一種霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及霍爾片式集成電路設計領域，具體而言涉及一種高可靠的霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構。
【背景技術】
[0002]霍爾集成電路是一種磁敏傳感器，以霍爾效應原理為其工作基礎的，用它們可以檢測磁場及其變化，可在各種與磁場有關的場合中使用。通過霍爾集成電路將許多非電、非磁的物理量例如力、力矩、壓力、應力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、轉數、轉速等，轉變成電量來進行檢測和控制；同樣也可以對電流、電壓、功率等電量進行全隔離的測量和控制。
[0003]一種具有自主知識產權的霍爾片式集成電路將硅單晶材料的霍爾電路芯片封裝到一只氣密性封裝結構中設計成為一種高可靠的霍爾片式集成電路，具有許多優點:結構牢固，體積小，重量輕，壽命長，安裝方便，功耗小，抗輻射，耐震動，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。主要用于我國的航空、航天、艦船上的控制設備，這些領域對霍爾集成電路的穩定性、可靠性、長壽命的要求非常高。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型目的在于提供一種改進的霍爾片式集成電路的封裝結構，結構緊湊、體積小且具有較好的穩定性和可靠性。滿足了高可靠霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構的需要。
[0005]為達成上述目的，本實用新型所采用的技術方案如下:
[0006]一種霍爾片式集成電路的封裝結構，包括一具有安裝槽的陶瓷外殼、封裝于所述安裝槽內的霍爾電路芯片、以及蓋在所述安裝槽的外邊緣并用于氣密性封裝所述安裝槽的鍍金蓋板，其中所述霍爾電路芯片通過硅鋁絲與陶瓷外売連接，所述陶瓷外売內部布設有印刷導線連接四個伸出陶瓷外殼之外的管腳；其中三個管腳通過三根引線于陶瓷外殼一端，另一管腳通過引線于陶瓷外殼的另一端。
[0007]提高了電路安裝的可靠性和穩定性，本實用新型所提供封裝結構的結構緊湊，體積小(3.6mmX5.4mmX 1.7mm)且為傳統的單片霍爾集成電路氣密性封裝外売體積的72%，保證了霍爾集成電路氣密性封裝的實現。
[0008]所述霍爾電路還連接有三個壓焊點，壓焊點還與陶瓷売內部的印刷導線和所述伸出陶瓷外殼之外的四個管腳連接。其中一個壓焊點連接兩個外部管腳，這種內部導線連接的設計滿足相互連接的需要，又使外売體積小、結構緊湊、安裝可靠性高。
[0009]所述四個伸出陶瓷外殼之外的管腳，其中三個伸出陶瓷外殼之外的管腳的厚度和寬度分別為0.15mm和0.5mm，相鄰管腳中心之間的距離為1.27mm，一瑞的管腳為0.15mmX Imm0
[0010]所述陶瓷外殼長度為5.4mm，寬度為3.6mm，厚度為1.5mm，所述安裝槽內為兩級階梯式結構，其中臨近所述鍍金蓋板一級的高度為0.6mm，另一級的高度為0.4mm。
[0011]所述安裝槽內的最大長度尺寸為1.6mm，最大寬度尺寸為1.6mm。
[0012]進一步，所述鍍金蓋板通過金錫焊料固定在所述安裝槽的外邊緣進行氣密性封裝。
[0013]本實用新型有益效果:由以上本實用新型的技術方案可知，本實用新型霍爾片式集成電路的封裝結構的結構緊湊、體積小(3.6mmX 5.4mmX 1.7mm)且較傳統的氣密性封裝結構(4.5mmX6mmXl.7mm)的體積有了大幅的減小為傳統體積的72%，保證了霍爾片式集成電路氣密性封裝的實現。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型較優實施例的封裝結構的示意圖。
[0015]圖2為圖1中封裝結構在另一方向的結構示意圖。
[0016]圖3為圖1中封裝結構的外形圖，單位為_。
【具體實施方式】
[0017]為了更了解本實用新型的技術內容，特舉具體實施例并配合所附圖式說明如下。
[0018]如圖1、2所示，根據本實用新型的較優實施例，霍爾片式集成電路的封裝結構包括一具有安裝槽的陶瓷外殼2、封裝于安裝槽內霍爾電路3、以及蓋在所述安裝槽的外邊緣并用于封閉所述安裝槽的金屬蓋板5，本實施例中，霍爾電路3為芯片形式封裝在安裝槽內。霍爾電路芯片3優選為硅單晶材料的霍爾電路芯片并釆用硅鋁絲4超聲壓焊工藝完成芯片和陶瓷外売的連接。所述陶瓷外売內部布設有印刷導線用于連接霍爾電路和四個伸出陶瓷外殼之外的管腳(1、6)。這種內部導線連接的設計，使外売體積小、結構緊湊。
[0019]三根管腳的伸出陶瓷外殼2 —端之外。管腳的厚度h和寬度d分別為0.15mm和0.5mm。相鄰管腳中心之間的距離為1.27mm,外殼另一瑞的管腳為0.15mmXlmm。
[0020]本實施例中，硅單晶材料的霍爾電路3以芯片形式封裝在安裝槽內:先用銀漿分配器將進口導電膠點滴在安裝槽底座上，分別用真空吸頭將芯片安裝在相應位置上，再采用預固化(100°c ±5°C、0.5h、N2)和后固化(200°C ±5°C、2h、N2)工藝進行固化。
[0021]所述鍍金蓋板5通過金錫焊料固定在所述安裝槽的外邊緣上進行氣密性封裝。
[0022]陶瓷外殼的長度為5.4mm，寬度為3.6mm，厚度為1.5mm，所述安裝槽內為兩級階梯式結構，其中臨近金屬蓋板6的那一級的高度為0.6mm，另一級的高度為0.4mm。安裝槽內的最大長度尺寸為1.6_，最大寬度尺寸為1.6_。
[0023]參考圖3所示，霍爾片式電路的外形圖。
[0024]綜上所述，本發明提供的霍爾片式集成電路的封裝結構的結構緊湊，體積小(3.6mmX 5.4mmX 1.7mm)且較傳統的氣密性封裝外売(4.5mmX 6mmX 1.7mm)的體積有了大幅的減小，保證了霍爾片式集成電路氣密性封裝的實現。
[0025]雖然本實用新型已較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型。本實用新型所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本實用新型的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。
【主權項】
1.一種霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構，其特征是包括一具有安裝槽的陶瓷外殼、封裝于所述安裝槽內的霍爾電路芯片、以及蓋在所述安裝槽的外邊緣并用于氣密性封裝所述安裝槽的鍍金蓋板，所述霍爾電路芯片通過硅鋁絲與陶瓷外売連接，所述陶瓷外売內部布設有印刷導線連接四個伸出陶瓷外殼之外的管腳；其中三個管腳通過三根引線于陶瓷外殼一端，另一管腳通過引線于陶瓷外殼的另一端。
2.根據權利要求1所述的霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構，其特征在于，所述四個伸出陶瓷外殼之外的管腳，其中三個伸出陶瓷外殼之外的管腳的厚度和寬度分別為0.15mm和0.5mm，相鄰管腳中心之間的距離為1.27mm，另一瑞的管腳為0.15mmXlmm。
3.根據權利要求1所述的霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構，其特征在于，所述霍爾電路還連接有三個壓焊點，壓焊點還與陶瓷売內部的印刷導線和所述伸出陶瓷外殼之外的四個管腳連接。
4.根據權利要求3所述的霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構，其特征在于，所述陶瓷外殼長度為5.4mm，寬度為3.6mm，厚度為1.5mm。
5.根據權利要求1?4中任意一項所述的霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構，其特征在于所述鍍金蓋板通過金錫焊料固定在所述安裝槽的外邊緣進行氣密性封裝。
6.根據權利要求5所述的霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構，其特征在于，所述安裝槽內的最大長度尺寸為1.6_，最大寬度尺寸為1.6_。
【專利摘要】本實用新型提供霍爾片式集成電路的氣密性封裝結構，包括一具有安裝槽的陶瓷外殼、封裝于所述安裝槽內的霍爾電路芯片、以及蓋在所述安裝槽的外邊緣并用于氣密性封裝所述安裝槽的鍍金蓋板，其中所述霍爾電路芯片通過硅鋁絲與陶瓷外売連接,所述陶瓷外売內部布設有印刷導線連接四個伸出陶瓷外殼之外的管腳；其中三個管腳通過三根引線于陶瓷外殼一端,另一管腳通過引線于陶瓷外殼的另一端。實用新型所提供封裝結構的結構緊湊，為傳統的單片霍爾集成電路氣密性封裝外売體積的72%，保證了霍爾集成電路氣密性封裝的實現。
【IPC分類】H01L43-04
【公開號】CN204303873
【申請號】CN201420843684
【發明人】汪建軍, 儲建飛, 嚴雨寧, 沈娟
【申請人】南京中旭電子科技有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月25日