半導體面板的防靜電保護結構及提高可靠性的方法
【專利摘要】本發明提供一種半導體面板的防靜電保護結構及提高可靠性的方法，包括：防靜電保護環，電路模塊，焊盤，各焊盤分別通過短接線與防靜電保護環短路連接；其中，防靜電保護環與各短接線連接的部分位于半導體面板的切割線外側，半導體面板內的短接線上方的鈍化絕緣層中設置有用于露出短接線膜層的刻斷窗口。在面板制程過程中，電路模塊各點保持在同一電位，避免靜電擊傷；在面板制程結束前，刻斷短接線，以斷開焊盤與防靜電保護環的電性連接；在面板制程結束后，短接線位于半導體面板以外部分被割掉，以實現電路模塊與防靜電保護環的雙重電性隔離。本發明在保證靜電保護效果的前提下，大大提高了面板的可靠性。
【專利說明】
半導體面板的防靜電保護結構及提高可靠性的方法
技術領域
[0001]本發明涉及平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅動面板或X射線傳感器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板設計領域，特別是涉及一種半導體面板的防靜電保護結構及提高可靠性的方法。
【背景技術】
[0002]半導體面板工藝是將不同物質的薄膜沉積在玻璃或者其他材質的平板表面，并圖形化成各種電路以實現各種功能，例如液晶顯示面板的驅動、有機發光二極管顯示面板的驅動、X射線平板探測器面板的傳感功能等。但在半導體面板工藝制程過程中，由于并未接入任何電位，半導體面板上的各層金屬或其他的導電層之間、同層金屬的不同電路之間容易因為面板制程中電荷的局部累積而產生放電現象，其造成的瞬時大電流會導致不同層電路之間短路或者將電路燒斷，即靜電擊傷。
[0003]為了防止此種靜電擊傷的發生，現有技術中提出一種有效的防靜電保護辦法，如圖1所示，半導體面板I包括多層金屬或導電層構成的電路模塊11;焊盤12與所述電路模塊11連接，通過不同的焊盤12實現不同信號的傳輸;防靜電保護環2(Guard Ring)設置于所述半導體面板I的外側，所述防靜電保護環2為閉合或者半閉合的環狀電路;各焊盤12通過金屬連線連接至所述防靜電保護環2，實現所述電路模塊11中內部電路與所述防靜電保護環2的連接，避免內部電路某層的某條線路因累積大量電荷造成尖端放電，也可以在環上將不同金屬層短接，消除不同金屬層的電勢差。而為了避免所述防靜電保護環2對最終產品功能的影響，通常在半導體面板制程工藝的末段或半導體面板切割階段，根據半導體面板的設計，所述電路模塊11將會與所述防靜電保護環2斷開，如圖1所示，所述半導體面板I的邊緣設置有切割線3，以實現所述半導體面板I的分割，所述電路模塊11將會與所述防靜電保護環2之間的金屬連線在切割所述半導體面板I的同時被切斷，以避免不同層金屬以及同層金屬不同線路之間的短路。
[0004]但是，該方法設計的防靜電保護環在斷開后導致半導體面板I在切割后存在較高的可靠性風險，如圖2所示，沿著所述切割線3將所述半導體面板I切割下來后，所述半導體面板I的切割邊緣處存在金屬連線的裸露斷面，若有導電結構件與所述半導體面板I的邊緣接觸，或者所述半導體面板I的邊緣有臟污，不同的金屬連線之間存在一定的短路風險，可能會因為斷開不完全或者重新連接而導致所述半導體面板I內不同層金屬以及同層金屬不同線路之間的短路。
[0005]如圖3所示為現有技術中的另一種防靜電保護辦法，所述防靜電保護環2設置于所述半導體面板I內部的邊緣，為環狀結構，所述電路模塊11通過所述焊盤12與所述半導體面板I內部的防靜電保護環2實現連接，避免內部電路某層的某條線路因累積大量電荷造成尖端放電，也可以在環上將不同金屬層短接，消除不同金屬層的電勢差。而為了避免所述防靜電保護環2對最終產品功能的影響，通常在所述焊盤12與所述防靜電保護環2之間的金屬連線上的絕緣層上開設一排窗口 13將金屬連線裸露出來，利用半導體面板工藝制程結束前的最后一道金屬刻蝕工藝將所述窗口 13下方的金屬刻蝕干凈，從而實現所述電路模塊11與所述防靜電保護環2的電性連接被斷開。
[0006]然而，該方法設計的防靜電保護環仍存在較高的可靠性風險，由于金屬連線被刻斷處存在較深的刻蝕坑，刻蝕副產物或工藝過程中的雜質、臟污等易在其中聚集，易導致半導體面板工藝結束后的所述焊盤12與所述防靜電保護環2斷路不徹底，存在短路風險。
[0007]因此，如何在保證靜電保護效果的前提下，提高半導體面板的可靠性已成為本領域技術人員亟待解決的問題之一。
【發明內容】
[0008]鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種半導體面板的防靜電保護結構及提高可靠性的方法，用于解決現有技術中電路模塊與防靜電保護環斷開后，半導體面板存在較高可靠性風險的問題。
[0009]為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種半導體面板的防靜電保護結構，所述半導體面板的防靜電保護結構至少包括:
[0010]設置于電路區域外圍的防靜電保護環，所述電路區域包括電路模塊及與所述電路模塊連接的多個焊盤，各焊盤分別通過短接線與所述防靜電保護環短路連接;其中，所述防靜電保護環與各短接線連接的部分位于所述半導體面板的切割線外側，所述短接線上層覆蓋有鈍化絕緣層，所述半導體面板內的短接線上方的鈍化絕緣層中設置有用于露出各短接線膜層的刻斷窗口。
[0011]優選地，所述半導體面板為平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅動面板或X射線探測器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板。
[0012]優選地，所述防靜電保護環未與各短接線連接的部分位于所述半導體面板的內側。
[0013]更優選地，所述半導體面板內側的防靜電保護環外接一固定電壓，為所述電路模塊提供穩定電位。
[0014]優選地，所述防靜電保護環未與各短接線連接的部分位于所述半導體面板的外側。
[0015]優選地，所述短接線位于基板上，包括一層或多層金屬或非金屬導電膜層，所述短接線的上層設置有鈍化絕緣層，通過刻蝕所述鈍化絕緣層以形成刻斷窗口。
[0016]更優選地，所述鈍化絕緣層上還設置有導電膜層。
[0017]更優選地，所述刻斷窗口為一個橫跨所有短接線的凹槽。
[0018]更優選地，所述刻斷窗口為分別覆蓋各短接線的多個凹槽，所述凹槽的寬度大于所述短接線的線寬。
[0019]優選地，所述半導體面板的切割線位于所述半導體面板的邊緣。
[0020]為實現上述目的及其他相關目的，本發明還提供一種提高半導體面板可靠性的方法，所述提高半導體面板可靠性的方法至少包括:
[0021 ]在半導體面板的工藝制程過程中，制備形成上述半導體面板的防靜電保護結構，通過將電路模塊各點和各膜層保持在同一電位以避免面板制程過程中局部電荷聚集造成靜電擊傷；
[0022]在半導體面板的工藝制程結束前，通過刻蝕將刻斷窗口內的短接線刻蝕掉，以斷開各焊盤與防靜電保護環的電性連接；
[0023]在半導體面板的工藝制程結束后，沿著切割線將所述半導體面板切割下來，各短接線位于所述半導體面板以內部分和以外部分被分割，以實現所述電路模塊與所述防靜電保護環的雙重電性隔離。
[0024]如上所述，本發明的半導體面板的防靜電保護結構及提高可靠性的方法，具有以下有益效果:
[0025]本發明的半導體面板的防靜電保護結構通過將靜電保護環與電路模塊連接的位置設計成拐到切割線以外，內部電路模塊通過短接線跨過切割線連接到靜電保護環上；同時在半導體面板的切割線以內短接線上方的絕緣層打開一個刻斷窗口將短接線裸露以便在面板制程結束前將其刻斷。
[0026]本發明的提高半導體面板可靠性的方法利用面板工藝制程結束前的最后一道金屬或其他導電膜層(如ΙΤ0)刻蝕將刻斷窗口下方短接線刻蝕干凈，從而實現內部電路模塊與靜電保護環的電性連接被斷開;在面板工藝制程結束后，沿著切割線將半導體面板切割下來，各短接線位于半導體面板以內部分和以外部分被分割，實現電路模塊與防靜電保護環的雙重電性隔離。
[0027]本發明在面板工藝制程期間保護內部電路被靜電擊傷的同時，在面板工藝制程結束后減小面板不同線路之間短路的風險，大大提高了面板的可靠性。
【附圖說明】
[0028]圖1顯示為現有技術中的一種防靜電保護環示意圖。
[0029]圖2顯示為現有技術中的防靜電保護環可靠性低的原理示意圖。
[0030]圖3顯示為現有技術中的另一種防靜電保護環示意圖。
[0031]圖4顯示為本發明的半導體面板的防靜電保護結構的一種實施方式。
[0032]圖5顯示為本發明的半導體面板的防靜電保護結構的另一種實施方式。
[0033]圖6?圖9顯示為本發明的短接線制備及刻斷的工藝流程示意圖。
[0034]元件標號說明
[0035]I半導體面板
[0036]11電路模塊
[0037]12焊盤
[0038]13刻斷窗口
[0039]14短接線
[0040]15基板
[0041]16鈍化絕緣層
[0042]17導電膜層
[0043]2防靜電保護環
[0044]3切割線
【具體實施方式】
[0045]以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。
[0046]請參閱圖4?圖9。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態也可能更為復雜。
[0047]實施例一
[0048]如圖4所示，本發明提供一種半導體面板的防靜電保護結構，所述半導體面板的防靜電保護結構至少包括:
[0049]設置于電路區域外圍的防靜電保護環2，所述電路區域包括電路模塊11及與所述電路模塊11連接的多個焊盤12，各焊盤12分別通過短接線14與所述防靜電保護環2短路連接;其中，所述防靜電保護環2與各短接線14連接的部分位于所述半導體面板I的切割線3外側，述短接線14上層覆蓋有鈍化絕緣層16，所述半導體面板I內的短接線14上方的鈍化絕緣層16中設置有用于露出各短接線所在膜層的刻斷窗口 13。
[0050]具體地，在本實施例中，所述半導體面板I為X射線探測器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板。在實際應用中，所述半導體面板I包括但不局限于平板顯示器面板或非晶硅平板探測器，還適用于各種其他平面電路，在此不一一贅述。
[0051 ]具體地，如圖4所示，在本實施例中，所述電路模塊11包括驅動電路及TFT陣列，所述驅動電路與TFT陣列的各Gate線連接，通過橫向的Gate線進行像素讀取的開關控制;各焊盤12與TFT陣列的各Data線連接，通過豎向的Data線進行像素電荷的讀取。各豎向的data線與所述焊盤12通過金屬線實現電性連接，進而實現信號的輸出，每一根Data線與一焊盤12對應，在本實施例中，僅顯示4組，在實際應用中根據信號數量做具體設定。
[0052]具體地，如圖4所示，各焊盤12分別通過一短接線14與所述防靜電保護環2連接，在本實施例中，4組焊盤12對應4組短接線14。所述焊盤12由一層或多層金屬構成，構成所述焊盤12的每一層金屬均通過短接線14連接至所述防靜電保護環2。
[0053]具體地，如圖7所示，所述短接線14位于基板15上，在本實施例中，所述基板15為玻璃。所述短接線14包括一層或多層金屬或非金屬導電膜層，所述短接線14的上層設置有鈍化絕緣層16，通過刻蝕所述鈍化絕緣層16以形成刻斷窗口 13。所述鈍化絕緣層16上還設置有導電膜層，其材質為金屬或其他導電材料，在所述半導體面板I為X射線探測器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板時，對應地，所述導電膜層采用不透光的金屬作為光屏蔽層，用于保護所述基板15上不能受光照的器件(圖中未顯示)。
[0054]如圖4所示，所述刻斷窗口13位于所述半導體面板I內，為分別覆蓋各短接線14的多個凹槽，所述凹槽的寬度大于所述短接線14的線寬，以使得所述短接線14在后續刻蝕中被完全刻斷。在本實施例中，各短接線14上分別設置一刻斷窗口 13，在實際使用中，各短接線14上可分別設置多個刻斷窗口 13，刻斷窗口 13的數量越多則可靠性越高。
[0055]具體地，如圖4所示，所述半導體面板I的邊緣設置有切割線3，在所述半導體面板I制備完成后，通過沿所述切割線3進行切割以將同一基板上的各半導體面板I分割下來，形成獨立的半導體面板I以應用于不同產品。
[0056]具體地，如圖4所示，所述防靜電保護環2與各短接線14連接的部分位于所述半導體面板I的切割線3外側，而未與各短接線14連接的部分位于所述半導體面板I的內側。因此，當所述半導體面板I被沿著所述切割線3切割下來后，各短接線14與所述防靜電保護環2的電性連接斷開，所述半導體面板I的內側保留一環狀的防靜電保護環2，被保留下來的防靜電保護環2可外接一固定電壓，為所述電路模塊11提供穩定電位。
[0057]具體地，如圖4所示，在本實施例中，由于所述電路模塊11中的各Data線通過各焊盤12及各短接線14連接至所述防靜電保護環2，實現了各Data線的短接，使各Data線處于同一電位，以使得在半導體面板的工藝制程過程中，各Data線之間不存在電勢差，避免局部電荷積聚引起的靜電擊傷。在半導體面板的工藝制程結束前，通過將所述刻斷窗口 13內的短接線14刻蝕掉，以斷開各焊盤12與所述防靜電保護環2的電性連接，以恢復所述電路模塊11中各Data線的邏輯關系；同時，在切割所述半導體面板I時，沿著所述切割線3將所述半導體面板I切割下來，各短接線14位于所述半導體面板I以內部分和以外部分被分割，以實現所述電路模塊11與所述防靜電保護環2的雙重電性隔離，在保證靜電保護效果的前提下，大大提高了半導體面板的可靠性。在實際使用中，所述電路模塊11中的不同信號線或不同金屬層連接至所述防靜電保護環2，以實現不同電路及不同金屬層之間的靜電保護，不以本實施例為限。此外，保留在所述半導體面板I中的防靜電保護環2可通過外接電壓，為所述電路模塊11提供穩定的電位。
[0058]實施例二
[0059]如圖5所示，本實施例中提供一種半導體面板的防靜電保護結構，與實施例一的不同之處在于，所述半導體面板I為平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅動面板;所述刻斷窗口13為一個橫跨所有短接線14的凹槽；同時，所述防靜電保護環2未與各短接線14連接的部分位于所述半導體面板I的外側。
[0060]具體地，在所述半導體面板I為平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅動面板時，對應地，所述鈍化絕緣層16上的導電膜層為具有阻斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線作用的ITO層(Indium Tin Oxides，銦錫金屬氧化物)，可根據具體需求設置導電膜層的材質，在此不--贅述。
[0061]具體地，如圖5所示，所述刻斷窗口13為一個橫跨所有短接線14的凹槽，所述凹槽完全覆蓋各短接線14，以使得各短接線14在后續刻蝕中被完全刻斷。在本實施例中，所述刻斷窗口 13為一條凹槽，在實際使用中，所述刻斷窗口 13可設置為多條橫跨所有短接線14的凹槽，凹槽的數量越多則可靠性越高。
[0062]具體地，如圖5所示，所述防靜電保護環2未與各短接線14連接的部分位于所述半導體面板I的外側，當所述半導體面板I被沿著所述切割線3切割下來后，所述半導體面板I中完全不存在所述防靜電保護環2。
[0063]具體地，如圖5所示，在本實施例中，由于所述電路模塊11中不同金屬層通過各焊盤12及各短接線14連接至所述防靜電保護環2，實現了各金屬層的短接，使各金屬層處于同一電位，以使得在半導體面板的工藝制程過程中，各金屬層之間不存在電勢差，避免局部電荷積聚引起的靜電擊傷。在半導體面板的工藝制程結束前，通過將所述刻斷窗口 13內的所有短接線14刻蝕掉，以斷開各焊盤12與所述防靜電保護環2的電性連接，以恢復所述電路模塊11中各金屬層的邏輯關系；同時，在切割所述半導體面板I時，沿著所述切割線3將所述半導體面板I切割下來，各短接線14位于所述半導體面板I以內部分和以外部分被分割，以實現所述電路模塊11與所述防靜電保護環2的雙重電性隔離，在保證靜電保護效果的前提下，大大提高了半導體面板的可靠性。
[0064]實施例三
[0065]如圖4?圖9所示，本發明還提供一種提高半導體面板可靠性的方法，所述提高半導體面板可靠性的方法至少包括:
[0066]在半導體面板的工藝制程過程中，制備形成所述半導體面板的防靜電保護結構，通過將電路模塊各點和各膜層保持在同一電位以避免面板制程過程中局部電荷聚集造成靜電擊傷。
[0067]具體地，在基板15上逐層沉積不同物質的薄膜以在電路區域形成電路模塊11及與其連接的焊盤12，在本實施例中，所述基板15為玻璃。同時，如圖6所示，在電路區域及防靜電保護環2之間的基板15上形成所述短接線14，在所述短接線14上形成鈍化絕緣層16;如圖7所示，通過光刻所述鈍化絕緣層16形成刻斷窗口 13，以露出所述短接線14所在膜層;如圖8所示，在所述鈍化絕緣層16及所述刻斷窗口 13內形成導電膜層17，在本實施例中，所述導電膜層17作為光屏蔽層以保護不能受光照的器件。由于所述電路模塊11通過各焊盤12及各短接線14連接至所述防靜電保護環2，使所述電路模塊11中各點處于同一電位，在半導體面板的工藝制程過程中，不存在電勢差，避免局部電荷積聚引起的靜電擊傷。
[0068]在半導體面板的工藝制程結束前，通過刻蝕將刻斷窗口內的短接線刻蝕掉，以斷開各焊盤與防靜電保護環的電性連接。
[0069]具體地，如圖9所示，對所述導電膜層17進行刻蝕，在本實施例中，保留不能受光照區域的上方的導電膜層17，去除需要接受光照的區域的導電膜層17;在對所述導電膜層17進行刻蝕的同時，通過所述刻斷窗口 13將所述短接線14完全刻斷，斷開各焊盤12與防靜電保護環2的電性連接。
[0070]在半導體面板的工藝制程結束后，即切割所述半導體面板時，沿著切割線將所述半導體面板切割下來，各短接線位于所述半導體面板以內部分和以外部分被分割，以實現所述電路模塊與所述防靜電保護環的雙重電性隔離。
[0071]由此形成的半導體面板的電路模塊11與防靜電保護環2之間有兩處串聯的斷路點，只有當這兩處斷路點由于不同的原因同時發生短路時，內部線路才會發生短路現象，與現有技術中只有一處斷路點的兩種結構相比，本發明中發生短路的概率顯著減小，半導體面板的可靠性得到了顯著提高。
[0072]如上所述，本發明的半導體面板的防靜電保護結構及提高可靠性的方法，具有以下有益效果:
[0073]本發明的半導體面板的防靜電保護結構通過將靜電保護環與電路模塊連接的位置設計成拐到切割線以外，內部電路模塊通過短接線跨過切割線連接到靜電保護環上；同時在半導體面板的切割線以內短接線上方的絕緣層打開一個刻斷窗口將短接線裸露便在面板制程結束前將其刻斷。
[0074]本發明的提高半導體面板可靠性的方法利用面板工藝制程結束前的最后一道金屬或其他導電膜層(如ΙΤ0)刻蝕將刻斷窗口下方短接線刻蝕干凈，從而實現內部電路模塊與靜電保護環的電性連接被斷開;在面板工藝制程結束后，沿著切割線將半導體面板切割下來，各短接線位于半導體面板以內部分和以外部分被分割，實現電路模塊與防靜電保護環的雙重電性隔離。
[0075]本發明在面板工藝制程期間保護內部電路被靜電擊傷的同時，在面板工藝制程結束后減小面板不同線路之間短路的風險，大大提高了面板的可靠性。
[0076]綜上所述，本發明提供一種半導體面板的防靜電保護結構及提高可靠性的方法，包括:設置于電路區域外圍的防靜電保護環，所述電路區域包括電路模塊及與所述電路模塊連接的多個焊盤，各焊盤分別通過短接線與所述防靜電保護環短路連接;其中，所述防靜電保護環與各短接線連接的部分位于所述半導體面板的切割線外側，所述半導體面板內的短接線上方的鈍化絕緣層中設置有用于露出各短接線的刻斷窗口。在半導體面板的工藝制程過程中，制備形成上述半導體面板的防靜電保護結構，通過將電路模塊各點和各膜層保持在同一電位以避免局部電荷聚集造成靜電擊傷;在半導體面板的工藝制程結束時，通過刻蝕將刻斷窗口內的短接線刻蝕掉，以斷開各焊盤與防靜電保護環的電性連接;在半導體面板的工藝制程結束后，沿著切割線將所述半導體面板切割下來，各短接線位于所述半導體面板以內部分和以外部分被分割，以實現所述電路模塊與所述防靜電保護環的雙重電性隔離。本發明在面板工藝制程期間保護內部電路被靜電擊傷的同時，在面板工藝制程結束后減小面板不同線路之間短路的風險，大大提高了面板的可靠性。所以，本發明有效克服了現有技術中的種種缺點而具高度產業利用價值。
[0077]上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用于限制本發明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發明的權利要求所涵蓋。
【主權項】
1.一種半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于，所述半導體面板的防靜電保護結構至少包括: 設置于電路區域外圍的防靜電保護環，所述電路區域包括電路模塊及與所述電路模塊連接的多個焊盤，各焊盤分別通過短接線與所述防靜電保護環短路連接;其中，所述防靜電保護環與各短接線連接的部分位于所述半導體面板的切割線外側，所述短接線上層覆蓋有鈍化絕緣層，所述半導體面板內的短接線上方的鈍化絕緣層中設置有用于露出各短接線膜層的刻斷窗口。2.根據權利要求1所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述半導體面板為平板顯示器的薄膜晶體管面陣列驅動面板或X射線探測器的薄膜晶體管面陣列傳感器面板。3.根據權利要求1所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述防靜電保護環未與各短接線連接的部分位于所述半導體面板的內側。4.根據權利要求3所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述半導體面板內側的防靜電保護環外接一固定電壓，為所述電路模塊提供穩定電位。5.根據權利要求1所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述防靜電保護環未與各短接線連接的部分位于所述半導體面板的外側。6.根據權利要求1所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述短接線位于基板上，包括一層或多層金屬或非金屬導電膜層，所述短接線的上層設置有鈍化絕緣層，通過刻蝕所述鈍化絕緣層以形成刻斷窗口。7.根據權利要求6所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述鈍化絕緣層上還設置有導電膜層。8.根據權利要求1或6所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述刻斷窗口為一個橫跨所有短接線的凹槽。9.根據權利要求1或6所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述刻斷窗口為分別覆蓋各短接線的多個凹槽，所述凹槽的寬度大于所述短接線的線寬。10.根據權利要求1所述的半導體面板的防靜電保護結構，其特征在于:所述半導體面板的切割線位于所述半導體面板的邊緣。11.一種提高半導體面板可靠性的方法，其特征在于，所述提高半導體面板可靠性的方法至少包括: 在半導體面板的工藝制程過程中，制備形成如權利要求1?10任意一項所述的半導體面板的防靜電保護結構，通過將電路模塊各點和各膜層保持在同一電位以避免面板制程過程中局部電荷聚集造成靜電擊傷； 在半導體面板的工藝制程結束前，通過刻蝕將刻斷窗口內的短接線刻蝕掉，以斷開各焊盤與防靜電保護環的電性連接； 在半導體面板的工藝制程結束后，沿著切割線將所述半導體面板切割下來，各短接線位于所述半導體面板以內部分和以外部分被分割，以實現所述電路模塊與所述防靜電保護環的雙重電性隔離。
【文檔編號】H01L21/02GK106057782SQ201610634370
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月4日 公開號201610634370.X, CN 106057782 A, CN 106057782A, CN 201610634370, CN-A-106057782, CN106057782 A, CN106057782A, CN201610634370, CN201610634370.X
【發明人】朱翀煜, 金利波, 方志強
【申請人】上海奕瑞光電子科技有限公司