一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法
【專利摘要】本發明公開了一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，包括以下步驟：步驟1，計算陶瓷基板的實際介電常數，再通過實際的介電常數計算電極尺寸，實現電容量的調節；步驟2，用第一刀片進行絕緣邊的切割，切割深度要在金屬層下；步驟3，用第二刀片沿絕緣邊中心切割成單粒電容器，該處理方法得到的瓷介電容器絕緣邊線條清晰、明顯、直線度好；并且絕緣邊無殘留金屬，可以達到絕緣的作用；提高生產效率、降低成本、減少對環境的污染。
【專利說明】
一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法
技術領域
[0001]本發明屬于電子元器件制作領域，具體涉及一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法。
【背景技術】
[0002]現有技術多采用光刻制作絕緣邊型產品，如圖1所示，光刻法制備含絕緣邊產品時，在電極尺寸固定和陶瓷基片介電常數不變的情況下，根據平板電容器計算公式C=eS/d，產品的電容量是固定的，無法實現調節；
[0003]并且光刻法制備的產品絕緣邊不平整，因為刻蝕時間無法精準把控直接會影響到產品邊緣的平整度;而且絕緣邊有殘留的金顆粒，因為陶瓷基片表面凹凸不平，刻蝕時反應速率不同，陶瓷基片凹下去的部位會有金屬殘留；
[0004]所以現有技術光刻制作絕緣邊型產品的缺點在于陶瓷基片在不同的刻蝕液中浸泡，對瓷體有一定的腐蝕性，電極層在刻蝕液中浸泡對附著力會有影響，鍵合力在5g± Ig;電極尺寸固定和陶瓷基片介電常數有變化時，電容值合格率不穩定，在5 %?55 %之間，夕卜觀合格率較低，在40 %左右，并且光刻所用的材料如光刻膠、顯影液、刻蝕液、掩模板等成本過高，該材料產生的廢棄溶液排放對環境造成一定的污染。
【發明內容】
[0005]發明目的:針對現有技術存在的問題，本發明提供一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，該方法切割線條清晰、明顯、直線度好并且絕緣邊無殘留金屬。
[0006]技術方案:一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，包括以下步驟:
[0007]步驟I，計算陶瓷基板的實際介電常數，再通過實際的介電常數計算電極尺寸，實現電容量的調節；
[0008]步驟2，用第一刀片進行絕緣邊的切割，切割深度要在金屬層下；
[0009]步驟3，用第二刀片沿絕緣邊中心切割成單粒電容器。
[0010]具體地，所述步驟I中陶瓷基板的實際介電常數以及介電常數計算電極尺寸根據電容公式C=e.S.K/d計算，式中C為電容，ε為未設絕緣層的電容器極板間介質的介電常數，K為靜電力常量，S為電容極板間的正對面積，d為電極間的尺寸。
[0011]具體地，所述步驟I中實現電容量的調節根據實際介電常數來調節制作尺寸，達到目標容值。
[0012]具體地，所述步驟2中第一刀片的厚度為0.15μπι。
[0013]具體地，所述步驟3中第二刀片的厚度為0.03μπι。
[0014]具體地，所述步驟I中根據通用型單層片式瓷介電容器制作方式計算陶瓷基板的實際介電常數。
[0015]有益效果:與現有技術相比，本發明的優點在于:
[0016]1、該方法切割線條清晰、明顯、直線度好，操作步驟簡單、成本低；
[0017]2、該方法實現電容量可調節；
[0018]3、切割絕緣邊無殘留金屬，完全達到絕緣的作用；
[0019]4、可根據不同要求制作不同的電極圖形，如:長方形、田字形、陣列型等；
[0020]5、縮短了制作周期，提高生產效率；
[0021]6、減少刻蝕液等廢液的排放，降低環境污染；
【附圖說明】
[0022]圖1是現有技術光刻制作絕緣邊型產品示意圖；
[0023]圖2是本發明切割制作絕緣邊產品示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結合附圖和【具體實施方式】，進一步闡明本發明。
[0025]一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，包括以下步驟，步驟I，根據通用型單層片式瓷介電容器制作方式計算陶瓷基板的實際介電常數，再通過實際的介電常數計算電極尺寸，根據電容公式C=e.S.K/d計算出電容器電極間的尺寸，式中C為電容，ε為未設絕緣層的電容器極板間介質的介電常數，K為靜電力常量，S為電容極板間的正對面積，d為電極間的尺寸;根據實際介電常數來調節制作尺寸，達到目標容值，實現電容量的調節；
[0026]上述通用型單層片式瓷介電容器的制作，根據要求尺寸、目標容值，切割不含絕緣邊的通用電容器；
[0027]步驟2，用厚度為0.15μπι的第一刀片進行絕緣邊的切割，切割深度要在金屬層下，該金屬層是瓷介陶瓷面上的電極層，對瓷體的傷害達到最小(<10μπ?);
[0028]步驟3，用厚度為0.03μπι的第二刀片沿絕緣邊中心切割成單粒電容器，單粒電容器指把大塊的瓷介電容根據要求尺寸、目標容值制作成單顆電容。
[0029]采用本發明的處理方法可以節約光刻所用材料成本，如光刻膠、顯影液、刻蝕液、掩模板等，同時也就減少了廢棄溶液排放對環境的污染；
[0030]光刻制作含絕緣邊型產品步驟繁瑣，刻蝕后還需要切割，而切割制作含絕緣邊產品，僅需切割即可達到目標要求；
[0031]相比光刻方法制備的含絕緣邊的產品，陶瓷基片不經過刻蝕液浸泡，金層的附著力沒有受到影響，產品鍵合力不受影響，效果好。
[0032]實驗前，存在以下問題:
[0033]第一，光刻單層片式瓷介電容器尺寸固定，在基片介電常數不穩定或精度偏差大時，合格率低。
[0034]第二，光刻單層片式瓷介電容器線條精度，基片表面平整度和表面有凹凸空洞時，刻蝕的線條會有鋸齒狀。
[0035]第三，光刻單層片式瓷介電容器刻蝕部分會有殘留的金顆粒，導致產品表面外觀不清晰。
[0036]經實驗表明
[0037]光刻法制備的電容器絕緣邊時，瓷介陶瓷在刻蝕液中浸泡刻蝕，對瓷體有一定的腐蝕性，電極層附著力會有影響，鍵合力在5g±lg;切割絕緣邊方法制備的電容器，瓷介陶瓷不經過刻蝕液浸泡，金屬層的附著力沒有受到化學溶液浸泡，鍵合力在1g以上；
[0038]如圖2所示，電容值合格率從5 %?55%之間提高到65%以上，外觀合格率從40%左右提高到60%以上，節約了陶瓷基板的成本。
【主權項】
1.一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟I，計算陶瓷基板的實際介電常數，再通過實際的介電常數計算電極尺寸，實現電容量的調節； 步驟2，用第一刀片進行絕緣邊的切割，切割深度要在金屬層下； 步驟3，用第二刀片沿絕緣邊中心切割成單粒電容器。2.根據權利要求1所述的一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，其特征在于:所述步驟I中陶瓷基板的實際介電常數以及介電常數計算電極尺寸根據電容公式C=e.S.K/d計算，式中C為電容，ε為未設絕緣層的電容器極板間介質的介電常數，K為靜電力常量，S為電容極板間的正對面積，d為電極間的尺寸。3.根據權利要求1所述的一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，其特征在于:所述步驟I中實現電容量的調節根據實際介電常數來調節制作尺寸，達到目標容值。4.根據權利要求1所述的一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，其特征在于:所述步驟2中第一刀片的厚度為0.15μπι。5.根據權利要求1所述的一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，其特征在于:所述步驟3中第二刀片的厚度為0.03μπι。6.根據權利要求1所述的一種瓷介電容器絕緣邊的處理方法，其特征在于:所述步驟I中根據通用型單層片式瓷介電容器制作方式計算陶瓷基板的實際介電常數。
【文檔編號】H01G4/005GK106098369SQ201610383934
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月2日 公開號201610383934.7, CN 106098369 A, CN 106098369A, CN 201610383934, CN-A-106098369, CN106098369 A, CN106098369A, CN201610383934, CN201610383934.7
【發明人】王利凱, 韓玉成, 潘甲東, 尚超紅, 劉劍林, 嚴勇, 張鐸
【申請人】中國振華集團云科電子有限公司