薄膜晶體管陣列面板裝置及具有其的顯示面板的制作方法

薄膜晶體管陣列面板裝置及具有其的顯示面板的制作方法
【專利摘要】提供了一種薄膜晶體管陣列面板裝置及具有其的顯示面板。所述薄膜晶體管陣列面板裝置包括：基礎基底；屏障層，設置在基礎基底上方并包括多個透明材料層；以及薄膜晶體管陣列，設置在屏障層上方。屏障層的折射率和基礎基底的折射率之間的差可以在大約6％以內。可以布置透明材料層，使得具有壓縮殘余應力的透明材料層和具有拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊。每個透明材料層可以包括氮氧化硅(SiON)。
【專利說明】
薄膜晶體管陣列面板裝置及具有其的顯示面板
[0001 ] 本申請要求于2015年4月30日在韓國知識產權局提交的第10-2015-0061482號韓 國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的全部內容通過引用全部包含于此。
技術領域
[0002] 本公開設及一種薄膜晶體管陣列面板和具有該薄膜晶體管陣列面板的顯示面板。
【背景技術】
[0003] 隨著信息導向社會的發展，正在使用諸如有機發光二極管(OLED)顯示面板、液晶 顯示化CD)面板、電泳顯示化PD)面板和電潤濕顯示化WD)面板的各種顯示面板。
[0004] 近年來，顯示裝置已經變得薄且輕質，W及高度移動的。此外，一些顯示裝置甚至 是可彎折的或可折疊的。運樣的顯示裝置可W使用包括聚合物樹脂的柔性基底來代替玻璃 基底。

【發明內容】

[0005] -方面可W提供一種防止濕氣滲透并具有改善的透光率的薄膜晶體管基底。
[0006] 另一方面可W提供一種具有該薄膜晶體管基底的顯示面板。
[0007] 發明的一個方面提供了一種薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面板 裝置可W包括:基礎基底;屏障層，設置在基礎基底上方并包括多個透明材料層，所述多個 透明材料層中的每層是基本透明的；W及薄膜晶體管陣列，設置在屏障層上方，其中，屏障 層的折射率與基礎基底的折射率之間的差在大約6% W內。
[000引在前述的裝置中，多個透明材料層中的每層的折射率與基礎基底的折射率之間的 差可W在大約6% W內。多個透明材料層可W包括第一透明材料層和第二透明材料層，第一 透明材料層和第二透明材料層彼此緊鄰而沒有任何中間透明材料層置于其間，其中，第一 透明材料層具有壓縮殘余應力，第二透明材料層具有拉伸殘余應力。屏障層可W包括W具 有壓縮殘余應力的透明材料層與具有拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式布置 的多層結構的透明材料層。多個透明材料層可W包括具有壓縮殘余應力的最上面的透明材 料層和最下面的透明材料層。
[0009]仍然在前述的裝置中，透明材料層可W由相同的材料形成。透明材料層中的每層 可W包括氮氧化娃（SiON)。所述裝置還可W包括設置在屏障層和薄膜晶體管之間的緩沖 層，其中，緩沖層由與透明材料層的材料相同的材料形成。每個薄膜晶體管可W包括半導體 有源層、柵電極、源電極和漏電極，其中，薄膜晶體管陣列面板裝置還包括設置在半導體有 源層與柵電極之間的柵極絕緣層，其中，柵極絕緣層由與透明材料層的材料相同的材料形 成。所述裝置還可包括使柵電極與源電極和漏電極絕緣的層間絕緣層，其中，層間絕緣層由 與透明材料層的材料相同的材料形成。基礎基底可W包括聚酸諷(PES)、聚丙締酸醋、聚酸 酷亞胺(PEI)、聚糞二甲酸乙二醋(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醋(PET)、聚苯硫酸(PPS)、聚芳 醋(PAR)、聚酷亞胺(PI)、聚碳酸醋(PC)、S醋酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)中的 一種。基礎基底可W包括玻璃纖維增強的塑料(FRP)。
[0010] 發明的另一方面提供了一種顯示面板，所述顯示面板可W包括:前述的薄膜晶體 管陣列面板裝置;和設置在薄膜晶體管陣列面板裝置上方的像素的陣列。
[0011] 在前述的顯示面板中，透明材料層中的每層的折射率與基礎基底的折射率之間的 差可W在大約6% W內。多個透明材料層可W包括第一透明材料層和第二透明材料層，第一 透明材料層和第二透明材料層彼此緊鄰而沒有任何中間透明材料層置于其間，其中，第一 透明材料層具有壓縮殘余應力，第二透明材料層具有拉伸殘余應力。屏障層可W包括W具 有壓縮殘余應力的透明材料層與具有拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式布置 的多層結構的透明材料層。多個透明材料層可包括具有壓縮殘余應力的最上面的透明材料 層和最下面的透明材料層。
[0012] 仍然在前述的顯示面板中，每個透明材料層可W包括氮氧化娃(SiON)。薄膜晶體 管陣列面板裝置還可W包括設置在屏障層與薄膜晶體管之間的緩沖層，其中，緩沖層由與 透明材料層的材料相同的材料形成。每個薄膜晶體管可W包括半導體有源層、柵電極、源電 極和漏電極，其中，薄膜晶體管陣列面板裝置還包括設置在半導體有源層與柵電極之間的 柵極絕緣層，其中，柵極絕緣層由與透明材料層的材料相同的材料形成。
[0013] 還是在前述的顯示面板中，顯示面板還可W包括使柵電極與源電極和漏電極絕緣 的層間絕緣層，其中，層間絕緣層由與透明材料層的材料相同的材料形成。顯示面板還可W 包括設置在薄膜晶體管陣列面板上方的包封面板，用于保護像素免受外部物質的影響，其 中，每個像素包括發光二極管。
[0014] 本發明的又一方面提供了一種薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面 板裝置可W包括:基礎基底;屏障層，設置在基礎基底上方并包括多個透明材料層，多個透 明材料層中的每層是基本透明的；W及薄膜晶體管的陣列，設置在屏障層上方，其中，多個 透明材料層包括第一透明材料層和第二透明材料層，第一透明材料層和第二透明材料層彼 此緊鄰而沒有任何中間透明材料層置于其間，其中，第一透明材料層具有壓縮殘余應力，第 二透明材料層具有拉伸殘余應力。
[0015] 在前述的裝置中，屏障層可W包括W具有壓縮殘余應力的透明材料層與具有拉伸 殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式布置的多層結構的透明材料層。多個透明材料層 可W包括具有壓縮殘余應力的最上面的透明材料層和最下面的透明材料層。每個透明材料 層可W包括氮氧化娃（SiON)。所述裝置還可包括設置在屏障層與薄膜晶體管之間的緩沖 層，其中，緩沖層由與透明材料層的材料相同的材料形成。
[0016] 仍然在前述的裝置中，每個薄膜晶體管可W包括半導體有源層、柵電極、源電極和 漏電極，其中，薄膜晶體管陣列面板裝置還包括設置在半導體有源層與柵電極之間的柵極 絕緣層，其中，柵極絕緣層由與透明材料層的材料相同的材料形成。所述裝置還可包括使柵 電極與源電極和漏電極絕緣的層間絕緣層，其中，層間絕緣層由與透明材料層的材料相同 的材料形成。透明材料層的折射率與基礎基底的折射率之間的差可W在大約6% W內，其 中，薄膜晶體管陣列面板裝置是柔性的。
[0017] 發明的又一方面提供了一種顯示面板，所述顯示面板可W包括:前述的薄膜晶體 管陣列面板裝置;W及像素的陣列，設置在薄膜晶體管陣列面板裝置上方。
[0018] 在前述的顯示面板中，屏障層可W包括W具有壓縮殘余應力的透明材料層與具有 拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式布置的多層結構的透明材料層。多個透明材 料層可W包括具有壓縮殘余應力的最上面的透明材料層和最下面的透明材料層。每個透明 材料層可W包括氮氧化娃(SiON)，其中，薄膜晶體管陣列面板裝置是柔性的。薄膜晶體管陣 列面板裝置還可包括設置在屏障層與薄膜晶體管之間的緩沖層，其中，緩沖層由與透明材 料層的材料相同的材料形成。每個薄膜晶體管可W包括半導體有源層、柵電極、源電極和漏 電極，其中，薄膜晶體管陣列面板裝置還包括設置在半導體有源層與柵電極之間的柵極絕 緣層，其中，柵極絕緣層由與透明材料層的材料相同的材料形成。薄膜晶體管陣列面板裝置 還可包括使柵電極與源電極和漏電極絕緣的層間絕緣層，其中，層間絕緣層由與透明材料 層的材料相同的材料形成。
[0019] 仍然是在前述的顯示面板中，透明材料層的折射率與基礎基底的折射率之間的差 可W在大約6% W內。顯示面板還可W包括設置在薄膜晶體管陣列面板上方的包封面板，用 于保護像素免受外部物質的影響，其中，每個像素包括發光二極管。
[0020] 發明的再一方面提供了一種薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面板 裝置可W包括:基礎基底;屏障層，設置在基礎基底上方并包括多個透明材料層，多個透明 材料層中的每層是基本上透明的并包括氮氧化娃(SiON);薄膜晶體管陣列，設置在屏障層 的上方。
[0021] 在前述的裝置中，多個透明材料層可W包括第一透明材料層和第二透明材料層， 第一透明材料層和第二透明材料層彼此緊鄰而沒有任何中間透明材料層置于其間，其中， 第一透明材料層具有壓縮殘余應力，第二透明材料層具有拉伸殘余應力。屏障層可W包括 W具有壓縮殘余應力的透明材料層和具有拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式 布置的多層結構的透明材料層。多個透明材料層可W包括具有壓縮殘余應力的最上面的透 明材料層和最下面的透明材料層。所述裝置還可包括設置在屏障層與薄膜晶體管之間的緩 沖層，其中，緩沖層包括氮氧化娃(SiON)。
[0022] 仍然在前述的裝置中，每個薄膜晶體管可W包括半導體有源層、柵電極、源電極和 漏電極，其中，薄膜晶體管陣列面板裝置還包括設置在半導體有源層與柵電極之間的柵極 絕緣層，其中，柵極絕緣層包括氮氧化娃(SiON)。所述裝置還可包括使柵電極與源電極和漏 電極絕緣的層間絕緣層，其中，層間絕緣層包括氮氧化娃(SiON)。透明材料層的折射率與基 礎基底的折射率之間的差可W在大約6% W內。
[0023] 仍然是本發明的又一方面提供了一種顯示面板，所述顯示面板可W包括:前述的 薄膜晶體管陣列面板裝置;設置在薄膜晶體管陣列面板裝置上方的像素的陣列。
[0024] 在前述的顯示面板中，多個透明材料層可W包括第一透明材料層和第二透明材料 層，第一透明材料層和第二透明材料層彼此緊鄰而沒有任何中間透明材料層置于其間，其 中，第一透明材料層具有壓縮殘余應力，第二透明材料層具有拉伸殘余應力。屏障層包括W 具有壓縮殘余應力的透明材料層與具有拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式布 置的多層結構的透明材料層。多個透明材料層可W包括具有壓縮殘余應力的最上面的透明 材料層和最下面的透明材料層。
[0025] 還是在所述顯示面板中，薄膜晶體管陣列面板裝置還可W包括設置在屏障層與薄 膜晶體管之間的緩沖層，其中，緩沖層包括氮氧化娃(SiON)。每個薄膜晶體管包括半導體有 源層、柵電極、源電極和漏電極，其中，薄膜晶體管陣列面板裝置還包括設置在半導體有源 層與柵電極之間的柵極絕緣層，其中，柵極絕緣層包括氮氧化娃(SiON)。薄膜晶體管陣列面 板裝置還可W包括使柵電極與源電極和漏電極絕緣的層間絕緣層，其中，層間絕緣層包括 氮氧化娃(SiON)。透明材料層的折射率與基礎基底的折射率之間的差可W在大約5.5% W 內。
[0026] 在實施例中，薄膜晶體管基底可W包括基礎基底、設置在基礎基底上并包括多個 透明材料層的屏障層和設置在屏障層上的薄膜晶體管。屏障層的折射率與基礎基底的折射 率之間的差可W在6%W內。
[0027] 多個透明材料層的折射率與基礎基底的折射率之間的差可W在6% W內。
[0028] 彼此相鄰的透明材料層中的一個可W具有壓應力，另一個可W具有拉應力。屏障 層可W包括交替地堆疊的具有壓應力的透明材料層和具有拉應力的透明材料層。最上面的 透明材料層和最下面的透明材料層可W具有壓應力。
[0029] 薄膜晶體管基底還可W包括設置在屏障層與薄膜晶體管之間的緩沖層。緩沖層可 W包括與透明材料層相同的材料。
[0030] 薄膜晶體管可W包括半導體有源層、柵電極、設置在半導體有源層與柵電極之間 的柵極絕緣層、源電極和漏電極。柵極絕緣層可W包括與透明材料層相同的材料。
[0031] 薄膜晶體管基底還可W包括使柵電極與源電極和漏電極絕緣的層間絕緣層。層間 絕緣層可W包括與透明材料層相同的材料。
[0032] 透明材料層可W包括相同的材料。透明材料層可W包括氮氧化娃(SiON)。
[0033] 基礎基底可W包括聚酸諷(PES)、聚丙締酸醋、聚酸酷亞胺(PEI)、聚糞二甲酸乙二 醋(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醋(PET)、聚苯硫酸(PPS)、聚芳醋(PAR)、聚酷亞胺(PI)、聚碳酸 醋(PC)、S醋酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)中的一種。基礎基底可W包括玻璃纖 維增強的塑料(FRP)。
[0034] 在實施例中，薄膜晶體管基底可W包括基礎基底、設置在基礎基底上并包括多個 透明材料層的屏障層和設置在屏障層上的薄膜晶體管。彼此相鄰的透明材料層的殘余應力 可W具有不同的應力性質。
[0035] 在實施例中，薄膜晶體管基底可W包括基礎基底、設置在基礎基底上并包括多個 透明材料層的屏障層和設置在屏障層上的薄膜晶體管，所述多個透明材料層包括氮氧化娃 (SiON)。
[0036] 在實施例中，顯示面板可W包括薄膜晶體管基底和設置在薄膜晶體管基底上的發 射器件。
[0037] 還可W包括使發射器件與外部環境隔離的包封構件。包封構件可W是面對薄膜晶 體管基底的相對的基底。
[0038] 顯示面板可W包括設置在基礎基底上的屏障層，從而防止濕氣滲透到顯示裝置 中。
[0039] 因為屏障層的折射率與基礎基底的折射率之間的差小，所W可W防止光在屏障層 與基礎基底之間的界面處反射。因此，可W改善顯示面板的透光率。
[0040] 關于屏障層，多個透明材料層可W堆疊，且彼此相鄰的透明材料層中的一個可W 具有壓應力，而另一個可W具有拉應力。因此，可W緩解屏障層內的殘余應力。因此，可W減 小屏障層施加到基礎基底的應力。
【附圖說明】
[0041] 現在，在下文中將參照附圖更充分地描述實施例，然而，運些實施例可W W不同的 方式來實施且不應該理解為限制于在運里闡述的實施例。相反，提供運些實施例，使得本公 開將是徹底的和完整的，并將把實施例的范圍充分地傳達給本領域的技術人員。
[0042] 在附圖中，為了說明的清楚，可W夸大尺寸。將理解的是，當元件被稱為"在"兩個 元件"之間"時，該元件可W是所述兩個元件之間的唯一元件，或也可W存在一個或更多個 中間元件。同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。
[0043] 圖1是用于解釋根據實施例的顯示裝置的分解透視圖。
[0044] 圖2是圖1中示出的顯示裝置的剖視圖。
[0045] 圖3是用于解釋圖1中示出的顯示裝置的剖視圖。
[0046] 圖4是圖3中示出的區域EA的放大視圖。
[0047] 圖5至圖9是用于解釋制造圖1至圖4中示出的顯示面板的方法的工藝剖視圖。
[0048] 圖10是用于解釋根據施加的功率的透明材料層的折射率變化的曲線圖。
[0049] 圖11是用于解釋根據氨氣和一氧化二氮氣體的流量比的透明材料層的折射率變 化的曲線圖。
[0050] 圖12至圖14是用于解釋根據設置在基礎基底上的屏障層的結構的透光率的模擬 曲線圖。
【具體實施方式】
[0051] 在下面詳細的描述中，僅通過舉例說明的方式僅示出和描述了本發明的一些實施 例。如本領域的技術人員將認識到的，在不脫離本發明的精神或范圍的所有情況下，描述的 實施例可W W各種不同的方式修改。因此，附圖和描述被認為本質上是說明性的，而非限制 性的。另外，將理解的是，當元件或層被稱為"在"另一元件或層"上"、"連接到"或"結合到" 另一元件或層時，該元件或層可W直接在所述另一元件或層上、直接連接到或直接結合到 所述另一元件或層，或者可W存在中間元件或層。相反，當元件或層被稱為"直接在"另一元 件或層"上"、"直接連接到"或"直接結合到"另一元件或層時，不存在中間元件或層。同樣的 附圖標記始終表示同樣的元件。如在運里使用的，術語"和/或"包括一個或更多個相關所列 項的任何和所有組合。
[0052] 將理解的是，盡管在運里可W使用術語第一、第二等來描述各種元件、組件、區域、 層和/或部分，但是運些元件、組件、區域、層和/或部分不應該受運些術語的限制。運些術語 僅用來將一個元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分區分開。因此， 在不脫離發明的教導的情況下，下面討論的第一元件、組件、區域、層或部分可W被稱為第 二元件、組件、區域、層或部分。
[0053] 為了便于描述，在運里可W使用諸如"在……之下"、"在……下方"、"下面的"、 "在……上方"和"上面的"等的空間相對術語來描述如圖中示出的一個元件或特征與另外 的元件或特征的關系。將理解的是，空間相對術語意圖包含除了圖中描繪的方位之外裝置 在使用中或操作中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉，則描述為"在"其他元件或特 征"下方"或"之下"的元件然后將位于所述其他元件或特征的"上方"。因此，術語巧……下 方"可W包含上方和下方兩種方位。裝置可W被另外定位(例如，旋轉90度或處于其他方位） 并應該相應地解釋在運里使用的空間相對描述語。
[0054] 在運里使用的術語僅是為了描述具體實施例的目的，并不意圖限制發明于此。如 在運里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數形式"一個"、"一種"和"該(所述r也意 圖包括復數形式。將理解的是，當在本說明書中使用術語"包括"和/或"包含"時，表明存在 陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或更多個其他特 征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0055] 除非另有限定，否則在運里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本 發明所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，術語(諸如通用 字典中定義的術語)應該被解釋為具有與在相關領域的環境中它們的含義相一致的含義， 并將不W理想化的或過于形式化的含義來解釋，除非在運里清楚地運樣定義。
[0056] 圖1是用于解釋根據實施例的顯示裝置的分解透視圖。圖2是圖1中示出的顯示裝 置的剖視圖。
[0057] 參照圖1和圖2,顯示裝置可W包括顯示面板100、殼體200和驅動電路部300。
[0058] 在實施例中，顯示面板100可W是柔性的。顯示面板100可W是基本上透明的，使得 大量光束穿過顯示面板100。另外，顯示面板100可W包括用于顯示圖像的顯示區域DA和在 顯示區域DA外圍處的非顯示區域NDA。
[0059] 然而，顯示面板100不限于此。例如，但不限于此，諸如有機發光顯示(OLED)面板的 自發光型顯不面板可W用于顯不面板100。另外，諸如液晶顯不化CD)面板、電泳顯不化PD) 面板和電潤濕顯示巧WD)面板的非發射顯示面板可W用于顯示面板100。如果非發射顯示面 板用于顯示面板100,則使用該顯示面板的移動裝置可W包括用于將光提供到顯示面板100 的背光單元。在實施例中，描述有機發光顯示面板作為顯示面板100的示例。
[0060] 顯示區域DA可W包括多個像素區域。從像素區域發射的光可W具有不同的顏色。 例如，但是不限于此，從像素區域發射的光可W具有下面的顏色中的一種：紅色、綠色、藍 色、藍綠色、品紅色和黃色。
[0061] 顯示面板100可W包括可W被稱為薄膜晶體管陣列面板的薄膜晶體管基底110、設 置在薄膜晶體管基底110上的每個像素區域中的顯示器件W及可W稱為將顯示器件與外部 環境分開或隔離的包封面板的密封構件120。顯示器件可W設置在每個像素區域中。在實施 例中，為了提供柔性的顯示器，薄膜晶體管陣列面板110和包封面板120是柔性的。
[0062] 在每個像素區域中，薄膜晶體管基底110可W包括基礎基底和設置在基礎基底上 的至少一個薄膜晶體管。在實施例中，薄膜晶體管的陣列形成在基礎基底上方。
[0063] 在實施例中，顯示器件可W是有機發光器件。例如，但不限于此，顯示器件可W包 括結合到薄膜晶體管的第一電極、設置在第一電極上的有機層和設置在有機層上的第二電 極。第一電極和第二電極中的一個可W是陽極電極，另一個可W是陰極電極。第一電極和第 二電極中的至少一個可W是透射電極。例如，但不限于此，如果顯示器件是底部發射型有機 發光器件，則第一電極可W是透射電極，第二電極可W是反射電極。如果顯示器件是頂部發 射型有機發光器件，則第一電極可W是反射電極，第二電極可W是透射電極。如果顯示器件 是頂部和底部兩者發射型的有機發光器件，則第一電極和第二電極可W是透射電極。
[0064] 有機層可W至少包括發射層化ML)。通常，有機層可W具有多層薄膜結構。來自發 射層的光的顏色可W是紅色、綠色、藍色和白色中的一種。然而，其不限于此。例如，但不限 于此，來自發射層的光的顏色可W是品紅色、藍綠色和黃色中的一種。
[0065] 密封構件120可W使顯示器件與外部環境隔離。密封構件120可W是面對薄膜晶體 管基底110的密封基底。密封構件120可W通過密封劑附著到薄膜晶體管基底110。密封劑可 W設置在非顯示區域NDA中。
[0066] 密封構件120可W是密封層，該密封層包括覆蓋顯示器件化抓的多個無機層和多 個有機層。密封層可W在第二電極E2上防止濕氣和氧滲透到顯示器件OL邸中。
[0067] 密封構件120的面積可W小于或基本等于薄膜晶體管基底110的面積。例如，但不 限于此，密封構件120可W覆蓋薄膜晶體管基底110的顯示區域DA并暴露非顯示區域NDA的 一部分。
[0068] 殼體200可W包括具有彈性性質或柔性性質的材料。殼體200可W容納顯示面板 100的至少一部分和驅動電路部300。
[0069] 驅動電路部300可W設置在顯示面板100與殼體200之間。驅動電路部300可W包括 驅動1C、結合膜和電路板。
[0070] 驅動IC可W包括柵極驅動IC和數據驅動1C，柵極驅動IC和數據驅動IC用于用來驅 動顯示面板100的驅動忍片。
[0071] 結合膜可W包括形成在膜型基底上的多條導線。結合膜可W用帶載封裝件（TCP) 或覆晶薄膜(OF)安裝驅動1C，W電結合到薄膜晶體管基底110。
[0072] 電路板可W經由結合膜電結合到薄膜晶體管基底110,并可W將柵極信號和數據 信號供給到薄膜晶體管基底110。電路板可W是印刷電路板（PCB)或柔性印刷電路板 (FPCB)。包括電源單元和控制器的各種電子器件可W安裝在電路板上。
[0073] 圖3是用于解釋圖1中示出的顯示裝置的剖視圖。圖4是圖3中示出的區域EA的放大 視圖。
[0074] 參照圖1至圖4,在實施例中，顯示面板100可W包括薄膜晶體管基底110、作為有機 發光二極管并設置在薄膜晶體管基底110上的顯示器件〇Lm)W及使顯示器件OLm)與外部環 境隔離的密封構件120。
[0075] 薄膜晶體管基底110可W包括基礎基底SUB和設置在基礎基底洲B上的至少一個薄 膜晶體管。
[0076] 基礎基底SUB可W是柔性基底。基礎基底SUB可W是包括高分子有機物的塑料基礎 基底和膜基礎基底中的一種。例如，但不限于此，基礎基底SUB可W包括聚酸諷(PES)、聚丙 締酸醋、聚酸酷亞胺(陽I)、聚糞二甲酸乙二醋(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醋(PET)、聚苯硫酸 (PPS)、聚芳醋(PAR)、聚酷亞胺(PI)、聚碳酸醋(PC)、S醋酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素 (CAP)中的一種。基礎基底SUB可W包括玻璃纖維增強的塑料(FRP)。
[0077] 在實施例中，用于基礎基底SUB的材料可W對制造顯示面板100的工藝期間的高處 理溫度具有耐受性(耐熱性）。
[0078] 屏障層(barrier layer)BAL可W設置在基礎基底SUB與薄膜晶體管之間。在實施 例中，屏障層BAL接觸基礎基底SUB。運里，屏障層BAL的折射率與基礎基底SUB的折射率之間 的差可W是大約6%或更小。如果屏障層BAL的折射率與基礎基底SUB的折射率之間的差小 于大約6%，則屏障層BAL和基礎基底SUB的界面上的光的反射率可W足夠小W最小化或避 免薄膜晶體管基底110的透光率的劣化。在實施例中，屏障層BAL的折射率與基礎基底SUB的 折射率之間的差可W是大約1 %、大約1.3%、大約1.6%、大約1.9%、大約2%、大約2.3%、 大約2.5%、大約2.7%、大約3 %、大約3.2%、大約3.5 %、大約3.8%、大約4.2%、大約 4.7%、大約5.1 %、大約5.5%、大約5.8%、大約6%或大約6.5%。在實施例中，屏障層BAL的 折射率與基礎基底SUB的折射率之間的差是從上述數值中選擇的兩個之間的數值范圍內的 數值。例如，所述差可W為大約4.5%。
[0079] 在實施例中，屏障層BAL被形成為抑制濕氣和氧滲透到顯示面板內W到達薄膜晶 體管的半導體有源層SA。此外，屏障層BAL可W抑制雜質從基礎基底SUB擴散，W將向著半導 體有源層SA的雜質的擴散最小化。為此，在實施例中，屏障層BAL可W由具有阻擋濕氣、氧 和/或滲雜的雜質的特性的材料形成。此外，屏障層BAL可W被形成為具有充足的厚度W阻 擋濕氣、氧和/或滲雜的雜質。
[0080] 屏障層BAL可W具有多個透明材料層BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5的結構。透明材 料層841^、841^2、8413、841^4和841^5的折射率與基礎基底洲8的折射率可^基本相同。另外， 透明材料層BALl、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5的折射率之間的差可W是大約6%或更小。例如， 但不限于此，透明材料層BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5可W包括相同的材料，且透明材料層 BALl、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5的折射率可W是基本相同的。在實施例中，多個透明材料層中 的兩個緊鄰的層彼此接觸，且沒有中間層或中間部分設置在其間。
[0081 ] 透明材料層BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5中的一層的殘余應力與透明材料層 BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5中的緊鄰的另一層的殘余應力不同。例如，透明材料層BAL2具 有拉伸殘余應力，然而透明材料層BALl和BAL3具有壓縮殘余應力。在實施例中，透明材料層 BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5的數量可W是奇數。另外，在實施例中，最上面的透明材料層 和最下面的透明材料層的殘余應力可W是壓縮殘余應力，但不限于此。
[0082] 例如，在圖4中示出的實施例中，屏障層BAL可W包括第一透明材料層至第五透明 材料層 BALl、BAL2、BAL3、BAL4 和 BAL5。
[0083] 第一透明材料層BALl、第S透明材料層BAL3和第五透明材料層BAL5的殘余應力可 W具有相同的殘余應力性質。例如，但不限于此，第一透明材料層BALl、第S透明材料層 BAL3和第五透明材料層BAL5可W是壓縮殘余應力。
[0084] 第二透明材料層BAL2和第四透明材料層BAL4的殘余應力可W具有相同的殘余應 力性質。例如，但不限于此，第二透明材料層BAL2和第四透明材料層BAL4的殘余應力可W是 拉伸殘余應力。
[0085] 在屏障層BAL中，因為具有不同的殘余應力性質的透明材料層BALl、BAL2、BAL3、 BAL4和BAL5交替地堆疊，所W透明材料層841^、841^2、841^3、841^4和841^5之間的殘余應力可 W緩和。因此，與單層結構的屏障層BAL相比，屏障層BAL可W維持殘余應力緩和的狀態。
[0086] 另外，與單層結構的屏障層BAL相比，屏障層BAL可W包括多個透明材料層BAL1、 BAL2、BAL3、BAL4和BAL5。因此，屏障層BAL可W減少由于針孔效應而發生的濕氣和雜質的滲 透。
[0087] 透明材料層BALl、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5可W包括氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)和 氮氧化娃(SiON)中的一種。例如，但不限于此，透明材料層BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5可 W包括氮氧化娃(SiON)。氮氧化娃可W根據氧和氮的含量容易地控制折射率。如果氮的含 量增大，則可W增大氮氧化娃的折射率。此外，如果氧的含量增大，則可W減小氮氧化娃的 折射率。
[0088] 緩沖層BUL可W設置在薄膜晶體管陣列與屏障層BAL之間。在實施例中，緩沖層BUL 接觸屏障層的第五透明材料層BAL5。緩沖層BUL可W包括與透明材料層BALl、BAL2、BAL3、 BAL4和BAL5相同的材料，例如，但不限于此，氮氧化娃(SiON)。在實施例中，緩沖層BUL可W 具有與透明材料層8411、841^2、841^3、841^4和841^5基本相同的折射率。因此，因為緩沖層腳1 與第五透明材料層BAL5的折射率的差足夠小或層BUL和BAL5之間沒有明顯的折射率差，所 W在緩沖層BUL與第五透明材料層BAL5之間的界面處的光的反射可W被最小化或減小。
[0089] 薄膜晶體管可W設置在緩沖層BUL上。薄膜晶體管可W包括半導體有源層SA、柵電 極GE、源電極SE和漏電極DE。
[0090] 半導體有源層SA可W設置在緩沖層BUL上。半導體有源層SA可W包括非晶娃(a- Si)、多晶娃(P-Si)和氧化物半導體中的一種。半導體有源層SA中的接觸源電極SE和漏電極 DE的區域可W是其中滲雜或注入雜質的源區和漏區。源區和漏區之間的區域可W是溝道 區。氧化物半導體可W包括211、111、6曰、511和它們的任何混合物中的至少一種。例如，但不限 于此，氧化物半導體可W包括銅-嫁-鋒氧化物(IGZO)。
[0091] 在實施例中，如果半導體有源層SA包括氧化物半導體，則光阻擋層可W設置在半 導體有源層SA的上部或下部W阻擋光流入到半導體有源層SA中。
[0092] 柵極絕緣層GI可W設置在半導體有源層SA上。柵極絕緣層GI可W覆蓋半導體有源 層SA并使半導體有源層SA與柵電極GE絕緣。柵極絕緣層GI可W包括至少一種氮氧化娃 (SiON)。例如，但不限于此，柵極絕緣層GI可W包括與第一透明材料層至第五透明材料層 BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5相同的材料，例如，但不限于此，氮氧化娃(SiON)。柵極絕緣層 GI可W具有與緩沖層BUL基本相同的折射率。因此，可W防止由于柵極絕緣層GI和緩沖層 B化的折射率差而導致光從柵極絕緣層GI與緩沖層BUL之間的界面反射。
[0093] 柵極絕緣層GI可W包括設置在半導體有源層SA上的包括氧化娃（SiOx)的第一層 和設置在第一層上并包括氮氧化娃的第二層。包括氧化娃的第一層可W具有與半導體有源 層SA的優異的粘合強度。另外，第一層和半導體有源層SA的界面穩定性可W是優異的。
[0094] 柵電極GE可W設置在柵極絕緣層GI上。柵電極GE可W設置為與半導體有源層SA疊 置。柵電極GE可W包括侶(A1)、侶合金(Al合金）、銀(Ag)、鶴(W)、銅(Cu)、儀(Ni)、銘他）、鋼 (Mo)、鐵(Ti)、銷(Pt)、粗(Ta)、欽(Nd)、筑(Sc)和它們的任何合金中的至少一種。
[0095] 層間絕緣層ILD可W設置在柵電極GE上。層間絕緣層ILD可W使柵電極GE與源電極 SE和漏電極DE絕緣。層間絕緣層ILD可W包括與第一至第五透明材料層BALl、BAL2、BAL3、 BAL4和BAL5相同的材料，例如，但不限于此，氮氧化娃(SiON)。在實施例中，層間絕緣層ILD 可W具有與柵極絕緣層GI基本相同的折射率。因此，可W防止由于層間絕緣層ILD和柵極絕 緣層GI的折射率差而導致光從層間絕緣層ILD與柵極絕緣層GI之間的界面反射。
[0096] 源電極SE和漏電極DE可W設置在層間絕緣層ILD上。由于層間絕緣層ILD，源電極 SE和漏電極DE可W與柵電極GE絕緣。源電極SE和漏電極DE可W接觸源區和漏區。
[0097] 在實施例中，給出了頂柵結構的薄膜晶體管的示例。然而，其不應該限制于此。例 如，但不限于此，薄膜晶體管可W是具有底柵結構的薄膜晶體管。
[0098] 保護層PSV可W設置在設置有薄膜晶體管的基礎基底SUB上。可W去除保護層PSV 的一部分并暴露漏電極DE的一部分。保護層PSV可W包括至少一個層。例如，但不限于此，保 護層PSV可W是有機保護層。有機保護層PSV可W包括亞克力、聚酷亞胺(PI)、聚酷胺(PA)和 苯并環下締(BCB)中的一種。有機保護層可W是透明的并具有流動性，且有機保護層可W是 能夠通過緩解下部結構的彎折或彎曲來平坦化的平坦化層。
[0099] 保護層PSV可W包括無機保護層和設置在無機保護層上的有機保護層。無機保護 層可W包括與第一透明材料層至第五透明材料層8411、841^2、841^3、841^4和841^5相同的材 料，例如，但沒有限制，氮氧化娃（SiON)。在實施例中，無機保護層可W具有與層間絕緣層 ILD基本相同的折射率。因此，可W防止因為無機保護層和層間絕緣層ILD的折射率差而導 致光從無機保護層與層間絕緣層ILD之間的界面反射。在實施例中，屏障層、柵極絕緣層、層 間絕緣層和保護層的所有透明材料層可W由相同材料形成（例如，氧化娃（SiOx)、氮化娃 (SiNx)或氮氧化娃(SiON)),并可W具有基本相同的折射率。
[0100] 接觸薄膜晶體管的漏電極DE的顯示器件化抓可W設置在保護層PSV上。顯示器件 OLED可W是有機發光器件。根據發射形式，顯示器件OLED可W是底部發射型的有機發光器 件、頂部發射型的有機發光器件和兩面發射型的有機發光器件中的一種。在實施例中，提供 顯示器件OL邸是底部型的有機發光器件的示例。
[0101] 顯示器件OLm)可W包括作為能夠允許光穿過的透射電極的第一電極EU設置在第 一電極El上的有機層化和設置在有機層化上并能夠反射光的作為反射電極的第二電極E2。
[0102] 第一電極El可W與漏電極DE接觸。第一電極El可W是包括透明導電氧化物的導電 層，透明導電氧化物是氧化銅錫（ITO)、氧化銅鋒（IZO)、氧化侶鋒(AZO)、滲雜嫁的氧化鋒 (GZ0)、氧化鋒錫(ZT0)、氧化嫁錫(GTO)和滲雜氣的氧化錫(FTO)中的一種。
[0103] 像素限定層PDL可W設置在第一電極El上。像素限定層PDL可W是開口的，開口區 域可W暴露第一電極El，具體地，透明導電層的一部分。
[0104] 像素限定層PDL可W包括有機絕緣材料。例如，但不限于此，像素限定層PDL可W包 括聚苯乙締、聚甲基丙締酸甲醋(PMMA)、聚丙締臘(PAN)、聚酷胺、聚酷亞胺、聚芳酸、雜環聚 合物、聚對二甲苯、氣化聚合物、環氧樹脂、苯并環下締系樹脂、硅氧烷系樹脂和硅烷樹脂中 的至少一種。
[0105] 有機層化可W設置在由像素限定層PDL暴露的第一電極El上。有機層化可W至少 包括發射層EML并通常具有多層薄膜結構。例如，但不限于此，有機層化可W包括注入空穴 的空穴注入層HIL、具有優異的空穴傳輸性并通過抑制未在發射層EML中結合的電子的移動 來增大空穴和電子再結合的機會的空穴傳輸層HTL、因為注入的電子和空穴的再結合而發 光的發射層EML、抑制未在發射層EML中結合的空穴的移動的空穴阻擋層皿L、平穩地將電子 傳輸到發射層EML的電子傳輸層ETLW及注入電子的電子注入層EIL。從發射層產生的光的 顏色可W是紅色、綠色、藍色和白色中的一種，但其不限于此。例如，但不限于此，從有機層 化的發射層產生的光的顏色可W是品紅色、藍綠色和黃色中的一種。
[0106] 第二電極E2可W設置在有機層化上。第二電極E2可W包括具有比第一電極El低的 逸出功的材料，例如，但不限于此，鋼(Mo)、鶴(W)、銀(Ag)、儀(Mg)、侶(A1)、銷(Pt)、鈕(Pd)、 金(Au)、儀(Ni)、欽(Nd)、銀（Ir)、銘(Cr)、裡化i)、巧(Ca)和它們的任何合金中的至少一種。 在第二電極E2上還可W包括用于防止第二電極E2的I啡華的導電層。
[0107] 密封構件120可W是面對薄膜晶體管基底110的密封基底。密封構件120可W包括 與基礎基底SUB相同的材料。密封構件120可W是柔性基底。
[0108] 密封構件120可W使顯示器件化抓與外部環境隔離，并可W通過密封劑附著到薄 膜晶體管基底110。密封劑可W設置在非顯示區域NDA中。
[0109] 密封構件120可W是密封層，該密封層包括覆蓋顯示器件化抓的多個無機層和多 個有機層。密封層可W在第二電極E2上防止濕氣和氧滲透到顯示器件OLm)中。有機層可W 包括環氧樹脂、聚酷亞胺、聚對苯二甲酸乙二醋、聚碳酸醋、聚乙締和聚丙締酸醋中的至少 一種。無機層可W包括氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(SiON)、氧化侶(Ab化）、氧化 鐵(Ti〇2)、氧化錯(ZrOx)和氧化鋒(ZnO)中的至少一種。
[0110] 密封構件120的面積可W小于或等于薄膜晶體管基底110的面積。例如，但不限于 此，密封構件120可W覆蓋薄膜晶體管基底110的顯示區域DA并暴露非顯示區域NDA的一部 分。
[0111] 顯示面板100還可W包括填充薄膜晶體管基底110與密封構件120之間的空間的填 充物。填充物可W防止顯示器件OL邸受外部沖擊而損壞。
[0112] 填充物可W包括無顏色的、能夠允許光穿過的液體或凝膠狀的材料。例如，但不限 于此，作為凝膠狀材料，填充物可W包括雙酪A型環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、苯基娃樹脂或 橡膠、丙締酸環氧樹脂和脂肪族聚氨醋丙締酸醋中的至少一種。另外，對于液體材料，填充 物可W包括六甲基二硅氧烷、八甲基=硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二 甲基硅氧烷中的至少一種。
[0113] 另外，填充物還可W包括能夠吸收濕氣的濕氣吸收材料。因此，填充物可W防止穿 過密封構件120的濕氣滲透到顯示器件OL邸中。
[0114] 屏障層BAL的折射率、緩沖層BUL的折射率、柵極絕緣層GI的折射率和層間絕緣層 的折射率可W與基礎基底SUB的折射率不同，差在大約6% W內。因此，顯示裝置可W防止因 為層間折射率的差而導致的全反射和側反射引起的從顯示器件化抓發射的光的損失或減 小光的損失。因此，可W增大顯示裝置的光提取效率。
[0115] 在屏障層BAL中，具有不同應力性質的透明材料層BAL1、BAL2、BAL3、BAL^PBAL5 (其中殘余應力彼此不同）可W交替地堆疊。因此，可W緩解作用在透明材料層BAL1、BAL2、 BAL3、BAL4和BAL5之間的界面上的殘余應力。在實施例中，由于屏障層BAL而施加到基礎基 底SUB的應力可W減小。因此，對于包括屏障層BAL的顯示裝置，對由于屏障層BAL的殘余應 力而會出現的裂紋的擔憂可W減輕。
[0116] 圖5至圖9是用于解釋制造圖1至圖4中示出的顯示面板的方法的工藝剖視圖。圖10 是用于解釋根據施加的功率的透明材料層的折射率變化的曲線圖。圖11是用于解釋根據氨 氣和一氧化二氮氣體的流量比的透明材料層的折射率變化的曲線圖。
[0117] 參照圖5,可W在載體基底CS上形成基礎基底SUB。
[0118] 載體基底CS可W是玻璃基底。載體基底CS可W是非柔性的。在實施例中，載體基底 CS可W是剛性型的基底。載體基底CS可W在隨后的工藝中支撐基礎基底SUB并防止基礎基 底SUB發生變形。
[0119] 可W通過在載體基底CS上涂覆高分子有機物來形成基礎基底SUB。高分子有機物 可W是聚酸諷(PES)、聚丙締酸醋、聚酸酷亞胺(PEI)、聚糞二甲酸乙二醋、聚對苯二甲酸乙 二醋(PET)、聚苯硫酸(PPS)、聚芳醋(PAR)、聚酷亞胺(PI)、聚碳酸醋(PC)、S醋酸纖維素 (TAC)和醋酸丙酸纖維素中的一種。
[0120] 在形成基礎基底SUB之后，可W在基礎基底SUB上形成屏障層BAL。屏障層BAL可W 包括多個透明材料層BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5。例如，但沒有限制，屏障層BAL可W包括 第一透明材料層至第五透明材料層BALl、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5。
[0121] 可W如下形成屏障層BAL。
[0122] 可W在基礎基底SUB上形成第一透明材料層BALl。第一透明材料層BALl的殘余應 力可W是壓縮殘余應力。第一透明材料層BALl的折射率和基礎基底SUB的折射率可W彼此 不同，差在大約6%W內。
[0123] 第一透明材料層BALl可W包括氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)和氮氧化娃(SiON)中 的至少一種。在實施例中，可W提供第一透明材料層BALl包括氮氧化娃(SiON)的示例。
[0124] 可W通過等離子體增強的化學氣相沉積（PECVD)工藝來形成第一透明材料層 BALl，等離子體增強的化學氣相沉積使用硅烷(SiH4)氣體、氨(N出)氣和一氧化二氮(化0)氣 體作為工藝氣體。通過調整陽CVD工藝中施加的功率的強度，可W控制第一透明材料層BALl 的折射率。如圖10中所示，根據PECVD工藝中施加的功率的強度，可W改變第一透明材料層 BALl的折射率。因此，可W將第一透明材料層BALl的折射率控制為與基礎基底SUB的折射率 基本相同。
[0125] 在形成第一透明材料層BALl之后，可W在第一透明材料層BALl上形成第二透明材 料層BAL2。第二透明材料層BAL2可W包括與第一透明材料層BALl相同的材料。第二透明材 料層BAL2的折射率和第一透明材料層BALl的折射率可W基本相同。第二透明材料層BAL2的 殘余應力可W是拉伸殘余應力。
[0126] 在第一透明材料層BALl的PECVD條件下，可W通過增大施加的功率的強度、減少氨 氣的流量并增大硅烷氣體的流量來形成第二透明材料層BAL2。運里，通過調整氮氧化娃中 包括的氧和氮的含量比，可W控制第二透明材料層BAL2的折射率。如圖11中示出的，基于氨 氣和一氧化二氮氣體的流量比，可W改變第二透明材料層BAL2的折射率。因此，可W將第二 透明材料層BAL2的折射率調整為與基礎基底SUB和第一透明材料層BALl的折射率基本相 同。
[0127] 形成第二透明材料層BAL2之后，可W在第二透明材料層BAL2上形成第S透明材料 層BAL3。第S透明材料層BAL3可W包括與第一透明材料層BALl和第二透明材料層BAL2相同 的材料。因此，第S透明材料層BAL3的折射率和第二透明材料層BAL2的折射率可W基本相 同。
[01%]第一透明材料層BALl和第S透明材料層BAL3的殘余應力可W具有相同的應力性 質。第S透明材料層BAL3的殘余應力可W是壓縮殘余應力。
[0129] 在形成第S透明材料層BAL3之后，可W在第S透明材料層BAL3上形成第四透明材 料層BAL4。第四透明材料層BAL4可W包括與第一透明材料層BAL1、第二透明材料層BAL2和 第S透明材料層BAL3相同的材料。因此，第四透明材料層BAL4的折射率和第S透明材料層 BAL3的折射率可W基本相同。
[0130] 第二透明材料層BAL2和第四透明材料層BAL4的殘余應力可W具有相同的應力性 質。第四透明材料層BAL4的殘余應力可W是拉伸殘余應力。
[0131] 在形成第四透明材料層BAL4之后，可W在第四透明材料層BAL4上形成第五透明材 料層BAL5。第五透明材料層BAL5可W包括與第一透明材料層BALl、第二透明材料層BAL2、第 S透明材料層BAL3和第四透明材料層BAL4相同的材料。因此，第五透明材料層BAL5的折射 率和第四透明材料層BAL4的折射率可W基本相同。
[0132] 第一透明材料層BALl和第五透明材料層BAL5的殘余應力可W具有相同的應力性 質。第五透明材料層BAL5的殘余應力可W是壓縮殘余應力。
[0133] 屏障層BAL可W包括透明材料層BAL1、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5，透明材料層BAL1、 BAL2、BAL3、BAL4和BAL5包括與基礎基底洲B相同的材料。因此，可W避免由于屏障層BAL和 基礎基底SUB的折射率差而會發生的光損失。
[0134] 對于屏障層BAL，具有應力性質(其中層具有不同的殘余應力）的透明材料層BAL1、 BAL2、BAL3、BAL4和BAL5可W交替地堆疊。因此，由于屏障層BAL，可W減少施加到基礎基底 SUB的殘余應力。
[0135] 參照圖6,在形成屏障層之后，可W在屏障層BAL上形成緩沖層BUL。緩沖層BUL可W 包括與第一透明材料層至第五透明材料層BALl、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5相同的材料。例如， 但不限于此，緩沖層腳L可W包括通過PECVD工藝形成的氮氧化娃(SiON)。因此，緩沖層腳L 的折射率和第五透明材料層BAL5的折射率可W基本相同。
[0136] 在形成緩沖層BUL之后，可W在緩沖層BUL上形成薄膜晶體管。薄膜晶體管可W包 括半導體有源層SA、柵電極GE、源電極SE和漏電極DE。
[0137] 可W如下形成薄膜晶體管。
[0138] 可W在緩沖層BUL上形成半導體有源層SA。半導體有源層SA可W包括非晶娃(a- Si)、多晶娃(P-Si)和氧化物半導體中的一種。
[0139] 可W形成覆蓋半導體有源層SA的柵極絕緣層GI。柵極絕緣層GI可W覆蓋半導體有 源層SA并使半導體有源層SA與柵電極GE絕緣。
[0140] 柵極絕緣層GI可W包括氧化娃(SiOx)和氮化娃(SiNx)中的至少一種。例如，但不限 于此，柵極絕緣層GI可W包括與第一透明材料層至第五透明材料層BAL1、BAL2、BAL3、BAL4 和BAL5相同的材料，例如，氮氧化娃(SiON)。柵極絕緣層GI可W具有與緩沖層BUL基本相同 的折射率。可W通過在半導體有源層SA上沉積氮氧化娃(SiON)來形成柵極絕緣層GI。
[0141] 柵極絕緣層GI可W包括第一層和設置在第一層上的第二層，第一層包括設置在半 導體有源層SA上的氧化娃(SiOx),第二層包括設置在第一層上的氮氧化娃。在半導體有源 層SA上沉積包括氧化娃（SiOx)的第一層之后，可W通過在第一層上沉積包括氮氧化娃 (SiON)的第二層來形成柵極絕緣層GI。
[0142] 包括氧化娃的第一層可W具有與半導體有源層SA的優異的粘合強度。另外，第一 層和半導體有源層SA的界面穩定性可W是優異的。盡管形成柵極絕緣層GI時半導體有源層 SA會發生損壞，但是第一層可W防止形成柵極絕緣層GI時損壞半導體有源層SA。
[0143] 在形成柵極絕緣層GI之后，可W在柵極絕緣層GI上形成導電金屬層并將其圖案化 W形成柵電極GE。可W設置柵電極GE與半導體有源層SA疊置。柵電極GE可W包括侶(A1)、侶 合金(Al 合金）、銀(Ag)、鶴(W)、銅(Cu)、儀(Ni)、銘(Cr)、鋼(Mo)、鐵(Ti)、銷(Pt)、粗(Ta)、欽 (Nd)、筑(Sc)和它們的任何合金中的至少一種。
[0144] 在形成柵電極GE之后，可W形成層間絕緣層ILD。層間絕緣層ILD可W使柵電極GE 與源電極SE和漏電極DE絕緣。層間絕緣層ILD可W包括與第一透明材料層至第五透明材料 層BALl、BAL2、BAL3、BAL4和BAL5相同的材料。層間絕緣層ILD的折射率和柵極絕緣層GI的折 射率可W基本相同。
[0145] 在形成層間絕緣層ILD之后，可W通過圖案化層間絕緣層ILD和柵極絕緣層GI來暴 露半導體有源層SA的一部分。從半導體有源層SA暴露的區域可W是與可隨后形成的源電極 SE和漏電極DE接觸的區域。
[0146] 通過在層間絕緣層ILD上形成導電層并將其圖案化，可W形成源電極SE和漏電極 DE。
[0147] 參照圖7,在形成薄膜晶體管之后，可W形成覆蓋薄膜晶體管的保護層PSV。保護層 PSV可W包括至少一個層。例如，但不限于此，保護層可W是有機保護層。有機保護層PSV可 W包括亞克力、聚酷亞胺(PI)、聚酷胺(PA)和苯并環下締(BCB)中的一種。有機保護層可W 是透明的并具有流動性，且有機保護層可W是能夠通過緩解下部結構的彎折或彎曲來平坦 化的平坦化層。
[0148] 保護層PSV可W包括無機保護層和設置在無機保護層上的有機保護層。無機保護 層可W包括與第一透明材料層至第五透明材料層8411、841^2、841^3、841^4和841^5相同的材 料。因此，無機保護層的折射率和層間絕緣層ILD的折射率可W基本相同。
[0149] 在形成保護層PSV之后，可W通過圖案化保護層PSV來暴露漏電極DE的一部分。
[0150] 可W形成接觸漏電極DE的顯示器件化邸。顯示器件OL抓可W包括作為能夠允許光 穿過的透射電極的第一電極EU設置在第一電極El上的有機層化W及設置在有機層化上且 能夠反射光的作為反射電極的第二電極E2。
[0151] 可W如下形成顯示器件0LED。
[0152] 可W在保護層PSV上形成透明導電氧化物層。可W通過圖案化透明導電氧化物層 來形成第一電極E1。第一電極El可W與漏電極DE接觸。透明導電氧化物層可W包括氧化銅 錫（ITO)、氧化銅鋒（IZO)、氧化侶鋒(AZO)、滲雜嫁的氧化鋒(GZO)、氧化鋒錫(ZTO)、氧化嫁 錫(GTO)和滲雜氣的氧化錫(FTO)中的一種。
[0153] 在形成第一電極El之后，可W在第一電極El上形成使第一電極El的一部分暴露的 像素限定層PDL。可W通過形成有機絕緣材料層W覆蓋第一電極El并圖案化有機絕緣材料 層來形成像素限定層PDL。像素限定層PDL可W包括聚苯乙締、聚甲基丙締酸甲醋(PMMA)、聚 丙締臘(PAN)、聚酷胺、聚酷亞胺、聚芳酸、雜環聚合物、聚對二甲苯、氣化聚合物、環氧樹脂、 苯并環下締系樹脂、硅氧烷系樹脂和硅烷樹脂中的至少一種。
[0154] 在形成像素限定層PDL之后，可W在由像素限定層PDL暴露的第一電極El上形成有 機層化。有機層化可W至少包括發射層EML并通常具有多層薄膜結構。例如，但不限于此，可 W通過順序地堆疊空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTU發射層EML、空穴阻擋層皿L、電子傳輸 層Ell和電子注入層EIL來形成有機層化。
[0155] 在形成有機層化之后，可W在有機層化上形成第二電極E2。因此，可W形成包括基 礎基底SUB、屏障層BAL、薄膜晶體管和顯示器件OL邸的薄膜晶體管基底110。
[0156] 第二電極E2可W具有比第一電極El的逸出功低的逸出功。第二電極E2可W包括具 有優異的反射率的材料。例如，但不限于此，第二電極E2可W包括鋼(Mo)、鶴(W)、銀(Ag)、儀 (Mg)、侶(Al)、銷(Pt)、鈕(Pd)、金(Au)、儀(Ni)、欽(Nd)、銀（Ir)、銘(Cr)、裡化 i)、巧(Ca)和 它們的任何合金中的至少一種。
[0157] 在實施例中，在形成第二電極E2之后，可W在第二電極E2上形成用于防止第二電 極E2的I啡華的導電層。
[0158] 參照圖8,在形成顯示器件OLm)之后，可W形成使顯示器件OLm)與外部環境隔離的 密封構件120。例如，密封構件120可W是相對的基底。密封構件120可W是柔性基底。
[0159] 如果密封構件120是相對的基底，則在將密封構件120設置為面對薄膜晶體管基底 110之后，可W使用密封劑使薄膜晶體管基底110和密封構件120附著。
[0160] 參照圖9,在形成密封構件120之后，可W去除載體基底CS。例如，但不限于此，可W 通過從載體基底CS的形成有基礎基底SUB的表面的相對方向的表面施加熱或照射激光光束 來容易地去除載體基底CS。
[0161] 圖12至圖14是用于解釋根據設置在基礎基底上的屏障層的結構的透光率的模擬 曲線圖。
[0162] 參照圖12至圖14,基礎基底可W包括聚酷亞胺且具有大約10皿的厚度。另外，屏障 層可W設置在基礎基底上。
[0163] 圖12中示出的屏障層可W包括具有大約1500A厚度的氧化娃層、具有大約600A 厚度的氮化娃層和具有大約15撕沒厚度的氮化娃層。圖12中示出的基礎基底和屏障層的 堆疊結構可W具有相對于紅光(660nm)的大約72.0 %的透光率、相對于綠光(558nm)的大約 70.1%的透光率、相對于藍光(42加m)的大約82.8%的透光率W及大約69.6%的平均透光 率。
[0164] 圖13中示出的屏障層可W是具有大約570貨蓋的厚度的單層氮氧化娃層。屏障層的 折射率可W是大約1.7,運與基礎基底的折射率相同。圖13中示出基礎基底和屏障層的堆疊 結構可W具有相對于紅光的大約86.7%的透光率、相對于綠光的大約90.3%的透光率、相 對于藍光的大約85.1 %的透光率和大約86.9%的平均透光率。
[0165] 圖14中示出的屏障層可W包括具有大約1500A的厚度且殘余應力是壓縮殘余應 力的氮氧化娃層、具有大約600A的厚度且殘余應力是拉伸殘余應力的氮氧化娃層、具有 大約1500A的厚度且殘余應力是壓縮殘余應力的氮氧化娃層、具有大約600A的厚度且殘 余應力是拉伸殘余應力的氮氧化娃層W及具有大約150QA的厚度且殘余應力是壓縮殘余 應力的氮氧化娃層。氮氧化娃層的折射率是大約1.7,運與基礎基底的折射率相同。
[0166]圖14中不出的基礎基底和屏障層的堆畳結構可W具有相對于紅光的大約86.7 % 的透光率、相對于綠光的大約90.3%的透光率、相對于藍光的大約85.1 %的透光率和大約 86.9 %的平均透光率。
[0167] 與其中氧化娃層和氮化娃層交替堆疊在包括聚酷亞胺的基礎基底上的屏障層的 透光率相比，可W觀察到的是，在氮氧化娃層設置在聚酷亞胺基礎基底上的情況下，屏障層 的透光率是優異的。
[0168] 同時，圖13中示出的單層結構的屏障層可W比圖14中示出的屏障層具有更大的殘 余應力。在圖14中示出的屏障層中，具有不同的殘余應力性質的材料層可W交替地堆疊。運 些材料層可W緩解彼此的殘余應力。因此，與單層結構的屏障層相比，圖14中的屏障層可W 維持殘余應力被緩解的狀態。
[0169] 在運里已經公開了實施例，盡管使用了特定術語，但是僅W-般性的和描述性的 含義來使用和解釋運些術語，而非出于限制性的目的。在一些情況下，對于截止到本申請提 交時的本領域的普通技術人員將明顯的是，除非另有特別說明，否則結合具體實施例描述 的特征、特性和/或元件可W單獨使用或與結合其他實施例描述的特征、特性和/或元件組 合起來使用。因此，本領域的技術人員將理解的是，在不脫離權利要求闡述的本發明的精神 和范圍的情況下，可W在形式上和細節上做出各種改變。
【主權項】
1. 一種薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面板裝置包括： 基礎基底； 屏障層，設置在所述基礎基底上方并包括多個透明材料層，所述多個透明材料層中的 每層是透明的；以及 薄膜晶體管的陣列，設置在所述屏障層上方， 其中，所述屏障層的折射率與所述基礎基底的折射率之間的差在6%以內。2. 根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述多個透明材料層中的每 層的折射率與所述基礎基底的所述折射率之間的差在6%以內。3. 根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述多個透明材料層包括第 一透明材料層和第二透明材料層，所述第一透明材料層和所述第二透明材料層彼此緊鄰而 沒有任何中間透明材料層置于其間，其中，所述第一透明材料層具有壓縮殘余應力，所述第 二透明材料層具有拉伸殘余應力。4. 根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述屏障層包括以具有壓縮 殘余應力的透明材料層與具有拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式布置的多層 結構的所述透明材料層。5. 根據權利要求4所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述多個透明材料層包括具 有壓縮殘余應力的最上面的透明材料層和最下面的透明材料層。6. 根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述多個透明材料層由相同 的材料形成。7. 根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述多個透明材料層中的每 層包括氮氧化硅。8. 根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面板裝置還 包括設置在所述屏障層和所述薄膜晶體管之間的緩沖層， 其中，所述緩沖層由與所述透明材料層的材料相同的材料形成。9. 根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，每個薄膜晶體管包括半導體 有源層、柵電極、源電極和漏電極， 其中，所述薄膜晶體管陣列面板裝置還包括設置在所述半導體有源層與所述柵電極之 間的柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層由與所述透明材料層的材料相同的材料形成。10. 根據權利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面板裝置還 包括使所述柵電極與所述源電極和所述漏電極絕緣的層間絕緣層， 其中，所述層間絕緣層由與所述透明材料層的材料相同的材料形成。11. 根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述基礎基底包括聚醚砜、 聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚 酰亞胺、聚碳酸酯、三醋酸纖維素和醋酸丙酸纖維素中的一種。12. 根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述基礎基底包括玻璃纖 維增強的塑料。13. -種薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面板裝置包括： 基礎基底； 屏障層，設置在所述基礎基底上方并包括多個透明材料層，所述多個透明材料層中的 每層是透明的并包括氮氧化硅；以及 薄膜晶體管的陣列，設置在所述屏障層上方。14. 根據權利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述多個透明材料層包括 第一透明材料層和第二透明材料層，所述第一透明材料層和所述第二透明材料層彼此緊鄰 而沒有任何中間透明材料層置于其間，其中，所述第一透明材料層具有壓縮殘余應力，所述 第二透明材料層具有拉伸殘余應力。15. 根據權利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述屏障層包括以具有壓 縮殘余應力的透明材料層與具有拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式布置的多 層結構的所述透明材料層。16. 根據權利要求15所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，所述多個透明材料層包括 具有壓縮殘余應力的最上面的透明材料層和最下面的透明材料層。17. 根據權利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面板裝置 還包括設置在所述屏障層與所述薄膜晶體管之間的緩沖層， 其中，所述緩沖層包括氮氧化硅。18. 根據權利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，其中，每個薄膜晶體管包括半導 體有源層、柵電極、源電極和漏電極， 其中，所述薄膜晶體管陣列面板裝置還包括設置在所述半導體有源層與所述柵電極之 間的柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層包括氮氧化硅。19. 根據權利要求18所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，所述薄膜晶體管陣列面板裝置 還包括使所述柵電極與所述源電極和所述漏電極絕緣的層間絕緣層， 其中，所述層間絕緣層包括氮氧化硅。20. 根據權利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板裝置，所述多個透明材料層中的每層 的折射率與所述基礎基底的折射率之間的差在6%以內。21. -種顯示面板，所述顯示面板包括： 薄膜晶體管陣列面板；以及 像素陣列，設置在所述薄膜晶體管陣列面板上方， 其中，所述薄膜晶體管陣列面板包括： 基礎基底； 屏障層，設置在所述基礎基底上并包括多個透明材料層，所述多個透明材料層包括氮 氧化硅；以及 薄膜晶體管，設置在所述屏障層上并接觸所述像素陣列。22. 根據權利要求21所述的顯示面板，其中，所述多個透明材料層包括第一透明材料層 和第二透明材料層，所述第一透明材料層和所述第二透明材料層彼此緊鄰而沒有任何中間 透明材料層置于其間，其中，所述第一透明材料層具有壓縮殘余應力，所述第二透明材料層 具有拉伸殘余應力。23. 根據權利要求21所述的顯示面板，其中，所述屏障層包括以具有壓縮殘余應力的透 明材料層與具有拉伸殘余應力的透明材料層交替地堆疊的方式布置的多層結構的所述透 明材料層。24. 根據權利要求23所述的顯示面板，其中，所述多個透明材料層包括具有壓縮殘余應 力的最上面的透明材料層和最下面的透明材料層。
【文檔編號】H01L27/12GK106098696SQ201610274709
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月28日 公開號201610274709.X, CN 106098696 A, CN 106098696A, CN 201610274709, CN-A-106098696, CN106098696 A, CN106098696A, CN201610274709, CN201610274709.X
【發明人】鄭丞淏, 崔千基, 樸惠英, 李恩榮, 全珠姬, 趙恩廷, 全保建, 鄭鎔彬
【申請人】三星顯示有限公司