一種半導體晶片磨邊工藝的制作方法
【專利摘要】本申請公開了一種半導體晶片磨邊工藝，包括以下步驟：S01、砂輪從半導體晶片的直線邊緣一側進刀，且砂輪的進刀止點位于所述半導體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上；S02、旋轉的砂輪對旋轉一周的半導體晶片的圓形邊緣進行打磨；S03、砂輪從所述半導體晶片的直線邊緣一側退刀后沿所述半導體晶體的直線邊緣移動并旋轉，對所述半導體晶片的直線邊緣進行打磨。本磨邊工藝分成兩段進行，先對半導體晶片的圓形邊緣進行打磨，再對半導體晶片的直線邊緣進行打磨。且在砂輪進退刀時，砂輪不會觸碰到半導體晶片的邊緣，從而避免了砂輪進退刀時對半導體晶片邊緣的觸碰，不會產生缺口，提高了半導體晶片邊緣的打磨光滑度。
【專利說明】
一種半導體晶片磨邊工藝
技術領域
[0001]本發明涉及半導體材料生產技術領域，特別涉及一種半導體晶片磨邊工藝。
【背景技術】
[0002]半導體晶片通過對半導體晶棒進行切割得到，切割完成后，根據客戶要求，需要對晶片的邊緣進行打磨，得到特定形狀尺寸的晶片。
[0003]現有的半導體晶片在進行磨邊工藝時，晶片通常為圓形，晶片的邊緣設置有一個直線邊緣，用于對晶片進行定位，具體磨邊工藝為:將切好的晶片固定在磨邊機的吸盤上，并進行調心，使晶片繞圓心旋轉;采用高速運轉的金剛石磨輪對進行旋轉的晶片的邊緣進行打磨，磨輪的打磨軌跡通過特定的靠模來實現，從而獲得特定形狀尺寸的晶片，完成對晶片邊緣的打磨。具體磨邊過程可參見圖1，利用靠鐵對晶片進行定位，使晶片的直線邊緣與靠鐵貼合定位，定位之后，移開靠鐵，砂輪進刀，使砂輪與晶片的直線邊緣反向正對的一側圓形邊緣靠緊，砂輪旋轉，同時使晶片旋轉360度，砂輪在靠模的引導下在直線方向上移動，晶片旋轉一周便一次性完成晶片形狀的打磨成型，最后，砂輪在晶片的圓形邊緣處退刀，結束磨邊工藝。
[0004]上述現有的磨邊工藝由于砂輪的進刀位置和退刀位置均位于晶片的圓形邊緣處，因為砂輪進刀和退刀時，與晶片邊緣接觸，容易在晶片邊緣產生缺口，如果進退刀位置不同，還會導致晶片邊緣凹凸不平滑。
【發明內容】
[0005]有鑒于此，本發明的目的在于提供一種半導體晶片磨邊工藝，以消除砂輪進退刀時與晶片邊緣接觸形成的缺口，提高晶片磨邊的平滑度。
[0006]為達到上述目的，本發明提供以下技術方案:
[0007]—種半導體晶片磨邊工藝，包括以下步驟:
[0008]S01、砂輪從半導體晶片的直線邊緣一側進刀，且砂輪的進刀止點位于所述半導體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上；
[0009]S02、旋轉的砂輪對旋轉一周的半導體晶片的圓形邊緣進行打磨；
[0010]S03、砂輪從所述半導體晶片的直線邊緣一側退刀后沿所述半導體晶體的直線邊緣移動并旋轉，對所述半導體晶片的直線邊緣進行打磨。
[0011]優選的，在上述的半導體晶片磨邊工藝中，在所述步驟SOl中的砂輪進刀之前，通過靠鐵與所述半導體晶片的直線邊緣貼合，完成所述半導體晶片的定位，之后，靠鐵移開，旋轉半導體晶片180°，使所述半導體晶片的直線邊緣面向所述砂輪。
[0012]優選的，在上述的半導體晶片磨邊工藝中，所述半導體晶片通過吸盤吸附固定。
[0013]與現有技術相比，本發明的有益效果是:
[0014]本發明提供的半導體晶片磨邊工藝中，砂輪從半導體晶片的直線邊緣一側進刀，到達半導體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上停止進刀，通過旋轉的砂輪對半導體晶片進行打磨，半導體晶片旋轉一周，砂輪只對其圓形邊緣進行打磨，而不接觸直線邊緣；圓形邊緣打磨完成后，砂輪從直線邊緣一側退刀，之后沿直線邊緣移動并旋轉，對直線邊緣進行打磨。可見本發明中的磨邊工藝分成兩段進行，先對半導體晶片的圓形邊緣進行打磨，再分開對半導體晶片的直線邊緣進行打磨。在砂輪進刀時，砂輪到達進刀位置后不會觸碰到半導體晶片的邊緣，但是半導體晶片旋轉一周后，砂輪能夠對圓形邊緣進行打磨，退刀時，砂輪還是從直線邊緣的一側退刀，不會接觸到直線邊緣，從而消除了砂輪進退刀時對半導體晶片的觸碰，不會產生缺口，提高了半導體晶片邊緣的打磨光滑度。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為現有半導體晶片磨邊工藝的流程圖；
[0017]圖2為本發明實施例提供的一種半導體晶片磨邊工藝的流程圖。
【具體實施方式】
[0018]本發明的核心是提供了一種半導體晶片磨邊工藝，消除了砂輪進退刀時與晶片邊緣接觸形成的缺口，提高了晶片磨邊的平滑度。
[0019]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0020]請參考圖2，本發明實施例提供了一種半導體晶片磨邊工藝，包括以下步驟:
[0021]步驟S01、進刀工序，砂輪從半導體晶片的直線邊緣一側向半導體晶片靠近進刀，且砂輪的進刀止點位于半導體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上，即砂輪的邊緣不接觸半導體晶片的直線邊緣，但是砂輪用于打磨的一側輪面位于半導體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上。
[0022]步驟S02、圓形邊緣打磨工序，砂輪旋轉，同時半導體晶片旋轉一周，砂輪對半導體晶片進行打磨，由于砂輪的進刀位置不與半導體晶體接觸，因此，砂輪只對半導體晶片的圓形邊緣進行打磨。
[0023]步驟S03、直線邊緣打磨工序，砂輪從半導體晶片的直線邊緣一側退刀，退刀位置依然位于半導體晶片的直線邊緣一側，退刀后，砂輪沿半導體晶體的直線邊緣移動并旋轉，此時，半導體晶片不旋轉，半導體晶片的直線邊緣豎直放置，則砂輪從直線邊緣上方沿直線邊緣上下移動，對半導體晶片的直線邊緣進行打磨，直至要求的直線邊緣的長度位置，完成直線邊緣的打磨后，退刀。
[0024]上述的半導體晶片磨邊工藝分成兩段進行，第一段先對半導體晶片的圓形邊緣進行打磨，第二段再對半導體晶片的直線邊緣進行打磨。在砂輪進刀時，砂輪到達進刀位置后不會觸碰到半導體晶片的邊緣，但是半導體晶片旋轉一周后，砂輪能夠對圓形邊緣進行打磨，退刀時，砂輪還是從直線邊緣的一側退刀，不會接觸到直線邊緣，從而避免了砂輪進退刀時對半導體晶片的觸碰，不會產生缺口，提高了半導體晶片邊緣的打磨光滑度。
[0025]如圖2所示，本實施例對半導體晶片磨邊工藝進行優化，在步驟SOl中的砂輪進刀之前，通過靠鐵與半導體晶片的直線邊緣貼合，完成半導體晶片的定位，之后，靠鐵移開，旋轉半導體晶片180°，使半導體晶片的直線邊緣面向砂輪。通過半導體晶片的定位，提高了打磨精度。當然，還可以不進行定位，半導體晶片在初始位置時，半導體晶片的直線邊緣面向砂輪，因此可以直接進行進刀，不需要將半導體晶片旋轉180°。只是，定位后的打磨精度更尚O
[0026]在本實施例中，半導體晶片通過吸盤吸附固定，能夠減少對半導體晶片的固定損壞。完成半導體晶片打磨后，吸盤卸壓，將半導體晶片取下。當然還可以通過其它裝置進行固定。
[0027]本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。
[0028]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種半導體晶片磨邊工藝，其特征在于，包括以下步驟: 501、砂輪從半導體晶片的直線邊緣一側進刀，且砂輪的進刀止點位于所述半導體晶片的圓形邊緣的圓周延長線上； 502、旋轉的砂輪對旋轉一周的半導體晶片的圓形邊緣進行打磨； 503、砂輪從所述半導體晶片的直線邊緣一側退刀后沿所述半導體晶體的直線邊緣移動并旋轉，對所述半導體晶片的直線邊緣進行打磨。2.根據權利要求1所述的半導體晶片磨邊工藝，其特征在于，在所述步驟SOl中的砂輪進刀之前，通過靠鐵與所述半導體晶片的直線邊緣貼合，完成所述半導體晶片的定位，之后，靠鐵移開，旋轉半導體晶片180°，使所述半導體晶片的直線邊緣面向所述砂輪。3.根據權利要求1所述的半導體晶片磨邊工藝，其特征在于，所述半導體晶片通過吸盤吸附固定。
【文檔編號】H01L21/02GK106057646SQ201610528101
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月6日
【發明人】吳曉桂, 朱劉, 劉留
【申請人】廣東先導先進材料股份有限公司