芯片級封裝led的封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種LED封裝技術，尤其是指一種芯片級封裝LED的封裝結構。
【背景技術】
[0002]傳統的LED封裝結構均需采用支架或者基板作為LED芯片的支撐載體，支架或者基板設置有正負極，通過鍵合芯片的正負極完成封裝產品的電性連接；然后，再用膠體或者混合熒光粉的膠體對芯片進行封裝而得到LED封裝品，支架或者基板一般設置有具有一定反射面的反射腔體或者基板反射層，可以有效提高芯片出光的萃取率。
[0003]而圖1所示結構是基于倒裝晶片的新型的芯片級封裝LED (CSP LED ；Chip ScalePackage LED)，這種封裝結構的芯片I底面設有電極2，直接在芯片I的上表面和側面封裝上封裝膠體3，使底面的電極2外露，由于這種封裝結構并無支架或基板，可降低了封裝產品的熱阻和成本，但是，由于缺少了具有高反射效果的支架反射碗杯結構或者基板反射層，使得這一封裝結構的光萃取率低于傳統LED封裝結構，這一缺陷也嚴重影響到了 CSP LED的性價比以及應用推廣。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型實施例所要解決的技術問題在于，提供一種芯片級封裝LED的封裝結構，可有效提升光萃取率。
[0005]為了解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案:一種芯片級封裝LED的封裝結構，包括底面設有電極的LED芯片及封裝于所述LED芯片頂面和側面的封裝膠體，所述封裝膠體的如下部位中的至少一個部位設置有反射面:底部和側面。
[0006]進一步地，所述反射面是自封裝膠體的底部延伸至側面的反射曲面或反射平面。
[0007]進一步地，所述反射面是通過在封裝膠體的外壁面相應位置處電鍍或噴涂一層高反射層而形成的反射面。
[0008]進一步地，所述封裝膠體是透明膠體、熒光粉混合膠體或者擴散粉混合膠體。
[0009]本實用新型的有益效果是:通過在封裝膠體的底面及/或側面設置具有高反射性能的反射面，可有效避免光線從封裝膠體的底部或側面射出而無法形成有效光萃取的缺陷，從而可以提升產品的光萃取效率，減少光損失；此外，在封裝膠體的側面和底部設計反射面，還可很好地調控產品出光角度，有助于形成單一出光面，從而更利于產品在不同應用場合的使用匹配度。本實用新型可廣泛應用于背光、照明等方面等芯片級封裝LED產品的制備。
【附圖說明】
[0010]圖1是現有芯片級封裝LED封裝結構的結構示意圖。
[0011]圖2是本實用新型芯片級封裝LED的封裝結構的實施例1結構示意圖。
[0012]圖3是本實用新型芯片級封裝LED的封裝結構的實施例2結構示意圖。
[0013]圖4是本實用新型芯片級封裝LED的封裝結構的實施例3結構示意圖。
[0014]圖5是本實用新型芯片級封裝LED的封裝結構的實施例4結構示意圖。
【具體實施方式】
[0015]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互結合，下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細說明。
[0016]本實用新型提供一種芯片級封裝LED的封裝結構，包括LED芯片I及封裝于所述LED芯片I頂面和側面的封裝膠體3，所述LED芯片I的底面設有電極2，所述封裝膠體3的如下部位中的至少一個部位設置有反射面:底部和側面。
[0017]如圖2所示的實施例1，僅在所述封裝膠體3的底面設有第一反射面40。而在如圖3所示的實施例2中，則是在實施例1的基礎上，在封裝膠體3的側面也設有第二反射面42 ο
[0018]此外，所述反射面也還可以是自封裝膠體3的底部延伸至側面的反射曲面或反射平面，例如:圖4所示的實施例3即是采用了自封裝膠體3的底部延伸至側面的反射曲面44的設計，而圖5所示的實施例4則是采用了自封裝膠體3的底部延伸至側面的反射平面46的設計。
[0019]具體地，所述反射面可以是通過在封裝膠體3的外壁面相應位置處鍍上一層金屬層而形成的反射面。
[0020]所述封裝膠體3可以采用透明膠體、熒光粉混合膠體或者擴散粉混合膠體等各種常規的封裝膠體。
[0021]通過在封裝膠體3的底面及/或側面設置具有高反射性能的反射面，可有效避免光線從封裝膠體3的底部或側面射出而無法形成有效光萃取的缺陷，從而可以提升產品的光萃取效率，減少光損失；此外，在封裝膠體3的側面和底部設計反射面，還可很好地調控產品出光角度，有助于形成單一出光面，從而更利于產品在不同應用場合的使用匹配度。本實用新型可廣泛應用于背光、照明等方面等芯片級封裝LED產品的制備。
[0022]以上所述是本實用新型的【具體實施方式】，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種芯片級封裝LED的封裝結構，包括底面設有電極的LED芯片及封裝于所述LED芯片頂面和側面的封裝膠體，其特征在于，所述封裝膠體的如下部位中的至少一個部位設置有反射面:底部和側面。
2.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED的封裝結構，其特征在于，所述反射面是自封裝膠體的底部延伸至側面的反射曲面或反射平面。
3.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED的封裝結構，其特征在于，所述反射面是分別設置于封裝膠體的底部和側面且彼此銜接的反射平面。
4.根據權利要求1或2或3所述的芯片級封裝LED的封裝結構，其特征在于，所述反射面是通過在封裝膠體的外壁面相應位置處電鍍或噴涂一層高反射層而形成的反射面。
5.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED的封裝結構，其特征在于，所述封裝膠體是透明膠體。
【專利摘要】本實用新型公開一種芯片級封裝LED的封裝結構，包括底面設有電極的LED芯片及封裝于所述LED芯片頂面和側面的封裝膠體，所述封裝膠體的如下部位中的至少一個部位設置有反射面：底部和側面。所述反射面是自封裝膠體的底部延伸至側面的反射曲面或反射平面。本實用新型通過在封裝膠體底面及/或側面設置具有高反射性能的反射面，可有效避免光線從封裝膠體的底部或側面射出而無法形成有效光萃取的缺陷，從而可提升產品的光萃取效率，減少光損失；此外，在封裝膠體側面和底部設計反射面，還可很好地調控產品出光角度，有助于形成單一出光面，從而更利于產品在不同應用場合的使用匹配度。本實用新型可廣泛應用于背光、照明等方面等芯片級封裝LED產品的制備。
【IPC分類】H01L33-48, H01L33-60
【公開號】CN204289504
【申請號】CN201420401596
【發明人】曹宇星
【申請人】深圳市瑞豐光電子股份有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年7月18日