膜層圖案的制作方法、基板的制作方法及基板、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種膜層圖案的制作方法、基板的制作方法及基板、顯示裝置，用以解決現有技術中存在濕刻形成的電極圖案發生斷線及線寬存在偏差的問題。具體地，在第一膜層與光刻膠膜層之間制作一層粘性補償膜層，由于粘性補償膜層與第一膜層之間的粘附性以及粘性補償膜層與光刻膠膜層之間的粘附性均大于第一膜層與光刻膠膜層之間的粘附性，從而，保證相鄰膜層之間的貼合程度較好，不會出現縫隙，這樣，防止刻蝕液從側向滲入而導致第一膜層的圖案產生斷線，而且，還可以保證刻蝕工藝過程中刻蝕程度近乎一致，從而避免由于刻蝕程度不同而導致形成的膜層圖案的臨近尺寸發生偏差。
【專利說明】
膜層圖案的制作方法、基板的制作方法及基板、顯示裝置
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種膜層圖案的制作方法、基板的制作方法及基板、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]在薄膜晶體管液晶顯示行業，曲面屏產品廣泛采用共面轉換IPS模式，其中，IPS的電極主要采用鉬鈮合金材質。在生產過程中存在問題:鉬鈮合金膜層與PR膠膜層之間的粘附性較差，鉬鈮合金膜層在進行濕刻時，刻蝕液有可能從側向滲入而溶解本不應該刻蝕掉的鉬鈮合金，導致形成的電極圖案發生斷線，從而影響產品良率。同時由于刻蝕液滲入程度不同，導致鉬鈮合金膜層被刻蝕掉的程度不同，從而容易導致刻蝕后形成的電極線寬波動較大的問題，嚴重影響產品顯示品質。
【發明內容】
[0003]本發明實施例提供一種膜層圖案的制作方法、基板的制作方法及基板、顯示裝置，用以解決現有技術中存在濕刻形成的電極圖案發生斷線及線寬存在偏差的問題。
[0004]本發明實施例采用以下技術方案:
[0005]—種膜層圖案的制作方法，所述方法包括:
[0006]在基底之上依次形成第一膜層、粘性補償膜層以及光刻膠膜層，其中，所述粘性補償膜層與所述第一膜層之間的粘附性，以及所述粘性補償膜層與所述光刻膠膜層之間的粘附性，均大于所述第一膜層與所述光刻膠膜層之間的粘附性；
[0007]對所述光刻膠膜層進行構圖工藝，形成所需的光刻膠圖案；
[0008]利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層和所述第一膜層進行刻蝕工藝形成所需的粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案。
[0009]可選地，利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層和所述第一膜層進行刻蝕工藝形成所述粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案，具體包括:
[0010]利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層進行第一次濕刻工藝形成所需的粘性補償膜層的圖案；
[0011]利用所述粘性補償膜層的圖案的遮擋，對所述第一膜層進行第二次濕刻工藝形成所需的第一膜層的圖案。
[0012]可選地，利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層和所述第一膜層進行刻蝕工藝形成所述粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案，具體包括:
[0013]利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層和所述第一膜層進行一次濕刻工藝形成所述粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案。
[0014]可選地，在形成所需的粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案之后，所述方法還包括:
[0015]剝離所述光刻膠圖案和所述粘性補償膜層的圖案。
[0016]可選地，所述第一膜層的材質為金屬單質或合金;所述粘性補償膜層的材質為銦錫氧化物。
[0017]可選地，所述粘性補償膜層的厚度范圍為10nm-50nmo
[0018]—種基板的制作方法，包括所述的膜層圖案的制作方法。
[0019]—種基板，包括利用所述的膜層圖案的制作方法制作而成的膜層圖案。
[0020]可選地，所述基板為顯示基板或觸控基板。
[0021]可選地，在所述基板為顯示基板時，所述膜層圖案為像素電極。
[0022]一種顯示裝置，包括所述的基板。
[0023]本發明有益效果如下:
[0024]在第一膜層之上制作一層粘性補償膜層，由于粘性補償膜層與第一膜層之間的粘附性，以及粘性補償膜層與光刻膠膜層之間的粘附性，均大于第一膜層與光刻膠膜層之間的粘附性，從而，第一膜層與粘性補償膜層之間的貼合程度較好，不會出現縫隙，同時，光刻膠膜層與粘性補償膜層之間的貼合程度也較好，這樣，防止刻蝕液從側向滲入而導致第一膜層的圖案產生斷線，而且，還可以保證刻蝕工藝過程中刻蝕程度近乎一致，從而避免由于刻蝕程度不同而導致形成的膜層圖案的臨近尺寸發生偏差；總之，通過該方案提升了刻蝕形成的膜層圖案的準確度，進而提升產品的品質。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1為本發明實施例提供的膜層圖案的制作方法的流程示意圖；
[0027]圖2(a)-圖2(c)為本發明實施例提供的膜層圖案的制作工藝流程圖；
[0028]圖3(a)-圖3(b)為本發明實施例提供的采用方式一進行兩次濕刻工藝的示意圖；
[0029]圖4為采用現有技術中的方案形成的膜層圖案的示意圖。
【具體實施方式】
[0030]為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0031]下面通過具體的實施例對本發明所涉及的技術方案進行詳細描述，本發明包括但并不限于以下實施例。
[0032]如圖1所示，為本發明實施例提供的膜層圖案的制作方法的流程示意圖，該方法主要包括以下步驟:
[0033]步驟11:在基底之上依次形成第一膜層、粘性補償膜層以及光刻膠膜層，其中，粘性補償膜層與第一膜層之間的粘附性，以及粘性補償膜層與所述光刻膠膜層之間的粘附性，均大于所述第一膜層與所述光刻膠膜層之間的粘附性。
[0034]具體地，參照圖2(a)所示的膜層圖案的制作工藝流程圖可知，首先，提供一基底21，然后，在基底21之上依次形成第一膜層22、粘性補償膜層23以及光刻膠膜層24。其中，膜層形成的工藝可采用現有的沉積工藝，例如:化學氣相沉積或物理氣相沉積;或者，直接采用涂覆的方式形成。
[0035]其中，第一膜層22的材質可以為金屬單質或金屬合金，例如:鉬鈦合金、鈦單質、鉬鈮合金等，或者其他非金屬材質。粘性補償膜層的材質與第一膜層以及光刻膠的材質相關，由于粘性補償膜層最終可能需要被剝離掉，因此，粘性補償膜層與第一膜層以及光刻膠膜層之間的粘附性成為確定粘性補償膜層材質的關鍵。例如，可以選取銦鋅氧化物、鈣鋅氧化物、氧化鋅中的一種或多種組合。優選地，針對鉬鈮合金所形成的第一膜層而言，以銦錫氧化物ITO為最佳材質。
[0036]步驟12:對光刻膠膜層進行構圖工藝，形成所需的光刻膠圖案。
[0037]具體地，參照圖2(b)所示，利用相應的掩膜版，對光刻膠膜層24進行掩膜、曝光、顯影等操作，實現構圖工藝，形成所需的光刻膠圖案25。
[0038]步驟13:利用光刻膠圖案的遮擋，對粘性補償膜層和第一膜層進行刻蝕工藝形成所需的粘性補償膜層的圖案和第一膜層的圖案。
[0039]具體地，參照圖2(c)所示，利用光刻膠圖案25的遮擋，對粘性補償膜層23和第一膜層22進行刻蝕工藝形成所需的粘性補償膜層的圖案26和第一膜層的圖案27。
[0040]通過以上技術方案，在第一膜層之上制作一層粘性補償膜層，由于粘性補償膜層與第一膜層之間的粘附性，以及粘性補償膜層與光刻膠膜層之間的粘附性，均大于第一膜層與光刻膠膜層之間的粘附性，從而，第一膜層與粘性補償膜層之間的貼合程度較好，不會出現縫隙，同時，光刻膠膜層與粘性補償膜層之間的貼合程度也較好，這樣，防止刻蝕液從側向滲入而導致第一膜層的圖案產生斷線，而且，還可以保證刻蝕工藝過程中刻蝕程度近乎一致，從而避免由于刻蝕程度不同而導致形成的膜層圖案的臨近尺寸發生偏差；總之，通過該方案提升了刻蝕形成的膜層圖案的準確度，進而提升產品的品質。
[0041 ]在本發明實施例中，步驟13的實現可以有如下兩種方式:
[0042]方式一:兩次濕刻[0043I 具體地，參照圖3(a)-圖3(b)所示；
[0044]首先，利用光刻膠圖案25的遮擋，對粘性補償膜層23進行第一次濕刻工藝形成所需的粘性補償膜層的圖案26。
[0045]然后，利用粘性補償膜層的圖案26的遮擋，對第一膜層22進行第二次濕刻工藝形成所需的第一膜層的圖案27。
[0046]根據圖3(b)所示的結構可知，形成的第一膜層的圖案是完整的，并未出現由于刻蝕液的滲漏而導致的斷裂問題。而且，由于先濕刻的粘性補償膜層，使得形成的粘性補償膜層的圖案對第一膜層進行遮擋和保護，在對第一膜層進行濕刻時，很好的掌控了濕刻的范圍以及避免了刻蝕液的滲漏而導致第一膜層的圖案發生不必要的斷裂的問題。
[0047]另外，結合圖3(b)可知，在進行第一次濕刻工藝之后，由于光刻膠膜層與粘性補償膜層的粘附性較高，因而形成的粘性補償膜層的圖案與光刻膠圖案的單側關鍵尺寸偏差僅為0.1-0.2μπι，而且粘性補償膜層的圖案較為均一，接近理想中的圖案。在進行第二次濕刻工藝時，由于粘性補償膜層與第一膜層之間的粘附性較高，且粘性補償膜層的圖案作為遮擋，因而，形成的第一膜層的圖案與相鄰的粘性補償膜層的圖案的單側關鍵尺寸偏差僅為
0.05-0.Ιμπι。且第一膜層的圖案較為均一。最終，第一膜層的圖案與光刻膠圖案的單側關鍵尺寸偏差為0.15-0.3μπι，相比于圖4所示的現有技術中的膜層圖案41直接與光刻膠圖案42接觸時的單側關鍵尺寸偏差為0.3-0.6μπι而言，本申請所涉及的方案所形成的膜層圖案的尺寸波動較小，且較為均一。需要說明的是，關鍵尺寸偏差是指相貼合的兩個膜層的同一側邊界之間的水平距離，即圖4中邊界A與邊界B之間的水平距離。
[0048]其中，第一次濕刻工藝所使用的刻蝕液僅可以溶解粘性補償膜層的材質，例如:可以為鹽酸、硝酸、水以一定摩爾比例配比的混合溶液，具體的配比可根據粘性補償膜層的材質進行選取;同理，第二次濕刻工藝所使用的刻蝕液僅可以溶解第一膜層的材質，其刻蝕液的選取可以為鹽酸、硝酸、水以一定摩爾比例配比的混合溶液，需要說明的是，刻蝕粘性補償膜層所需的刻蝕液以及刻蝕第一膜層所需的刻蝕液的選取可按照現有技術的刻蝕液配比進行選取，只要能夠實現兩次獨立的濕刻工藝即可。
[0049]方式二: 一次濕刻
[0050]具體地，該方式二中僅采用一次濕刻工藝，利用光刻膠圖案的遮擋，對粘性補償膜層和第一膜層使用同一種刻蝕液進行刻蝕，形成粘性補償膜層的圖案和第一膜層的圖案。其中，所需的刻蝕液可根據粘性補償膜層以及第一膜層的材質綜合考慮選取。從而，節省了工藝流程，且避免了刻蝕液的滲漏而導致第一膜層的圖案發生不必要的斷裂的問題。
[0051]可選地，在形成所需的粘性補償膜層的圖案和第一膜層的圖案之后，還可以包括:剝離光刻膠圖案和粘性補償膜層的圖案，從而，僅保留第一膜層的圖案，即形成所需的膜層圖案，例如:電極圖案、數據線圖案等。
[0052]可選地，為了保證相鄰膜層之間的粘附性較高，粘性補償膜層的厚度范圍為1nm-50nmo
[0053]此外，本發明實施例還提供了一種基板的制作方法，該方法主要包括上述所涉及的膜層圖案的制作方法，此外，還包括其他膜層或者元件的制作，例如，薄膜晶體管的制作過程。
[0054]同時，本發明還提供了一種基板，該基板主要包括利用上述任一膜層圖案的方法制作而成的膜層圖案。由于通過上述方法制作而成，因此，膜層圖案相比于現有技術而言，發生斷線的幾率減小，且膜層圖案的尺寸波動較小，更為接近所需的理想尺寸。
[0055]可選地，上述所涉及的基板為顯示基板或觸控基板。
[0056]可選地，在基板為顯示基板時，膜層圖案具體為像素電極。尤其針對IPS模式的像素電極而言，其主要采用鉬鈮合金制作而成，因而，更容易在濕刻時產生斷線以及尺寸偏差等問題，因此，在采用本發明所涉及的方法制作而成的基板中，像素電極基本不會發生斷線的問題，且像素電極的圖案更接近IPS模式所需的電極圖案。
[0057]此外，本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述所涉及的基板。其中，所述顯示裝置可以為液晶面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領域的普通技術人員應該理解具有的，在此不做贅述，也不應作為對本發明的限制。
[0058]盡管已描述了本發明的優選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優選實施例以及落入本發明范圍的所有變更和修改。
[0059]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種膜層圖案的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在基底之上依次形成第一膜層、粘性補償膜層以及光刻膠膜層，其中，所述粘性補償膜層與所述第一膜層之間的粘附性，以及所述粘性補償膜層與所述光刻膠膜層之間的粘附性，均大于所述第一膜層與所述光刻膠膜層之間的粘附性； 對所述光刻膠膜層進行構圖工藝，形成所需的光刻膠圖案； 利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層和所述第一膜層進行刻蝕工藝形成所需的粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案。2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層和所述第一膜層進行刻蝕工藝形成所述粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案，具體包括: 利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層進行第一次濕刻工藝形成所需的粘性補償膜層的圖案； 利用所述粘性補償膜層的圖案的遮擋，對所述第一膜層進行第二次濕刻工藝形成所需的第一膜層的圖案。3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層和所述第一膜層進行刻蝕工藝形成所述粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案，具體包括: 利用所述光刻膠圖案的遮擋，對所述粘性補償膜層和所述第一膜層進行一次濕刻工藝形成所述粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案。4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所需的粘性補償膜層的圖案和所述第一膜層的圖案之后，所述方法還包括: 剝離所述光刻膠圖案和所述粘性補償膜層的圖案。5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜層的材質為金屬單質或合金;所述粘性補償膜層的材質為銦錫氧化物。6.如權利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，所述粘性補償膜層的厚度范圍為10nm_50nmo7.—種基板的制作方法，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的膜層圖案的制作方法。8.—種基板，其特征在于，包括利用權利要求1-6任一項所述的方法制作而成的膜層圖案。9.如權利要求8所述的基板，其特征在于，所述基板為顯示基板或觸控基板。10.如權利要求9所述的基板，其特征在于，在所述基板為顯示基板時，所述膜層圖案為像素電極。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求8-10任一項所述的基板。
【文檔編號】G03F1/76GK106057667SQ201610525835
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月6日
【發明人】白金超, 郭會斌, 丁向前, 王靜
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司