一種采用鍍錫的隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于集成電路封裝技術領域，具體涉及一種采用鍍錫的隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件。
【背景技術】
[0002]目前，封裝件的制作中，在凸點排布及I/O數不受框架設計及制作限制的前提下，一般通過電鍍銀之后倒裝上芯的方法，可以實現框架圖形設計可在框架制作時期就完成，這樣縮短了制作周期，更好得實現芯片與載體的互聯，丙炔使I/o更加密集，成本更低。
[0003]現有公開的技術中，一種基于框架采用鍍銀技術的封裝件(專利號:201320335457.9)和一種基于框架采用鍵合線連接技術的封裝件(專利號:201320335198.X)，是鍍銀技術的兩個案例。
[0004]已經申請專利:一種利用隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件(專利號:201420845961.8)解決了在封裝件鍍銀層之后，在焊接時候會出現焊料熔化銀層的問題。
[0005]但是，上述現有技術難以改善對銀氧化的控制要求，同時，銀的易焊性較差。
【實用新型內容】
[0006]為了克服上述現有技術存在的問題，本實用新型提供了一種采用鍍錫的隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，本專利不但實現塑封體與鍍銀層良好結合的同時，隔離金屬將鍍銀層和鍍錫層合理隔開，解決了 SMT時焊料將銀層共晶熔化的問題，而且本專利將原來芯片背面的銀用錫來代替，改善了對銀氧化的控制要求，并增強易焊性。
[0007]一種采用鍍錫的隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，包括有芯片、塑封體、鍍銀層和鍍錫層，所述鍍銀層為相互獨立的鍍銀層段，所述鍍銀層與中間金屬層連接，中間金屬層再與鍍錫層連接。
[0008]中間金屬層為銅、鎳、鎳鈀金、銅鎳銅或者不能被SMT熔化的其他金屬。
【附圖說明】
[0009]圖1為采用鍵合線連接技術的封裝件剖面圖；
[0010]圖2為采用金屬凸點技術的封裝件剖面圖；
[0011]圖3為帶有中間金屬層的采用鍵合線連接技術的封裝件剖面圖；
[0012]圖4為帶有中間金屬層的采用金屬凸點技術的封裝件剖面圖。
[0013]圖中，I為芯片、2為鍵合線、3為塑封體、4為鍍銀層，5為金屬凸點、6為中間金屬層、41為鍍錫層。
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖對本實用新型做進一步的說明。
[0015]實施例一:
[0016]如圖1所示，一種采用鍵合線連接技術的封裝件包括有芯片1、鍵合線2、塑封體3、鍍銀層4和鍍錫層41，所述鍍銀層4為相互獨立的鍍銀層段，部分鍍銀層4上有芯片1，所述芯片I和其上無芯片I的部分鍍銀層4通過鍵合線2連接，塑封體3包圍了芯片1、鍵合線2和鍍銀層4，芯片1、鍵合線2和鍍銀層4構成了電路的電源和信號通道。
[0017]如圖3所示，所述鍍銀層4與中間金屬層6連接，中間金屬層6再與鍍錫層41連接。
[0018]圖3中，所述鍍銀層4為0.1-1Oum;所述鍍錫層41為0.l-10um，或者用0.0l-1Oum的惰性金屬層替代。所述中間金屬層6為銅、鎳、鎳鈀金、銅鎳銅或者不能被SMT熔化的其他金屬，是為了隔離鍍銀層4和鍍錫層41的。本專利不但實現塑封體與鍍銀層良好結合的同時，隔離金屬將鍍銀層和鍍錫層合理隔開，解決了 SMT時焊料將銀層共晶熔化的問題，而且本專利將原來芯片背面的銀用錫來代替，改善了對銀氧化的控制要求，并增強易焊性。
[0019]實施例二:
[0020]如圖2所示，一種采用金屬凸點技術的封裝件，所述封裝件包括有芯片1、塑封體3、鍍銀層4、鍍錫層41和金屬凸點5 ;所述鍍銀層4為相互獨立的鍍銀層段，所述芯片I上植有金屬凸點5，所述金屬凸點5與鍍銀層4連接；所述塑封體4包圍了芯片1、鍍銀層4和金屬凸點5，芯片1、鍍銀層4和金屬凸點5構成了電路的電源和信號通道。
[0021]如圖4所示，所述鍍銀層4與中間金屬層6連接，中間金屬層6再與鍍錫層41連接。
[0022]圖4中，所述鍍銀層4為0.1-1Oum ;所述鍍錫層41為0.1-1Oum,或者用0.0l-1Oumd的惰性金屬層替代。所述中間金屬層6為銅、镲、镲鈕金、銅镲銅或者不能被SMT熔化的其他金屬，是為了隔離鍍銀層4和鍍錫層41的。本專利不但實現塑封體與鍍銀層良好結合的同時，隔離金屬將鍍銀層和鍍錫層合理隔開，解決了 SMT時焊料將銀層共晶熔化的問題，而且本專利將原來芯片背面的銀用錫來代替，改善了對銀氧化的控制要求，并增強易焊性。
【主權項】
1.一種采用鍍錫的隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，包括有芯片(1)、塑封體(3)、鍍銀層(4)和鍍錫層(41)，所述鍍銀層(4)為相互獨立的鍍銀層段，其特征在于:所述鍍銀層⑷與中間金屬層(6)連接，中間金屬層(6)再與鍍錫層(41)連接。
2.根據權利要求1所述的一種采用鍍錫的隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，其特征在于:中間金屬層(6)為銅、鎳、鎳鈀金、銅鎳銅或者不能被SMT熔化的其他金屬。
【專利摘要】本實用新型公開了一種采用鍍錫的隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，包括有芯片、塑封體、鍍銀層和鍍錫層，所述鍍銀層為相互獨立的鍍銀層段，所述鍍銀層與中間金屬層連接，中間金屬層再與鍍錫層連接。所述中間金屬層，是為了隔離鍍銀層和鍍錫層的。本專利不但實現塑封體與鍍銀層良好結合的同時，隔離金屬將鍍銀層和鍍錫層合理隔開，解決了SMT時焊料將銀層共晶熔化的問題，而且本專利將原來芯片背面的銀用錫來代替，改善了對銀氧化的控制要求，并增強易焊性。
【IPC分類】H01L23-495
【公開號】CN204361087
【申請號】CN201520081298
【發明人】孫青秀
【申請人】孫青秀
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年2月5日