉及LED用基板，具體的說是涉及一種片式LED芯片封裝基板，該封裝基板包括熟陶瓷基片，所述熟陶瓷基片為已燒結過的基片，在已燒結過的熟陶瓷基片上設置有陣列式厚膜電路預置模，所述厚膜電路預置模印有銀漿。本實用新型滿足較大的PNL SIZE生產，效率高，適合大批量生產封裝基板；張力不變，線路平整性和精度保證一次成功；符合高功率小尺寸的LED產品發展趨勢；陶瓷封裝基板燒結溫度低、時間短，相對HTCC和LTCC而言，節能；不損耗陶瓷基板本身的熱傳導率。
【IPC分類】H01L33-48
【公開號】CN204424307
【申請號】CN201420862626
【發明人】黃琦
【申請人】共青城超群科技股份有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2014年12月31日