隔離器/環形器的鍍層結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種微波鐵氧體器件，尤其一種隔離器/環形器的鍍層結構。
【背景技術】
[0002]微波鐵氧體器件(如:隔離器、環行器)在微波電路中起到環行、隔離、調幅等作用，主要用于軍事雷達系統、通信領域。特別是21世紀是通信網絡時代，隨著網絡的不斷升級，近幾年3G、4G基站大規模建設，環行器、隔離器由過去年產量幾萬只到現在的年產量上千萬只，對企業的規模化生產、產品性能的一致性帶來了挑戰。現有技術中的環形器包括殼體、中心導體、鐵氧體、磁體及蓋板，蓋板與殼體固定形成空腔，磁體、鐵氧體及中心導體設置于空腔中，上述的中心導體上設置有直線引腳，而殼體上對應直線引腳的位置設置引線端口。上述的結構中，一方面，磁體上缺少保護層，在生產運輸及長時間工作時磁體邊緣破損及氧化后影響可靠性及使用壽命，另一方面，整個器件的插入損耗大。有鑒于此，有必要對上述的隔離器/環形器作進一步的改進。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種結構簡單，提高磁體的可靠性，降低插入損耗的隔離器/環形器的鍍層結構。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案為:提供一種隔離器/環形器的鍍層結構，包括殼體、蓋體、中心導體、磁體以及鐵氧體，所述殼體與蓋體形成容置腔，所述磁體、鐵氧體以及中心導體層疊設置并固定于容置腔中，所述殼體側壁開設有缺口，所述中心導體上設置有引腳并且所述引腳從缺口伸出，所述鐵氧體及磁體均為圓柱形，所述鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層，所述金屬鍍層完全覆蓋鐵氧體及磁體的外表面。
[0005]其中，所述金屬鍍層為由銀、鎳、鋅及銅中任意一種形成的電鍍銀層、電鍍鎳層、電鍍鋅層以及電鍍銅層。
[0006]其中，所述電鍍銀層、電鍍鎳層、電鍍鋅層中任一種的厚度均為0.5-2um。
[0007]其中，所述電鍍銅層的厚度為3_4um。
[0008]其中，所述缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述RTV硅膠層封閉容置腔體，并且固定在對應缺口位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體上的側壁上。
[0009]其中，所述鐵氧體包括上層鐵氧體及下層鐵氧體，所述上層鐵氧體及下層鐵氧體分別緊貼于中心導體的上表面及下表面上。
[0010]其中，所述磁體包括上層磁體以及下層磁體，所述上層磁體及下層磁體分別緊貼于上層鐵氧體及下層鐵氧體上。
[0011]本實用新型的有益效果在于:區別于現有技術中的隔離器/環形器的磁體上缺少保護層，在生產運輸及長時間工作時磁體邊緣破損及氧化后影響可靠性及使用壽命以及整個器件的插入損耗大的問題，本實用新型提供了一種隔離器/環形器的鍍層結構，采用在在鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層，能夠有效地保護鐵氧體及磁體，減少插入損耗，提高整體器件的電氣性能。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型隔離器/環形器的分解結構示意圖；
[0013]圖2為本實用新型鐵氧體及磁體的鍍層結構圖；
[0014]圖3為本實用新型隔離器/環形器的封裝結構示意圖。
[0015]標號說明:
[0016]1、蓋體；2、殼體；3、RTV硅膠層；4、中心導體；
[0017]41、引腳；51、上層鐵氧體；52、下層鐵氧體；21、缺口 ；
[0018]61、上層磁體；62、下層磁體；7、金屬鍍層。
【具體實施方式】
[0019]為詳細說明本實用新型的技術內容、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖予以說明。
[0020]本實用新型最關鍵的構思在于:本方案采用在在鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層，能夠有效地保護鐵氧體及磁體，減少插入損耗，提高整體器件的電氣性能。
[0021]請參照圖1至圖3，一種隔離器/環形器的鍍層結構，包括殼體2、蓋體1、中心導體4、磁體以及鐵氧體，所述殼體2與蓋體I形成容置腔，所述磁體、鐵氧體以及中心導體4層疊設置并固定于容置腔中，所述殼體2側壁開設有缺口 21，所述中心導體4上設置有引腳41并且所述引腳41從缺口 21伸出，所述鐵氧體及磁體均為圓柱形，所述鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層7，所述金屬鍍層7完全覆蓋鐵氧體及磁體的外表面。
[0022]從上述描述可知，本實用新型的有益效果在于:區別于現有技術中的隔離器/環形器的磁體上缺少保護層，在生產運輸及長時間工作時磁體邊緣破損及氧化后影響可靠性及使用壽命以及整個器件的插入損耗大的問題，本實用新型提供了一種隔離器/環形器的鍍層結構，采用在在鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層，能夠有效地保護鐵氧體及磁體，減少插入損耗，提高整體器件的電氣性能。
[0023]作為一實施例，所述金屬鍍層為由銀、鎳、鋅及銅中任意一種形成的電鍍銀層、電鍍鎳層、電鍍鋅層以及電鍍銅層。上述的四種金屬為常用的性能較佳的鍍層金屬，除上述四個金屬外還可以是其它金屬或者合金材料。
[0024]作為一實施例，所述電鍍銀層、電鍍鎳層、電鍍鋅層中任一種的厚度均為0.5-2um。應該指出，0.5-2um為電鍍銀層、電鍍鎳層及電鍍鋅層中優選的方案，應該指出，厚度小于
0.5um或者厚度大于2um也均是可行方案，均在本方案的保護范圍內。
[0025]作為一實施例，所述電鍍銅層的厚度為3-4um。應該指出，3_4um為電鍍銅層中優選的方案，應該指出，厚度小于3um或者厚度大于3um也均是可行方案，均在本方案的保護范圍內。
[0026]作為一實施例，所述缺口 21處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層3，所述RTV硅膠層3封閉容置腔體，并且固定在對應缺口 21位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體4上的側壁上。高RTV膠密封容置腔體，能夠提高隔離器/環形器的電氣性能。
[0027]作為一實施例，所述鐵氧體包括上層鐵氧體51及下層鐵氧體52，所述上層鐵氧體51及下層鐵氧體52分別緊貼于中心導體4的上表面及下表面上。鐵氧體的結構還可以中間開設容置槽的整體結構中心導體4可以直接放置于容置槽中。
[0028]作為一實施例，所述磁體包括上層磁體61以及下層磁體62，所述上層磁體61及下層磁體62分別緊貼于上層鐵氧體51及下層鐵氧體52上。磁體的結構還可以中間開設容置部的整體結構，該容置部的大小與鐵氧體及中心導體4的厚度相適應。
[0029]綜上所述，本實用新型提供的一種隔離器/環形器的鍍層結構，采用在在鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層，能夠有效地保護鐵氧體及磁體，減少插入損耗，提高整體器件的電氣性能；另外，所述缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述硅膠層封閉容置腔體，能夠防止外部環境中的潮濕空氣及粉塵進入容置腔體中，影響磁體、鐵氧體以及中心導體的工作性，通過鍍層結構以及密封結構，能夠進一步提高器件的整體電性能。
[0030]以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等同變換，或直接或間接運用在相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種隔離器/環形器的鍍層結構，包括殼體、蓋體、中心導體、磁體以及鐵氧體，所述殼體與蓋體形成容置腔，所述磁體、鐵氧體以及中心導體層疊設置并固定于容置腔中，所述殼體側壁開設有缺口，所述中心導體上設置有引腳并且所述引腳從缺口伸出，其特征在于，所述鐵氧體及磁體均為圓柱形，所述鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層，所述金屬鍍層完全覆蓋鐵氧體及磁體的外表面。
2.根據權利要求1所述的隔離器/環形器的鍍層結構，其特征在于，所述金屬鍍層為由銀、鎳、鋅及銅中任意一種形成的電鍍銀層、電鍍鎳層、電鍍鋅層以及電鍍銅層。
3.根據權利要求2所述的隔離器/環形器的鍍層結構，其特征在于，所述電鍍銀層、電鍍鎳層、電鍍鋅層中任一種的厚度均為0.5-2um。
4.根據權利要求2所述的隔離器/環形器的鍍層結構，其特征在于，所述電鍍銅層的厚度為3_4um。
5.根據權利要求1所述的隔離器/環形器的鍍層結構，其特征在于，所述缺口處注射有RTV硅膠形成RTV硅膠層，所述RTV硅膠層封閉容置腔體，并且固定在對應缺口位置的部分磁體、鐵氧體以及中心導體上的側壁上。
6.根據權利要求1-5任一項所述的隔離器/環形器的鍍層結構，其特征在于，所述鐵氧體包括上層鐵氧體及下層鐵氧體，所述上層鐵氧體及下層鐵氧體分別緊貼于中心導體的上表面及下表面上。
7.根據權利要求6所述的隔離器/環形器的鍍層結構，其特征在于，所述磁體包括上層磁體以及下層磁體，所述上層磁體及下層磁體分別緊貼于上層鐵氧體及下層鐵氧體上。
【專利摘要】本實用新型公開了一種隔離器/環形器的鍍層結構，包括殼體、蓋體、中心導體、磁體以及鐵氧體，所述殼體與蓋體形成容置腔，所述磁體、鐵氧體以及中心導體層疊設置并固定于容置腔中，所述殼體側壁開設有缺口，所述中心導體上設置有引腳并且所述引腳從缺口伸出，所述鐵氧體及磁體均為圓柱形，所述鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層，所述金屬鍍層完全覆蓋鐵氧體及磁體的外表面。本實用新型通過在鐵氧體及磁體的側壁面、上端面以及下端面分別鍍有金屬鍍層，能夠有效地保護鐵氧體及磁體，減少插入損耗，提高整體器件的電氣性能。
【IPC分類】H01P1-383, H01P1-36
【公開號】CN204361236
【申請號】CN201520021843
【發明人】張偉, 黃帝坤
【申請人】深圳華揚通信股份有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年1月13日