雙包覆硅基復合材料Si@C@TiO<sub>2</sub>及其制備方法
【專利摘要】一種雙包覆硅基復合材料Si@C@TiO2是以硅納米顆粒為核，碳和二氧化鈦為殼的具有多孔結構的雙包覆復合材料，其中Si、C以及TiO2 含量控制為：硅與碳的質量比為1.9:1?2.1:1，碳與二氧化硅的質量比為1.6:1?4.5:1。本發明具有成本低，循環穩定性好，可大規模生產的優點。
【專利說明】
雙包覆硅基復合材料S i @C@T i O2及其制備方法
技術領域
[0001]本發明屬于鋰離子電池技術領域，具體涉及一種碳與二氧化鈦雙包覆硅基復合材料Si@C@Ti02及其制備方法。
【背景技術】
[0002]由于鋰離子電池具備能量密度高、循環性能好、環境友好及成本低廉等優異特性已被廣泛用于電子設備中。目前，商業化鋰離子電池負極材料主要為石墨碳，其理論比容量僅為372mAh/g，已經無法滿足人們對高能量便攜式移動電源的需求。硅作為負極材料時，理論比容量高達4200mAh/g，放電電位約0.4V vs.Li/Li+，在眾多石墨碳替代負極材料中具有獨特的優勢和潛力。但是，硅作為負極材料在放電過程中與Li+反應生成Li4.4Si合金，產生約300%的體積膨脹，嚴重影響其作為負極材料的循環使用壽命。此外，硅負極還存在電導率低、倍率性能欠佳、庫侖效率低等問題。
[0003]為了進一步提高硅負極材料的電化學性能，目前常用的方法是制備硅碳復合材料形成包覆體系。但該方法制得的碳殼機械強度較低，影響了復合材料的電化學穩定性。
【發明內容】
[0004]本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足，提供一種成本低，循環穩定性好，可大規模生產的雙包覆硅基復合材料S1COT12及其制備方法。
[0005]本發明是經過簡單物理混合以及高溫碳化得到硅碳核殼結構，通過溶劑熱法向硅碳復合材料中引入具有優異機械性能的第三相二氧化鈦層來避免充放電過程中體積效應產生的內應力對材料結構的破壞。這種雙包覆核殼硅基負極材料具有較大比表面積，導電性良好，中間碳層可以緩沖硅材料的體積變化并提高材料的倍率性能，第三相二氧化鈦層的再次保護，避免了材料結構的破壞，從而提高材料的循環穩定性。
[0006]本發明的雙包覆硅基復合材料S1COT12是以硅納米顆粒為核，碳和二氧化鈦為殼的具有多孔結構的雙包覆復合材料，該材料中S1、C以及T12含量的控制為:硅與碳的質量比為1.9:1-2.1:1，碳與二氧化硅的質量比為1.6:1-4.5:1。
[0007]本發明的制備方法，包括如下步驟:
[0008](I)在室溫下，向溶劑中加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，充分攪拌至PVP完全溶解，形成質量分數為0.9-1.87 %的溶液；
[0009](2)將硅納米顆粒分散于乙醇中，超聲0.5-1.5h，形成質量分數為3.8-15.0%。的均勻的懸浮液。
[0010](3)將上述溶液與懸浮液以體積比為2:1-8:1的比例混合，室溫攪拌12-36h，在40-650C下去除溶劑，以3-50C/min的升溫速率在惰性氣氛中高溫處理，獲得具有硅碳核殼結構的復合材料。
[0011](4)將步驟(3)所得碳核殼材料加入無水乙醇中，超聲0.5-2h，形成質量分數為73.1-79.2%的懸浮液，之后加入濃氨水以及二氧化鈦源，在45-180°C之間，反應2_24h，離心洗滌，干燥，所得固體在惰性氣體氛圍中，以3-5 °C/min的升溫速率高溫處理，得到雙包覆硅基復合材料S1COT12。
[0012]優選地，所述步驟(I)中的碳源聚乙烯吡咯烷酮為K90，K60，K30，K23，K17中的一種。
[0013]本發明采用兩性表面活性劑聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為碳源，其溶于水，微溶于乙醇，可以在硅納米顆粒表面形成膠束，更好地實現對硅顆粒均勻包覆。本發明還可以采用其他類型的聚合物如蔗糖、樹脂等為碳源，在不脫離本發明構思的前提下任何顯而易見的替換均在本發明的保護范圍之內。更為優選地，采用聚乙烯吡咯烷酮為碳源。
[0014]優選地，所述步驟(I)溶劑為乙醇或水。
[0015]優選地，所述步驟(2)中使用的娃納米顆粒的直徑為30-90nm。
[0016]優選地，所述步驟(3)中惰性氣氛為氬氣或氮氣，高溫處理溫度為600-800 V，高溫處理時間為l-3h。
[0017]本發明通過調節聚乙烯吡咯烷酮與硅納米顆粒的質量比調節碳殼的厚度，制得的雙包覆材料循環性能優異。更為優選地，所述步驟(3)去除溶劑溫度為45°C，高溫處理時間為2h。
[0018]優選地，所述步驟(4)中濃氨水的加入量為溶液體積的1.25-4.0%o。
[0019]優選地，所述步驟(4)中二氧化鈦源為鈦酸正丁酯、異丙醇鈦等物質中的一種，其加入量為溶液體積的2.5-8.0%o。
[0020]優選地，所述步驟(4)中洗滌為分別用去離子水、無水乙醇洗滌，直至pH = 7;惰性氣體為氬氣或氮氣，高溫處理溫度為450-60(TC，高溫處理時間為l_3h。
[0021]本發明中通過調節第三相源的加入量調節最外層的厚度以便達到最優選的電化學性能。
[0022]采用本發明制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12組裝電池:將制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12與導電劑乙炔黑、粘結劑羧甲基纖維素及少量水充分混合研磨形成均勻的糊狀物，涂覆在銅箔集流體上作為工作電極，金屬鋰片為對電極制成扣式電池。
[0023]與現有的鋰離子電池負極材料及其制備方法相比，本發明具備以下優點:
[0024](I)本發明對硅納米顆粒實現雙層包覆，中間碳層對硅的體積變化起到緩沖作用，當碳殼不足以緩沖硅在充放電過程中產生的體積變化時，第三相二氧化鈦層再次保障材料結構的完整性。另外，雙層包覆很好地減少了硅納米顆粒與電解液的直接接觸，并且有助于硅顆粒的分散。
[0025](2)本發明制備的雙層包覆硅負極材料S1COT12為多孔結構，縮短了鋰離子及電子的傳輸距離，顯著提高了電池的電化學性能。
[0026](3)本發明制備的雙包覆硅基負極材料S1COT12作為負極材料時，鋰離子電池具備優異的電化學性能。
【附圖說明】
[0027]圖1為實施例1中制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的X射線衍射圖；
[0028]圖2為實施例1中制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的在50mA/g以及200mA/g的電流密度下的首次充放電曲線圖；
[0029]圖3為實施例1中制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的倍率性能圖。
【具體實施方式】
[0030]為了便于本領域技術人員的理解，下面結合實例對本發明作進一步的說明；而本發明的權利要求的保護范圍不受實施例限制。
[0031]實施例1
[0032]1、制備硅碳核殼結構:常溫下，取3.0g聚乙烯吡咯烷酮(K90)加到200mL無水乙醇中，攪拌直至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解。稱取0.3g硅納米顆粒(30nm)加到50mL無水乙醇中，超聲1.5h。將硅納米顆粒分散液全部緩慢倒入上述聚乙烯吡咯烷酮溶液中，攪拌直至硅納米顆粒再次均勻分散。加熱至45°C，攪拌揮發溶劑，80°C真空烘箱干燥。將得到的固體在氬氣氛圍下，650°C高溫碳化2h(升溫速率為3°C/min)。
[0033]2、制備雙包覆核殼硅基復合材料S1COT12:稱取150mg步驟I制備的硅碳核殼材料加入到60mL無水乙醇中，超聲0.5h ο加入0.18mL的濃氨水(25wt % )以及0.36mL異丙醇鈦，45°C反應24h。離心，并分別用無水乙醇、去離子水洗滌直至pH=7。將所得的固體在真空烘箱中80 0C干燥，氬氣氛圍下以3 0C /min的升溫速率500 °C高溫處理2h，制得雙包覆硅基復合材料 S1COT12。
[0034]圖1為雙包覆硅基復合材料S1COT12的XRD圖，25.3°為銳鈦礦T12的特征峰，28.35° ,47.31° ,56.25° ,69.41°，76.56°屬于晶體硅的特征峰，24.2°為無定形碳的特征峰。
[0035]實施例1制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的電化學性能測試:
[0036]將實施例1制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12與導電劑乙炔黑、粘結劑羧甲基纖維素以質量比為8:1:1的比例混合，加入適量去離子水研磨成漿體，涂覆到銅箔上，在真空烘箱中于80°C烘干。所得電極為負極，金屬鋰片為正極，電解液為IM LiPF6/(EC+DMC)(體積比為1:1)混合體系，隔膜為聚丙烯膜(Celgard 2400 )，在充滿氬氣的手套箱內組裝成2016型扣式電池。
[0037]從圖2可以看出該材料在0.005-3.0V，50mA/g電流密度下首次放電比容量達到1579.2mAh/g。圖3可以看出該材料具備小的阻抗。該材料在200mA/g電流密度下循環50次后容量保持率達82.1%。
[0038]實施例2
[0039]1、制備硅碳核殼結構:常溫下，取2.5g聚乙烯吡咯烷酮(K60)加到200mL無水乙醇中，攪拌直至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解。稱取0.3g硅納米顆粒(50nm)加到10mL無水乙醇中，超聲lh。將硅納米顆粒分散液全部緩慢倒入上述聚乙烯吡咯烷酮溶液中，攪拌直至硅納米顆粒再次均勻分散。加熱至40°C，攪拌揮發溶劑，80°C真空烘箱干燥。將得到的固體在氬氣氛圍下，800°C高溫碳化Ih(升溫速率為5°C/min)。
[0040]2、制備雙包覆核殼硅基復合材料S1COT12:稱取150mg步驟I制備的硅碳核殼材料加到60mL無水乙醇中，超聲0.5h。加入0.075mL的濃氨水(25wt % )以及0.15mL異丙醇鈦，將溶液置于SOmL聚四氟乙烯內襯中，180°C反應6h。離心，并分別用無水乙醇、去離子水洗滌直至pH = 7 ο將離心所得的固體在真空烘箱中80 °C干燥，氬氣氛圍下以3 °C/min的升溫速率450°C高溫處理2h，制得雙包覆硅基復合材料S1COT12。
[0041 ]實施例2制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的電化學性能測試:
[0042]將實施例2制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12與導電劑乙炔黑、粘結劑羧甲基纖維素以質量比為8:1:1的比例混合，加入適量去離子水研磨成漿體，涂到銅箔上，在真空烘箱中于80°C烘干。所得電極為負極，金屬鋰片為正極，電解液為IM LiPF6/(EC+DMC)(體積比為1:1)混合體系，隔膜為聚丙烯膜(Celgard 2400)，在充滿氬氣的手套箱內組裝成2016型扣式電池。
[0043]該材料在0.005-3.0V，50mA/g電流密度下首次放電比容量達到1660.2mAh/g，200mA/g電流密度下循環50次后，放電比容量仍有1098.0mAh/g。
[0044]實施例3
[0045]1、制備硅碳核殼結構:常溫下，取2.0g聚乙烯吡咯烷酮(K30)加到200mL無水乙醇中，攪拌直至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解。稱取0.3g硅納米顆粒(30nm)加到25mL無水乙醇中，超聲0.5h。將硅納米顆粒分散液全部緩慢倒入上述聚乙烯吡咯烷酮溶液中，繼續攪拌直至硅納米顆粒再次均勻分散。加熱至65°C，攪拌揮發溶劑，80°C真空烘箱干燥。將得到的固體在氬氣氛圍下，600°C高溫碳化3h(升溫速率為3°C/min)。
[0046]2、制備雙包覆核殼硅基復合材料S1COT12:稱取150mg步驟I制備的硅碳核殼材料加入到70mL無水乙醇中，超聲Ih。加入0.18mL的濃氨水(25wt % )以及0.36mL異丙醇鈦，將溶液置于SOmL聚四氟乙烯內襯中，180°C反應2h。離心，并分別用無水乙醇、去離子水洗滌直至pH=7。將離心所得的固體在真空烘箱中80 °C干燥，氬氣氛圍下以3°C/min的升溫速率600°C高溫處理2h，制得雙包覆硅基復合材料S1COT12。
[0047]實施例3制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的電化學性能測試:
[0048]將實施例3制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12與導電劑乙炔黑、粘結劑羧甲基纖維素以質量比為8:1:1的比例混合，加入適量去離子水研磨成漿體，涂到銅箔上，在真空烘箱中于80°C烘干。所得電極為負極，金屬鋰片為正極，電解液為IM LiPF6/(EC+DMC)(體積比為1:1)混合體系，隔膜為聚丙烯膜(Celgard 2400)，在充滿氬氣的手套箱內組裝成2016型扣式電池。
[0049]該材料在0.005-3.0V，50mA/g電流密度下首次放電比容量達到1629.2mAh/g，200mA/g電流密度下循環60次后，放電比容量仍有942.9mAh/g。
[0050]實施例4
[0051 ] 1、制備硅碳核殼結構:常溫下，取1.8g聚乙烯吡咯烷酮(K23)加到200mL無水乙醇中，攪拌直至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解。稱取0.3g硅納米顆粒(90nm)加到50mL無水乙醇中，超聲1.5h。將硅納米顆粒分散液全部緩慢倒入上述聚乙烯吡咯烷酮溶液中，攪拌直至硅納米顆粒再次均勻分散。加熱至45°C，攪拌揮發溶劑，80°C真空烘箱。將得到的固體在氬氣氛圍下，700 °C高溫碳化2h (升溫速率為3 °C/min)。
[0052]2、制備雙包覆核殼硅基復合材料S1COT12:稱取150mg步驟I制備的硅碳核殼材料加入到50mL無水乙醇中，超聲2h。加入0.2mL的濃氨水(25wt% )以及0.4mL的鈦酸正丁酯，將溶液置于SOmL聚四氟乙烯內襯中，160°C反應6h。離心，并分別用無水乙醇、去離子水洗滌直至pH = 7 ο將離心所得的固體在真空烘箱中80 °C干燥，氬氣氛圍下以3 °C/min的升溫速率600 °C高溫處理3h，制得雙包覆硅基復合材料S1COT12。
[0053]實施例4制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的電化學性能測試:
[0054]將實施例4制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12與導電劑乙炔黑、粘結劑羧甲基纖維素以質量比為8:1:1的比例混合，加入適量去離子水研磨成漿體，涂到銅箔上，在真空烘箱中于80°C烘干。所得電極為負極，金屬鋰片為正極，電解液為IM LiPF6/(EC+DMC)(體積比為1:1)混合體系，隔膜為聚丙烯膜(Celgard 2400)，在充滿氬氣的手套箱內組裝成2016型扣式電池。
[0055]該材料在0.005-3.0V，50mA/g電流密度下首次放電比容量達到1322.4mAh/g，200mA/g電流密度下循環60次后，放電比容量仍有893.2mAh/g。
[0056]實施例5
[0057]1、制備硅碳核殼結構:常溫下，取1.5g聚乙烯吡咯烷酮(K17)加到200mL無水乙醇中，攪拌直至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解。稱取0.3g硅納米顆粒(30nm)加到50mL無水乙醇中，超聲1.5h。將硅納米顆粒分散液全部緩慢倒入上述聚乙烯吡咯烷酮溶液中，攪拌直至硅納米顆粒再次均勻分散。加熱至45°C，攪拌揮發溶劑，80°C真空烘箱干燥。將得到的固體在氬氣氛圍下，600°C高溫碳化2h(升溫速率為4°C/min)。
[0058]2、制備雙包覆核殼硅基負極材料S1COT12:稱取150mg步驟I制備的硅碳核殼材料加入到60mL無水乙醇中，超聲0.5h。加入0.075mL的濃氨水(25 wt% )以及0.15mL異丙醇鈦，將溶液置于SOmL聚四氟乙烯內襯中，180°C反應6h。離心，并分別用無水乙醇、去離子水洗滌直至pH = 7 ο將離心所得的固體在真空烘箱中80 °C干燥，氬氣氛圍下以3 °C /min的升溫速率500 °C高溫處理2h，制得雙包覆硅基復合材料S1COT12。
[0059]實施例5制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的電化學性能測試:
[0060]將實施例5制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12與導電劑乙炔黑、粘結劑羧甲基纖維素以質量比為8:1:1的比例混合，加入適量去離子水研磨成漿體，涂到銅箔上，在真空烘箱中于80°C烘干。所得電極為負極，金屬鋰片為正極，電解液為IM LiPF6/(EC+DMC)(體積比為1:1)混合體系，隔膜為聚丙烯膜(Celgard 2400)，在充滿氬氣的手套箱內組裝成2016型扣式電池。
[0061 ] 該材料在0.005-3.0V，50mA/g電流密度下首次放電比容量達到1549.1mAh/g，200mA/g電流密度下循環50次后，放電比容量仍有795.4mAh/g。
[0062]實施例6
[0063]1、制備硅碳核殼結構:常溫下，取150mg蔗糖加到200mL去離子水中，攪拌直至蔗糖完全溶解。稱取0.3g娃納米顆粒(30nm)加到50mL無水乙醇中，超聲1.5h。將娃納米顆粒分散液全部緩慢倒入上述蔗糖溶液中，攪拌直至硅納米顆粒再次均勻分散。加熱至45°C，攪拌揮發溶劑，80 °C真空烘箱干燥。將得到的固體在氬氣氛圍下，650 °C高溫碳化2h(升溫速率為3°C/min) ο
[0064]2、制備雙包覆核殼硅基復合材料S1COT12:稱取150mg步驟I制備的硅碳核殼材料加入到60mL無水乙醇中，超聲0.5h。加入0.09mL的濃氨水(25wt % )以及0.18mL異丙醇鈦，將溶液置于SOmL聚四氟乙烯內襯中，180°C反應6h。離心，并分別用無水乙醇、去離子水洗滌直至pH = 7 ο將離心所得的固體在真空烘箱中80 °C干燥，氬氣氛圍下以3 °C/min的升溫速率500 °C高溫處理2h，制得雙包覆硅基復合材料S1COT12。
[0065]實施例6制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的電化學性能測試:
[0066]將實施例6制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12與導電劑乙炔黑、粘結劑羧甲基纖維素以質量比為8:1:1的比例混合，加入適量去離子水研磨成漿體，涂到銅箔上，在真空烘箱中于80°C烘干。所得電極為負極，金屬鋰片為正極，電解液為IM LiPF6/(EC+DMC)(體積比為1:1)混合體系，隔膜為聚丙烯膜(Celgard 2400)，在充滿氬氣的手套箱內組裝成2016型扣式電池。
[0067]該材料在0.005-3.0V，50mA/g電流密度下首次放電比容量達到1353.2mAh/g，200mA/g電流密度下循環60次后容量保持率達763.3mAh/g。
[0068]實施例7
[0069]1、制備硅碳核殼結構:常溫下，取120mg酚醛樹脂加到200mL無水乙醇中，攪拌直至酚醛樹脂完全溶解。稱取0.3g硅納米顆粒加到50mL無水乙醇中，超聲1.5h。將硅納米顆粒分散液全部緩慢倒入上述蔗糖溶液中，攪拌直至硅納米顆粒再次均勻分散。加熱至45°C，攪拌揮發溶劑，80°C真空烘箱干燥。將得到的固體在氬氣氛圍下，650°C高溫碳化2h(升溫速率為3°C/min)。
[0070]2、制備雙包覆核殼硅基復合材料S1COT12:稱取150mg步驟I制備的硅碳核殼材料加入到60mL無水乙醇中，超聲0.5h。加入0.075mL的濃氨水(25wt% )以及0.15mL鈦酸正丁酯，將溶液置于SOmL聚四氟乙烯內襯中，180°C反應6h。離心，并分別用無水乙醇、去離子水洗滌直至pH = 7 ο將離心所得的固體在真空烘箱中80 °C干燥，氬氣氛圍下以4 °C /min的升溫速率500 °C高溫處理Ih，制得雙包覆硅基復合材料S1COT12。
[0071 ]實施例7制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12的電化學性能測試:
[0072]將實施例7制備的雙包覆硅基復合材料S1COT12與導電劑乙炔黑、粘結劑羧甲基纖維素以質量比為8:1:1的比例混合，加入適量去離子水研磨成漿體，涂到銅箔上，在真空烘箱中于80°C烘干。所得電極為負極，金屬鋰片為正極，電解液為IM LiPF6/(EC+DMC)(體積比為1:1)混合體系，隔膜為聚丙烯膜(Celgard 2400)，在充滿氬氣的手套箱內組裝成2016型扣式電池。
[0073]該材料在0.005-3.0V，50mA/g電流密度下首次放電比容量達到1657.5mAh/g，200mA/g電流密度下循環60次后容量保持率達1003.2mAh/g。
[0074]上述實施例為本發明較佳的實現方案，除此之外，本發明還可以以其他方式實現，在不脫離本發明構思的前提下任何顯而易見的替換均在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種雙包覆硅基復合材料S1COT12，其特征在于雙包覆硅基復合材料S1COT12是以硅納米顆粒為核，碳和二氧化鈦為殼的具有多孔結構的雙包覆復合材料，其中S1、C以及T12含量控制為:硅與碳的質量比為1.9:1-2.1:1，碳與二氧化硅的質量比為1.6:1-4.5:1o2.如權利要求1所述的一種雙包覆硅基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于包括如下步驟: (1)在室溫下，向溶劑中加入聚乙烯吡咯烷酮，充分攪拌至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解，形成質量分數為0.9-1.87%的溶液； (2)將硅納米顆粒分散于乙醇中，超聲0.5-1.5h，形成質量分數為3.8-15.0%。的均勻的懸浮液； (3)將上述溶液與懸浮液以體積比為2:1-8:1的比例混合，室溫攪拌12-36h，在40-65°C下去除溶劑，以3-5°C/min的升溫速率在惰性氣氛中高溫處理，獲得具有硅碳核殼結構的復合材料； (4)將步驟(3)所得碳核殼材料加入無水乙醇中，超聲0.5-2h，形成質量分數為73.1-79.2%的懸浮液，之后加入濃氨水以及二氧化鈦源，在45-180°C之間，反應2_24h，離心洗滌，干燥，所得固體在惰性氣氛中，以3_5°C/min的升溫速率高溫處理，得到雙包覆硅基復合材料S1COT12。3.如權利要求2所述的一種雙包覆娃基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于所述步驟(I)中的聚乙烯吡咯烷酮為K90，K60，K30，K23，K17中的一種。4.如權利要求2所述的一種雙包覆娃基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于所述步驟(I)溶劑為乙醇或水。5.如權利要求2所述的一種雙包覆硅基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于所述步驟(2)中使用的娃納米顆粒的直徑為30-90nm。6.如權利要求2所述的一種雙包覆娃基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于所述步驟(3)中惰性氣氛為氬氣或氮氣。7.如權利要求2所述的一種雙包覆硅基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于所述步驟(3)中高溫處理溫度為600-800 0C，高溫處理時間為I_3h。8.如權利要求2所述的一種雙包覆硅基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于步驟(3)去除溶劑溫度為45°C。9.如權利要求7所述的一種雙包覆硅基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于高溫處理時間為2h。10.如權利要求2所述的一種雙包覆娃基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于所述步驟(4)中濃氨水的加入量為溶液體積的1.25-4.0%。。11.如權利要求2所述的一種雙包覆娃基復合材料Si@C@Ti02制備方法，其特征在于所述步驟(4)中二氧化鈦源為鈦酸正丁酯、異丙醇鈦物質中的一種，其加入量為溶液體積的2.5-8.0%ο ο12.如權利要求2所述的一種雙包覆硅基復合材料S1COT12制備方法，其特征在于所述步驟(4)中洗滌為分別用去離子水、無水乙醇洗滌，直至pH=7。13.如權利要求2所述的一種雙包覆硅基復合材料S1COT12制備方法，其特征在于步驟(4)惰性氣氛為氬氣或氮氣。14.如權利要求2所述的一種雙包覆硅基復合材料S1COT12制備方法，其特征在于步驟(4)高溫處理溫度為450-600 0C，高溫處理時間為I_3h。
【文檔編號】B82Y30/00GK106099062SQ201610580560
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月21日 公開號201610580560.8, CN 106099062 A, CN 106099062A, CN 201610580560, CN-A-106099062, CN106099062 A, CN106099062A, CN201610580560, CN201610580560.8
【發明人】宋燕, 楊桃, 劉占軍
【申請人】中國科學院山西煤炭化學研究所