一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法
【專利摘要】本發明提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法，通過在基底的引線區域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區域內的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區域內金屬線的裸露狀態，避免金屬引線反光，更為美觀；遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強遮光效果；此外，本發明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現有的設備形成遮擋層，無需額外增加油墨涂覆設備，減小設備投資，從而降低生產成本。
【專利說明】
一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法。
【背景技術】
[0002]目前，為實現窄邊框甚至無邊框設計，需要將陣列基板放置在顯示面板的出光側，將彩膜基板放置在顯示面板的入光側，這樣可大幅度地窄化PCB貼合的連接焊盤區域的邊框。
[0003]但是，在陣列基板的周邊引線區域，金屬引線呈裸露狀態，為了遮擋陣列基板的周邊引線區域內的金屬引線，目前通常采用涂覆油墨的方法覆蓋，這樣，需要額外增加油墨涂覆設備和人力物力，使得產品生產成本增加。
[0004]此外，由于油墨的遮光性能較差，在陣列基板的周邊引線區域存在漏光、反光的現象，影響顯示效果。
[0005]因此，亟需一種在保證窄邊框的前提下，既能夠消除陣列基板周邊引線區域內金屬線的裸露狀態，又能降低該區域反光和漏光的方案。
【發明內容】
[0006]本發明針對現有技術中存在的上述不足，提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法，用以至少部分解決窄邊框產品生產成本高以及周邊引線區域金屬引線漏光、反光的問題。
[0007]本發明為解決上述技術問題，采用如下技術方案:
[0008]本發明提供一種陣列基板，包括基底，還包括用于遮擋所述引線區域內的金屬引線的遮擋層，所述遮擋層位于所述基底的引線區域，包括減反射膜層，所述減反膜層形成在所述基底上。
[0009]進一步的，所述遮擋層還包括金屬膜層，所述金屬膜層形成在所述減反膜層上。
[0010]進一步的，所述陣列基板還包括形成在所述基底上顯示區域的第一增透層，所述第一增透層用于降低所述顯示區域內的薄膜晶體管對環境光的反射率。
[0011]進一步的，所述陣列基板還包括形成在所述遮擋層上的第二增透層。
[0012]優選的，所述第一增透層和第二增透層包括減反射膜層和金屬膜層，所述減反射膜層位于所述金屬膜層和基底之間。
[0013]優選的，所述第一增透層與第二增透層同層設置且材料相同。
[0014]優選的，所述遮擋層與所述第一增透層同層設置且材料相同。
[0015]進一步的，所述基底的顯示區域包括薄膜晶體管區域；
[0016]所述陣列基板還包括位于薄膜晶體管區域內的柵極和位于所述引線區域內的金屬引線;所述柵極由所述第一增透層的金屬膜層通過構圖工藝形成。
[0017]優選的，所述遮擋層的寬度大于或等于所述引線區內的金屬引線的寬度。
[0018]本發明還提供一種顯示面板，包括如前所述的陣列基板。
[0019]本發明還提供一種顯示裝置，包括如前所述的顯示面板。
[0020]本發明還提供一種陣列基板制備方法，通過構圖工藝在基底上的引線區域形成包括遮擋層的圖形，所述遮擋層包括減反射膜層，所述減反膜層形成在所述基底上。
[0021 ]進一步的，所述遮擋層還包括金屬膜層，所述金屬膜層形成在所述減反膜層上;所述通過構圖工藝在基底上的引線區域形成包括遮擋層的圖形，具體包括:通過一次構圖工藝，在基底上的引線區域形成包括減反膜層和金屬膜層的圖形。
[0022]進一步的，所述陣列基板制備方法還包括:
[0023]通過構圖工藝在所述基底上的顯示區域形成第一增透層，所述第一增透層用于降低所述顯示區域內的薄膜晶體管對環境光的反射率。
[0024]進一步的，所述陣列基板的制備方法還包括:通過構圖工藝在所述遮擋層上形成第二增透層。
[0025]優選的，所述第一增透層和第二增透層包括減反射膜層和金屬膜層，所述減反射膜層位于所述金屬膜層和基底之間。
[0026]優選的，通過構圖工藝同時在所述基底上的顯示區域形成包括第一增透層的圖形，以及在所述遮擋層上形成包括第二增透層的圖形。
[0027]優選的，所述顯示區域包括薄膜晶體管區域；
[0028]所述通過構圖工藝同時在所述基底上的顯示區域形成包括第一增透層的圖形，以及在所述遮擋層上形成包括第二增透層的圖形，具體包括:
[0029]通過構圖工藝在基底上的薄膜晶體管區域形成包括第一增透層的圖形，且在所述第一增透層的金屬膜層上形成包括柵極的圖形，同時通過構圖工藝在所述基底上的引線區域形成包括第二增透層的圖形，且在所述第二增透層的金屬膜層上形成包括金屬引線的圖形。
[0030]優選的，所述遮擋層的寬度大于或等于所述引線區內的金屬引線的寬度。
[0031]優選的，通過構圖工藝同時在所述基底上的引線區域形成包括遮擋層的圖形，以及在所述基底上的顯示區域形成包括第一增透層的圖形。
[0032]本發明能夠實現以下有益效果:
[0033]本發明通過在基底的引線區域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區域內的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區域內金屬線的裸露狀態，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強遮光效果;此外，本發明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現有的設備形成遮擋層，無需額外增加油墨涂覆設備，減小設備投資，從而降低生產成本。
【附圖說明】
[0034]圖1為本發明實施例1的陣列基板的結構示意圖；
[0035]圖2為本發明實施例2的陣列基板的結構示意圖。
[0036]圖例說明:
[0037]1、基底2、遮擋層3、第一增透層
[0038]4、第二增透層21、31、41、減反射膜層
[0039]22、32、42、金屬膜層5、第一透明電極層
[0040]6、柵絕緣層7、有源層8、歐姆接觸層[0041 ]9、源極 10、漏極 11、鈍化層
[0042]12、第二透明電極層
【具體實施方式】
[0043]下面將結合本發明中的附圖，對本發明中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0044]本發明實施例提供的陣列基板應用于窄邊框的顯示面板，陣列基板位于顯示面板的出光側，彩膜基板位于顯示面板入光側，這樣能夠窄化PCB貼合的連接焊盤區域的邊框。
[0045]實施例1
[0046]本實施例提供一種陣列基板，如圖1示，包括基底I，基底I包括顯示區域和引線區域，顯示區域是用來形成薄膜晶體管、像素電極、公共電極的區域，包括薄膜晶體管區域和電極區域。引線區域是用來形成與薄膜晶體管、像素電極、公共電極的信號線相連的金屬引線的區域。所述陣列基板還包括遮擋層2，遮擋層2位于基底I的引線區域，用于遮擋所述引線區域內的金屬引線(圖中未繪示)。遮擋層2包括減反射膜層21，減反膜層21形成在基底I上。
[0047]進一步的，遮擋層2還可以包括金屬膜層22，金屬膜層22形成在減反膜層21上。也就是說，減反射膜層21相較于金屬膜層22更鄰近基底1，可以減小從外界照射進陣列基板的環境光的反射率，提高遮光效果。
[0048]本發明通過在基底的引線區域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區域內的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區域內金屬線的裸露狀態，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強遮光效果;此外，本發明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現有的設備形成遮擋層，無需額外增加油墨涂覆設備，減小設備投資，從而降低生產成本。
[0049]優選的，減反射膜層21可以為單層膜或復合膜。其材料可以為氮化硅(SiNx)和/或非晶硅(ASi)。減反射膜層21的材料也可以為氧化鉬。
[0050]金屬膜層22可以為單層膜，該單層膜可以由鉬(Mo)制成。金屬膜層22也可以為復合膜，該復合膜可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉬(Mo)復合制成。
[0051]需要說明的是，所述陣列基板還包括薄膜晶體管和像素電極等結構，這些結構形成在基底I的顯示區域，后續將在實施例2中進行詳細說明。
[0052]實施例2
[0053]本實施例提供一種陣列基板，如圖2示，本實施例與實施例1的區別在于，還包括形成在基底I上顯示區域的第一增透層3，第一增透層3用于降低顯示區域內的薄膜晶體管和像素區域柵極和公共電極等金屬膜層對環境光的反射率。實施例2的陣列基板在引線區域內的結構與實施例1的陣列基板在引線區域內的結構相同，在此不再贅述。
[0054]具體的，第一增透層3包括減反射膜層31和金屬膜層32，減反射膜層31位于金屬膜層32和基底I之間。
[0055]進一步的，如圖2所示，所述陣列基板還可以包括形成在遮擋層2上的第二增透層4，第二增透層4包括減反射膜層41和金屬膜層42，減反射膜層41位于金屬膜層42和基底I之間。
[0056]優選的，第一增透層3與第二增透層4同層設置，且二者的材料相同，這樣，第一增透層3與第二增透層4可以同時形成，從而簡化制備工藝。
[0057]需要說明的是，在引線區域的遮擋層2上設置第二增透層4，其目的在于，與第一增透層3同步形成，以便同步在顯示區域形成柵極和在引線區域形成金屬引線。
[0058]遮擋層2也可以與第一增透層3同層設置，且二者的材料相同，這樣，遮擋層2與第一增透層3可以同時形成。
[0059]進一步的，所述陣列基板還包括位于薄膜晶體管區域內的柵極(圖中未繪示)和位于引線區域內的金屬引線(圖中未繪示)，所述柵極可以由第一增透層3的金屬膜層31通過構圖工藝形成。
[0060]在本發明中，無需在第一增透層3上額外沉積金屬膜層來形成柵極，而是利用第一增透層3的金屬膜層31，直接在金屬膜層31上涂覆光刻膠，并對完成上述步驟的基底采用掩膜板進行曝光、顯影、刻蝕，從而在基底的薄膜晶體管區域內形成包括柵極的圖形，從而簡化工藝步驟，降低生產成本。
[0061]為了保證引線區域不漏光，優選的，遮擋層2的寬度大于或等于引線區內的金屬引線的寬度，也就是說，遮擋層2能夠將金屬引線完全覆蓋。第二增透層4的金屬膜層42的寬度即為金屬引線的寬度。在本實施例中，優選的，第二增透層4的減反射膜層41的寬度與金屬膜層42的寬度相等，這樣，第二增透層4的減反射膜層41和金屬膜層42可以同時形成。
[0062]進一步的，如圖2所示，在所述陣列基板的基底的電極區域設置有第一透明電極層5，在柵極上方設置有柵絕緣層6(Gate Insulator)，柵絕緣層6的上方設置有有源層7(Purea-Si)，有源層7的上方設置有歐姆接觸層8(ImpUrity N+a-Si);歐姆接觸層8的上方設置有源極9(Source electrode)和漏極10(Drain electrode)。在源極9和漏極10的上方還設置有鈍化層Il(PVX)，在鈍化層11的上方還設置有第二透明電極層12。
[0063]第一透明電極層5和第二透明電極層12的材料可以為氧化銦錫(ITO)，第一透明電極為公共電極，第二透明電極為像素電極。
[0064]通過在引線區域設置遮擋層，并在顯示區域設置第一增透層，不但能夠避免引線區域內金屬引線的反光，減小外界光的反射率，從而增強遮光效果，而且，還可以降低薄膜晶體管對環境光的反射率，提高對比度，增強顯示效果。
[0065]實施例3
[0066]本實施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括如前所述的陣列基板，所述陣列基板的結構在此不再贅述。
[0067]通過在基底的引線區域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區域內的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區域內金屬線的裸露狀態，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強遮光效果；此夕卜，本發明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現有的設備形成遮擋層，無需額外增加油墨涂覆設備，減小設備投資，從而降低生產成本。
[0068]實施例4
[0069]本實施例提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如前所述的顯示面板，其中的陣列基板和顯示面板的結構在此不再贅述。
[0070]通過在基底的引線區域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區域內的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區域內金屬線的裸露狀態，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強遮光效果；此夕卜，本發明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現有的設備形成遮擋層，無需額外增加油墨涂覆設備，減小設備投資，從而降低生產成本。
[0071]實施例5
[0072]本實施例提供一種陣列基板制備方法，如圖1、2所示，所述方法包括以下步驟:
[0073]步驟I，通過構圖工藝在基底I上的引線區域形成包括遮擋層2的圖形。
[0074]其中，所述遮擋層2位于所述基底I的引線區域，包括減反射膜層21，減反膜層21形成在基底I上。
[0075]基底I可以選用玻璃基板或其他類型的透明基板。
[0076]遮擋層2還可以包括金屬膜層22，金屬膜層22形成在減反膜層21上。當遮擋層2包括減反膜層21和金屬膜層22時，步驟I具體包括:在整個陣列基板上(包括顯示區域和引線區域)依次形成減反射膜層21和金屬膜層22，并對金屬膜層22和減反射膜層21依次通過構圖工藝在引線區域形成包括遮擋層2的圖形。也就是說，首先在基底I的引線區域和顯示區域采用濺射、熱蒸發或其它成膜方法依次沉積減反射膜層21和金屬膜層22，然后通過構圖工藝依次在金屬膜層22上形成遮擋層2的第一圖形，以及在減反射膜層21上形成遮擋層2的第二圖形，從而在引線區域形成遮擋層2的圖形(包括第一圖形和第二圖形)。
[0077]優選的，遮擋層2的第一圖形和第二圖形相同，也就是說，可以通過一次構圖工藝，同時在基底上的引線區域形成包括減反膜層21和金屬膜層22的圖形。
[0078]通過在基底的引線區域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區域內的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區域內金屬線的裸露狀態，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強遮光效果；此夕卜，本發明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現有的設備形成遮擋層，無需額外增加油墨涂覆設備，減小設備投資，從而降低生產成本。
[0079]進一步的，如圖2所示，所述方法還包括以下步驟:
[0080]步驟2，通過構圖工藝在基底I上的顯示區域形成第一增透層3，第一增透層3用于降低顯示區域內的薄膜晶體管對環境光的反射率。
[0081]具體的，第一增透層3位于基底I的顯示區域，包括減反射膜層31和金屬膜層32，減反射膜層31位于所述金屬膜層32和基底I之間。
[0082]需要說明的是，可以在步驟2中，與所述第一增透層3同步，在所述引線區域形成第二增透層4，以便同步在顯示區域形成柵極和在引線區域形成金屬引線。那么，第二增透層4與第一增透層3同層設置且結構和材料相同，即第二增透層4包括減反射膜層41和金屬膜層42，減反射膜層41位于所述金屬膜層42和遮擋層2之間。
[0083]具體的，通過構圖工藝同時在基底I上的顯示區域形成包括第一增透層3的圖形，以及在遮擋層2上形成包括第二增透層4的圖形。也就是說，通過構圖工藝在基底I上的薄膜晶體管區域形成包括第一增透層3的圖形，且在第一增透層3的金屬膜層32上形成包括柵極的圖形，同時通過構圖工藝在基底I上的引線區域形成包括第二增透層4的圖形，且在第二增透層4的金屬膜層42上形成包括金屬引線的圖形。
[0084]優選的，遮擋層2的寬度大于或等于引線區內的金屬引線的寬度，這樣確保遮擋層2能夠有效金屬引線，避免反光、漏光。
[0085]需要說明的是，第一增透層3和遮擋層2可以同層設置，并在同一步驟中同時形成。具體的，通過構圖工藝同時在基底I上的引線區域形成包括遮擋層2的圖形，以及在基底I上的顯示區域形成包括第一增透層3的圖形。
[0086]進一步的，在遮擋層2、第一增透層3(包括金屬引線)、第二增透層4(包括柵極)形成之后，所述方法還包括以下步驟:
[0087]通過一次構圖工藝，在所述基底I的電極區域形成包括第一透明電極層5的圖形。通過一次構圖工藝，在形成有柵極、第一透明電極和金屬引線的基底I上形成包括柵絕緣層
6、有源層7和歐姆接觸層8的圖形。通過一次構圖工藝在歐姆接觸層8上形成包括源極9和漏極10的圖形。通過一次構圖工藝，在源極9、漏極10、有源層7和柵絕緣層6上形成包括鈍化層11及其電極接觸過孔的圖形。通過一次構圖工藝形成包括第二透明電極層12的圖形，第二透明電極層12通過所述電極接觸過孔與漏極10連接。
[0088]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種陣列基板，包括基底，其特征在于，還包括用于遮擋引線區域內的金屬引線的遮擋層，所述遮擋層位于所述基底的引線區域，包括減反射膜層，所述減反膜層形成在所述基底上。2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋層還包括金屬膜層，所述金屬膜層形成在所述減反膜層上。3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括形成在所述基底上顯示區域的第一增透層，所述第一增透層用于降低所述顯示區域內的薄膜晶體管對環境光的反射率。4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括形成在所述遮擋層上的第二增透層。5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一增透層和第二增透層包括減反射膜層和金屬膜層，所述減反射膜層位于所述金屬膜層和基底之間。6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一增透層與第二增透層同層設置且材料相同。7.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋層與所述第一增透層同層設置且材料相同。8.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述基底的顯示區域包括薄膜晶體管區域； 所述陣列基板還包括位于薄膜晶體管區域內的柵極和位于所述引線區域內的金屬引線;所述柵極由所述第一增透層的金屬膜層通過構圖工藝形成。9.如權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋層的寬度大于或等于所述引線區內的金屬引線的寬度。10.—種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的陣列基板。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求10所述的顯示面板。12.一種陣列基板制備方法，其特征在于，所述方法包括: 通過構圖工藝在基底上的引線區域形成包括遮擋層的圖形，所述遮擋層包括減反射膜層，所述減反膜層形成在所述基底上。13.如權利要求12所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述遮擋層還包括金屬膜層，所述金屬膜層形成在所述減反膜層上； 所述通過構圖工藝在基底上的引線區域形成包括遮擋層的圖形，具體包括: 通過一次構圖工藝，在基底上的引線區域形成包括減反膜層和金屬膜層的圖形。14.如權利要求13所述的陣列基板制備方法，其特征在于，還包括: 通過構圖工藝在所述基底上的顯示區域形成第一增透層，所述第一增透層用于降低所述顯示區域內的薄膜晶體管對環境光的反射率。15.如權利要求14所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法還包括:通過構圖工藝在所述遮擋層上形成第二增透層。16.如權利要求15所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述第一增透層和第二增透層包括減反射膜層和金屬膜層，所述減反射膜層位于所述金屬膜層和基底之間。17.如權利要求16所述的陣列基板制備方法，其特征在于，通過構圖工藝同時在所述基底上的顯示區域形成包括第一增透層的圖形，以及在所述遮擋層上形成包括第二增透層的圖形。18.如權利要求17所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述顯示區域包括薄膜晶體管區域； 所述通過構圖工藝同時在所述基底上的顯示區域形成包括第一增透層的圖形，以及在所述遮擋層上形成包括第二增透層的圖形，具體包括: 通過構圖工藝在基底上的薄膜晶體管區域形成包括第一增透層的圖形，且在所述第一增透層的金屬膜層上形成包括柵極的圖形，同時通過構圖工藝在所述基底上的引線區域形成包括第二增透層的圖形，且在所述第二增透層的金屬膜層上形成包括金屬引線的圖形。19.如權利要求18所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述遮擋層的寬度大于或等于所述引線區內的金屬引線的寬度。20.如權利要求16所述的陣列基板制備方法，其特征在于，通過構圖工藝同時在所述基底上的引線區域形成包括遮擋層的圖形，以及在所述基底上的顯示區域形成包括第一增透層的圖形。
【文檔編號】H01L21/77GK106057830SQ201610696938
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月19日
【發明人】王守坤, 郭會斌, 馮玉春, 李梁梁
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司