光傳感器的制造方法
【技術領域】
[0001] 本實用新型設及光傳感器領域，更具體地說，設及一種W化學性質配置結構的光 傳感器。
【背景技術】
[0002] 目前，業界對于光傳感器各層的金屬材質通常采用相近合金，所W每一層金屬層 的材質相近，換言之，各層金屬層的蝕刻液亦相近。但是，各金屬層于制程中形成時可能發 生不良現象，例如：光阻偏移，而有重新加工翻新（reworkable)的需求。一般在重新加工時 當道金屬層經蝕刻液蝕刻時會將上一層金屬層一并蝕刻掉，如此重新加工時會將良好的金 屬層也一并蝕刻，換言之，一般重新加工移除有缺陷的金屬層時，無法保有其他良好金屬層 的完整性。 【實用新型內容】
[0003] 本實用新型要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述重新加工移除有缺陷的 金屬層時，無法保有其他良好金屬層的完整性的缺陷，提供一種光傳感器。
[0004] 本實用新型解決其技術問題，所采用的技術方案是提供了一種光傳感器，包含：基 板、柵極金屬層、隔離層、傳輸層、絕緣層、光電組件及共同金屬層。柵極金屬層位于基板上； 隔離層位于柵極金屬層及基板上；傳輸層位于隔離層上；絕緣層位于傳輸層上；光電組件 位于傳輸層上，而與所述柵極金屬層相隔一定距離；W及共同金屬層位于光電組件上；其 中，在回蝕刻處理W移除共同金屬層時，傳輸層無法移除，和/或在另一回蝕刻處理W移除 傳輸層、隔離層或隔離層上部的各層與組件時，柵極金屬層無法移除。
[0005] 在本實用新型所述的光傳感器，上述在移除該共同金屬層時，共同金屬層相對于 第一蝕刻液的化學惰性低于傳輸層相對于該第一蝕刻液的化學惰性，和/或上述在移除傳 輸層、隔離層及隔離層上部的各層與組件時，傳輸層相對于第二蝕刻液的化學惰性低于柵 極金屬層相對于該第二蝕刻液的化學惰性。
[0006] 在本實用新型所述的光傳感器，所述傳輸層包含漏極與源極。
[0007] 在本實用新型所述的光傳感器，還包含；純態層，位于絕緣層與光電組件上。
[000引在本實用新型所述的光傳感器，還包含：半導體層，堆找于所述隔離層W及傳輸層 之間，且堆找于柵極金屬層上。
[0009] 在本實用新型所述的光傳感器，還包含；第一接觸孔，貫穿所述純態層及絕緣層， 并且位于傳輸層上，W裸露該傳輸層；及第二接觸孔，貫穿純態層，并且位于光電組件上，W 裸露該光電組件。
[0010] 在本實用新型所述的光傳感器，共同金屬層通過第一接觸孔接觸傳輸層，共同金 屬層通過第二接觸孔接觸所述光電組件。
[0011] 在本實用新型所述的光傳感器，光電組件還包含；二極管層，位于絕緣層及傳輸層 上；及透明電極，位于二極管層上；其中，共同金屬層位于該透明電極上，上述在移除所述 共同金屬層時，該透明電極無法移除。
[0012] 在本實用新型所述的光傳感器，上述在移除所述共同金屬層時，共同金屬層相對 于一蝕刻液的化學惰性低于該透明電極相對于該蝕刻液的化學惰性。
[0013] 實施本實用新型的光傳感器，具有W下有益效果；其通過各層之化學性質所配置 的結構，會對于同一蝕刻液有不同強度活性，而可依序移除具有缺陷的金屬層，W解決重新 加工中移除有缺陷的金屬層時，無法保有其他良好金屬層的完整性之問題。
【附圖說明】
[0014] 下面將結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中：
[0015] 圖1為本實用新型的光傳感器的實施例的俯視圖；
[0016] 圖2為實用新型圖1中ZZ'剖面線的剖面圖。
[0017] 【符號說明】
[001 引
【主權項】
1. 一種光傳感器，其包含： 基板（2); 柵極金屬層（10)，位于所述基板（2)上； 隔離層（20)，位于所述柵極金屬層（10)及所述基板（2)上； 傳輸層（12)，位于所述隔離層（20)上； 絕緣層（22)，位于所述傳輸層（12)上； 光電組件（30)，位于所述傳輸層（12)上，而與所述柵極金屬層（10)相隔一定距離； 以及共同金屬層（14)，位于所述光電組件（30)上； 其中，在回蝕刻處理以移除該共同金屬層（14)時，所述傳輸層（12)無法移除，和/或 在回蝕刻處理以移除所述傳輸層（12)、所述隔離層（20)及所述隔離層（20)上部的各層與 組件時，所述柵極金屬層（10)無法移除。
2. 根據權利要求1所述的光傳感器，其特征在于， 所述在移除該共同金屬層（14)時，所述共同金屬層（14)相對于第一蝕刻液的化學惰 性低于所述傳輸層（12)相對于該第一蝕刻液的化學惰性；所述在移除所述傳輸層（12)、所 述隔離層（20)及所述隔離層（20)上部的各層與組件時，所述傳輸層（12)相對于第二蝕刻 液的化學惰性低于所述柵極金屬層（10)相對于該第二蝕刻液的化學惰性。
3. 根據權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述傳輸層（12)包含漏極（122)與 源極（120)。
4. 根據權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，還包含： 鈍態層（24)，位于所述絕緣層（22)與所述光電組件（30)上。
5. 根據權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，還包含： 半導體層（60)，堆棧于所述隔離層（20)以及所述傳輸層（12)之間，且堆棧于所述柵極 金屬層（10)上。
6. 根據權利要求4所述的光傳感器，其特征在于，還包含： 第一接觸孔（40)，貫穿所述鈍態層（24)及所述絕緣層（22)，并且位于所述傳輸層（12) 上，以裸露該傳輸層（12);及 第二接觸孔（42)，貫穿所述鈍態層（24)，并且位于所述光電組件（30)上，以裸露該光 電組件。
7. 根據權利要求6所述的光傳感器，其特征在于，所述共同金屬層（14)通過所述第一 接觸孔（40)接觸所述傳輸層（12)，所述共同金屬層（14)通過所述第二接觸孔（42)接觸所 述光電組件（30)。
8. 根據權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述光電組件（30)還包含： 二極管層（50)，位于所述絕緣層（22)及所述傳輸層（12)上；及 透明電極（16)，位于所述二極管層（50)上； 其中，所述共同金屬層（14)位于該透明電極（16)上，所述在移除所述共同金屬層（14) 時，該透明電極（16)無法移除。
9. 根據權利要求8所述的光傳感器，其特征在于，所述在移除所述共同金屬層（14)時， 所述共同金屬層（14)相對于一蝕刻液的化學惰性低于該透明電極（16)相對于該蝕刻液的 化學惰性。
【專利摘要】一種光傳感器，包含：基板、柵極金屬層、隔離層、傳輸層、絕緣層、光電組件及共同金屬層，柵極金屬層位于基板上，隔離層位于柵極金屬層及基板上，傳輸層位于隔離層上，絕緣層位于傳輸層上，光電組件位于傳輸層上，而與該柵極金屬層相隔一定距離，以及共同金屬層位于光電組件上，其中，在進行回蝕刻處理以移除共同金屬層時，傳輸層無法移除，和/或在進行另一回蝕刻處理以移除傳輸層、隔離層及隔離層上部的各層與組件時，柵極金屬層無法移除。實施本實用新型的有益效果是，通過各層之化學性質所配置的結構，會對于同一蝕刻液有不同強度活性，而可依序移除具有缺陷的金屬層，保證其它良好金屬層的完整性。
【IPC分類】H01L31-101
【公開號】CN204407343
【申請號】CN201520031618
【發明人】吳瑞欽
【申請人】凌巨科技股份有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請日】2015年1月16日