一種像素bank及其制作方法、發光二極管的制作方法
【專利摘要】本發明公開一種像素bank及其制作方法、發光二極管，其中，像素bank的制作方法包括步驟：A、在基板上依次沉積透明像素電極薄膜以及反射金屬薄膜，并對透明像素電極薄膜以及反射金屬薄膜進行圖案化處理；B、在反射金屬薄膜上沉積用于制作像素bank的負性光阻薄膜，并利用曝光掩膜進行曝光；C、對負性光阻薄膜進行顯影，形成像素bank；D、然后進行后烘，在像素bank上形成傾斜角；E、以像素bank為掩膜對反射金屬薄膜進行刻蝕，露出透明像素電極薄膜。本發明提高了產品品質，節約了制作成本；由于反射金屬薄膜的導電率要大于透明像素電極，還能降低驅動TFT S/D電極到發光區像素電極之間的電阻，減小因電阻導致的信號延遲以及降低顯示面板的功耗。
【專利說明】
一種像素bank及其制作方法、發光二極管
技術領域
[0001]本發明涉及發光材料領域，尤其涉及一種像素bank及其制作方法、發光二極管。
【背景技術】
[0002]在信息社會時代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進一步加強，為了在未來占據主導地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質量的趨勢發展。
[0003]有機電致發光二極管(OLED)具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、輕薄等優點;量子點發光二極管(QLED)光色純度高、發光量子效率高、發光顏色易調等優點，上述兩種發光二極管成為了目前顯示領域發展的兩個主要方向。
[0004]目前，不論是OLED還是QLED，用作顯示面板的發光像素單元時，都需要在像素單元制作像素bank(像素界定層)，以定義發光區以及沉積各功能薄膜。
[0005]若采用傳統的蒸鍍工藝或者濕法工藝制作OLED或QLED，像素bank—般要求具有小角度傾斜結構，有利于后期膜層的沉積。像素bank—般采用光阻材料制備，負性光阻材料由于其成本相對于正性光阻材料要低，從降低成本的角度考慮，一般會采用負性光阻來制作像素bank。然而采用負性光阻制作像素bank時，容易形成倒角，如圖1所示，先在基板100上依次沉積透明像素電極薄膜110和負性光阻薄膜120，然后依次進行曝光(結合曝光掩膜130進行曝光)、顯影和后烘形成像素bank 140，其中，負性光阻曝光時，由于上層薄膜接收的曝光量相對要大于下層薄膜、因此曝光顯影后容易形成倒角，經過后烘工藝后，與基板100接觸的下層薄膜會軟化重排，形成小角度傾斜結構，但上表面的倒角很難完全去除。而倒角的存在，在后期的薄膜沉積過程中，尤其是蒸鍍頂電極時，容易引起薄膜斷裂，形成缺陷，降低廣品良率。
[0006]因此，現有技術還有待于改進和發展。
【發明內容】
[0007]鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種像素bank及其制作方法、發光二極管，旨在解決現有像素bank上表面存在倒角、導致容易引起薄膜斷裂，形成缺陷，降低產品良率的問題。
[0008]本發明的技術方案如下:
一種像素bank的制作方法，其中，包括步驟:
A、在基板上依次沉積透明像素電極薄膜以及反射金屬薄膜，并對透明像素電極薄膜以及反射金屬薄膜進行圖案化處理；
B、在反射金屬薄膜上沉積用于制作像素bank的負性光阻薄膜，并利用曝光掩膜進行曝光；
C、對負性光阻薄膜進行顯影，形成像素bank;
D、然后進行后烘，在像素bank上形成傾斜角； E、以像素bank為掩膜對反射金屬薄膜進行刻蝕，露出透明像素電極薄膜。
[0009]所述的像素bank的制作方法，其中，所述透明像素電極薄膜為導電金屬氧化物薄膜。
[0010]所述的像素bank的制作方法，其中，所述導電金屬氧化物薄膜為IT0、FT0或AZO薄膜。
[0011]所述的像素bank的制作方法，其中，所述反射金屬薄膜為Al或Ag薄膜。
[0012]所述的像素bank的制作方法，其中，所述反射金屬薄膜的厚度為20_40nm。
[0013]所述的像素bank的制作方法，其中，所述步驟A之前還包括:
對所述基板進行清洗。
[0014]所述的像素bank的制作方法，其中，所述步驟D中，后烘溫度為220°0240°C。
[0015]一種像素bank，其中，采用如上所述的制作方法制成。
[0016]一種發光二極管，其中，采用如上所述的像素bank。
[0017]所述的發光二極管，其中，所述發光二極管為有機電致發光二極管或量子點發光二極管.有益效果:本發明通過在透明像素電極薄膜上端沉積一層反射金屬薄膜，通過所述反射金屬薄膜反射曝光過程中未被負性光阻吸收的光，提高負性光阻底部膜層的曝光量，弱化以致消除負性光阻薄膜上下兩部分的光通量差異，防止負性光阻曝光顯影后倒角的形成，結合后烘工藝，形成具有傾斜角的像素bank，本發明提高了產品品質，節約了制作成本；由于反射金屬薄膜的導電率要大于透明像素電極，還能降低驅動TFT S/D電極到發光區像素電極之間的電阻，減小因電阻導致的信號延遲以及降低顯示面板的功耗。
【附圖說明】
[0018]圖1為現有技術中像素bank的制作流程圖。
[0019]圖2為本發明一種像素bank的制作方法較佳實施例的流程圖。
[0020]圖3為本發明一種像素bank的制作流程圖。
【具體實施方式】
[0021]本發明提供一種像素bank及其制作方法、發光二極管，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0022]請參閱圖2，圖2為本發明一種像素bank的制作方法較佳實施例的流程圖，其包括步驟:
51、在基板上依次沉積透明像素電極薄膜以及反射金屬薄膜，并對透明像素電極薄膜以及反射金屬薄膜進行圖案化處理；
52、在反射金屬薄膜上沉積用于制作像素bank的負性光阻薄膜，并利用曝光掩膜進行曝光；
53、對負性光阻薄膜進行顯影，形成像素bank;
54、然后進行后烘，在像素bank上形成傾斜角；
55、以像素bank為掩膜對反射金屬薄膜進行刻蝕，露出透明像素電極薄膜。
[0023]具體來說，如圖3所示，首先在步驟SI中，在基板200上依次沉積透明像素電極薄膜210以及反射金屬薄膜220;
所述透明像素電極薄膜210優選為導電金屬氧化物薄膜，例如，所述導電金屬氧化物薄膜為ITO、FTO或AZO薄膜等。
[0024]所述反射金屬薄膜220優選為Al或Ag薄膜等，其具有高光學反射特性，所述反射金屬薄膜220的厚度優選為20-40nm，例如25nm。其中，反射金屬薄膜220的沉積方式為熱蒸鍍或濺射，優選熱蒸鍍方式，蒸鍍速度0.05?2 nm/s。
[0025]在沉積完上述透明像素電極薄膜210以及反射金屬薄膜220之后，進行圖案化處理。
[0026]另外，在所述步驟SI之前還包括:
對所述基板100進行清洗。先依次置于丙酮，洗液，去離子水以及異丙醇中進行超聲清洗，各步處理可持續15分鐘左右。所述基板100可以是玻璃基板或柔性基板。
[0027]在所述步驟S2中，在圖案化的反射金屬薄膜220上沉積負性光阻薄膜230，所述負性光阻薄膜230用于后續制作像素bank。然后利用曝光掩膜240進行曝光。在曝光過程中，負性光阻薄膜230由于會吸收光子，因此，負性光阻薄膜230上表面經受的曝光量相對大于下表面經受的曝光量，但由于透明像素電極薄膜210上有一層反射金屬薄膜220，所述反射金屬薄膜220會反射未被負性光阻薄膜230完全吸收的光子，從而對負性光阻薄膜230進行第二次曝光，第二次曝光的方向是由下而上，這樣在第二次曝光的過程中負性光阻薄膜230下表面的曝光量大于上表面的曝光量，這樣既可實現弱化以致消除負性光阻薄膜230上下兩表面曝光量的差異。
[0028]在所述步驟S3中，對負性光阻薄膜230進行顯影，形成像素bank250。由于負性光阻薄膜230上下表面經受的曝光量差異較小，顯影后形成的像素bank 250，其形成接近于90°的直角結構，而不會出現倒角現象。其中，顯影用的顯影液可以為標準的2.38%TMAH(四甲基氫氧化銨)，顯影時間為30-90 S0
[0029]在所述步驟S4中進行后烘，由于后烘溫度較高，接近基板100表面的像素bank250會軟化重排，形成傾斜角。具體地，后烘溫度為220°0240°(:，例如后烘溫度為230°C，后烘時間為20?30 min，例如優選為30min，在上述條件下，像素bank 250重排后可形成開口擴張的傾斜角，且角度適宜。
[0030]在所述步驟S5中，以像素bank250為掩膜對反射金屬薄膜220進行刻蝕，最終露出透明像素電極薄膜210。
[0031 ]本發明還提供一種像素bank，其采用如上所述的制作方法制成。
[0032]本發明還提供一種發光二極管，其采用如上所述的像素bank。
[0033]進一步，所述發光二極管為有機電致發光二極管或量子點發光二極管
綜上所述，本發明通過在透明像素電極薄膜上端沉積一層反射金屬薄膜，通過所述反射金屬薄膜反射曝光過程中未被負性光阻吸收的光，提高負性光阻底部膜層的曝光量，弱化以致消除負性光阻薄膜上下兩部分的光通量差異，防止負性光阻曝光顯影后倒角的形成，結合后烘工藝，形成具有傾斜角的像素bank，本發明提高了產品品質，節約了制作成本；由于反射金屬薄膜的導電率要大于透明像素電極，還能降低驅動TFT S/D電極到發光區像素電極之間的電阻，減小因電阻導致的信號延遲以及降低顯示面板的功耗。
[0034]應當理解的是，本發明的應用不限于上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬于本發明所附權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種像素bank的制作方法，其特征在于，包括步驟: A、在基板上依次沉積透明像素電極薄膜以及反射金屬薄膜，并對透明像素電極薄膜以及反射金屬薄膜進行圖案化處理； B、在反射金屬薄膜上沉積用于制作像素bank的負性光阻薄膜，并利用曝光掩膜進行曝光； C、對負性光阻薄膜進行顯影，形成像素bank; D、然后進行后烘，在像素bank上形成傾斜角； E、以像素bank為掩膜對反射金屬薄膜進行刻蝕，露出透明像素電極薄膜。2.根據權利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述透明像素電極薄膜為導電金屬氧化物薄膜。3.根據權利要求2所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述導電金屬氧化物薄膜為ITO、FTO或AZO薄膜。4.根據權利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述反射金屬薄膜為Al或Ag薄膜。5.根據權利要求4所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述反射金屬薄膜的厚度為20_40nm。6.根據權利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述步驟A之前還包括: 對所述基板進行清洗。7.根據權利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述步驟D中，后烘溫度為.220°0240°C。8.—種像素bank，其特征在于，采用如權利要求1?9任一項所述的制作方法制成。9.一種發光二極管，其特征在于，采用如權利要求8所述的像素bank。10.根據權利要求9所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管為有機電致發光二極管或量子點發光二極管。
【文檔編號】H01L51/56GK106058079SQ201610683398
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月18日
【發明人】陳亞文
【申請人】Tcl集團股份有限公司