隔離器/環形器的密封結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種微波鐵氧體器件，尤其一種隔離器/環形器的密封結構。
【背景技術】
[0002]微波鐵氧體器件(如:隔離器、環行器)在微波電路中起到環行、隔離、調幅等作用，主要用于軍事雷達系統、通信領域。特別是21世紀是通信網絡時代，隨著網絡的不斷升級，近幾年3G、4G基站大規模建設，環行器、隔離器由過去年產量幾萬只到現在的年產量上千萬只，對企業的規模化生產、產品性能的一致性帶來了挑戰。現有技術中的環形器包括殼體、中心導體、鐵氧體、磁體及蓋板，蓋板與殼體固定形成空腔，磁體、鐵氧體及中心導體設置于空腔中，上述的中心導體上設置有直線引腳，而殼體上對應直線引腳的位置設置引線端口。上述的結構，由于引線端口并沒有密封固定，直接將磁體、中心導體以及鐵氧體的部分暴露于空氣中，工作時，磁體由于磁力的作用而吸引碎鐵銷等導電物質，引起環形器短路的問題。另外，中心導體以及鐵氧體容易受潮而影響正常的電氣性能。有鑒于此，有必要對上述的隔離器/環形器的結構作進一步的改進。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種結構簡單、密封性及電氣性能好的隔離器/環形器的密封結構。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案為:提供一種隔離器/環形器的密封結構，包括殼體、蓋體、中心導體、磁體以及鐵氧體，所述殼體與蓋體形成容置腔，所述磁體、鐵氧體以及中心導體層疊設置并固定于容置腔中，所述殼體側壁開設有缺口，所述中心導體上設置有引腳并且所述引腳從缺口伸出，所述缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述RTV硅膠層封閉容置腔體，并且固定在對應缺口位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體上的側壁上。
[0005]其中，所述RTV硅膠層的厚度為0.5-3.5mm。
[0006]其中，所述缺口的數量為三個，三個缺口均勻地分布在圓形殼體側壁上。
[0007]其中，所述鐵氧體包括上層鐵氧體及下層鐵氧體，所述上層鐵氧體及下層鐵氧體分別緊貼于中心導體的上表面及下表面上。
[0008]其中，所述磁體包括上層磁體以及下層磁體，所述上層磁體及下層磁體分別緊貼于上層鐵氧體及下層鐵氧體上。
[0009]本實用新型的有益效果在于:區別于現有技術中的隔離器/環形器中由于引線端口并沒有密封固定，直接將磁體、中心導體以及鐵氧體的部分暴露于空氣中，引起電氣性能不佳的問題，本實用新型一種隔離器/環形器的密封結構，采用在殼體的缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述硅膠層封閉容置腔體，并且固定在對應缺口位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體上的側壁上，密封接線端口，能夠提高隔離器/環形器的電氣性能。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型隔離器/環形器的密封結構的示意圖；
[0011]圖2為圖1的分解示意圖。
[0012]標號說明:
[0013]1、蓋體；2、殼體；3、RTV硅膠層；4、中心導體；
[0014]41、引腳；51、上層鐵氧體；52、下層鐵氧體；
[0015]61、上層磁體；62、下層磁體；21、缺口。
【具體實施方式】
[0016]為詳細說明本實用新型的技術內容、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖予以說明。
[0017]RTV娃膠:一種室溫硫化型娃橡膠，RTV是英文room temperature vulcanizedsilicone rubber的縮寫，室溫下能硫化的娃橡膠。
[0018]本實用新型最關鍵的構思在于:本方案采用在殼體的缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述硅膠層封閉缺口，并且固定在對應缺口位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體上的側壁上，密封容置腔體，能夠提高隔離器/環形器的電氣性能。
[0019]請參照圖1和圖2，一種隔離器/環形器的密封結構，包括殼體2、蓋體1、中心導體4、磁體以及鐵氧體，所述殼體2與蓋體I形成容置腔，所述磁體、鐵氧體以及中心導體4層疊設置并固定于容置腔中，所述殼體2側壁開設有缺口 21，所述中心導體4上設置有引腳41并且所述引腳41從缺口 21伸出，所述缺口 21處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層3，所述RTV硅膠層3封閉缺口 21，并且固定在對應缺口 21位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體4上的側壁上。
[0020]從上述描述可知，本實用新型的有益效果在于:區別于現有技術中的隔離器/環形器中由于引線端口并沒有密封固定，直接將磁體、中心導體4以及鐵氧體的部分暴露于空氣中，引起電氣性能不佳的問題，本實用新型一種隔離器/環形器的密封結構，采用在殼體2的缺口 21處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層3，所述硅膠層封閉缺口 21，并且固定在對應缺口 21位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體4上的側壁上，密封接線端口，能夠提高隔離器/環形器的電氣性能。
[0021]作為一實施例，所述RTV硅膠層3的厚度為0.5-3.5mm。應該指出，硅膠層的作用在于封閉容置腔體，使容置腔體中的結構組件與外部隔離，能夠起到防止磁體吸引碎鐵銷以及防止空氣中的水及粉塵進入的效果。該RTV硅膠的厚度不限于上述范圍，小于或者大于上述厚度范圍均為可行方案。
[0022]作為一實施例，所述缺口 21的數量為三個，三個缺口 21均勻地分布在圓形殼體2側壁上。殼體2為圓形結構，三個缺口 21的相互角度為180°。此外，殼體2上對應缺口21的位置設置有接線部，所述接線部能夠支撐引腳41，方便接線，提高整體的電氣性能。
[0023]作為一實施例，所述鐵氧體包括上層鐵氧體51及下層鐵氧體52，所述上層鐵氧體51及下層鐵氧體52分別緊貼于中心導體4的上表面及下表面上。鐵氧體的結構還可以中間開設容置槽的整體結構中心導體4可以直接放置于容置槽中。
[0024]作為一實施例，所述磁體包括上層磁體61以及下層磁體62，所述上層磁體61及下層磁體62分別緊貼于上層鐵氧體51及下層鐵氧體52上。磁體的結構還可以中間開設容置部的整體結構，該容置部的大小與鐵氧體及中心導體4的厚度相適應。
[0025]綜上所述，本實用新型提供的隔離器/環形器的密封結構，采用在殼體的缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述硅膠層封閉缺口，并且固定在對應缺口位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體上的側壁上，密封容置腔體，能夠起到較佳的隔離效果。另外，RTV硅膠層的厚度為2-5_，綜合節省資源及成本方面的考慮，能夠起到較佳的密封效果。
[0026]以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等同變換，或直接或間接運用在相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種隔離器/環形器的密封結構，包括殼體、蓋體、中心導體、磁體以及鐵氧體，所述殼體與蓋體形成容置腔，所述磁體、鐵氧體以及中心導體層疊設置并固定于容置腔中，所述殼體側壁開設有缺口，所述中心導體上設置有引腳并且所述引腳從缺口伸出，其特征在于，所述缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述RTV硅膠層封閉容置腔體，并且固定在對應缺口位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體上的側壁上。
2.根據權利要求1所述的隔離器/環形器的密封結構，其特征在于，所述RTV硅膠層的厚度為 0.5-3.5mm。
3.根據權利要求1所述的隔離器/環形器的密封結構，其特征在于，所述缺口的數量為三個，三個缺口均勻地分布在圓形殼體側壁上。
4.根據權利要求1-3任一項所述的隔離器/環形器的密封結構，其特征在于，所述鐵氧體包括上層鐵氧體及下層鐵氧體，所述上層鐵氧體及下層鐵氧體分別緊貼于中心導體的上表面及下表面上。
5.根據權利要求4所述的隔離器/環形器的密封結構，其特征在于，所述磁體包括上層磁體以及下層磁體，所述上層磁體及下層磁體分別緊貼于上層鐵氧體及下層鐵氧體上。
【專利摘要】本實用新型公開了一種隔離器/環形器的密封結構，包括殼體、蓋體、中心導體、磁體以及鐵氧體，所述殼體與蓋體形成容置腔，所述磁體、鐵氧體以及中心導體層疊設置并固定于容置腔中，所述殼體側壁開設有缺口，所述中心導體上設置有引腳并且所述引腳從缺口伸出，所述缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述RTV硅膠層封閉容置腔體，并且固定在對應缺口位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體上的側壁上。本實用新型通過用RTV硅膠封閉缺口，能夠提高隔離器/環形器的電氣性能。
【IPC分類】H01P1-383, H01P1-36
【公開號】CN204361237
【申請號】CN201520022168
【發明人】張偉, 黃帝坤
【申請人】深圳華揚通信股份有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年1月13日