一種半導體器件的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體器件。
【背景技術】
[0002]利用粒子(如原子、分子)能級之間的躍迀原理產生極其準確而穩定的頻率的量子電子器件。量子頻率標準器件的物理基礎是電磁場同工作物質的相互作用，以及受激吸收與輻射原理。它使用具有極窄譜線且量子躍迀頻率幾乎不受外界影響的那些物質，如銫、氫、氨、銣等。利用銫原子超精細能級之間的躍迀、以銫原子束技術為基礎的器件叫作銫束管。
[0003]目前，半導體激光器技術已趨于完善，但仍然存在以下問題:結構復雜、靈敏度低、性能不穩定、抗干擾能力弱等問題。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、發射功率大、性能穩定，抗干擾能力強。
[0005]本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:一種半導體器件，包括保護外殼，所述保護外殼下側設置有氫氣入口，所述氫氣入口與氫源裝置連接，所述氫源裝置通過菱形氣管與儲存泡連接，所述儲存泡設置在正方形真空外殼中，所述儲存泡與真空外殼之間設置有微波腔，所述菱形氣管兩側、保護外殼兩側內壁上分別設置有能態選擇器、接鈦泵。
[0006]所述氫氣從氫氣入口進入，進入氫源裝置，所述氫源裝置通過氫氣氣管，進入儲存泡，所述氫氣在儲存泡中，被電磁感應，發生躍級，產生量子，所述量子通過接鈦泵被輸出，所述能態選擇器用于控制電磁場強弱，以實現控制氫氣躍級能級，從而確準輸出相應量子功率。
[0007]在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。
[0008]進一步，所述保護殼為金屬保護殼，用于防止器件內部電磁輻射的外泄，以及內部器件受到外界的撞擊。
[0009]進一步，所述菱形氣管為無銹鋼氣管，所述無銹鋼氣管承壓能力強，可防止氫氣傳輸過程中，由于壓強過大發生爆炸。
[0010]進一步，所述真空外殼上下內壁分別設置有對稱弱磁場結構，所述對稱弱磁場結構用于均勾磁場的構建。
[0011]所述對稱弱磁場結構之間設置有磁屏蔽結構，用于屏蔽對稱弱磁場結構產生的交叉磁場之間的干擾。
[0012]本實用新型的有益效果是:結構簡單、發射功率大、性能穩定，抗干擾能力強。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型一種半導體器件結構示意圖；
[0014]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:1、保護外殼，2、氫氣入口，3、菱形氣管，4、接鈦泵，5、正方形真空外殼，6、對稱弱磁場結構，7、磁屏蔽結構，8、微波腔，9、儲存泡，10、能態選擇器，11、氫源裝置。
【具體實施方式】
[0015]以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
[0016]如圖1所示，一種半導體器件，包括保護外殼1，所述保護外殼I下側設置有氫氣入口 2，所述氫氣入口 2與氫源裝置11連接，所述氫源裝置11通過菱形氣管11與儲存泡9連接，所述儲存泡9設置在正方形真空外殼5中，所述儲存泡9與真空外殼之間設5置有微波腔8，所述菱形氣管3兩側、保護外殼I兩側內壁上分別設置有能態選擇器10、接鈦泵4。
[0017]所述氫氣從氫氣入口 2進入，進入氫源裝置11，所述氫源裝置11通過菱形氣管3，進入儲存泡9，所述氫氣在儲存泡9中，被電磁感應，發生躍級，產生量子，所述量子通過接鈦泵4被輸出，所述能態選擇器10用于控制電磁場強弱，以實現控制氫氣躍級能級，從而確準輸出相應量子功率。
[0018]所述保護殼I為金屬保護殼，用于防止器件內部電磁輻射的外泄，以及內部器件受到外界的撞擊；所述菱形氣管3為無銹鋼氣管，所述無銹鋼氣管承壓能力強，可防止氫氣傳輸過程中，由于壓強過大發生爆炸；所述真空外殼5上下內壁分別設置有對稱弱磁場結構6，所述對稱弱磁場結構6用于均勾磁場的構建；所述對稱弱磁場結構6之間設置有磁屏蔽結構7，用于屏蔽對稱弱磁場結構6產生的交叉磁場之間的干擾。
[0019]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括保護外殼，所述保護外殼下側設置有氫氣入口，所述氫氣入口與氫源裝置連接，所述氫源裝置通過菱形氣管與儲存泡連接，所述儲存泡設置在正方形真空外殼中，所述儲存泡與真空外殼之間設置有微波腔，所述菱形氣管兩側、保護外殼兩側內壁上分別設置有能態選擇器、接鈦泵。
2.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述保護殼為金屬保護殼。
3.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述菱形氣管為無銹鋼氣管。
4.根據權利要求1所述一種半導體器件，其特征在于，所述真空外殼上下內壁分別設置有對稱弱磁場結構。
5.根據權利要求4所述一種半導體器件，其特征在于，所述對稱弱磁場結構之間設置有磁屏蔽結構。
【專利摘要】本實用新型涉及一種半導體器件，包括保護外殼，所述保護外殼下側設置有氫氣入口，所述氫氣入口與氫源裝置連接，所述氫源裝置通過菱形氣管與儲存泡連接，所述儲存泡設置在正方形真空外殼中，所述儲存泡與真空外殼之間設置有微波腔，所述菱形氣管兩側、保護外殼兩側內壁上分別設置有能態選擇器、接鈦泵。本實用新型結構簡單、發射功率大、性能穩定，抗干擾能力強。
【IPC分類】H01S1-06
【公開號】CN204304210
【申請號】CN201420691486
【發明人】吳禮才
【申請人】大足縣眾科管道設備有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年11月12日