擴晶機的頂膜結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種新型的半導體行業和LED行業使用的擴晶機的頂膜結構，使得藍膜受力均勻，因此均勻擴張，相鄰芯片之間的距離相等，減少后續的測量和分選工藝占用的機器分辨和定位時間，達到晶元級封裝的要求，便于后續的工藝流程。
【背景技術】
[0002]晶元(wafer)上正方形和矩形芯片的切割道(cutting street)是沿互相垂直的兩個方向:X方向和Y方向，X方向與晶元的平邊(flat)平行。現有的擴晶機(waferexpander)都是沿晶元的半徑方向擴張，因此，同一切割道方向上的相鄰芯片(chip)之間的距離不相等并且旋轉，使得后續的測量和分選的工藝占用較多的機器分辨和定位時間。另外，芯片級封裝(chip scale package)或晶元級封裝(wafer level package)要求同一切割道方向上的芯片之間的距離基本上相同。因此，一種使得擴張后的晶元上的同一切割道方向的芯片之間的距離基本上相同的擴晶機已經被提出(中國專利和專利申請:2014102053696，2014202526892，201410364441.X，201420421786.X，201420627183.5)。但是，目前的擴晶機，在擴張藍膜時，由于擴晶機的頂膜結構的邊緣與藍膜之間的摩擦力，使得藍膜受到的力不均勻，這增加了對藍膜的強度的要求，增加了成本，而且，影響了擴張的均勻性。因此，需要進一步改進。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的首要目的是為擴晶機提供一種頂膜結構，使得在藍膜擴張的過程中，減小擴晶機的頂膜結構的邊緣與藍膜之間的摩擦力，藍膜各部分受到的力比較小而且均勻。第二個目的是為擴晶機提供一種頂膜結構，使得擴張后的晶元在X方向的相鄰的芯片之間的距離基本上相同，在Y方向的相鄰的芯片之間的距離基本上相同，芯片之間的沿X方向的距離與沿Y方向的距離可以相同或者不同，因此，適用于正方形和矩形芯片，滿足芯片級封裝的要求。
[0004]本實用新型的擴晶機的頂膜結構的工作原理。頂膜結構的俯視形狀是四邊形；在頂膜結構的四邊分別設置可以轉動的圓柱體，頂膜結構的頂端的表面與4個圓柱體的頂部在同一平面，使得藍膜同時接觸頂膜結構的頂端的表面和圓柱體的頂部。在擴晶機工作時，頂膜結構向上升起，圓柱體隨頂膜結構向上升起，藍膜被擴張，與藍膜接觸的圓柱體被擴張的藍膜帶動而轉動并且改變藍膜的拉伸方向，使得藍膜受力較小并且受力均勻。頂膜結構的頂端的表面是藍膜接觸面，藍膜放置在藍膜接觸面上，藍膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得藍膜沿晶元上的芯片切割道方向擴張。頂膜結構的頂端的表面與圓柱體的頂部在同一平面，使得藍膜同時接觸頂膜結構的頂端的表面和圓柱體的頂部。
[0005]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:其特征是，圓柱體包括實心的圓柱體或者中空的圓柱體。
[0006]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:其特征是，圓柱體的支架與頂膜結構是一體成型。
[0007]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:其特征是，圓柱體的支架是固定在頂膜結構上。
[0008]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:頂膜結構具有加熱結構(未在附圖中展示)O
[0009]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:4個圓柱體分別具有加熱結構(未在附圖中展示)。
[0010]下面的事項對所有本實用新型的擴晶機的實施實例都適用:附圖中的尺寸不成比例。
【附圖說明】
[0011]圖la、圖1b和圖1c分別展示在先的頂膜結構的俯視圖、截面圖和工作原理圖。
[0012]圖2a、圖2b、圖2c、圖2d分別展示本實用新型的頂膜結構的一個實施實例的俯視圖、截面圖和工作原理。
[0013]圖3展示本實用新型的一個實施實例的頂膜結構。
[0014]圖中的數字符號代表的含義如下:
[0015]10表示在先的頂膜結構，
[0016]11表示本實用新型的頂膜結構10的頂端的表面，
[0017]15表示頂膜結構10的邊緣，
[0018]20表示藍膜，
[0019]21和22分別表示在頂膜結構10的邊緣15的兩側的部分藍膜，
[0020]25和26分別表不在圓柱體50的兩側的部分藍膜，
[0021]40表示本實用新型的頂膜結構的一個實施實例，
[0022]41表示本實用新型的頂膜結，40的頂端的表面，
[0023]50表示與頂膜結構40配合的可以轉動的圓柱體，
[0024]60表示圓柱體50的與頂膜結構40 —體成型的支架，
[0025]70表示本實用新型的頂膜結構的一個實施實例，
[0026]80表示與頂膜結構70配合的可以轉動的圓柱體，
[0027]90表示固定在頂膜結構90上的圓柱體80的支架，
【具體實施方式】
[0028]為使本實用新型的實施實例的目的、工作原理、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型的實施實例中的附圖，對本實用新型的實施實例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施實例是本實用新型的一部分實施實例，而不是全部的實施實例。基于本實用新型中的實施實例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施實例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0029]圖la、圖1b和圖1c分別展示在先的頂膜結構的俯視圖、截面圖和工作原理圖。藍膜20放置在頂膜結構10的頂端的表面11上。在擴晶機工作時，頂膜結構10向上升起，藍膜20的中間部分隨頂膜結構10向上升起，藍膜20被擴張，頂膜結構10的邊緣15改變藍膜20擴張的方向:藍膜20的部分22沿頂膜結構10的運動方向擴張，藍膜20的部分21沿頂膜結構10的平面方向擴張。藍膜20的部分22受到的拉力是藍膜20的部分21受到的拉力和藍膜20與頂膜結構10的邊緣15之間的摩擦力之和，使得藍膜20的部分22受力較大，因此，整個的藍膜的強度必須滿足藍膜20的部分22的強度，增加了藍膜的成本和擴張的不均勻性。
[0030]圖2a、圖2b、圖2c、圖2d分別展示本實用新型的頂膜結構的一個實施實例的俯視圖、截面圖和工作原理。
[0031]頂膜結構40的頂端的表面是藍膜接觸面，藍膜接觸面的俯視形狀是四邊形；在頂膜結構40的四邊分別設置可以轉動的圓柱體50，圓柱體50的支架60與頂膜結構40是一體成型。頂膜結構40的頂端41的表面與4個圓柱體50的頂部在同一平面(圖2b)，使得藍膜20同時接觸頂膜結構40的頂端41的表面和圓柱體50的頂部。在擴晶機工作時，頂膜結構40向上升起，圓柱體50隨頂膜結構向上升起，藍膜20被擴張，與藍膜20接觸的圓柱體50被擴張的藍膜20帶動而轉動。圓柱體50改變藍膜20的拉伸方向:藍膜20的部分26沿頂膜結構40的運動方向擴張，藍膜20的部分25沿頂膜結構40的平面方向擴張。藍膜20的部分26受到的拉力是藍膜20的部分25受到的拉力和藍膜20與圓柱體50之間的摩擦力之和，由于圓柱體50的滾動摩擦力極小，使得藍膜20的部分26受力與藍膜20的部分25受到的拉力基本相同，因此，整個的藍膜的強度只要滿足藍膜20的部分26的強度，降低了藍膜的成本和擴張的不均勻性。
[0032]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:其特征是，圓柱體50包括實心的圓柱體或者中空的圓柱體。
[0033]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:頂膜結構40具有加熱結構。
[0034]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:4個圓柱體50分另具有加熱結構。
[0035]圖3展示本實用新型的頂膜結構的一個實施實例。圖3展示的頂膜結構70的實施實例與圖2a至圖2d展示的頂膜結構40基本相同。區別在于:圖2a至圖2d展示的頂膜結構40與圓柱體50的支架60是一體成型，圖3展示的圓柱體80的支架90是后來固定在頂膜結構70上的。
[0036]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:頂膜結構70具有加熱結構。
[0037]本實用新型的頂膜結構的一個實施實例:4個圓柱體80分別具有加熱結構。
[0038]最后應說明的是:以上實施實例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施實例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述實施實例所記載的技術方案進行修改，或對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施實例技術方案的精神和范圍。
【主權項】
1.一種擴晶機的頂膜結構；所述頂膜結構的俯視形狀是四邊形；在所述頂膜結構的四邊分別設置可以轉動的圓柱體；所述頂膜結構的頂端的表面與4個所述圓柱體的頂部在同一平面，使得藍膜同時接觸所述頂膜結構的頂端的表面和所述圓柱體的頂部；在擴晶機工作時，所述頂膜結構向上升起，所述圓柱體隨所述頂膜結構向上升起，所述藍膜被擴張，與所述藍膜接觸的所述圓柱體被擴張的所述藍膜帶動而轉動并且改變所述藍膜的拉伸方向，使得所述藍膜受力較小并且受力均勻。
2.根據權利要求1所述的擴晶機的頂膜結構，其特征是，所述圓柱體包括實心的圓柱體或者中空的圓柱體。
3.根據權利要求1所述的擴晶機的頂膜結構，其特征是，所述頂膜結構的頂端的表面是藍膜接觸面，藍膜放置在所述藍膜接觸面上，所述藍膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得藍膜沿晶元上的芯片切割道方向擴張。
4.根據權利要求1所述的擴晶機的頂膜結構，其特征是，所述頂膜結構的頂端的表面與所述的圓柱體的頂部在同一平面，使得所述藍膜同時接觸所述頂膜結構的頂端的表面和所述的圓柱體的頂部。
5.根據權利要求1所述的擴晶機的頂膜結構，其特征是，所述圓柱體的支架與頂膜結構是一體成型。
6.根據權利要求1所述的擴晶機的頂膜結構，其特征是，所述圓柱體的支架是固定在頂膜結構上。
7.根據權利要求1所述的擴晶機的頂膜結構，其特征是，所述頂膜結構具有加熱結構。
8.根據權利要求1所述的擴晶機的頂膜結構，其特征是，4個所述圓柱體分別具有加熱結構。
【專利摘要】本實用新型提供一種擴晶機的頂膜結構，其俯視形狀是四邊形。在頂膜結構的四邊分別設置可以轉動的圓柱體。頂膜結構的頂端的表面與4個圓柱體的頂部在同一平面，使得藍膜同時接觸頂膜結構的頂端的表面和圓柱體的頂部。在擴晶機工作時，頂膜結構向上升起，圓柱體隨頂膜結構向上升起，藍膜被擴張，與藍膜接觸的圓柱體被擴張的藍膜帶動而轉動并且改變藍膜的拉伸方向，使得藍膜受力較小并且受力均勻。
【IPC分類】H01L21-67, H01L33-48
【公開號】CN204332927
【申請號】CN201520052888
【發明人】彭暉, 眭世榮
【申請人】佛山市南海區聯合廣東新光源產業創新中心, 彭暉
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2015年1月22日