陣列基板、陣列基板制造方法和顯示裝置的制造方法

陣列基板、陣列基板制造方法和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種陣列基板、陣列基板制造方法及顯示裝置，屬于顯示技術領域。所述陣列基板包括：襯底基板；所述襯底基板上依次設置有第一電極、第一絕緣層和第二電極；設置有所述第二電極的襯底基板上設置有存儲電容，所述存儲電容包括：依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，所述第一透明電極與所述第一電極電連接，所述第二透明電極與所述第二電極電連接，因此該第一透明電極和第二透明電極能夠形成透明的存儲電容，該存儲電容不會對像素的透光或者發光區域造成遮擋，因此可以避免存儲電容對像素開口區的影響，增大了像素開口率。本發明用于顯示圖像。
【專利說明】
陣列基板、陣列基板制造方法和顯示裝置
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板、陣列基板制造方法和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]有機發光二極管(英文:0rganic Light-Emitting D1de;簡稱:0LED)顯示裝置中的每個像素結構可以包括薄膜晶體管(英文:Thin FiIm Transistor;簡稱:TFT)、0LED發光單元和存儲電容，其中TFT用于驅動OLED發光單元，存儲電容用于維持該TFT的柵極電壓。
[0003]相關技術中，存儲電容一般與TFT共同形成，即存儲電容的一個極板可以與TFT的柵極形成于同一層，另一個極板與TFT的源漏極和漏極形成于同一層，且該存儲電容的兩個極板的材質與TFT采用的電極材質相同。由于TFT漏電流的存在，存儲電容所存儲的電壓會逐漸減小，造成TFT的柵極電位改變，進而影響到流過OLED發光單元的電流和該OLED發光單元的發光亮度，因此通常通過增大存儲電容兩個極板的面積來增大電容，以增加電壓信號的持續時間。
[0004]但是，由于存儲電容的兩個極板都是不透光材質制成的，增大存儲電容兩個極板的面積，會減小開口率(每個像素有效的透光/發光區域與全部面積的比例)，影響顯示效果O

【發明內容】

[0005]為了解決相關技術中存儲電容會對顯示裝置的開口率造成影響的問題，本發明提供了一種陣列基板、陣列基板制造方法和顯示裝置。所述技術方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括:襯底基板；
[0007]所述襯底基板上依次設置有第一電極、第一絕緣層和第二電極；
[0008]設置有所述第二電極的襯底基板上設置有存儲電容，所述存儲電容包括:依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，所述第一透明電極與所述第一電極電連接，所述第二透明電極與所述第二電極電連接。
[0009]可選的，所述襯底基板上設置有發光單元；
[0010]所述發光單元包括:依次疊加的下電極、像素定義層、發光層和上電極；
[0011]所述第二透明電極與所述下電極為同一電極。
[0012]可選的，所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影與所述第一透明電極在所述襯底基板上的正投影重疊，且與所述第二透明電極在所述襯底基板上的正投影重疊。
[0013]可選的，所述襯底基板上設置有所述發光單元的區域為發光區域，所述襯底基板還包括:透光區域，所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域不重疊；
[0014]所述第一透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域重疊；
[0015]所述第二透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域重疊。
[0016]可選的，所述襯底基板上設置有薄膜晶體管；
[0017]所述第一電極和所述薄膜晶體管中的柵極是在一次構圖工藝中形成的；
[0018]設置有所述第一電極和所述柵極的襯底基板上設置有所述第一絕緣層；
[0019]所述第二電極和所述薄膜晶體管中的源漏極是在一次構圖工藝中形成的。
[0020]可選的，設置有所述第二電極的襯底基板上設置有多個依次疊加的所述存儲電容。
[0021]第二方面，提供了一種陣列基板制造方法，所述方法包括:
[0022]在襯底基板上依次形成第一電極、第一絕緣層和第二電極；
[0023]在形成有所述第二電極的襯底基板上形成存儲電容，所述存儲電容包括:依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，所述第一透明電極與所述第一電極電連接，所述第二透明電極與所述第二電極電連接。
[0024]可選的，所述在形成有所述第二電極的襯底基板上形成存儲電容，包括:
[0025]在形成有所述第二電極的襯底基板上形成第三絕緣層；
[0026]在所述第三絕緣層、所述第二電極和所述第一絕緣層上形成第一過孔；
[0027]在形成有所述第一過孔的襯底基板上形成第一透明電極，所述第一透明電極通過所述第一過孔與所述第一電極電連接；
[0028]在形成有所述第一透明電極的襯底基板上形成第二絕緣層；
[0029]在所述第二絕緣層、所述第一透明電極和所述第三絕緣層上形成第二過孔；
[0030]在形成有所述第二過孔的襯底基板上形成第二透明電極，所述第二透明電極通過所述第二過孔與所述第二電極電連接。
[0031]可選的，在襯底基板上依次形成第一電極、第一絕緣層和第二電極之后，所述方法還包括:
[0032]在所述襯底基板上形成發光單元，所述發光單元包括:依次疊加的下電極、像素定義層、發光層和上電極；
[0033]所述第二透明電極與所述下電極為同一電極。
[0034]可選的，所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影與所述第一透明電極在所述襯底基板上的正投影重疊，且與所述第二透明電極在所述襯底基板上的正投影重疊。
[0035]可選的，所述襯底基板上形成有所述發光單元的區域為發光區域，所述襯底基板還包括:透光區域，所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域不重疊；
[0036]所述第一透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域重疊；
[0037]所述第二透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域重疊。
[0038]可選的，所述襯底基板上形成有薄膜晶體管；
[0039]所述在襯底基板上依次形成第一電極、第一絕緣層和第二電極，包括:
[0040]通過一次構圖工藝在所述襯底基板上形成所述第一電極和所述薄膜晶體管中的柵極；
[0041]在形成有所述第一電極和所述薄膜晶體管中的柵極的襯底基板上形成第一絕緣層；
[0042]通過一次構圖工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上形成所述第二電極和所述薄膜晶體管中的源漏極。
[0043]可選的，所述在形成有所述第二電極的襯底基板上形成存儲電容，包括:
[0044]在形成有所述第二電極的襯底基板上形成多個依次疊加的存儲電容。
[0045]第三方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如第一方面所述的陣列基板。
[0046]本發明提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0047]本發明提供了一種陣列基板、陣列基板制造方法及顯示裝置，該陣列基板包括:襯底基板;該襯底基板上依次設置有第一電極、第一絕緣層和第二電極;設置有該第二電極的襯底基板上設置有存儲電容，該存儲電容包括:依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，該第一透明電極與該第一電極電連接，該第二透明電極與該第二電極電連接，因此該第一透明電極和第二透明電極能夠形成透明的存儲電容，該存儲電容不會對像素的透光或者發光區域造成遮擋，因此可以避免存儲電容對像素開口區的影響，增大了像素開口率。
【附圖說明】
[0048]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0049]圖1是本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0050]圖2是本發明實施例提供的另一種陣列基板的結構示意圖；
[0051 ]圖3是本發明實施例提供的一種陣列基板的俯視圖；
[0052]圖4-1是本發明實施例提供的又一種陣列基板的結構示意圖；
[0053]圖4_2是圖4_1所不的陣列基板的俯視圖；
[0054]圖4-3是本發明實施例提供的再一種陣列基板的結構示意圖；
[0055]圖4_4是圖4_3所不的陣列基板的俯視圖；
[0056]圖5是本發明實施例提供的一種存儲電容的結構示意圖；
[0057]圖6是本發明實施例提供的一種陣列基板制作方法的流程圖；
[0058]圖7是本發明實施例提供的另一種陣列基板制作方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0059]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0060]圖1是本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖，如圖1所示，該陣列基板包括:
[0061]襯底基板10，該襯底基板上依次設置有第一電極11、第一絕緣層12和第二電極13。
[0062]設置有該第二電極13的襯底基板10上設置有存儲電容20，該存儲電容20包括:依次疊加的第一透明電極21、第二絕緣層22和第二透明電極23，其中，該第一透明電極21與該第一電極11電連接，該第二透明電極23與該第二電極13電連接。
[0063]綜上所述，本發明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板中的存儲電容包括依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，該第一透明電極與該第一電極電連接，該第二透明電極與該第二電極電連接，因此該第一透明電極和第二透明電極能夠形成透明的存儲電容，該存儲電容不會對像素的透光區域或者發光區域造成遮擋，因此可以避免存儲電容對像素開口區的影響，增大了像素開口率。
[0064]圖2是本發明實施例提供的另一種陣列基板的結構示意圖，如圖2所示，該襯底基板10上設置有發光單元30，該發光單元包括:依次疊加的下電極23、像素定義層31、發光層32和上電極33，從圖2中可以看出，該第二透明電極與該下電極為同一電極，也即是，在形成存儲電容時，可以利用該發光單元中的下電極作為該存儲電容的一個極板，從而減少了該存儲電容的制造工藝，并且可以避免增加顯示裝置的厚度。或者，該第二透明電極與該下電極也可以為獨立的兩個電極，本發明實施例對此不做限定。此外，在實際應用中，該第二透明電極23與該第二電極13也可以為同一電器屬性的電極。其中，該下電極即為該發光單元的陽極，該上電極為該發光單元的陰極。
[0065]圖3是本發明實施例提供的一種陣列基板的俯視圖，從圖2以及圖3中可以看出，該像素定義層31在該襯底基板上的正投影與該第一透明電極21在該襯底基板上的正投影重疊，且與該第二透明電極23在該襯底基板上的正投影重疊。其中，重疊可以包括完全重疊或者部分重疊。優選的，如圖3所示，該像素定義層31在該襯底基板上的正投影可以位于該第一透明電極21在該襯底基板上的正投影內，且位于該第二透明電極23在該襯底基板上的正投影內。由于該像素定義層31與該下電極23重疊的區域即為每個像素的發光區域(也稱為開口區)，由此可知，在本發明實施例中，每個像素中存儲電容20的兩個極板均與該像素的開口區重疊，不僅顯著增加了存儲電容的極板面積，且不會對像素的開口率造成影響，從而有效改善了顯示裝置的顯示效果。
[ΟΟ??]圖4_1和圖4_3是本發明實施例提供的另外兩種陣列基板的結構不意圖，圖4_2為圖4-1所不的陣列基板的俯視圖，圖4-4為圖4-3所不的陣列基板的俯視圖，如圖4-1至圖4-4所示，該襯底基板10上形成有發光單元30的區域為發光區域30a，該襯底基板10還包括:透光區域30b，該發光單元30中像素定義層31在襯底基板10上的正投影與該透光區域30b不重疊。參考圖4-1和圖4-2，該發光單元30中的發光層32在襯底基板10上的正投影與該透光區域30b不重疊，或者，如圖4-3和圖4-4所示，該發光單元30中的發光層32在襯底基板10上的正投影也可以與該透光區域30b重疊，本發明實施例對此不做限定。
[0067]在本發明實施例中，第一方面，對于圖4-1和圖4-3所示的包括透光區域的陣列基板，當該發光單元30中上電極33為透明電極，下電極23的反射率較高時，該發光層32發出的光線可以從上電極33透出，該發光單元30為頂發光型，則參考圖4-1和圖4-2，此時該存儲電容20可以形成在襯底基板10上的透光區域30b中，即此時該存儲電容20中第一透明電極在該襯底基板10上的正投影可以與該透光區域30b重疊，且該存儲電容20中的第二透明電極在該襯底基板10上的正投影也與該透光區域30b重疊，優選的，該存儲電容中的第一透明電極和第二透明電極在襯底基板上的正投影可以均位于該透光區域內。由于該存儲電容的兩個極板均為透明材質，不會對該透光區域30b造成遮擋，因此可以提高該透光區域的開口率。
[0068]第二方面，對于圖2、圖4-1和圖4-3所示的陣列基板，當該發光單元30中的上電極33反射率較高，下電極23透光時，發光層32發出的光線可以從下電極23透出，該發光單元30為底發光型，此時該存儲電容20可以設置在襯底基板的發光區域中，由于每個像素中的存儲電容20的兩個極板均為透明材質，因此存儲電容不會對該發光單元30發出的光線造成遮擋，因此可以提高像素發光區域的開口率。
[0069]第三方面，對于圖2、圖4-1和圖4-3所示的陣列基板，當該發光單元30中的下電極23為透明電極，上電極33為半透半反射電極，或者下電極23為半透半反射電極，上電極33為透明電極時，該陣列基板形成的顯示裝置可以實現透明顯示，此時該存儲電容20可以設置在襯底基板的發光區域中，也可以設置在該襯底基板的透光區域中，由于每個像素中的存儲電容20的兩個極板均為透明材質，因此也不會對襯底基板的發光區域或者透光區域造成影響，因此可以提高像素發光區域或者透光區域的開口率。
[0070]可選的，如圖2和圖3所示，該襯底基板10上設置有薄膜晶體管40，該第一電極11和該薄膜晶體管40中的柵極41是在一次構圖工藝中形成的，且該第一電極11與該柵極41的材質相同。從圖3中還可以看出，該柵極41與柵極掃描線01電連接。該第一透明電極21通過第一過孔21a與該第一電極11連接。
[0071]參考圖2，設置有該第一電極11和該柵極41的襯底基板10上設置有該第一絕緣層12，由于該第一絕緣層12設置于柵極41和有源層43之間，因此該第一絕緣層12也具有柵絕緣層的作用。
[0072]參考圖2和圖3，該第二電極13和該薄膜晶體管40中的源漏極42是在一次構圖工藝中形成的，且該第二電極13與該源漏極42的材質相同。從圖3中還可以看出，該源漏極42與數據線02電連接。該第二透明電極23通過第二過孔23a與該第二電極13連接。且該第一電極11和第二電極13在襯底基板上的正投影與該像素定義層31在該襯底基板上的正投影均不重疊，因此可以避免由不透明材質制成的第一電極和第二電極對像素開口區的影響。
[0073]此外，由于該第一透明電極21和第二透明電極23可以分別通過過孔與第一電極和第二電極電連接，因此在襯底基板上形成該存儲電容時，可以僅在每個像素的開口區和綁定區(S卩bonding區)形成該第一透明電極和第二透明電極，而無需為該兩個透明電極形成長距離走線，從而可以避免走線產生的寄生電容對數據信號傳輸造成的影響，不僅增大了存儲電容的極板面積，也保證了顯示裝置的顯示效果。
[0074]需要說明的是，在實際應用中，在形成該存儲電容20中的第二絕緣層22時，可以使得該第二絕緣層22的厚度較薄，并采用較高介電系數的材質形成該第二絕緣層，例如，可以采用二氧化硅Si02(介電系數為3.9)、氮化硅313財(介電系數為7)、氧化鋁41203(介電系數為9)、三氧化二釔Y203(介電系數為15)、氧化鑭La203 (介電系數為30)、五氧化二鉭Ta205(介電系數為26)、二氧化鈦Ti02(介電系數為80)、氧化鉿Hf02(介電系數為25)或二氧化鋯Zr02(介電系數為25)等材質形成該第二絕緣層，以進一步增大該存儲電容的電容。
[0075]還需要說明的是，本發明實施例所述的源漏極是指源極或漏極，圖3中與數據線02電連接的為薄膜晶體管中的源極，與公共電極線03電連接的為薄膜晶體管中的漏極。
[0076]進一步的，在本發明實施例中，設置有該第二電極的襯底基板10上可以設置有多個依次疊加的存儲電容20。如圖5所示，其中每個存儲電容均由兩個極板以及該兩個極板之間的絕緣層組成，且該兩個極板中的一個極板與第一電極電連接，另一個極板與第二電極電連接，即可形成存儲電容。此外，該多個依次疊加的存儲電容中，位于最上方的存儲電容(即距離襯底基板最遠的存儲電容)的第二透明電極與發光單元的下電極為同一電極。
[0077]綜上所述，本發明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板中的存儲電容包括依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，該第一透明電極與該第一電極電連接，該第二透明電極與該第二電極電連接，因此該第一透明電極和第二透明電極能夠形成透明的存儲電容，該存儲電容不會對像素的透光區域或者發光區域造成遮擋，因此可以避免存儲電容對像素開口區的影響，并且該存儲電容的兩個極板可以與像素開口區重疊，因此有效增加了存儲電容的極板面積以及像素的開口率。
[0078]圖6是本發明實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程圖，參考圖6，該方法可以包括:
[0079]步驟501、在襯底基板上依次形成第一電極、第一絕緣層和第二電極。
[0080]步驟502、在形成有該第二電極的襯底基板上形成存儲電容，該存儲電容包括:依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，該第一透明電極與該第一電極電連接，該第二透明電極與該第二電極電連接。
[0081]綜上所述，本發明實施例提供了一種陣列基板制造方法，該陣列基板中的存儲電容采用透明電極形成，因此不會對像素的透光區域或者發光區域造成遮擋，因此可以避免存儲電容對像素開口區的影響，增大了像素開口率。
[0082]圖7是本發明實施例提供的另一種陣列基板制造方法的流程圖，參考圖7，該方法可以包括:
[0083]步驟601、通過一次構圖工藝在該襯底基板上形成該第一電極和該薄膜晶體管中的柵極。
[0084]如圖2所示，通過一次構圖工藝在襯底基板10上形成第一電極11和柵極41，達到了減少陣列基板制造工序的效果。
[0085]步驟602、在形成有該第一電極和該薄膜晶體管中的柵極的襯底基板上形成第一絕緣層。
[0086]參考圖2，由于該第一絕緣層12形成于柵極41和源漏極42之間，因此也具有柵絕緣層的作用。
[0087]步驟603、通過一次構圖工藝在形成有該第一絕緣層的襯底基板上形成該第二電極和該薄膜晶體管中的源漏極。
[0088]如圖2所示，通過一次構圖工藝在襯底基板10上形成第二電極12和源漏極42，達到了減少陣列基板制造工序的效果。
[0089]步驟604、在形成有該第二電極的襯底基板上形成第三絕緣層。
[0090]示例的，如圖2所示，可以在形成有第二電極13的襯底基板上形成第三絕緣層14。需要說明的是，在實際應用中，參考圖2以及圖3，由于該第一透明電極21在該襯底基板上的正投影與該第二電極13在襯底基板上的正投影不重疊，因此，也可以直接在該第二電極13上形成該第一透明電極21，即無需形成第三絕緣層14。
[0091 ]步驟605、在該第三絕緣層、該第二電極和該第一絕緣層上形成第一過孔。
[0092]步驟606、在形成有該第一過孔的襯底基板上形成第一透明電極，該第一透明電極通過該第一過孔與該第一電極電連接。
[0093]參考圖2和圖3，該第一透明電極21通過第一過孔21a與第一電極11電連接。
[0094]步驟607、在形成有該第一透明電極的襯底基板上形成第二絕緣層。
[0095]步驟608、在該第二絕緣層、該第一透明電極和該第三絕緣層上形成第二過孔。
[0096]步驟609、在形成有該第二過孔的襯底基板上形成發光單元，該發光單元包括:依次疊加的下電極、像素定義層、發光層和上電極。
[0097]如圖2所示，該第二透明電極與該下電極為同一電極23。參考圖2和圖3，該第二透明電極(即下電極)23通過第二過孔23a與第二電極13電連接。
[0098]可選的，如圖2和圖3所示，該像素定義層31在該襯底基板10上的正投影與該第一透明電極21在該襯底基板10上的正投影重疊，且與該第二透明電極23在該襯底基板10上的正投影重疊。
[0099]可選的，如圖4-1至圖4-4所示，該襯底基板10上形成有該發光單元30的區域為發光區域30a，該襯底基板10還包括:透光區域30b;
[0100]該第一透明電極在該襯底基板10上的正投影與該透光區域30b重疊；該第二透明電極在該襯底基板10上的正投影與該透光區域30b重疊。
[0101]可選的，在形成有該第二電極的襯底基板上形成存儲電容，包括:
[0102]在形成有該第二電極的襯底基板上形成多個依次疊加的存儲電容。
[0103]需要說明的是，上述實施例中所述的一次構圖工藝可以包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。
[0104]還需要說明的是，本發明實施例提供的陣列基板制造方法，可以用于制造如圖1至圖5任一所示的陣列基板。
[0105]綜上所述，本發明實施例提供了一種陣列基板制造方法，該陣列基板中的存儲電容包括依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，該第一透明電極與該第一電極電連接，該第二透明電極與該第二電極電連接，因此該第一透明電極和第二透明電極能夠形成透明的存儲電容，該存儲電容不會對像素的透光區域或者發光區域造成遮擋，因此可以避免存儲電容對像素開口區的影響，并且該存儲電容的兩個極板可以與像素開口區重疊，因此有效增加了存儲電容的極板面積以及像素的開口率。
[0106]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括: 襯底基板； 所述襯底基板上依次設置有第一電極、第一絕緣層和第二電極； 設置有所述第二電極的襯底基板上設置有存儲電容，所述存儲電容包括:依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，所述第一透明電極與所述第一電極電連接，所述第二透明電極與所述第二電極電連接。2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述襯底基板上設置有發光單元； 所述發光單元包括:依次疊加的下電極、像素定義層、發光層和上電極； 所述第二透明電極與所述下電極為同一電極。3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影與所述第一透明電極在所述襯底基板上的正投影重疊，且與所述第二透明電極在所述襯底基板上的正投影重疊。4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板上設置有所述發光單元的區域為發光區域，所述襯底基板還包括:透光區域，所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域不重疊； 所述第一透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域重疊； 所述第二透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域重疊。5.根據權利要求1至4任一所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板上設置有薄膜晶體管； 所述第一電極和所述薄膜晶體管中的柵極是在一次構圖工藝中形成的； 設置有所述第一電極和所述柵極的襯底基板上設置有所述第一絕緣層； 所述第二電極和所述薄膜晶體管中的源漏極是在一次構圖工藝中形成的。6.根據權利要求1至4任一所述的陣列基板，其特征在于， 設置有所述第二電極的襯底基板上設置有多個依次疊加的所述存儲電容。7.一種陣列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括: 在襯底基板上依次形成第一電極、第一絕緣層和第二電極； 在形成有所述第二電極的襯底基板上形成存儲電容，所述存儲電容包括:依次疊加的第一透明電極、第二絕緣層和第二透明電極，其中，所述第一透明電極與所述第一電極電連接，所述第二透明電極與所述第二電極電連接。8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第二電極的襯底基板上形成存儲電容，包括: 在形成有所述第二電極的襯底基板上形成第三絕緣層； 在所述第三絕緣層、所述第二電極和所述第一絕緣層上形成第一過孔； 在形成有所述第一過孔的襯底基板上形成第一透明電極，所述第一透明電極通過所述第一過孔與所述第一電極電連接； 在形成有所述第一透明電極的襯底基板上形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層、所述第一透明電極和所述第三絕緣層上形成第二過孔； 在形成有所述第二過孔的襯底基板上形成第二透明電極，所述第二透明電極通過所述第二過孔與所述第二電極電連接。9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在襯底基板上依次形成第一電極、第一絕緣層和第二電極之后，所述方法還包括: 在所述襯底基板上形成發光單元，所述發光單元包括:依次疊加的下電極、像素定義層、發光層和上電極； 所述第二透明電極與所述下電極為同一電極。10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于， 所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影與所述第一透明電極在所述襯底基板上的正投影重疊，且與所述第二透明電極在所述襯底基板上的正投影重疊。11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述襯底基板上形成有所述發光單元的區域為發光區域，所述襯底基板還包括:透光區域，所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域不重疊； 所述第一透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域重疊； 所述第二透明電極在所述襯底基板上的正投影與所述透光區域重疊。12.根據權利要求7至11任一所述的方法，其特征在于，所述襯底基板上形成有薄膜晶體管； 所述在襯底基板上依次形成第一電極、第一絕緣層和第二電極，包括: 通過一次構圖工藝在所述襯底基板上形成所述第一電極和所述薄膜晶體管中的柵極； 在形成有所述第一電極和所述薄膜晶體管中的柵極的襯底基板上形成所述第一絕緣層； 通過一次構圖工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上形成所述第二電極和所述薄膜晶體管中的源漏極。13.根據權利要求7至11任一所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第二電極的襯底基板上形成存儲電容，包括: 在形成有所述第二電極的襯底基板上形成多個依次疊加的所述存儲電容。14.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1至6任一所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK106057821SQ201610586457
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月22日 公開號201610586457.4, CN 106057821 A, CN 106057821A, CN 201610586457, CN-A-106057821, CN106057821 A, CN106057821A, CN201610586457, CN201610586457.4
【發明人】李全虎
【申請人】京東方科技集團股份有限公司