一種雙通道rc?igbt器件及其制備方法
【專利摘要】一種雙通道RC?IGBT器件及其制備方法。本發明屬于功率半導體器件技術領域，具體提供逆導型絕緣柵雙極型晶體管(RC?IGBT)及其制備方法，用于獲得更好的器件特性，提高RC?IGBT的可靠性；本發明在傳統RC?IGBT器件結構的基礎上，通過器件背面介質溝槽和肖特基接觸等結構的引入，使RC?IGBT器件在正向IGBT工作模式下完全消除了snapback現象，并具有與傳統IGBT相同的導通壓降；在反向二極管續流工作模式下具有小的導通壓降；同時由于不需要增加背部P+集電區寬度可采用小的背面元胞寬度，解決了傳統RC?IGBT器件電流和溫度均勻性的問題，大大提高了可靠性，且其制備工藝與傳統RC?IGBT器件工藝相兼容。
【專利說明】
一種雙通道RC-1GBT器件及其制備方法
技術領域
[0001 ]本發明屬于功率半導體器件技術領域，涉及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，具體涉及逆導型絕緣柵雙極型晶體管(RC-1GBT)及其制備方法。
【背景技術】
[0002]絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOS場效應和雙極型晶體管復合的新型電力電子器件。它既有MOSFET易于驅動，控制簡單的優點，又有功率晶體管導通壓降低，通態電流大，損耗小的優點，已成為現代電力電子電路中的核心電子元器件之一，廣泛地應用在諸如通信、能源、交通、工業、醫學、家用電器及航空航天等國民經濟的各個領域。IGBT的應用對電力電子系統性能的提升起到了極為重要的作用。
[0003]在電力電子系統中，IGBT通常需要搭配續流二極管(Free Wheeling D1de1FffD)使用以確保系統的安全穩定。因此在傳統IGBT模塊或單管器件中，通常會有FWD與其反向并聯，該方案不僅增加了器件的個數，模塊的體積及生產成本，而且封裝過程中焊點數的增加會影響器件的可靠性，金屬連線所產生的寄生效應還影響器件的整體性能。
[0004]為了解決這一問題，實現產品的整體化，文獻《Takahash,H； Yamamoto ,A；Aono ,S；Mi nato,T.1200V Reverse Conducting IGBT.Proceedings of 2004Internat1naISymposium on Power Semiconductor Devices&ICs，2004，pp.24-27》提出了逆導型IGBT(Reverse Cond ucting IGBT，RC_IGBT)，成功地將續流二極管集成在IGBT內部，其結構如圖1所示。相比于傳統無續流能力的IGBT，該結構在其背部制作了與金屬集電極10和N型電場阻止層8連接的N型集電區11，該區域同器件中P型基區4和N-漂移區7形成了寄生二極管結構，在續流模式下該寄生二極管導通提供電流通路。然而該結構背部N型集電區11的引入也給器件的正向導通特性造成了不利影響。由圖1可見，器件結構中表面溝道區，N-漂移區7和背部N型集電區11形成了寄生VDMOS結構，當正向導通時，在小電流條件下，由于壓降不足，背部P型集電區9與N型電場阻止層8形成的PN結無法開啟，從溝道注入N-漂移區7的電子直接從N型集電區11流出，導致器件呈現出VDMOS特性;隨著電流的增加，只有當電流增大到一定程度使得P型集電區9與N型電場阻止層8之間的壓降高于PN結開啟電壓后，P型集電區9才會向N型電場阻止層8和N-漂移區7中注入空穴，形成電導調制效應，此時由于N-漂移區7中的電導調制效應，器件的正向壓降會迅速下降，使得器件電流-電壓曲線呈現出折回(Snapback)現象。在低溫條件下snapback現象更加明顯，這會導致器件無法正常開啟，嚴重影響電力電子系統的穩定性。對于傳統的RC-1GBT，Snapback現象的抑制是在正面多個MOS元胞并聯的情況下通過增加背部P+集電區的寬度增大背面元胞寬度，從而增大電子電流橫向流動的路徑，增大電流路徑上的電阻，使其在較小的電流下，就可以使背部遠離N型集電區11的P型集電區與N型電場阻止層8形成的壓降達到PN結的開啟電壓。但是，這種方法具有以下問題:I)正向IGBT導通時:由于寄生VDMOS的存在難以完全消除Snapback現象,N型集電區11的存在使傳統RC-1GBT的導通壓降大于傳統IGBT的導通壓降，并且增加的P+集電區的寬度會引起器件在正向IGBT導通時的電流均勻性問題，導致嚴重的電流集中和溫度不均勻，嚴重影響RC-1GBT器件的可靠性;2)反向二極管續流導通時:增加的P+集電區寬度增加了 P型集電區9對N-漂移區7中注入空穴的抽取，同時增長了電流的路徑，增加了二極管的導通壓降，并且增加的P+集電區的寬度會引起器件在反向二極管續流時的電流均勻性問題，導致嚴重的電流集中和溫度不均勻，嚴重影響RC-1GBT器件的可靠性。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于提供一種雙通道RC-1GBT器件及其制備方法，用于獲得更好的器件特性，提高RC-1GBT的可靠性;本發明RC-1GBT器件在正向IGBT工作模式下完全消除了sn apback現象，并具有與傳統IGBT相同的導通壓降；在反向二極管續流工作模式下具有小的導通壓降；同時由于不需要增加背部P+集電區寬度可采用小的背面元胞寬度，解決了傳統R C-1GBT器件電流和溫度均勻性的問題，大大提高了可靠性，且其制備工藝與傳統RC-1GBT器件工藝相兼容。
[0006]為實現上述目的，本發明采用的技術方案為:
[0007]一種雙通道RC-1GBT器件，其元胞結構包括發射極結構、柵極結構、集電極結構和漂移區結構，所述發射極結構包括金屬發射極l、p+歐姆接觸區2、N+發射區3和P型基區4，其中P+歐姆接觸區2和N+發射區3相互獨立設置于P型基區4中，且P+歐姆接觸區2和N+發射區3的表面均與金屬發射極I相接觸;所述漂移區結構包括N-漂移區7和N型電場阻止層8，所述N型電場阻止層8設置于N-漂移區7背面;所述柵極結構包括柵電極6和柵氧化層5，所述柵電極6與N+發射區3、P型基區4及N-漂移區7三者之間設置柵氧化層5;所述漂移區結構位于所述發射極結構/柵極結構和所述集電極結構之間，所述N-漂移區7正面與發射極結構的P型基區4和柵極結構的柵氧化層5相接觸；
[0008]其特征在于，所述集電極結構包括P集電區9、金屬集電極10、N型集電區11、歐姆接觸金屬13、肖特基接觸金屬14、介質槽15和隔離介質層16，所述P型集電區9與N型電場阻止層8背面相接觸，所述N型集電區11位于P型集電區9內一側底部，所述金屬集電極10設置于P型集電區9背面、且與N型集電區11部分接觸，所述歐姆接觸金屬13和肖特基接觸金屬14并排設置、且與金屬集電極10之間通過隔離介質層16相隔離，所述歐姆接觸金屬13與N型電場阻止層8相連并形成歐姆接觸，所述肖特基接觸金屬14與N型集電區11相連并形成肖特基接觸，所述歐姆接觸金屬13與所述P型集電區9和N型集電區11之間設置所述介質槽15、且歐姆接觸金屬13和肖特基接觸金屬14于介質槽15背面相短接。
[0009]進一步的，所述N型電場阻止層8與所述歐姆接觸金屬13之間還設置有N型集電極旁路區12，則所述N型集電極旁路區12正面與N型電場阻止層8背面相接觸、N型集電極旁路區12背面與歐姆接觸金屬13相連并形成歐姆接觸。
[0010]更進一步的，所述柵極結構為平面柵結構或槽柵結構;所述漂移區結構為NPT結構或F S結構;所述RC-1GBT器件的半導體材料采用S1、SiC、GaAs或者GaN制作;所述介質槽15中填充的介質材料為Si02、Hf02、Al203、Si3N4等高k介質材料。
[0011]上述雙通道RC-1GBT的制備方法，包括以下步驟:
[0012]第一步:選取輕摻雜FZ硅片用以形成RC-1GBT的N-漂移區；通過多次光刻、氧化、離子注入、退火、淀積工藝在硅片正面制作RC-1GBT的正面結構，包括發射機結構和柵極結構；
[0013]第二步:翻轉硅片，減薄硅片背面至所需厚度；
[0014]第三步:在硅片背面的預設區域通過離子注入N型雜質并退火制作N型場阻止層，形成的N型場阻止層的厚度為2?5微米；
[0015]第四步:在硅片背面的預設區域通過離子注入P型雜質制作P型集電區，形成的P型集電區的厚度為0.5?I微米；
[0016]第五步:在硅片背面的預設區域通過離子注入N型雜質并退火制作N型集電區，形成的N型集電區的厚度比P型集電區9的厚度小0.1?0.3微米；
[0017]第六步:光刻、刻蝕并填充介質形成介質槽，介質槽的深度大于P型集電區9的深度0.1?0.3微米，介質槽15的寬度為0.02?0.2微米；
[0018]第七步:淀積并光刻、刻蝕金屬形成歐姆接觸金屬及肖特基接觸金屬；
[0019]第八步:淀積并光刻、刻蝕介質層形成隔離介質層；
[0020]第九步:淀積金屬，形成金屬集電極10;
[0021]即制備得雙通道RC-1GBT。
[0022]進一步的，所述工藝步驟中第三步N型場阻止層的制備可在RC-1GBT的正面結構，包括元胞MOS結構和終端結構的制備之前進行;或可直接選用具有N型場阻止層和N-漂移區的雙層外延材料作為工藝起始的硅片材料，即第三步可省略。
[0023]需要說明的是，為了簡化描述，上述器件結構和制備方法是以η溝道RC-1GBT器件為例來說明，但本發明同樣適用于P溝道RC-1GBT器件的制備;且上述RC-1GBT的制備方法中的工藝步驟和工藝條件可根據實際需要進行設定。
[0024]本發明提供的雙通道RC-1GBT器件，在IGBT正向偏置時，發射極金屬I接零電位，集電極金屬10接高電位，柵電極6接高電位。對于N型集電區11與肖特基金屬14形成的肖特基結，由于金屬集電極10接高電位，在N型集電區11中形成載流子的阻擋層，該肖特基結反偏，電流不能通過該肖特基結流通，因此金屬集電極10、Ν型集電區11、肖特基金屬14、歐姆接觸金屬13與N集電極旁路區12和N型場阻止層8的路徑電流不能導通;此外，由于P集電區9和介質槽15將N型集電區11包裹，并且P集電區9和N型集電區11等電位，因此在IGBT正向偏置時N型集電區11被P集電區9完全屏蔽。當柵電極6接高電位時，器件表面MOS溝道開啟，電子由N+發射區3經P-body區4的表面溝道注入N-漂移區7中，隨著集電極金屬10電壓的增加，當P集電區9和N型場阻止層8的壓降超過PN結的導通壓降后，由表面MOS溝道流入N-漂移區7中電子電流作為由P-body區4、N-漂移區7與P集電區9組成的PNP晶體管的基極電流，使PNP晶體管導通，大量空穴由P集電區9經N型電場阻止層8注入N-漂移區7中。因此，對于本發明結構不僅完全消除了傳統RC-1GBT在正向導通時的snapback的現象，而且具有與傳統IGBT相同的正向導通壓降，同時不需要增大背部P集電區9的寬度可采用小的背面元胞寬度，解決了傳統RC-1GBT器件電流和溫度均勻性的問題，大大提高了可靠性。
[0025]對于本發明結構在二極管續流模式下，器件的陰極(發射極)為高電位，陽極(集電極)為零電位，其等效電路如圖4所示，二極管電流的通路在背部將由兩種導電通道構成，如圖5所示。首先，N型場阻止層8、N集電極旁路區12、P集電區9、N型集電區11與介質槽15構成了柵-漏短接的寄生MOSFET結構，對于該寄生MOSFET，P集電區9為襯底，N型場阻止層8為漏區，N型集電區11為源區，N集電極旁路區12/N型場阻止層8為柵極，介質槽15為柵介質。通過調整介質槽15的寬度和材料以及P集電區9的濃度和深度，使該寄生MOSFET具有介于O?
0.1V的閾值電壓。當本發明器件陰極和陽極的電位差超過所述寄生MO SFET的閾值電壓以及由P-body區4和N-漂移區7形成的PN結的開啟電壓之和后，此時上述由P-body區4和N-漂移區7形成的PN結開啟并且寄生MOS溝道開啟，器件進入二極管續流導通模式，電流從表面PN結流入并從背部寄生MOS溝道流出器件；當陰極和陽極的電位差繼續增加，當陰極和陽極的電位差超過肖特基金屬14和N型集電區11形成的肖特基結的開啟電壓以及由P-body區4和N-漂移區7形成的PN結的開啟電壓之和后，背部除寄生M OS溝道開啟外，由肖特基金屬14和N型集電區11形成的肖特基結也開啟，此時一部分電流在背部通過由N-漂移區7、N型場阻止層8、N集電極短路區12、歐姆接觸金屬13、肖特基金屬14、N型集電區11的電流通路流出，背部為雙導電通道導通，即電流從表面PN結流入后從背部寄生MOS溝道和肖特基結兩條通道流出器件。通過選擇合適的肖特基金屬14，可得到?0.3V甚至更低的肖特基開啟電壓。因此，在續流二極管的工作模式下，本發明在器件背部有兩條導電通路，具有更低的導通壓降，更優的二極管導通特性。特別地，在正向IG BT導通模式下，背部寄生MOSFET不能導通，而此時肖特基結也為反偏截止狀態，因此在正向IGBT導通模式下用于續流二極管的背部的兩條通路均是阻斷的。
[0026]綜上所述，本發明提供的雙通道RC-1GBT器件在正向IGBT工作模式下完全消除了sna pback現象，并具有與傳統IGBT相同的導通壓降；在反向二極管續流工作模式下由于背部雙導電通道的存在具有小的導通壓降；同時由于不需要增加背部P集電區寬度可采用小的背面元胞寬度，解決了傳統RC-1GBT器件電流和溫度均勻性的問題，大大提高了可靠性；并且本發明提供的制備方法與傳統RC-1GBT器件工藝相兼容。
【附圖說明】
[0027]圖1是傳統的RC-1GBT器件元胞結構示意圖。
[0028]圖2是本發明實施例1提供雙通道RC-1GBT器件元胞結構示意圖。
[0029]圖3是本發明實施例2提供雙通道RC-1GBT器件元胞結構示意圖。
[0030]圖1至圖3中，I為金屬發射極，2為P+歐姆接觸區，3為N+發射區，4為P型基區，5為柵氧化層，6為多晶硅柵極，7為N-漂移區，8為N型電場阻止層，9為P集電區，10為金屬集電極，11為N型集電區，12為N型集電極短路區，13為歐姆接觸金屬，14為肖特基接觸電阻，15為介質槽，16為隔離介質層。
[0031]圖4為本發明提供的雙通道RC-1GBT器件工作在二極管續流模式時的等效電路模型。
[0032]圖5為本發明提供的雙通道RC-1GBT器件工作在二極管續流模式時的雙通道導電模式示意圖。
[0033]圖6為本發明提供的雙通道RC-1GBT器件的制造工藝流程示意圖。
【具體實施方式】
[0034]以下結合附圖，對本發明的原理和特性做進一步的說明，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。
[0035]實施例1
[0036]本實施例提供600V電壓等級的雙通道RC-1GBT，其元胞結構如圖2所示，包括發射極結構、柵極結構、集電極結構和漂移區結構，所述發射極結構包括金屬發射極1、p+歐姆接觸區2、N+發射區3和P型基區4，其中P+歐姆接觸區2和N+發射區3相互獨立設置于P型基區4中，且P+歐姆接觸區2和N+發射區3的表面均與金屬發射極I相接觸;所述漂移區結構包括N-漂移區7和N型電場阻止層8，所述N型電場阻止層8設置于N-漂移區7背面;所述柵極結構包括柵電極6和柵氧化層5，所述柵電極6與N+發射區3、P型基區4及N-漂移區7三者之間設置柵氧化層5;所述漂移區結構位于所述發射極結構/柵極結構和所述集電極結構之間，所述N-漂移區7正面與發射極結構的P型基區4和柵極結構的柵氧化層5相接觸;其特征在于，所述集電極結構包括P集電區9、金屬集電極10、N型集電區11、歐姆接觸金屬13、肖特基接觸金屬14、介質槽15和隔離介質層16，所述P型集電區9與N型電場阻止層8背面相接觸，所述N型集電區11位于P型集電區9內一側底部，所述金屬集電極10設置于P型集電區9背面、且與N型集電區11部分接觸，所述歐姆接觸金屬13和肖特基接觸金屬14并排設置、且與金屬集電極10之間通過隔離介質層16相隔離，所述歐姆接觸金屬13與N型電場阻止層8相連并形成歐姆接觸，所述肖特基接觸金屬14與N型集電區11相連并形成肖特基接觸，所述歐姆接觸金屬13與所述P型集電區9和N型集電區11之間設置所述介質槽15、且歐姆接觸金屬13和肖特基接觸金屬14于介質槽15背面相短接。
[0037]所述介質槽15的深度大于P型集電區9的深度0.1?0.3微米，介質槽15的寬度為
0.02?0.2微米;形成的所述N集電極短路區11的厚度比P型集電區9的厚度小0.1?0.3微米，通過調整介質槽15的寬度和材料以及P集電區9的濃度和深度，使背部寄生MOSFET具有介于O?0.1V的閾值電壓;通過選擇合適的肖特基金屬14，使形成的肖特基結具有0.3V甚至更低的開啟電壓。
[0038]實施例2
[0039]本實施例提供600V電壓等級的雙通道RC-1GBT，其元胞結構如圖3所示，該結構在實施例1的基礎上，在所述N型電場阻止層8與所述歐姆接觸金屬13之間還設置有N型集電極旁路區12，則所述N型集電極旁路區12正面與N型電場阻止層8背面相接觸、N型集電極旁路區12背面與歐姆接觸金屬13相連并形成歐姆接觸。所述N型集電極旁路區12的厚度同樣比P型集電區9的厚度小0.1?0.3微米，但與N型集電區11相比，其厚度及摻雜濃度可以相同也可以不同。
[0040]上述雙通道RC-1GBT的制備方法，如圖6所示，具體包括以下步驟:
[0041 ]第一步:選取摻雜濃度為2 X 114個/cm3，厚度為300?500微米的輕摻雜FZ硅片用以形成RC-1GBT的漂移區；通過多次光亥丨」、氧化、離子注入、退火、淀積工藝在硅片正面制作RC-1GBT的正面結構，包括元胞MOS結構和終端結構；
[0042]第二步:翻轉硅片，減薄硅片背面至40?60微米的厚度；
[0043]第三步:在硅片背面預設區域通過離子注入N型雜質并退火制作RC-1GBT的N型場阻止層8，形成的N型場阻止層的厚度為2?3微米，離子注入能量為100keV?2000keV，注入劑量為I X 114個/cm2，采用激光退火工藝，退火溫度為400-500°C，退火時間為30?60分鐘；
[0044]第四步:在硅片背面的預設區域通過離子注入P型雜質制作RC-1GBT的P型集電區，形成的P型集電區9的厚度為?0.5微米，離子注入能量為60keV，注入劑量為I X 114個/cm2;
[0045]第五步:在硅片背面的預設區域通過離子注入N型雜質并退火制作RC-1GBT的N型集電區11和N集電極旁路區12，形成的N型集電區11和N集電極旁路區12的厚度比P型集電區9的厚度小0.2微米，離子注入能量為15keV，注入劑量為2 X 114個/cm2，退火溫度為450 V，退火時間為30?60分鐘；
[0046]第六步:光刻，刻蝕并填充介質形成介質槽15，介質槽15的深度大于P型集電區9的深度0.1微米，介質槽15的寬度為0.02微米，介質槽15的側壁一邊與P集電區9和N型集電區11的側壁相接觸，一邊與N集電極旁路區12和N型場阻止層8的側壁相接觸；
[0047]第七步:淀積并光刻、刻蝕金屬Al在N集電極旁路區12的表面形成歐姆接觸金屬13；淀積并光刻、刻蝕金屬Ni在N型集電區11靠近介質槽15的部分表面形成肖特基接觸金屬14，且所述歐姆接觸金屬13與肖特基接觸金屬14在介質槽15的下表面處相短接；
[0048]第八步:淀積并光刻、刻蝕介質層形成介質層16;
[0049]第九步:淀積金屬，形成金屬集電極10;
[0050]即制備得雙通道RC-1GBT。
[0051]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，本說明書中所公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換;所公開的所有特征、或所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以任何方式組合。
【主權項】
1.一種雙通道RC-1GBT器件，其元胞結構包括發射極結構、柵極結構、集電極結構和漂移區結構，所述發射極結構包括金屬發射極(1)、P+歐姆接觸區(2)、N+發射區(3)和P型基區(4)，其中P+歐姆接觸區(2)和N+發射區(3)相互獨立設置于P型基區(4)中，且P+歐姆接觸區(2)和N+發射區(3)的表面均與金屬發射極(I)相接觸;所述漂移區結構包括N-漂移區(7)和N型電場阻止層(8)，所述N型電場阻止層(8)設置于N-漂移區(7)背面;所述柵極結構包括柵電極(6)和柵氧化層(5)，所述柵電極(6)與N+發射區(3)、P型基區(4)及N-漂移區(7)三者之間設置柵氧化層(5);所述漂移區結構位于所述發射極結構/柵極結構和所述集電極結構之間，所述N-漂移區(7)正面與發射極結構的P型基區(4)和柵極結構的柵氧化層(5)相接觸； 其特征在于，所述集電極結構包括P集電區(9)、金屬集電極(10)、N型集電區(11)、歐姆接觸金屬(13)、肖特基接觸金屬(14)、介質槽(15)和隔離介質層(16)，所述P型集電區(9)與N型電場阻止層(8)背面相接觸，所述N型集電區(11)位于P型集電區(9)內一側底部，所述金屬集電極(10)設置于P型集電區(9)背面、且與N型集電區(11)部分接觸，所述歐姆接觸金屬(13)和肖特基接觸金屬(14)并排設置、且與金屬集電極(10)之間通過隔離介質層(16)相隔離，所述歐姆接觸金屬(13)與N型電場阻止層(8)相連并形成歐姆接觸，所述肖特基接觸金屬(14)與N型集電區(11)相連并形成肖特基接觸，所述歐姆接觸金屬(13)與所述P型集電區(9)和N型集電區(11)之間設置所述介質槽(15)、且歐姆接觸金屬(13)和肖特基接觸金屬(14)于介質槽(15)背面相短接。2.按權利要求1所述雙通道RC-1GBT器件，其特征在于，所述N型電場阻止層(8)與所述歐姆接觸金屬(13)之間還設置有N型集電極旁路區(12)，則所述N型集電極旁路區(12)正面與N型電場阻止層(8)背面相接觸、N型集電極旁路區(12)背面與歐姆接觸金屬(13)相連并形成歐姆接觸。3.按權利要求1或2所述雙通道RC-1GBT器件，其特征在于，所述柵極結構為平面柵結構或槽柵結構。4.按權利要求1或2所述雙通道RC-1GBT器件，其特征在于，所述漂移區結構為NPT結構或FS結構。5.按權利要求1或2所述雙通道RC-1GBT器件，其特征在于，所述RC-1GBT器件的半導體材料采用S 1、S i C、GaAs或者GaN制作。6.按權利要求1或2所述雙通道RC-1GBT器件，其特征在于，所述介質槽15中填充的介質材料為 Si02、Hf02、Al203 或 Si3N4。7.按權利要求1所述雙通道RC-1GBT的制備方法，包括以下步驟: 第一步:選取輕摻雜FZ硅片用以形成RC-1GBT的N-漂移區；通過多次光刻、氧化、離子注入、退火、淀積工藝在硅片正面制作RC-1GBT的正面結構，包括發射機結構和柵極結構； 第二步:翻轉硅片，減薄硅片背面至所需厚度； 第三步:在硅片背面的預設區域通過離子注入N型雜質并退火制作N型場阻止層，形成的N型場阻止層的厚度為2?5微米； 第四步:在硅片背面的預設區域通過離子注入P型雜質制作P型集電區，形成的P型集電區的厚度為0.5?1微米； 第五步:在硅片背面的預設區域通過離子注入N型雜質并退火制作N型集電區，形成的N型集電區的厚度比P型集電區的厚度小0.1?0.3微米； 第六步:光刻、刻蝕并填充介質形成介質槽，介質槽的深度大于P型集電區的深度0.1?.0.3微米，介質槽的寬度為0.02?0.2微米； 第七步:淀積并光刻、刻蝕金屬形成歐姆接觸金屬及肖特基接觸金屬； 第八步:淀積并光刻、刻蝕介質層形成隔離介質層； 第九步:淀積金屬，形成金屬集電極； 即制備得雙通道RC-1GBT。
【文檔編號】H01L29/08GK106067481SQ201610592629
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年7月26日
【發明人】張金平, 熊景枝, 郭緒陽, 廖航, 劉競秀, 李澤宏, 任敏, 張波
【申請人】電子科技大學