圖像傳感器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了圖像傳感器的制造方法，包括如下步驟：(1)提供p型襯底，所述p型襯底包括外圍區域和像素單元區域；(2)對圖像傳感器的像素單元區域進行刻蝕，形成淺溝槽區域；(3)對淺溝槽區域的襯里進行氧化；(4)利用溝槽掩膜進行溝槽區域離子注入，在位于像素單元區域的襯底表面形成n型埋層；(5)在像素單元區域的邊界處形成環繞所述像素單元區域的n型隔離環；(6)在p型襯底和n型隔離環處分別形成圖像傳感器的光電轉換部和輸出部。本發明制造方法簡單，成本低，制造出的圖像傳感器信噪比高，成像質量好。
【專利說明】
圖像傳感器的制造方法
技術領域
[0001]本發明涉及一種傳感器的制造方法，具體涉及圖像傳感器的制造方法。
【背景技術】
[0002]圖像傳感器在設計及制造過程中需要在硅片上制造像素單元，這些像素結構必須與其周圍的器件或區域進行有效隔離，例如與周圍的像素結構進行隔離。在現有技術的圖像傳感器制造方法中，需要一個附加掩膜來形成相鄰像素區域之間的注入隔離區，由此增大了圖像傳感器的制造成本，并且增加了單獨的制造注入隔離區的工藝步驟，增加了工藝復雜性。并且，在實際應用中發現，現有的圖像傳感器信噪比比較低，圖像傳感器成像質量較差。
【發明內容】
[0003]本發明針對現有技術的不足，提供一種制造方法簡單，制造出的傳感器信噪比高，成像質量好的圖像傳感器制造方法。
[0004]本發明技術方案如下:圖像傳感器的制造方法，包括如下步驟:
[0005](I)提供P型襯底，所述P型襯底包括外圍區域和像素單元區域；
[0006](2)對圖像傳感器的像素單元區域進行刻蝕，形成淺溝槽區域；
[0007](3)對淺溝槽區域的襯里進行氧化；
[0008](4)利用溝槽掩膜進行溝槽區域離子注入，在位于像素單元區域的襯底表面形成η型埋層；
[0009](5)在像素單元區域的邊界處形成環繞所述像素單元區域的η型隔離環；
[0010](6)在P型襯底和η型隔離環處分別形成圖像傳感器的光電轉換部和輸出部。
[0011 ] 進一步地，步驟4中所述的離子為η型離子，η型離子為磷離子或者砷離子，所述η型隔離環的寬度為0.5-1微米，厚度為1.5-3微米。
[0012]本發明的有益效果在于:本發明制造方法簡單，成本低，制造出的圖像傳感器信噪比高，成像質量好。
【具體實施方式】
[0013]圖像傳感器的制造方法，通過如下步驟完成:
[0014](I)提供P型襯底，P型襯底包括外圍區域和像素單元區域；
[0015](2)對圖像傳感器的像素單元區域進行刻蝕，形成淺溝槽區域；
[0016](3)對淺溝槽區域的襯里進行氧化；
[0017](4)利用溝槽掩膜對溝槽區域注入η型離子，在位于像素單元區域的襯底表面形成η型埋層；
[0018](5)在像素單元區域的邊界處形成環繞像素單元區域的寬0.5-1微米、厚1.5-3微米的η型隔離環；
[0019](6)在p型襯底和η型隔離環處分別形成圖像傳感器的光電轉換部和輸出部。
[0020]經檢驗，本發明制造方法生產的圖像傳感器信噪比高，成像質量好。
【主權項】
1.圖像傳感器的制造方法，其特征在于:包括如下步驟: (1)提供P型襯底，所述P型襯底包括外圍區域和像素單元區域； (2)對圖像傳感器的像素單元區域進行刻蝕，形成淺溝槽區域； (3)對淺溝槽區域的襯里進行氧化； (4)利用溝槽掩膜進行溝槽區域離子注入，在位于像素單元區域的襯底表面形成η型埋層； (5)在像素單元區域的邊界處形成環繞所述像素單元區域的η型隔離環； (6)在P型襯底和η型隔離環處分別形成圖像傳感器的光電轉換部和輸出部。2.如權利要求1所述的圖像傳感器的制造方法，其特征在于:所述圖像傳感器制造方法用于制造接觸式圖像傳感器。3.如權利要求1所述的圖像傳感器的制造方法，其特征在于:步驟4中所述的離子為η型離子。4.如權利要求3所述的η型離子，其特征在于:所述η型離子為磷離子或者砷離子。5.如權利要求1所述的圖像傳感器的制造方法，其特征在于:所述η型隔離環的寬度為0.5-1微米。6.如權利要求1所述的圖像傳感器的制造方法，其特征在于:所述η型隔離環的厚度為1.5-3微米。
【文檔編號】H01L21/82GK106067445SQ201410624798
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2014年11月7日 公開號201410624798.7, CN 106067445 A, CN 106067445A, CN 201410624798, CN-A-106067445, CN106067445 A, CN106067445A, CN201410624798, CN201410624798.7
【發明人】張劍飛
【申請人】西安立偉電子科技有限責任公司