有機發光二極管顯示器及其修復方法

有機發光二極管顯示器及其修復方法
【專利摘要】本發明涉及一種有機發光二極管顯示器及其修復方法。一種有機發光二極管(OLED)顯示器，包括：基板；OLED，被設置在基板上并彼此隔開；像素電路；數據線，在基板上在第一方向上延伸并在與第一方向相交的第二方向上彼此隔開；連接線，與數據線相鄰并在第一方向上延伸；以及導線，將數據線中的一條數據線的一部分直接連接到連接線中與一條數據線相鄰的一條連接線的一部分。每個像素電路包括多個薄膜晶體管，并且每個像素電路連接到OLED中的一個OLED。數據線和連接線連接到像素電路，并且接觸導線的一條數據線的一部分和一條連接線的一部分中的一個或多個表面呈曲面。
【專利說明】有機發光二極管顯示器及其修復方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]此申請要求2015年4月30日提交到韓國知識產權局的韓國專利申請N0.10-2015_0062081和韓國專利申請N0.10-2015-0062086的優先權，其全部內容通過引用被整體合并于此。
技術領域
[0003]本發明的示例性實施例涉及有機發光二極管(OLED)顯示器和修復OLED顯示器的方法。
【背景技術】
[0004]平板顯示器包括例如有機發光二極管(OLED)顯示器、液晶顯示器(IXD)和等離子體顯示面板(PDP)等。
[0005]OLED顯示器包括基板、包括被形成為跨過基板并且被設置在基板上的多個薄膜晶體管的多個像素電路、以及被分別連接到多個像素電路的多個OLED。

【發明內容】

[0006]本發明的示例性實施例提供了一種能夠使一個或多個有缺陷的像素被有效地修復的有機發光二極管(OLED)顯示器、以及用于有效地修復一個或多個有缺陷的像素的OLED顯示器的修復方法。
[0007]根據本發明的一個不例性實施例，一種有機發光二極管(OLED)顯不器包括:基板；多個0LED，被設置在基板上并彼此隔開；以及多個像素電路，其中每個像素電路包括多個薄膜晶體管，并且每個像素電路連接到多個OLED中的一個OLED ALED顯示器進一步包括:多條數據線，在基板上在第一方向上延伸并在與第一方向相交的第二方向上彼此隔開，其中多條數據線連接到多個像素電路；以及多條連接線，與數據線相鄰并在第一方向上延伸，其中多條連接線連接到多個像素電路。OLED顯示器進一步包括:導線，將多條數據線中的一條數據線的一部分直接連接到多條連接線中與一條數據線相鄰的一條連接線的一部分。接觸導線的一條數據線的一部分和一條連接線的一部分中的一個或多個表面呈曲面。
[0008]在一個示例性實施例中，導線包括:第一子導線，將一條數據線的第一部分直接連接到一條連接線的第四部分；以及第二子導線，與第一子導線隔開并將一條數據線的第二部分直接連接到一條連接線的第五部分。
[0009]在一個示例性實施例中，多個像素電路中連接到一條數據線的一個像素電路具有缺陷，并且該一個像素電路與對應的OLED切斷。
[0010]在一個示例性實施例中，OLED顯示器進一步包括:第三部分，被設置在一條數據線的第一部分和第二部分之間，其中第三部分與第一部分和第二部分切斷并隔離，并連接到一個像素電路。一條連接線的第四部分、第五部分以及被設置在第四部分和第五部分之間的第六部分與一條連接線的其它部分切斷并隔離。一條數據線的第一部分經由第一子導線、一條連接線的第四部分、第六部分和第五部分、以及第二子導線連接到一條數據線的第二部分。
[0011]在一個示例性實施例中，多條連接線被設置在與多條數據線相同的層上。
[0012]在一個示例性實施例中，導線被設置在一條連接線上和一條數據線上。
[0013]在一個示例性實施例中，一條數據線的另一部分的表面包括棱角。
[0014]在一個示例性實施例中，一條連接線的另一部分的表面包括棱角。
[0015]多個薄膜晶體管可以包括:第一薄膜晶體管，包括被設置在基板上以連接到OLED的第一有源圖案和被設置在第一有源圖案上的第一柵電極;第二薄膜晶體管，包括連接到第一有源圖案的一端部以連接到數據線的第二有源圖案和被設置在第二有源圖案上的第二柵電極；以及第三薄膜晶體管，包括連接到第一有源圖案的另一端部以經由柵橋連接到第一柵電極的第三有源圖案和被設置在第三有源圖案上的第三柵電極。
[0016]OLED顯示器可以進一步包括:第一掃描線，被設置在第二有源圖案上、跨過第二有源圖案和第三有源圖案中的每一個、并連接到第二柵電極和第三柵電極；以及驅動電源線，在第一掃描線上與數據線相鄰以跨過第一掃描線并連接到第一有源圖案。
[0017]像素電路可以被設置在第一柵電極上并連接到驅動電源線，并且可以包括重疊第一柵電極以連同第一柵電極形成電容器的電容器電極。
[0018]多個薄膜晶體管可以進一步包括:第四薄膜晶體管，包括:第四有源圖案，連接到第三有源圖案并經由柵橋連接到第一柵電極；以及第四柵電極，被設置在第四有源圖案上。OLED顯示器可以進一步包括:第二掃描線，被設置在第四有源圖案上并跨過第四有源圖案并連接到第四柵電極；以及初始化電源線，連接到第四有源圖案。
[0019]初始化電源線可以在基本上與另一方向平行的方向上延伸，并且可以連接到多條連接線。
[0020]多個薄膜晶體管可以進一步包括:第五薄膜晶體管，包括將第一有源圖案連接到驅動電源線的第五有源圖案和被設置在第五有源圖案上的第五柵電極；以及第六薄膜晶體管，包括將第一有源圖案連接到OLED的第六有源圖案和被設置在第六有源圖案上的第六柵電極。多個薄膜晶體管可以進一步包括:發光控制線，被設置在第五有源圖案和第六有源圖案中的每一個上并跨過第五有源圖案和第六有源圖案中的每一個并連接到第五柵電極和第六柵電極中的每一個。
[0021]多個薄膜晶體管可以進一步包括:第七薄膜晶體管，包括:第七有源圖案，連接到第四有源圖案；以及第七柵電極，被設置在第七有源圖案上。OLED顯示器可以進一步包括:第三掃描線，被設置在第七有源圖案上并跨過第七有源圖案并連接到第七柵電極。
[0022]根據本發明的一個示例性實施例，一種修復OLED顯示器的方法包括:對連接到多個像素電路的多條數據線中的一條數據線的一部分的一個或多個表面進行曲面處理，其中多個像素電路被設置在基板上并包括多個薄膜晶體管;對與一條數據線相鄰的一條連接線的一部分進行曲面處理；以及使用導線將一條數據線的一部分連接到一條連接線的一部分。
[0023]在一個示例性實施例中，使用激光束對一條數據線的一部分和一條連接線的一部分中的一個或多個表面進行曲面處理。
[0024]在一個示例性實施例中，多個像素電路中的一個像素電路具有缺陷。
[0025]在一個示例性實施例中，該方法進一步包括:對一條數據線的第一部分和一條數據線的與第一部分隔開的第二部分的每個表面進行曲面處理;對一條連接線的第四部分和一條連接線的與第四部分隔開的第五部分的每個表面進行曲面處理;使用第一子導線直接連接一條數據線的第一部分和一條連接線的第四部分；以及使用第二子導線直接連接一條數據線的第二部分和一條連接線的第五部分。
[0026]在一個示例性實施例中，該方法進一步包括:使被設置在一條數據線的第一部分和第二部分之間的第三部分與第一部分和第二部分隔開并隔離，其中第三部分連接到多個像素電路中的一個像素電路；以及使一條連接線的第四部分、第五部分和第六部分與其它部分切斷并隔咼。
[0027]根據本發明的一個示例性實施例，一種OLED顯示器包括:基板；多個OLED，被設置在基板上并彼此隔開；多個像素電路，其中每個像素電路包括連接到多個OLED中的一個OLED的多個薄膜晶體管；多條數據線，在基板上在第一方向上延伸并在與第一方向相交的第二方向上彼此隔開，其中多條數據線連接到多個像素電路;多條連接線，與數據線相鄰并在第一方向上延伸，其中多條連接線連接到多個像素電路；以及多條導線，將多條數據線的部分直接連接到與相應的數據線相鄰的多條連接線的部分，其中多條數據線的一部分的表面和多條連接線的一部分的表面呈曲面。
[0028]在一個示例性實施例中，每條導線包括:第一子導線，直接連接數據線中的一條數據線的第一部分和連接線中的一條連接線的第四部分；以及第二子導線，與第一子導線隔開并直接連接數據線中的一條數據線的第二部分和連接線中的一條連接線的第五部分。
[0029]連接到一條數據線的多個像素電路中的一個像素電路可以具有缺陷，并且一個像素電路可以與OLED切斷。
[0030]在一條數據線的第一部分和第二部分之間的第三部分可以與第一部分和第二部分切斷并隔離，同時連接到一個像素電路。一條連接線的第四部分、第五部分以及位于第四部分和第五部分之間的第六部分可以與其它部分切斷并隔離，并且一條數據線的第一部分可以經由第一子導線、一條連接線的第四部分、第六部分和第五部分、以及第二子導線連接到一條數據線的第二部分。
[0031]多條連接線可以被設置在與多條數據線相同的層上。
[0032]導線可以被設置在一條數據線上和一條連接線上。
[0033]多條數據線的每一條數據線的其它部分的表面可以包括棱角。
[0034]多條連接線的每一條連接線的其它部分的表面可以包括棱角。
[0035]多個薄膜晶體管可以包括:第一薄膜晶體管，包括被設置在基板上并連接到OLED的第一有源圖案和被設置在第一有源圖案上的第一柵電極;第二薄膜晶體管，包括連接到第一有源圖案的一端部以連接到數據線的第二有源圖案和被設置在第二有源圖案上的第二柵電極；以及第三薄膜晶體管，包括連接到第一有源圖案的另一端部以經由柵橋連接到第一柵電極的第三有源圖案和被設置在第三有源圖案上的第三柵電極。
[0036]OLED顯示器可以進一步包括:第一掃描線，被設置在第二有源圖案上，跨過第二有源圖案和第三有源圖案中的每一個，并連接到第二柵電極和第三柵電極；以及驅動電源線，在第一掃描線上與數據線相鄰以跨過第一掃描線并連接到第一有源圖案。
[0037]像素電路可以被設置在第一柵電極上并連接到驅動電源線，并且可包括重疊第一柵電極以連同第一柵電極形成電容器的電容器電極。
[0038]多個薄膜晶體管可以進一步包括:第四薄膜晶體管，包括:第四有源圖案，連接到第三有源圖案并經由柵橋連接到第一柵電極；以及第四柵電極，被設置在第四有源圖案上。OLED顯示器可以進一步包括:第二掃描線，被設置在第四有源圖案上并跨過第四有源圖案并連接到第四柵電極；以及初始化電源線，連接到第四有源圖案。
[0039]初始化電源線可以在基本上與另一方向平行的一個方向上延伸，并且可以連接到多條連接線。
[0040]多個薄膜晶體管可以進一步包括:第五薄膜晶體管，包括將第一有源圖案連接到和驅動電源線的第五有源圖案和被設置在第五有源圖案上的第五柵電極；以及第六薄膜晶體管，包括將第一有源圖案連接到OLED的第六有源圖案和被設置在第六有源圖案上的第六柵電極。OLED顯示器可以進一步包括:發光控制線，被設置在第五有源圖案和第六有源圖案的每一個上并跨過第五有源圖案和第六有源圖案的每一個并連接到第五柵電極和第六柵電極的每一個以及第六柵電極。
[0041]多個薄膜晶體管可以進一步包括:第七薄膜晶體管，包括:第七有源圖案，連接到第四有源圖案；以及第七柵電極，被設置在第七有源圖案上。OLED顯示器可以進一步包括:第三掃描線，被設置在第七有源圖案上并跨過第七有源圖案并連接到第七柵電極。
[0042]根據本發明的一個示例性實施例，一種修復OLED顯示器的方法包括:形成多條數據線，其中每條數據線的一部分連接到包括被設置在基板上的多個薄膜晶體管的多個像素電路中的一個像素電路，并且其中每條數據線的一部分包括呈曲面的表面;形成多條連接線，其中每條連接線的一部分連接到多個像素電路中的一個像素電路，并且其中每條連接線的一部分包括呈曲面的表面；以及使用導線將多條數據線中的一條數據線的一部分連接到多條連接線的一條連接線的一部分。
[0043]在一個示例性實施例中，形成多條數據線和多條連接線是使用半色調掩模進行的。
[0044]在一個示例性實施例中，多個像素電路中的一個像素電路具有缺陷。
[0045]在一個示例性實施例中，多條數據線中的每一條數據線的第一部分和第二部分的表面被形成為彼此隔開并呈曲面，并且多條連接線中的每一條連接線的第四部分和第五部分的表面被形成為彼此隔開并呈曲面。修復方法進一步包括:使用導線的第一子導線將第一部分直接連接到第四部分，并且使用導線的第二子導線將第二部分直接連接到第五部分。
[0046]在一個示例性實施例中，該方法進一步包括:使被設置在第一部分和第二部分之間的第三部分與第一部分和第二部分隔開并隔離，其中第三部分連接到一個像素電路；以及使一條連接線的第四部分、第五部分和第六部分與其它部分切斷并隔離。
[0047]根據本發明的一個示例性實施例，一種OLED顯示器包括:基板；多個OLED，被設置在基板上并彼此隔開；多個像素電路，其中每個像素電路包括多個薄膜晶體管并且每個像素電路連接到多個OLED中的一個0LED;多條數據線，在基板上在第一方向上延伸并在與第一方向相交的第二方向上彼此隔開，其中多條數據線連接到多個像素電路;多條連接線，與數據線相鄰并在第一方向上延伸，其中多條連接線連接到多個像素電路；以及導線，將多條數據線中的一條數據線的呈曲面的部分連接到多條連接線中相鄰一條連接線的呈曲面的部分。
[0048]在一個示例性實施例中，每條數據線的呈曲面的部分和相鄰一條連接線的呈曲面的部分中的每一個呈曲面的部分具有環形形狀，并且不包括棱角。
[0049]根據本發明的示例性實施例，提供了其中一個或多個有缺陷的像素可以被修復的OLED顯示器以及用于有效地修復一個或多個有缺陷的像素的方法。
【附圖說明】
[0050]通過參考附圖詳細描述其示例性實施例，本發明的上述和其它特征將變得更顯而易見，附圖中:
[0051]圖1是根據本發明的一個示例性實施例的有機發光二極管(OLED)顯示器的示意性平面圖。
[0052]圖2是根據圖1所示的示例性實施例的OLED顯示器的一個像素的電路圖。
[0053]圖3是根據圖1所示的示例性實施例的OLED顯示器的多個像素中的第一像素、第二像素和第二像素的布局圖。
[0054]圖4是根據本發明的一個示例性實施例的沿線IV-1V截取的圖3的剖視圖。
[0055]圖5是根據本發明的一個示例性實施例的沿線V-V截取的圖3的剖視圖。
[0056]圖6A示出了根據一個比較例的常規OLED顯示器的修復部分的剖視面。
[0057]圖6B示出了根據本發明的一個示例性實施例的OLED顯示器的修復部分。
[0058]圖7是示出了根據本發明的一個示例性實施例的修復OLED顯示器的方法的流程圖。
[0059]圖8和圖9是根據本發明的一個示例性實施例的被用來描述修復OLED顯示器的方法的OLED顯示器的多個像素中的第一像素、第二像素和第三像素的布局圖。
[0060]圖10是根據本發明的一個示例性實施例的OLED顯示器的多個像素中的第一像素、第二像素和第三像素的布局圖。
[0061]圖11是根據本發明的一個示例性實施例的沿線IV-1V截取的圖10的剖視圖。
[0062]圖12是根據本發明的一個示例性實施例的沿線V-V截取的圖10的剖視圖。
[0063]圖13是示出了根據本發明的一個示例性實施例的修復OLED顯示器的方法的流程圖。
[0064]圖14和圖15是根據本發明的一個示例性實施例的被用來描述修復OLED顯示器的方法的OLED顯示器的多個像素中的第一像素、第二像素和第三像素的布局圖。
【具體實施方式】
[0065]在下文中將參考附圖更充分地描述本發明的示例性實施例。在圖中，為了清楚起見，層和區域的尺寸和相對尺寸可能被夸大。貫穿附圖，相同的附圖標記可以指代相同的元件。
[0066]在圖中，為了清楚起見，層、膜、面板、區域等的厚度可能被夸大。
[0067]出于易于描述的目的，在本文中使用了諸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”等的空間相對術語來描述如圖中所示的一個元件或特征相對于另一個元件或特征的關系。將理解的是，除了圖中描繪的方位之外，空間相對術語意在包含設備在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中設備被翻轉，被描述為在其它元件或特征“下方”、“之下”或“下面”的元件則將被定向為在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性術語“下方”和“下面”可以包含上方和下方兩種方位。另外，還將理解的是，當層被稱為在兩個層“之間”時，其可以是這兩個層之間的唯一層，或者也可以存在一個或多個中間層。
[0068]將進一步理解的是，當諸如膜、區域、層或元件的組件被稱為在另一組件“上”、“連接到”、“聯接到”或“鄰近于”另一組件時，其可以直接在另一組件上，直接連接到、聯接到或鄰近于另一組件，或者可以存在中間組件。還將理解的是，當組件被稱為在兩個組件“之間”時，其可以是這兩個組件之間的唯一組件，或者也可以存在一個或多個中間組件。將進一步理解的是，盡管術語“第一”和“第二”可以在本文中用來描述各種組件，這些組件不應該被這些術語限制。
[0069]參考圖1至圖5，將描述根據本發明的一個示例性實施例的有機發光二極管(OLED)顯示器。
[0070]圖1是根據本發明的一個示例性實施例的OLED顯示器的示意性平面圖。在本文中，每個像素可以表示顯示圖像的最小單元。
[0071]如圖1所示，根據一個示例性實施例的OLED顯示器包括基板SUB、多個像素PXn、多條數據線DA、多條連接線CL以及數據驅動器DD。
[0072]基板SUB包括顯示圖像的顯示區域DIA和與顯示區域DIA相鄰的非顯示區域NDA。非顯示區域NDA可以被設置為圍繞顯示區域DIA的邊緣。然而，示例性實施例不限于此。例如，根據示例性實施例，非顯示區域NDA可以被設置在基板SUB上的各個區域中，并且非顯示區域NDA可以部分或完全圍繞顯示區域DIA的邊緣。基板SUB是包括例如玻璃、聚合物或不銹鋼的絕緣基板。基板SUB可以是例如柔性的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。基板SUB是柔性的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的允許整個OLED顯示器是柔性的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。
[0073]多個像素PXn被設置在基板SUB上的基板SUB的顯示區域DIA中。多個像素PXn中的每一個像素連接到數據線DA和連接線CL。多個像素PXn中的每一個像素包括:OLED，用于發射與從數據線DA中的每一條數據線提供的數據信號相關聯的驅動電流相對應的亮度的光；以及像素電路，包括用于控制流經OLED的驅動電流的多個薄膜晶體管與一個或多個電容器。多個像素PXn中每一個像素中的OLED連接到像素電路。
[0074]多個像素PXn可以連接到與用于提供不同的掃描信號的柵驅動器相連接的多條掃描線，并且可以進一步連接到用于提供電壓的驅動電源線和連接到連接線CL的初始化電源線。另外，第二電極可以作為被包括在多個像素PXn中的每一個像素中的OLED的陰極連接到公共電源。多個像素PXn中的每一個像素的具體結構將在下面描述。上述的柵驅動器、多條掃描線、驅動電源線和初始化電源線將在下面進一步描述。然而，將理解的是，這些組件不局限于以下的描述。例如，根據示例性實施例，各種導線可以以各種公知的方式連接到多個像素PXn中的每一個像素。
[0075]在一個示例性實施例中，數據驅動器DD被設置在基板SUB的非顯示區域NDA上，并連接到多條數據線DA和多條連接線CL。在一個示例性實施例中，多條數據線DA中的每一條數據線和多條連接線CL中的每一條連接線沒有連接到數據驅動器DD，而是連接到其它驅動單元。
[0076]多條數據線DA分別在一個方向上延伸，以被布置在基板SUB上，同時在與魚一個方向相交的另一方向上彼此隔開，并連接到多個像素PXn的各個像素電路。
[0077]多條連接線CL分別在與該一個方向基本上平行的方向上延伸，同時與數據線DA相鄰，并連接到多個像素PXn的各個像素電路。
[0078]參考圖2，將描述根據一個示例性實施例的OLED顯示器的一個像素PXn的電路。
[0079]圖2是根據圖1所示的示例性實施例的OLED顯示器的一個像素的電路圖。
[0080]如圖2所示，OLED顯示器的一個像素PXn包括:包括多個薄膜晶體管Tl、T2、T3、T4、丁5、了6和了7以及電容器&丨的像素電路?(:，被選擇性地連接到多個薄膜晶體管1'132、了3、丁4、Τ5、Τ6 和 Τ7 的多條導線 Sn、Sn-l、Sn-2、EM、Vin、CL、DA和ELVDD，以及0LED。
[0081 ]多個薄膜晶體管1'132、了3 34、了536和了7包括第一薄膜晶體管1'1、第二薄膜晶體管Τ2、第三薄膜晶體管Τ3、第四薄膜晶體管Τ4、第五薄膜晶體管Τ5、第六薄膜晶體管Τ6和第七薄膜晶體管Τ7。
[0082]第一薄膜晶體管Tl的第一柵電極Gl連接到第三薄膜晶體管Τ3的第三漏電極D3和第四薄膜晶體管Τ4的第四漏電極D4中的每一個，第一薄膜晶體管Tl的第一源電極SI連接到第二薄膜晶體管Τ2的第二漏電極D2和第五薄膜晶體管Τ5的第五漏電極D5，并且第一薄膜晶體管Tl的第一漏電極Dl連接到第三薄膜晶體管Τ3的第三源電極S3和第六薄膜晶體管Τ6的第六源電極S6中的每一個。
[0083]第二薄膜晶體管Τ2的第二柵電極G2連接到第一掃描線Sn，并且第二薄膜晶體管Τ2的第二源電極S2連接到數據線DA。第二漏電極D2連接到第一薄膜晶體管Tl的第一源電極Sl0
[0084]第三薄膜晶體管Τ3的第三柵電極G3連接到第一掃描線Sn，第三薄膜晶體管Τ3的第三源電極S3連接到第一薄膜晶體管TI的第一漏電極DI，并且第三薄膜晶體管Τ3的第三漏電極D3連接到第一薄膜晶體管Tl的第一柵電極Gl。
[0085]第四薄膜晶體管Τ4的第四柵電極G4連接到第二掃描線Sn-1，第四薄膜晶體管Τ4的第四源電極S4連接到與連接線CL相連接的初始化電源線Vin，并且第四薄膜晶體管Τ4的第四漏電極D4連接到第一薄膜晶體管Tl的第一柵電極G1。
[0086]第五薄膜晶體管T5的第五柵電極G5連接到發光控制線EM，第五薄膜晶體管T5的第五源電極S5連接到驅動電源線ELVDD，并且第五薄膜晶體管T5的第五漏電極D5連接到第一薄膜晶體管Tl的第一源電極SI。
[0087]第六薄膜晶體管T6的第六柵電極G6連接到發光控制線EM，并且第六薄膜晶體管T6的第六源電極S6連接到第一薄膜晶體管Tl的第一漏電極Dl。
[0088]第七薄膜晶體管T7的第七柵電極G7連接到第三掃描線Sn-2，第七薄膜晶體管T7的第七源電極S7連接到OLED，并且第七薄膜晶體管T7的第七漏電極D7連接到第四薄膜晶體管T4的第四源電極S4。
[0089]在一個示例性實施例中，上述的多條掃描線包括將第一掃描信號發送到第二薄膜晶體管T2的第二柵電極G2和第三薄膜晶體管T3的第三柵電極G3中的每一個的第一掃描線Sn、將第二掃描信號發送到第四薄膜晶體管T4的第四柵電極G4的第二掃描線Sn-1、將第三掃描信號發送到第七薄膜晶體管T7的第七柵電極G7的第三掃描線Sn-2、以及將發光控制信號發送到第五薄膜晶體管T5的第五柵電極G5和第六薄膜晶體管T6的第六柵電極G6中的每一個的發光控制線EM。
[0090]電容器Cst包括，例如，連接到驅動電源線ELVDD的一個電極、以及連接到第一柵電極GI和第三薄膜晶體管T3的第三漏電極D3的另一電極。
[0091]OLED包括，例如，第一電極、被設置在第一電極上的第二電極、以及被設置在第一電極和第二電極之間的有機發光層。OLED的第一電極連接到第七薄膜晶體管T7的第七源電極S7和第六薄膜晶體管T6的第六漏電極D6中的每一個，并且OLED的第二電極連接到公共信號經其發送的公共電源ELVSS。
[0092]作為一個示例，包括像素電路PC、多條導線Sn、Sn-l、Sn-2、EM、Vin、CL、DA和ELVDD、以及OLED的一個像素PXn的操作將在本文中進一步描述。當第三掃描信號被發送并且第七薄膜晶體管T7被導通時，流經OLED的第一電極的殘余電流經由第七薄膜晶體管T7流向第四薄膜晶體管T4，第七薄膜晶體管T7可以抑制OLED的由于流經OLED的第一電極的殘余電流而發生的不期望的發光。
[0093]當第二掃描信號被發送到第二掃描線Sn-1并且初始化信號經由連接線CL被發送到初始化電源線Vin時，第四薄膜晶體管T4被導通，與初始化信號相關聯的初始化電壓經由第四薄膜晶體管T4被提供到第一薄膜晶體管TI的第一柵電極GI和電容器Cs t的另一電極，從而初始化第一柵電極Gl和電容器Cst。在這種情況下，由于第一柵電極Gl被初始化，第一薄膜晶體管Tl被導通。
[0094]當第一掃描信號被發送到第一掃描線Sn并且數據信號被發送到數據線DA時，第二薄膜晶體管T2和第三薄膜晶體管T3中的每一個被導通，并且與數據信號相關聯的數據電壓Vd經由第二薄膜晶體管T2、第一薄膜晶體管Tl和第三薄膜晶體管T3被提供到第一柵電極G1。在這種情況下，補償電壓Vd+Vth(其中Vth為負值)，其是通過從經由數據線DA初始提供的數據電壓Vd減去第一薄膜晶體管TI的閾值電壓(Vth)的電壓，被提供到第一柵電極Gl。被提供到第一柵電極Gl的補償電壓Vd+Vth也被提供到電容器Cst的連接到第一柵電極Gl的另一電極。
[0095]通過將與來自驅動電源線ELVDD的驅動信號相關聯的驅動電壓提供到電容器Cst的一個電極，同時將補償電壓Vd+Vth提供到其另一電極，與被施加到電容器Cst的相對電極的每一個的電壓的差對應的電荷量被存儲在電容器Cst中，從而將第一薄膜晶體管Tl導通預定時間。
[0096]當發光控制信號被施加到發光控制線EM時，第五薄膜晶體管T5和第六薄膜晶體管T6中的每一個被導通，并且與來自驅動電源線ELVDD的驅動信號相關聯的驅動電壓經由第五薄膜晶體管T5被提供到第一薄膜晶體管Tl。
[0097]隨著驅動電壓經由被電容器Cst導通的第一薄膜晶體管Tl發送，與由電容器Cst提供到第一柵電極Gl的電壓和驅動電壓之間的差對應的驅動電流Id流經第一薄膜晶體管Tl的第一漏電極DI，并且驅動電流Id經由第六薄膜晶體管T6被供給到OLED，從而允許OLED發光預定時間。
[0098]根據一個示例性實施例的OLED顯示器包括:包括第一至第七薄膜晶體管Tl至T7和電容器Cst的像素電路PC、連接到像素電路PC的第一至第三掃描線Sn至Sn-2、數據線DAjg動電源線ELVDD、初始化電源線Vin、以及連接線CL。然而，示例性實施例不限于此。例如，根據一個示例性實施例，OLED顯示器可以包括:包括多個薄膜晶體管和一個或多個電容器的像素電路、以及包括連接到像素電路的一條或多條掃描線和一條或多條驅動電源線的導線。
[0099]參考圖3，將描述根據一個示例性實施例的前述OLED顯示器的被設置在基板SUB的顯示區域DIA中并彼此相鄰的多個像素PXn中的第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3的布置。
[0100]圖3是根據圖1所示的示例性實施例的OLED顯示器的多個像素中的第一像素、第二像素和第二像素的布局圖。
[0101]如圖3所示，被設置在基板SUB上并彼此相鄰的第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一個包括第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6、第七薄膜晶體管T7、第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM、電容器Cst、數據線DA、驅動電源線ELVDD、柵橋GB、連接線CL、初始化電源線Vin、以及0LED。這里，第一像素PXl與第二像素PX2和第三像素PX3的區別在于它進一步包括導線WI。
[0102]在一個示例性實施例中，柵橋GB、電容器Cst、以及是第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的多個薄膜晶體管的第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6和第七薄膜晶體管T7形成像素電路PC。
[0103]第一薄膜晶體管Tl被設置在基板SUB上，并且包括第一有源層Al和第一柵電極Gl。
[0104]第一有源層Al包括第一源電極S1、第一溝道Cl和第一漏電極Dl。第一源電極SI連接到第二薄膜晶體管T2的第二漏電極D2和第五薄膜晶體管T5的第五漏電極D5中的每一個，并且第一有源層Al的第一漏電極Dl連接到第三薄膜晶體管T3的第三源電極S3和第六薄膜晶體管T6的第六源電極S6中的每一個。是第一有源層Al的重疊第一柵電極Gl的溝道區的第一溝道Cl被彎曲至少一次以延伸，并且由于第一溝道Cl被彎曲至少一次以在重疊第一柵電極Gl的有限空間內延伸使得第一溝道Cl的長度被延長，寬驅動范圍的柵極電壓可以被施加到第一柵電極G1。因此，被施加到第一柵電極Gl的柵極電壓可以在寬驅動范圍內變化，以更精確地控制從OLED發射的光的灰度級，這可以提高在OLED顯示器上顯示的圖像的質量。第一有源層Al可以被修改成具有各種形狀。例如，根據示例性實施例，第一有源層Al可以被修改成具有諸如“倒S”、“S”、“M”、“W”等的各種形狀。
[0105]第一有源層Al可以由例如多晶硅或氧化物半導體形成。氧化物半導體可以包括基于例如鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物和其復合氧化物(諸如，例如，氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO4)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦錯(In-Zr-O)、氧化銦錯鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦錯錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦錯鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、氧化銦鋅鋁(In-Zn-Al-O)、氧化銦錫鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銦鋁鎵(In-Al-Ga-O)、氧化銅組(In-Ta-O)、氧化銅組梓(In-Ta-Zn-O)、氧化銅組錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銦鍺錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銅錯嫁(In-Ge-Ga-O)、氧化欽銅梓(T1-1n-Zn-O)和氧化給銅梓(Hf-1n-Zn-O))中的一種。在一個示例性實施例中，當第一有源層Al由氧化物半導體形成時，可以增加單獨的鈍化層，以保護氧化物半導體，否則氧化物半導體可容易受到來自諸如例如高溫等的外部環境的元素的影響。
[0106]第一有源層Al的第一溝道Cl可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第一源電極SI和第一漏電極Dl彼此隔開，同時將第一溝道Cl插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第一溝道Cl中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。
[0107]第一柵電極Gl被設置在第一有源層Al的第一溝道Cl上，并且是島的形狀。第一柵電極GI通過柵橋GB連接到第四薄膜晶體管T4的第四漏電極D4和第三薄膜晶體管T3的第三漏電極D3，接觸孔通過柵橋GB連接。第一柵電極Gl重疊電容器電極CE，并且可以用作第一薄膜晶體管Tl的柵電極和電容器Cst的另一電極二者。也就是說，第一柵電極Gl連同電容器電極CE形成電容器Cst。
[0108]第二薄膜晶體管T2被設置在基板SUB上，并且包括第二有源層A2和第二柵電極G2。第二有源層A2包括第二源電極S2、第二溝道C2和第二漏電極D2。第二源電極S2經由接觸孔連接到數據線DA，并且第二漏電極D2連接到第一薄膜晶體管Tl的第一源電極SI。是第二有源層A2的重疊第二柵電極G2的溝道區的第二溝道C2被設置在第二源電極S2和第二漏電極D2之間。也就是說，第二有源層A2連接到第一有源層Al。
[0109]第二有源層A2的第二溝道C2可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第二源電極S2和第二漏電極D2可以彼此隔開，同時將第二溝道C2插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第二溝道C2中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第二有源層A2與第一有源層Al被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0110]第二柵電極G2被設置在第二有源層A2的第二溝道C2上，并與第一掃描線Sn—體形成。
[0111]第三薄膜晶體管T3被設置在基板SUB上，并且包括第三有源層A3和第三柵電極G3。
[0112]第三有源層A3包括第三源電極S3、第三溝道C3和第三漏電極D3。第三源電極S3連接到第一漏電極D1，并且第三漏電極D3經由柵橋GB連接到第一薄膜晶體管Tl的第一柵電極Gl，接觸孔通過柵橋GB到達。是第三有源層A3的重疊第三柵電極G3的溝道區的第三溝道C3被設置在第三源電極S3和第三漏電極D3之間。也就是說，第三有源層A3將第一有源層Al連接到第一柵電極Gl。
[0113]第三有源層A3的第三溝道C3可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第三源電極S3和第三漏電極D3彼此隔開，同時將第三溝道C3插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第三溝道C3中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第三有源層A3與第一有源層Al和第二有源層A2被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0114]第三柵電極G3被設置在第三有源層A3的第三溝道C3上，并與第一掃描線Sn—體形成。第三柵電極G3被形成為雙柵電極。
[0115]第四薄膜晶體管T4被設置在基板SUB上，并且包括第四有源層A4和第四柵電極G4。
[0116]第四有源層A4包括第四源電極S4、第四溝道C4和第四漏電極D4。第四源電極S4經由接觸孔連接到與連接線CL相連接的初始化電源線Vin。第四漏電極D4經由柵橋GB連接到第一薄膜晶體管Tl的第一柵電極Gl，接觸孔通過柵橋GB到達。是第四有源層A4的重疊第四柵電極G4的溝道區的第四溝道C4被設置在第四源電極S4和第四漏電極D4之間。也就是說，第四有源層A4將初始化電源線Vin連接到第一柵電極Gl，同時連接到第三有源層A3和第一柵電極Gl中的每一個。
[0117]第四有源層A4的第四溝道C4可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第四源電極S4和第四漏電極D4可以彼此隔開，同時將第四溝道C4插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第四溝道C4中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第四有源層A4與第一有源層Al、第二有源層A2和第三有源層A3被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0118]第四柵電極G4被設置在第四有源層A4的第四溝道C4上，并與第二掃描線Sn-1—體形成。第四柵電極G4被形成為雙柵電極。
[0119]第五薄膜晶體管T5被設置在基板SUB上，并且包括第五有源層A5和第五柵電極G5。
[0120]第五有源層A5包括第五源電極S5、第五溝道C5和第五漏電極D5。第五源電極S5經由接觸孔連接到驅動電源線ELVDD，并且第五漏電極D5連接到第一薄膜晶體管Tl的第一源電極SI。是第五有源層A5的重疊第五柵電極G5的溝道區的第五溝道C5被設置在第五源電極S5和第五漏電極D5之間。也就是說，第五有源層A5將驅動電源線ELVDD連接到第一有源層Al0
[0121]第五有源層A5的第五溝道C5可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第五源電極S5和第五漏電極D5可以彼此隔開，同時將第五溝道C5插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第五溝道C5中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第五有源層A5與第一有源層Al、第二有源層A2、第三有源層A3和第四有源層A4被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0122]第五柵電極G5被設置在第五有源層A5的第五溝道C5上，并與發光控制線EM—體形成。
[0123]第六薄膜晶體管T6被設置在基板SUB上，并且包括第六有源層A6和第六柵電極G6。
[0124]第六有源層A6包括第六源電極S6、第六溝道C6和第六漏電極D6。第六源電極S6連接到第一薄膜晶體管Tl的第一漏電極Dl，并且第六漏電極D6經由接觸孔連接到OLED的第一電極E1。是第六有源層A6的重疊第六柵電極G6的溝道區的第六溝道C6被設置在第六源電極S6和第六漏電極D6之間。也就是說，第六有源層A6將第一有源層Al連接到OLED的第一電極El0
[0125]第六有源層A6的第六溝道C6可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第六源電極S6和第六漏電極D6可以彼此隔開，同時將第六溝道C6插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第六溝道C6中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第六有源層A6與第一有源層Al、第二有源層A2、第三有源層A3、第四有源層A4和第五有源層A5被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0126]第六柵電極G6被設置在第六有源層A6的第六溝道C6上，并與發光控制線EM—體形成。
[0127]第七薄膜晶體管T7被設置在基板SUB上，并且包括第七有源層A7和第七柵電極G7。
[0128]第七有源層A7包括第七源電極S7、第七溝道C7和第七漏電極D7。第七源電極S7連接到圖3未示出的另一像素(例如被設置在圖3所示的像素上方的像素)的OLED的第一電極，并且第七漏電極D7連接到第四薄膜晶體管T4的第四源電極S4。是第七有源層A7的重疊第七柵電極G7的溝道區的第七溝道C7被設置在第七源電極S7和第七漏電極D7之間。也就是說，第七有源層A7將OLED的第一電極連接到第四有源層A4。
[0129]第七有源層A7的第七溝道C7可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第七源電極S7和第七漏電極D7可以彼此隔開，同時將第七溝道C7插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第七溝道C7中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第七有源層A7與第一有源層Al、第二有源層A2、第三有源層A3、第四有源層A4、第五有源層A5和第六有源層A6被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0130]第七柵電極G7被設置在第七有源層A7的第七溝道C7上，并與第三掃描線Sn-2—體形成。
[0131]第一掃描線Sn被設置在第二有源層A2和第三有源層A3上，以在橫過第二有源層A2和第三有源層A3的方向上延伸，并且與第二柵電極G2和第三柵電極G3—體形成并連接到第二柵電極G2和第三柵電極G3。
[0132]第二掃描線Sn-1被設置在第四有源層A4上，同時與第一掃描線Sn隔開，在橫過第四有源層A4的方向上延伸，與第四柵電極G4—體形成并連接到第四柵電極G4。
[0133]第三掃描線Sn-2被設置在第七有源層A7上，同時與第二掃描線Sn-1隔開，在橫過第七有源層A7的方向上延伸，與第七柵電極G7—體形成并連接到第七柵電極G7。
[0134]發光控制線EM被設置在第五有源層A5和第六有源層A6上，同時與第一掃描線Sn隔開，在橫過第五有源層A5和第六有源層A6的方向上延伸，與第五柵電極G5和第六柵電極G6一體形成并連接到第五柵電極G5和第六柵電極G6。
[0135]在一個示例性實施例中，如上所述的發光控制線EM、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-Ι、第一掃描線Sn、第一柵電極G1、第二柵電極G2、第三柵電極G3、第四柵電極G4、第五柵電極G5、第六柵電極G6和第七柵電極G7被設置在同一層上并且由相同的材料形成。在一個示例性實施例中，發光控制線EM、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-1、第一掃描線Sn、第一柵電極G1、第二柵電極G2、第三柵電極G3、第四柵電極G4、第五柵電極G5、第六柵電極G6和第七柵電極G7可以分別被選擇性地設置在不同的層上，并且可以由不同的材料形成。
[0136]電容器Cst包括彼此面對同時在其間插入了絕緣層的一個電極和另一電極。上述一個電極可以是例如電容器電極CE，并且另一電極可以是第一柵電極G1。電容器電極CE被設置在第一柵電極Gl上，并且經由接觸孔連接到驅動電源線ELVDD。
[0137]電容器電極CE連同第一柵電極Gl形成電容器Cst。第一柵電極Gl和電容器電極CE分別在不同層上由不同金屬或相同金屬形成。
[0138]電容器電極CE包括第一柵電極Gl的一部分通過其被暴露的開口0A。柵橋GB經由開口 OA連接到第一柵電極Gl。
[0139]數據線DA被設置在第一掃描線Sn上方，并在與第一掃描線Sn相交的一個方向上延伸，并且多條數據線DA被設置為在與該一個方向相交的另一方向上彼此隔開。數據線DA經由接觸孔連接到第二有源層A2的第二源電極S2。數據線DA延伸跨過第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM和初始化電源線Vin。
[0140]驅動電源線ELVDD被設置在第一掃描線Sn上，并在與第一掃描線Sn相交的一個方向上延伸，同時與數據線DA隔開，并經由接觸孔連接到與電容器電極CE和第一有源層Al連接的第五有源層A5的第五源電極S5。驅動電源線ELVDD延伸跨過第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM和初始化電源線Vin。
[0141]柵橋GB與驅動電源線ELVDD隔開，并經由接觸孔連接到第三有源層A3的第三漏電極D3和第四有源層A4的第四漏電極D4中的每一個。柵橋GB經由接觸孔被進一步連接到由電容器電極CE的開口 OA暴露的第一柵電極G1。也就是說，柵橋GB將第一薄膜晶體管Tl連接到第三薄膜晶體管T3和第四薄膜晶體管T4。
[0142]連接線CL被設置在相鄰的數據線DA之間，并且在與是數據線DA的延伸方向的一個方向基本上平行的方向上延伸。連接線CL連接到初始化電源線Vin，并經由初始化電源線Vin連接到第一像素PXl、第二像素ΡΧ2和第三像素ΡΧ3中的每一個。由于連接線CL在與該一個方向基本上平行的方向上延伸并且初始化電源線Vin在與連接線CL相交的方向上延伸，所以連接線CL和初始化電源線Vin被布置成跨過整個基板SUB的平面矩陣形式。
[0143]在一個示例性實施例中，連接線CL被設置在與柵橋GB、數據線DA和驅動電源線ELVDD相同的層上，并由相同材料形成。在一個示例性實施例中，連接線CL、數據線DA、驅動電源線ELVDD和柵橋GB可以分別被選擇性地設置在不同的層上，并且可以由不同的材料形成。
[0144]初始化電源線Vin在與連接線CL的延伸方向相交的方向上延伸，并在與如上所述的其中多條數據線DA被布置的另一方向基本上平行的方向上延伸。初始化電源線Vin經由接觸孔連接到連接線CL，并且還經由接觸孔連接到第四有源層Α4的第四源電極S4。在一個示例性實施例中，初始化電源線Vin被設置在與電容器電極CE相同的層上，并由與電容器電極CE相同的材料形成。在一個示例性實施例中，初始化電源線Vin可以被設置在與電容器電極CE不同的層上，并且可以由不同的材料形成。
[0145]OLED包括第一電極El、有機發射層和第二電極。第一電極El經由接觸孔連接到第六薄膜晶體管Τ6的第六漏電極D6。第一電極Ε1、有機發射層和第二電極可以被順序層疊。第一電極El和第二電極中的一個或多個可以是，例如，光透射電極、光反射電極和光透反電極中的至少一種。從有機發射層福射的光可以朝第一電極El和第二電極中的一個或多個發射。
[0146]覆蓋OLED的蓋層可以被設置在OLED上，并且薄膜封裝層或封裝基板可以被設置在OLED上，同時將蓋層插入在其間。
[0147]參考圖3至圖5，將詳細描述第一像素PXl、第二像素ΡΧ2和第三像素ΡΧ3中的第一像素PXl，其相比于第二像素ΡΧ2和第三像素ΡΧ3進一步包括導線WI。
[0148]圖4是根據一個示例性實施例的沿線IV-1V截取的圖3的剖視圖。圖5是根據一個示例性實施例的沿線V-V截取的圖3的剖視圖。為了便于描述，圖4和圖5分別示出了數據線DA、連接線CL和導線WI的橫截面。
[0149]參考圖3至圖5，第一像素PXl對應于通過下面進一步描述的修復OLED顯示器的方法修復的像素。被包括在第一像素PXl中的數據線DA和連接線CL具有與第二像素ΡΧ2和第三像素ΡΧ3的結構不同的結構。
[0150]在本文所描述的示例中，第一像素PXl的像素電路PC與第二像素ΡΧ2和第三像素ΡΧ3的像素電路PC中的每一個的區別可以在于它是有缺陷的并且第一像素PXl的像素電路PC與OLED切斷。
[0151]第一像素PXl進一步包括將數據線DA的一部分連接(例如直接連接)到連接線CL的一部分的導線WI。接觸導線WI的數據線DA的一部分和連接線CL的一部分中的一個或多個表面呈曲面。
[0152]例如，在一個示例性實施例中，第一像素PXl的數據線DA包括第一部分PAl、第二部分ΡΑ2和第三部分ΡΑ3，并且連接線CL包括第四部分ΡΑ4、第五部分ΡΑ5和第六部分ΡΑ6。導線WI包括第一子導線Wl和第二子導線W2。
[0153]數據線DA的第一部分PAl經由第一子導線Wl連接到連接線CL的第四部分PA4，并且第一子導線Wl將數據線DA的第一部分PAl連接(例如直接連接)到被設置在同一層上的連接線CL的第四部分PA4。第一子導線Wl被設置在數據線DA上和連接線CL上，并接觸(例如直接接觸)數據線DA和連接線CL中的每一個。
[0154]數據線DA的第二部分PA2經由第二子導線W2連接到連接線CL的第五部分PA5，并且第二子導線W2將數據線DA的第二部分PA2連接(例如直接連接)到被設置在同一層上的連接線CL的第五部分PA5。第二子導線W2被設置在數據線DA上和連接線CL上，并接觸(例如直接接觸)數據線DA和連接線CL中的每一個。
[0155]在一個示例性實施例中，由第一子導線Wl連接的數據線DA的第一部分PAl和連接線CL的第四部分PA4中的每一個的表面以及由第二子導線W2連接的數據線DA的第二部分PA2和連接線CL的第五部分PA5中的每一個的表面呈曲面。
[0156]其結果是，在一個示例性實施例中，由于被直接連接到第一子導線Wl的數據線DA的第一部分PAl和連接線CL的第四部分PA4中的每一個具有呈曲面的表面并直接接觸第一子導線Wl，并且被直接連接到第二子導線W2的數據線DA的第二部分PA2和連接線CL的第五部分PA5中的每一個的表面呈曲面，第一子導線Wl和第二子導線W2中的每一個有效地連接數據線DA和連接線CL。例如，在一個比較例中，當導線WI被直接連接到其上的連接線CL的表面和數據線DA的表面中的每一個具有棱角時，導線WI可能不期望地被棱角切斷，使得數據線DA和連接線CL沒有被導線WI連接。然而，根據本發明的示例性實施例，由于導線WI被直接連接到其上的數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2中的每一個的表面以及連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5中的每一個的表面呈曲面，被設置在數據線DA和連接線CL之間的導線WI可有效地連接數據線DA和連接線CL。
[0157]在一個示例性實施例中，數據線DA的除了第一部分PAl和第二部分PA2之外的部分的表面具有棱角，而第一部分PAl和第二部分PA2不具有棱角，并且連接線CL的除了連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5之外的部分的表面具有棱角，而第四部分PA4和第五部分PA5不具有棱角。也就是說，根據一個示例性實施例，數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2以及連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5的表面具有不包括任何棱角/銳邊的弧形/圓形形狀。
[0158]在一個示例性實施例中，被設置在數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2之間的第三部分PA3與第一部分PAl和第二部分PA2切斷并隔離，同時連接到像素電路PC，并且連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5以及它們之間的第六部分PA6與其它部分切斷并隔離。
[0159]因此，第一像素PXl的數據線DA的第一部分PAl經由第一子導線Wl、連接線CL的第四部分PA4、第六部分PA6和第五部分PA5、以及第二子導線W2連接到數據線DA的第二部分PA2。另外，經由連接到第一像素PXl的數據線DA發送的數據信號可以在繞過第一像素PXl的像素電路PC并通過數據線DA的第一部分PAl、第一子導線Wl、連接線CL的第四部分PA4、第六部分PA6和第五部分PA5、第二子導線W2和數據線DA的第二部分PA2之后被提供到被設置在第一像素PXl下方的另一像素。
[0160]也就是說，有缺陷的第一像素PXl的像素電路PC沒有連接到數據線DA，并且經由數據線DA發送的數據信號經由導線WI和連接線CL被提供到除了第一像素PXl之外的像素。因此，當多個像素發射光時，第一像素PXl不發射光，使得阻止第一像素PXl被識別出。
[0161]也就是說，有缺陷的第一像素PXl被修復，并且因而提供了能夠阻止有缺陷的第一像素PXl被識別出的OLED顯示器。
[0162]參考圖6，將描述根據本發明的一個示例性實施例的OLED顯示器的效果。
[0163]圖6A示出了根據一個比較例的常規OLED顯示器的修復部分的剖視面，并且圖6B示出了根據本發明的一個示例性實施例的OLED顯示器的修復部分。
[0164]如圖6A所示，在根據一個比較例的常規OLED顯示器中，由于直接接觸導線W的數據線SD的表面包括棱角，導線W不期望地被棱角切斷，并且導線W無法將數據線SD連接到連接線。
[0165]與此相反，如圖6B所示，在一個示例性實施例中，由于導線被直接連接到其上的數據線的表面呈曲面，導線有效地連接數據線和連接線。
[0166]如上所述，在根據本發明的一個示例性實施例的OLED顯示器中，接觸導線WI的數據線DA的一部分和連接線CL的一部分的一個或多個表面呈曲面，使得導線WI有效地將數據線DA連接到連接線CL。因而，可以提供允許修復工作更有效地進行的OLED顯示器。
[0167]參考圖7至圖9，將描述根據本發明的一個示例性實施例的OLED顯示器的修復方法。使用本文描述的OLED顯示器的修復方法可以提供根據一個示例性實施例的上述OLED顯示器。
[0168]圖7是示出了根據一個示例性實施例的OLED顯示器的修復方法的流程圖。圖8和圖9是根據當前示例性實施例的被用來描述OLED顯示器的修復方法的OLED顯示器的多個像素中的第一像素、第二像素和第三像素的布局圖。
[0169]如圖7和圖8所示，一條數據線的一部分和一條連接線的一部分的一個或多個表面被處理成曲面(S100)。
[0170]例如，在一個示例性實施例中，可以進行點亮檢查，以確定像素電路PC是否有缺陷，像素電路PC包括是被包括在OLED顯示器中的多個像素的相應的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的多個薄膜晶體管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7。如果第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3中的第一像素PXl被確定為有缺陷，則是連接到第一像素PXl的一個像素電路PC的一條數據線DA的一部分的第一部分PAl和第二部分PA2中的每一個的表面以及與一條數據線DA相鄰的一條連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5中的每一個的表面被處理成曲面。
[0171]例如，在一個示例性實施例中，使用激光束，是數據線DA的一部分的第一部分PAl和第二部分PA2中的每一個的表面以及一條連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5中的每一個的表面可以被處理成曲面。然而，本發明的示例性實施例不限于此。例如，根據示例性實施例，可以使用各種方法來將數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2中的每一個的表面以及連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5中的每一個的表面處理成曲面。
[0172]接著，如圖9所示，導線被用來將一條數據線的一部分連接到一條連接線的一部分(S200)。
[0173]例如，導線WI被用來將一條數據線DA的一部分連接到一條連接線CL的一部分。
[0174]例如，在一個示例性實施例中，使用沉積工藝，第一子導線Wl被用來連接(例如直接連接)數據線DA的第一部分PAl和連接線CL的第四部分PA4，并且第二子導線W2被用來連接(例如直接連接)數據線DA的第二部分PA2和連接線CL的第五部分PA5。
[0175]另外，第一像素PXl的數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2之間的第三部分PA3與第一部分PAl和第二部分PA2切斷并隔離，同時連接到一個像素電路PC，并且連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5以及它們之間的第六部分PA6與其它部分切斷并隔離。
[0176]如上所述，使用根據一個示例性實施例的OLED顯示器的修復方法，可以提供根據一個示例性實施例的上述OLED顯示器。
[0177]在一個示例性實施例中，數據線DA由導線WI連接到連接線CL，并且數據線DA可以由導線WI連接到驅動電源線ELVDD或與數據線DA設置在同一層上的另一線。
[0178]如上所述，在根據一個示例性實施例的OLED顯示器的修復方法中，數據線DA的一部分和連接線CL的一部分中的一個或多個表面被處理成曲面，并且導線WI被用來連接具有成曲面的表面的數據線DA的一部分和連接線CL的一部分，使得導線WI有效地連接數據線DA和連接線CL。也就是說，提供了其中修復工作可以由導線WI有效地進行的OLED顯示器的修復方法。
[0179]參考圖10至圖12，將描述根據本發明的一個示例性實施例的OLED顯示器。
[0180]參考圖10，將描述根據一個示例性實施例的OLED顯示器的多個像素PXn的被設置在基板SUB的顯示區域DIA中以彼此相鄰的第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3的布置。
[0181]圖10是根據一個示例性實施例的OLED顯示器的多個像素中的第一像素、第二像素和第三像素的布局圖。
[0182]如圖10所示，被設置在基板SUB上以彼此相鄰的第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3分別包括第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6、第七薄膜晶體管T7、第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM、電容器Cst、數據線DA、驅動電源線ELVDD、柵橋GB、連接線CL、初始化電源線Vin以及0LED。這里，第一像素PXl與第二像素PX2和第三像素PX3的區別在于它進一步包括導線WI。
[0183]柵橋GB、電容器Cst以及是各個第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3的多個薄膜晶體管的第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6和第七薄膜晶體管T7可以形成像素電路PC。
[0184]第一薄膜晶體管Tl被設置在基板SUB上，并且包括第一有源層Al和第一柵電極Gl。
[0185]第一有源層Al包括第一源電極S1、第一溝道Cl和第一漏電極Dl。第一源電極SI連接到第二薄膜晶體管T2的第二漏電極D2和第五薄膜晶體管T5的第五漏電極D5中的每一個。第一漏電極DI連接到第三薄膜晶體管T3的第三源電極S3和第六薄膜晶體管T6的第六源電極S6中的每一個。是第一有源層Al的重疊第一柵電極Gl的溝道區的第一溝道Cl被彎曲至少一次以延伸，并且由于第一溝道Cl被彎曲至少一次以在重疊第一柵電極Gl的有限空間內延伸使得第一溝道Cl的長度被延長，寬驅動范圍的柵極電壓可以被施加到第一柵電極G1。因此，被施加到第一柵電極Gl的柵極電壓可以在寬驅動范圍內變化，以更精確地控制從OLED發射的光的灰度級，從而提高在OLED顯示器上顯示的圖像的質量。第一有源層Al可以被修改成具有各種形狀，諸如例如“倒S”、“S”、“M”、“W”等。
[0186]第一有源層Al可以由例如多晶硅或氧化物半導體形成。氧化物半導體可以包括基于例如鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物和其復合氧化物(諸如，例如，氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO4)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦錯(In-Zr-O)、氧化銦錯鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦錯錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦錯鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、氧化銦鋅鋁(In-Zn-Al-O)、氧化銦錫鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銦鋁鎵(In-Al-Ga-O)、氧化銅組(In-Ta-O)、氧化銅組梓(In-Ta-Zn-O)、氧化銅組錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銦鍺錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銅錯嫁(In-Ge-Ga-O)、氧化欽銅梓(T1-1n-Zn-O)和氧化給銅梓(Hf-1n-Zn-O))中的一種。在一個示例性實施例中，當第一有源層Al由氧化物半導體形成時，可以增加單獨的鈍化層，以保護氧化物半導體，氧化物半導體可容易受到來自諸如例如高溫等的外部環境的元素的影響。
[0187]第一有源層Al的第一溝道Cl可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第一源電極SI和第一漏電極Dl彼此隔開，同時將第一溝道Cl插入在其間，并且可以被摻雜有與摻雜在第一溝道Cl中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。
[0188]第一柵電極Gl被設置在第一有源層Al的第一溝道Cl上，并是島的形狀。第一柵電極GI由柵橋GB連接到第四薄膜晶體管T4的第四漏電極D4和第三薄膜晶體管T3的第三漏電極D3，接觸孔通過柵橋GB連接。第一柵電極Gl重疊電容器電極CE，并且可以用作第一薄膜晶體管Tl的柵電極和電容器Cst的另一電極二者。也就是說，第一柵電極Gl連同電容器電極CE形成電容器Cst。
[0189]第二薄膜晶體管T2被設置在基板SUB上，并且包括第二有源層A2和第二柵電極G2。第二有源層A2包括第二源電極S2、第二溝道C2和第二漏電極D2。第二源電極S2經由接觸孔連接到數據線DA，并且第二漏電極D2連接到第一薄膜晶體管Tl的第一源電極SI。是第二有源層A2的重疊第二柵電極G2的溝道區的第二溝道C2被設置在第二源電極S2和第二漏電極D2之間。也就是說，第二有源層A2連接到第一有源層Al。
[0190]第二有源層A2的第二溝道C2可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第二源電極S2和第二漏電極D2可以彼此隔開，同時將第二溝道C2插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第二溝道C2中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第二有源層A2與第一有源層Al被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0191]第二柵電極G2被設置在第二有源層A2的第二溝道C2上，并與第一掃描線Sn—體形成。
[0192]第三薄膜晶體管T3被設置在基板SUB上，并且包括第三有源層A3和第三柵電極G3。
[0193]第三有源層A3包括第三源電極S3、第三溝道C3和第三漏電極D3。第三源電極S3連接到第一漏電極D1，并且第三漏電極D3通過接觸孔經其到達的柵橋GB連接到第一薄膜晶體管Tl的第一柵電極G1。是第三有源層A3的重疊第三柵電極G3的溝道區的第三溝道C3被設置在第三源電極S3和第三漏電極D3之間。也就是說，第三有源層A3將第一有源層Al連接到第一柵電極Gl。
[0194]第三有源層A3的第三溝道C3可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第三源電極S3和第三漏電極D3彼此隔開，同時將第三溝道C3插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第三溝道C3中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第三有源層A3與第一有源層Al和第二有源層A2被形成在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0195]第三柵電極G3被設置在第三有源層A3的第三溝道C3上，并與第一掃描線Sn—體形成。第三柵電極G3被形成為雙柵電極。
[0196]第四薄膜晶體管T4被設置在基板SUB上，并且包括第四有源層A4和第四柵電極G4。
[0197]第四有源層A4包括第四源電極S4、第四溝道C4和第四漏電極D4。第四源電極S4經由接觸孔連接到與連接線CL相連接的初始化電源線Vin，并且第四漏電極D4經由接觸孔經其到達的柵橋GB連接到第一薄膜晶體管Tl的第一柵電極G1。是第四有源層A4的重疊第四柵電極G4的溝道區的第四溝道C4被設置在第四源電極S4和第四漏電極D4之間。也就是說，第四有源層A4將初始化電源線Vin連接到第一柵電極Gl，同時連接到第三有源層A3和第一柵電極Gl中的每一個。
[0198]第四有源層A4的第四溝道C4可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第四源電極S4和第四漏電極D4可以彼此隔開，同時將第四溝道C4插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第四溝道C4中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第四有源層A4與第一有源層Al、第二有源層A2和第三有源層A3被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0199]第四柵電極G4被設置在第四有源層A4的第四溝道C4上，并與第二掃描線Sn-1—體形成。第四柵電極G4被形成為雙柵電極。
[0200]第五薄膜晶體管T5被設置在基板SUB上，并且包括第五有源層A5和第五柵電極G5。
[0201]第五有源層A5包括第五源電極S5、第五溝道C5和第五漏電極D5。第五源電極S5經由接觸孔連接到驅動電源線ELVDD，并且第五漏電極D5連接到第一薄膜晶體管Tl的第一源電極SI。是第五有源層A5的重疊第五柵電極G5的溝道區的第五溝道C5被設置在第五源電極S5和第五漏電極D5之間。也就是說，第五有源層A5將驅動電源線ELVDD連接到第一有源層Al0
[0202]第五有源層A5的第五溝道C5可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第五源電極S5和第五漏電極D5可以彼此隔開，同時將第五溝道C5插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第五溝道C5中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第五有源層A5與第一有源層Al、第二有源層A2、第三有源層A3和第四有源層A4被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0203]第五柵電極G5被設置在第五有源層A5的第五溝道C5上，并與發光控制線EM—體形成。
[0204]第六薄膜晶體管T6被設置在基板SUB上，并且包括第六有源層A6和第六柵電極G6。
[0205]第六有源層A6包括第六源電極S6、第六溝道C6和第六漏電極D6。第六源電極S6連接到第一薄膜晶體管Tl的第一漏電極Dl，并且第六漏電極D6經由接觸孔連接到OLED的第一電極E1。是第六有源層A6的重疊第六柵電極G6的溝道區的第六溝道C6被設置在第六源電極S6和第六漏電極D6之間。也就是說，第六有源層A6將第一有源層Al連接到OLED的第一電極El0
[0206]第六有源層A6的第六溝道C6可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第六源電極S6和第六漏電極D6彼此隔開，同時將第六溝道C6插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第六溝道C6中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第六有源層A6與第一有源層Al、第二有源層A2、第三有源層A3、第四有源層A4和第五有源層A5被形成在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0207]第六柵電極G6被設置在第六有源層A6的第六溝道C6上，并與發光控制線EM—體形成。
[0208]第七薄膜晶體管T7被設置在基板SUB上，并且包括第七有源層A7和第七柵電極G7。
[0209]第七有源層A7包括第七源電極S7、第七溝道C7和第七漏電極D7。第七源電極S7可以連接到圖10未示出的另一像素(例如被設置在圖10所示的像素上方的像素)的OLED的第一電極，并且第七漏電極D7連接到第四薄膜晶體管T4的第四源電極S4。是第七有源層A7的重疊第七柵電極G7的溝道區的第七溝道C7被設置在第七源電極S7和第七漏電極D7之間。也就是說，第七有源層A7將OLED的第一電極連接到第四有源層A4。
[0210]第七有源層A7的第七溝道C7可以是摻雜有N型雜質或者P型雜質的溝道。第七源電極S7和第七漏電極D7彼此隔開，同時將第七溝道C7插入在其間，以被摻雜有與摻雜在第七溝道C7中的摻雜雜質相反類型的摻雜雜質。第七有源層A7與第一有源層Al、第二有源層A2、第三有源層A3、第四有源層A4、第五有源層A5和第六有源層A6被設置在同一層上，由相同的材料形成，并一體形成。
[0211 ]第七柵電極G7被設置在第七有源層A7的第七溝道C7上，并與第三掃描線Sn_2—體形成。
[0212]第一掃描線Sn被設置在第二有源層A2和第三有源層A3上，以在橫過第二有源層A2和第三有源層A3的方向上延伸，并且與第二柵電極G2和第三柵電極G3—體形成并連接到第二柵電極G2和第三柵電極G3。
[0213]第二掃描線Sn-1被設置在第四有源層A4上，同時與第一掃描線Sn隔開，在橫過第四有源層A4的方向上延伸，并且與第四柵電極G4—體形成并連接到第四柵電極G4。
[0214]第三掃描線Sn-2被設置在第七有源層A7上，同時與第二掃描線Sn-1隔開，在橫過第七有源層A7的方向上延伸，并且與第七柵電極G7—體形成并連接到第七柵電極G7。
[0215]發光控制線EM被設置在第五有源層A5和第六有源層A6上，同時與第一掃描線Sn隔開，在橫過第五有源層A5和第六有源層A6的方向上延伸，并且與第五柵電極G5和第六柵電極G6—體形成并連接到第五柵電極G5和第六柵電極G6。
[0216]在一個示例性實施例中，如上所述的發光控制線EM、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-Ι、第一掃描線Sn、第一柵電極G1、第二柵電極G2、第三柵電極G3、第四柵電極G4、第五柵電極G5、第六柵電極G6和第七柵電極G7被設置在同一層上并且由相同的材料形成。在一個示例性實施例中，發光控制線EM、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-1、第一掃描線Sn、第一柵電極G1、第二柵電極G2、第三柵電極G3、第四柵電極G4、第五柵電極G5、第六柵電極G6和第七柵電極G7可以分別被選擇性地設置在不同的層上，并且可以由不同的材料形成。
[0217]電容器Cst包括彼此面對同時在其間插入了絕緣層的一個電極和另一電極。上述一個電極可以是電容器電極CE，并且另一電極可以是第一柵電極G1。電容器電極CE被設置在第一柵電極Gl上，并且經由接觸孔連接到驅動電源線ELVDD。
[0218]電容器電極CE連同第一柵電極Gl形成電容器Cst。第一柵電極Gl和電容器電極CE分別在不同層上由不同金屬或相同金屬形成。
[0219]電容器電極CE包括暴露第一柵電極GI的一部分的開口OA。柵橋GB經由開口 OA連接到第一柵電極Gl。
[0220]數據線DA被設置在第一掃描線Sn上，并在與第一掃描線Sn相交的一個方向上延伸，并且多條數據線DA分別被設置為在與該一個方向相交的另一方向上彼此隔開。數據線DA經由接觸孔連接到第二有源層A2的第二源電極S2。數據線DA延伸跨過第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM和初始化電源線Vin。
[0221]驅動電源線ELVDD與數據線DA隔開，并且被設置在第一掃描線Sn上，以在與第一掃描線Sn相交的一個方向上延伸，并經由接觸孔連接到與電容器電極CE和第一有源層Al連接的第五有源層A5的第五源電極S5。驅動電源線ELVDD延伸跨過第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM和初始化電源線Vin。
[0222]柵橋GB與驅動電源線ELVDD隔開，并經由接觸孔連接到第三有源層A3的第三漏電極D3和第四有源層A4的第四漏電極D4中的每一個，使得其經由接觸孔連接到由電容器電極CE的開口 OA暴露的第一柵電極Gl。也就是說，柵橋GB將第一薄膜晶體管Tl分別連接到第三薄膜晶體管T3和第四薄膜晶體管T4。
[0223]連接線CL被設置在相鄰的數據線DA之間，并且在與是數據線DA的延伸方向的一個方向基本上平行的方向上延伸。連接線CL連接到初始化電源線Vin，并經由初始化電源線Vin連接到第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一個。由于連接線CL在與該一個方向基本上平行的方向上延伸并且初始化電源線Vin在與連接線CL相交的方向上延伸，所以連接線CL和初始化電源線Vin具有跨過整個基板SUB的平面矩陣形式。
[0224]連接線CL被設置在與如上所述的柵橋GB、數據線DA和驅動電源線ELVDD相同的層上，并由相同材料形成。在一個示例性實施例中，連接線CL、數據線DA、驅動電源線ELVDD和柵橋GB可以分別被選擇性地設置在不同的層上，并且可以由不同的材料形成。
[0225]在一個示例性實施例中，初始化電源線Vin在與連接線CL的延伸方向相交的方向上延伸，并在與如上所述的其中多條數據線DA被分別布置的另一方向基本上平行的方向上延伸。初始化電源線Vin經由接觸孔連接到連接線CL，并且還經由接觸孔連接到第四有源層A4的第四源電極S4 ο初始化電源線Vin被設置在與電容器電極CE相同的層上，并且由與電容器電極CE相同的材料形成。在一個示例性實施例中，初始化電源線Vin可以被設置在與電容器電極CE不同的層上，并且可以由不同的材料形成。
[0226]OLED包括第一電極El、有機發射層和第二電極。第一電極El經由接觸孔連接到第六薄膜晶體管T6的第六漏電極D6。第一電極E1、有機發射層和第二電極可以被順序層疊。第一電極El和第二電極中的一個或多個可以是光透射電極、光反射電極和光透反電極中的至少一種，并且從有機發射層福射的光可以朝第一電極El和第二電極中的一個或多個發射。
[0227]覆蓋OLED的蓋層可以被設置在OLED上，并且薄膜封裝層或封裝基板可以被設置在OLED上，同時將蓋層插入在其間。
[0228]參考圖10至圖12，將詳細描述第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3中的第一像素PX1，其相比于第二像素PX2和第三像素PX3進一步包括導線WI。
[0229]圖11是根據一個示例性實施例的沿線IV-1V截取的圖10的剖視圖。圖12是根據一個示例性實施例的沿線V-V截取的圖10的剖視圖。為了便于描述，圖11和圖12分別示出了數據線DA、連接線CL和導線WI的橫截面。
[0230]如圖10至圖12所示，第一像素PXl是由下面描述的OLED顯示器的修復方法修復的像素，并且被包括在第一像素PXl中的數據線DA和連接線CL具有與第二像素PX2和第三像素PX3的結構不同的結構，并具有切斷的中間部分。被包括在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一個中的數據線DA和連接線CL的表面具有相同的形狀。
[0231]在本文所描述的示例中，第一像素PXl的像素電路PC與第二像素PX2和第三像素PX3的像素電路PC中的每一個的區別可以在于它是有缺陷的并且第一像素PXl的像素電路PC與OLED切斷。
[0232]第一像素PXl進一步包括將數據線DA的一部分連接(例如直接連接)到連接線CL的一部分的導線WI。接觸該導線WI的數據線DA的一部分和連接線CL的一部分中的一個或多個表面呈曲面。
[0233]另外，與連接到第一像素PXl的一條數據線DA的一部分對應的連接到第二像素PX2和第三像素PX3中的每一個的多條數據線DA中的每一條數據線的一部分的表面呈曲面。
[0234]另外，與連接到第一像素PXl的一條連接線CL的一部分對應的多條連接線CL中的每一條連接線的一部分的表面也呈曲面。
[0235]例如，第一像素PXl的數據線DA包括第一部分PAl、第二部分PA2和第三部分PA3，并且連接線CL包括第四部分PA4、第五部分PA5和第六部分PA6。導線WI包括第一子導線Wl和第二子導線W2。
[0236]數據線DA的第一部分PAl經由第一子導線Wl連接到連接線CL的第四部分PA4，并且第一子導線Wl連接(例如直接連接)被設置在同一層上的數據線DA的第一部分PAl和連接線CL的第四部分PA4。第一子導線Wl被設置在數據線DA上和連接線CL上，并且接觸(例如直接接觸)數據線DA和連接線CL中的每一個。
[0237]數據線DA的第二部分PA2經由第二子導線W2連接到連接線CL的第五部分PA5，并且第二子導線W2將數據線DA的第二部分PA2連接(例如直接連接)到被設置在同一層上的連接線CL的第五部分PA5。第二子導線W2被設置在數據線DA上和連接線CL上，并且接觸(例如直接接觸)數據線DA和連接線CL中的每一個。
[0238]由第一子導線Wl連接的數據線DA的第一部分PAl和連接線CL的第四部分PA4中的每一個的表面以及由第二子導線W2連接的數據線DA的第二部分PA2和連接線CL的第五部分PA5中的每一個的表面呈曲面。類似地，多條數據線DA中的每一條數據線的第一部分PAl和第二部分PA2中的每一個的表面也呈曲面，并且多條連接線CL中的每一條連接線的第四部分PA4和第五部分PA5中的每一個的表面也呈曲面。
[0239]這樣，被直接連接到第一子導線Wl的數據線DA的第一部分PAl和連接線CL的第四部分PA4中的每一個的表面呈曲面，以直接接觸第一子導線Wl，并且被直接連接到第二子導線W2的數據線DA的第二部分PA2和連接線CL的第五部分P5中的每一個的表面呈曲面。其結果是，第一子導線Wl和第二子導線W2中的每一個有效地將數據線DA連接到連接線CL。例如，在一個比較例中，當導線WI被直接連接到其上的連接線CL的表面和數據線DA的表面中的每一個具有棱角時，導線WI可能不期望地被棱角切斷，使得數據線DA和連接線CL之間的連接不由導線WI進行。然而，根據本發明的示例性實施例，由于導線WI被直接連接到其上的數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2中的每一個的表面以及連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5中的每一個的表面呈曲面，因此導線WI有效地將數據線DA連接到連接線CL。
[0240]在一個示例性實施例中，數據線DA的除了第一部分PAl和第二部分PA2之外的部分的表面具有棱角，而第一部分PAl和第二部分PA2不具有棱角，并且連接線CL的除了連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5之外的部分的表面具有棱角，而第四部分PA4和第五部分PA5不具有棱角。也就是說，根據一個示例性實施例，數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2以及連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5的表面具有不包括任何棱角/銳邊的弧形/圓形形狀。
[0241 ]在一個示例性實施例中，被設置在數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2之間的第三部分PA3與第一部分PAl和第二部分PA2切斷并隔離，同時連接到像素電路PC，并且連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5以及位于第四部分和第五部分之間的第六部分PA6與其它部分切斷并隔尚。
[0242]因此，第一像素PXl的數據線DA的第一部分PAl經由第一子導線Wl、連接線CL的第四部分PA4、第六部分PA6和第五部分PA5、以及第二子導線W2連接到數據線DA的第二部分PA2。另外，經由連接到第一像素PXl的數據線DA發送的數據信號可以在繞過第一像素PXl的像素電路PC并通過數據線DA的第一部分PAl、第一子導線Wl、連接線CL的第四部分PA4、第六部分PA6和第五部分PA5、第二子導線W2和數據線DA的第二部分PA2之后被提供到在第一像素PXl下方的另一像素。
[0243]也就是說，有缺陷的第一像素PXl的像素電路PC沒有連接到數據線DA。因而，經由數據線DA發送的數據信號經由導線WI和連接線CL被提供到除了第一像素PXl之外的像素。因此，當多個像素輻射光時，第一像素PXl不輻射光，因此阻止第一像素PXl被識別出。
[0244]也就是說，有缺陷的第一像素PXl被修復，并且因而提供了能夠阻止有缺陷的第一像素PXl被識別出的OLED顯示器。
[0245]在根據比較例的常規OLED顯示器中，由于直接接觸導線的數據線的表面包括棱角，因此導線被棱角不期望地切斷，并且數據線和連接線之間的連接不由導線進行。
[0246]然而，在本發明的示例性實施例中，由于導線被直接連接到其上的數據線的表面呈曲面，因此導線有效地將數據線連接到連接線。
[0247]如上所述，在根據一個示例性實施例的OLED顯示器中，由于接觸導線WI的數據線DA的一部分和連接線CL的一部分中的一個或多個表面呈曲面，因此導線WI有效地將數據線DA連接到連接線CL。因而，可以提供允許修復工作更有效地進行的OLED。
[0248]另外，在根據一個示例性實施例的OLED顯示器中，由導線WI連接的一條數據線DA的一部分和一條連接線CL的一部分的表面中的每一個呈曲面，并且與一條數據線DA的一部分對應的多條數據線DA中的每一條數據線的一部分的表面和與一條連接線CL的一部分對應的多條連接線CL中的每一條連接線的一部分的表面中的每一個也呈曲面。其結果是，在導線WI被用來將數據線DA連接到連接線CL之前，不需要對數據線DA和連接線CL的表面中的每一個進行曲面處理。
[0249]因而，可以提供允許修復工作更有效地進行的OLED顯示器。
[0250]參考圖13至圖15，將描述根據一個示例性實施例的OLED顯示器的修復方法。使用根據當前示例性實施例的OLED顯示器的修復方法可以提供根據一個示例性實施例的上述OLED顯示器。
[0251]圖13是示出了根據一個示例性實施例的OLED顯示器的修復方法的流程圖。圖14和圖15是根據一個示例性實施例的被用來描述修復OLED顯示器的方法的OLED顯示器的多個像素中的第一像素、第二像素和第三像素的布局圖。
[0252]首先，如圖13和圖14所示，帶有具有呈曲面的表面的一部分的多條數據線與帶有具有呈曲面的表面的一部分的多條連接線被形成(Si OO)。
[0253]例如，當在制造OLED顯示器期間形成多條數據線DA和多條連接線CL時，多條數據線DA中的每一條數據線的第一部分PAl和第二部分PA2中的每一個的表面與多條連接線CL中的每一條連接線的第四部分PA4和第五部分PA5中的每一個的表面被形成為曲面。
[0254]例如，在一個示例性實施例中，當使用光刻工藝形成多條數據線DA和多條連接線CL時，使用半色調掩模將第一部分PAl和第二部分PA2中的每一個的表面形成為曲面，并且使用半色調掩模將多條連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5中的每一個的表面形成為曲面。
[0255]接著，如圖15所示，導線被用來將一條數據線的一部分連接到一條連接線的一部分(S200)。
[0256]例如，在一個示例性實施例中，在進行點亮檢查以確定像素電路PC是否有缺陷之后，像素電路PC包括是被包括在OLED顯示器中的多個像素的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素?乂3中的每一個的多個薄膜晶體管1'1、了2、了3、了4、了5、了6和了7，當第一像素?乂1、第二像素PX2和第三像素PX3中的第一像素PXl被確定為有缺陷的像素時，導線WI被用來將連接到是一個像素電路的第一像素PXl的像素電路PC的一條數據線DA的一部分連接到一條連接線CL的一部分。
[0257]例如，在一個示例性實施例中，使用沉積工藝，第一子導線Wl被用來將數據線DA的第一部分PAl直接連接到連接線CL的第四部分PA4，并且第二子導線W2被用來將數據線DA的第二部分PA2直接連接到連接線CL的第五部分PA5。
[0258]另外，第一像素PXl的數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2之間的第三部分PA3與第一部分PAl和第二部分PA2切斷并隔離，同時連接到一個像素電路PC，并且連接線CL的第四部分PA4和第五部分PA5以及它們之間的第六部分PA6與其它部分切斷并隔離。
[0259]如上所述，使用根據當前示例性實施例的OLED顯示器的修復方法，可以提供根據示例性實施例的上述OLED顯示器。
[0260]在一個示例性實施例中，數據線DA由導線WI連接到連接線CL。在一個示例性實施例中，數據線DA可以由與驅動電源線ELVDD或數據線DA設置在同一層上的導線連接到其它線等。在這種情況下，與數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2對應的驅動電源線ELVDD的一部分的表面可以被形成為曲面，與數據線DA的第一部分PAl和第二部分PA2對應的其它線的一部分的表面可以被形成為曲面。
[0261]如上所述，在根據當前示例性實施例的OLED顯示器的修復方法中，數據線DA的一部分和連接線CL的一部分中的一個或多個表面已呈曲面地形成，并且導線WI被用來將具有呈曲面的表面的數據線DA的一部分連接到具有呈曲面的表面的連接線CL的一部分。其結果是，導線WI被用來將數據線DA有效地連接到連接線CL。因而，提供了其中由導線WI有效地進行修復工作的OLED顯示器的修復方法。
[0262]盡管已經參考本發明示例性實施例特別示出和描述了本發明，但是本領域普通技術人員將理解，可以在不背離如下面的權利要求限定的本發明的精神和范圍的情況下對本發明的形式和細節進行各種改變。
【主權項】
1.一種有機發光二極管顯示器，包括: 基板； 多個有機發光二極管，被設置在所述基板上并彼此隔開； 多個像素電路，其中每個像素電路包括多個薄膜晶體管，并且每個像素電路連接到所述多個有機發光二極管中的一個有機發光二極管； 多條數據線，在所述基板上在第一方向上延伸并在與所述第一方向相交的第二方向上彼此隔開，其中所述多條數據線連接到所述多個像素電路； 多條連接線，與所述數據線相鄰并在所述第一方向上延伸，其中所述多條連接線連接到所述多個像素電路;和 導線，將所述多條數據線中的一條數據線的一部分直接連接到所述多條連接線中與所述一條數據線相鄰的一條連接線的一部分， 其中接觸所述導線的所述一條數據線的所述一部分和所述一條連接線的所述一部分中的一個或多個表面呈曲面。2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述導線包括: 第一子導線，將所述一條數據線的第一部分直接連接到所述一條連接線的第四部分；和 第二子導線，與所述第一子導線隔開并將所述一條數據線的第二部分直接連接到所述一條連接線的第五部分。3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器，其中所述多個像素電路中連接到所述一條數據線的一個像素電路具有缺陷，并且所述一個像素電路與對應的有機發光二極管切斷。4.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示器，進一步包括: 第三部分，被設置在所述一條數據線的所述第一部分和所述第二部分之間， 其中所述第三部分與所述第一部分和所述第二部分切斷并隔離，并連接到所述一個像素電路， 其中所述一條連接線的所述第四部分、所述第五部分以及被設置在所述第四部分和所述第五部分之間的第六部分與所述一條連接線的其它部分切斷并隔離， 其中所述一條數據線的所述第一部分經由所述第一子導線、所述一條連接線的所述第四部分、所述第六部分和所述第五部分、以及所述第二子導線連接到所述一條數據線的所述第二部分。5.一種修復有機發光二極管顯不器的方法，包括: 對連接到多個像素電路的多條數據線中的一條數據線的一部分和與所述一條數據線相鄰的一條連接線的一部分中的一個或多個表面進行曲面處理，所述多個像素電路包括位于基板上的多個薄膜晶體管;和 使用導線將所述一條數據線的所述一部分連接到所述一條連接線的所述一部分。6.根據權利要求5所述的方法，進一步包括: 對所述一條數據線的第一部分和所述一條數據線的與所述第一部分隔開的第二部分的每個表面進行曲面處理； 對所述一條連接線的第四部分和所述一條連接線的與所述第四部分隔開的第五部分的每個表面進行曲面處理； 使用第一子導線直接連接所述一條數據線的所述第一部分和所述一條連接線的所述第四部分；以及 使用第二子導線直接連接所述一條數據線的所述第二部分和所述一條連接線的所述第五部分。7.根據權利要求6所述的方法，進一步包括: 使被設置在所述一條數據線的所述第一部分和所述第二部分之間的第三部分與所述第一部分和所述第二部分切斷并隔離，其中所述第三部分連接到所述多個像素電路中的一個像素電路；以及 使所述一條連接線的所述第四部分、所述第五部分和第六部分與所述一條連接線的其它部分切斷并隔尚。8.一種有機發光二極管顯示器，包括: 基板； 多個有機發光二極管，被設置在所述基板上并彼此隔開； 多個像素電路，其中每個像素電路包括連接到所述多個有機發光二極管中的一個有機發光二極管的多個薄膜晶體管； 多條數據線，在所述基板上在第一方向上延伸并在與所述第一方向相交的第二方向上彼此隔開，其中所述多條數據線連接到所述多個像素電路； 多條連接線，與所述數據線相鄰并在所述第一方向上延伸，其中所述多條連接線連接到所述多個像素電路;和 導線，將所述多條數據線中的一條數據線的一部分直接連接到所述多條連接線中與所述一條數據線相鄰的一條連接線的一部分， 其中與所述一條數據線的一部分對應的所述多條數據線的一部分的表面和與所述一條連接線的一部分對應的所述多條連接線的一部分的表面呈曲面。9.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示器，其中所述導線包括: 第一子導線，直接連接所述一條數據線的第一部分和所述一條連接線的第四部分;和第二子導線，與所述第一子導線隔開，并且直接連接所述一條數據線的第二部分和所述一條連接線的第五部分。10.一種修復有機發光二極管顯不器的方法，包括: 形成多條數據線， 其中每條數據線的一部分連接到包括被設置在基板上的多個薄膜晶體管的多個像素電路中的一個像素電路，并且所述每條數據線的一部分包括呈曲面的表面； 形成多條連接線， 其中每條連接線的一部分連接到所述多個像素電路中的一個像素電路，并且所述每條連接線的一部分包括呈曲面的表面;和 使用導線將所述多條數據線中的一條數據線的一部分連接到所述多條連接線的一條連接線的一部分。
【文檔編號】G09F9/33GK106098728SQ201610252179
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月21日 公開號201610252179.9, CN 106098728 A, CN 106098728A, CN 201610252179, CN-A-106098728, CN106098728 A, CN106098728A, CN201610252179, CN201610252179.9
【發明人】金泰坤, 金容徹, 李叔真, 鄭恩美
【申請人】三星顯示有限公司