一種V₂O₅和Bphen修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法

一種V₂O₅和Bphen修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種V2O5和Bphen修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法。本發明在常規的鈣鈦礦型太陽能電池的基礎上，在空穴傳輸層與底電極之間添加了一層V2O5修飾層，防止酸性PEDOT:PSS薄膜對ITO電極的腐蝕，提高了電池結構的穩定性，并利用V2O5薄膜對光子的反射功能，增加了鈣鈦礦活性層對光子的吸收率。此外，在電子傳輸層與頂電極之間，添加了一層Bphen薄膜，增加了對PCBM空穴傳輸層的覆蓋率，防止鈣鈦礦層與Ag電極的直接接觸，增加了太陽能電池器件的光電轉換效率和壽命。本發明制得的鈣鈦礦太陽能電池最大的光電轉換效率為14.05%，并且在保存300h之后，仍然有9.69%的轉換效率。
【專利說明】
一種V2O5和Bphen修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法
技術領域
[0001 ]本發明屬于I丐鈦礦太陽能電池的制備技術領域，具體涉及一種V2O5和Bphen修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法。
【背景技術】
[0002]金屬鹵化物鈣鈦礦型太陽能電池，由于其原材料普通、制作工藝簡單，兼具生產成本低廉和光電轉換性能優異等特點，被認為是光伏產業的新星。2009年，首次出現的有機無機雜化的鹵素鈣鈦礦太陽能電池光電轉化效率只有3.8%。2011年后，人們對該類型電池的研究取得了一系列重大突破。最近，已經被認證的電池的光電轉換效率已經達到了 22.1%。從2009年到現在，只有短短7年的時間，對鈣鈦礦太陽能電池的研究，取得了許多重要的突破。盡管鈣鈦礦型太陽能電池的光電轉換效率有了較大的提高，但電池的穩定性和壽命一直是困擾研究者的難題，也是阻礙它規模化應用的最大障礙之一。

【發明內容】

[0003]本發明解決的技術問題是提供了一種V2O5和Bphen修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，制得的鈣鈦礦型太陽能電池利用V2O5和Bphen作為修飾層，二者可以分別改善空穴傳輸層和電子傳輸層的性能，進一步提高太陽能電池的光電轉換效率和穩定性，并延長太陽能電池的使用壽命。
[0004]本發明為解決上述技術問題采用如下技術方案，一種V2O5和Bphen修飾的I丐鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于具體步驟為:
步驟S1:刻蝕ITO基片
步驟SlOl:將大塊的ITO導電玻璃切割成尺寸為13mm X 15mm的矩形ITO導電玻璃，用12_寬的導電膠沿著矩形ITO導電玻璃的窄邊中央粘緊，避免導電膠和ITO導電玻璃中間存在氣泡；
步驟S102:在步驟SlOl所得未覆蓋導電膠的ITO導電玻璃邊緣撒上一層Zn粉；
步驟S103:將經步驟S102處理的ITO導電玻璃轉移到通風櫥中，用滴管將濃鹽酸滴到Zn粉上，在Zn粉作為催化劑的條件下，濃鹽酸將未覆蓋導電膠的ITO腐蝕掉，導電膠保護ITO導電玻璃中央不需刻蝕的部分，ITO基片刻蝕完成；
步驟S2:清洗ITO基片
步驟S201:用蘸有洗滌劑的棉球反復擦洗刻蝕完成的ITO基片，除去ITO基片上附著的污漬；
步驟S202:將經步驟S201處理的ITO基片在摩爾濃度為0.5_lmol/L的NaOH溶液中超聲洗滌10-20min，中和未反應完全的濃鹽酸；
步驟S203:將經步驟S202處理的ITO基片依次在去離子水、無水乙醇和丙酮中超聲洗滌10-20min并重復I次，分別除去ITO基片上附著的水溶性雜質和有機性雜質；
步驟S204:將經步驟S203處理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的條件下干燥10-15min；
步驟S205:將經步驟S204處理的ITO基片放入紫外臭氧機中，紫外照射臭氧10-15min，即得到干凈的ITO基片；
步驟S3:配制化學試劑
步驟S301:稱量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去離子水中，攪拌12h以上；
步驟S302:稱量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL二甲基甲酰胺溶劑中，攪拌12h以上；
步驟S303:稱量20mg的PCBM粉末溶解于ImL氯苯溶劑中，攪拌12h以上；
步驟S304:稱量0.5mg的Bphen溶解于ImL無水乙醇溶劑中，攪拌12h以上；
步驟S4:制備鈣鈦礦太陽能電池器件
步驟S401:將步驟S301所得溶液用0.45μπι的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S2得到的干凈ITO基片上，以2000-3000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火10-20min后自然冷卻；
步驟S402:將PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S401處理的IT0基片上，以4000-5000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火10-20min后自然冷卻；
步驟S403:將經步驟S402處理的ITO基片轉移到手套箱中，再將步驟S302所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S402處理的ITO基片上，以3000-4000rpm的速率旋涂40s，重復涂覆操作一次，然后放置在加熱臺上退火，從30°C開始，每間隔8-10min升溫10°C，直至溫度升高至100°C，加熱90-120min后自然冷卻；
步驟S404:將步驟S303所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S403處理的ITO基片上，以3000-4000rpm的速率旋涂40s ；
步驟S405:將步驟S304所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S404處理的ITO基片上，以2000-3000rpm的速率旋涂40s，在加熱臺上于60°C退火10-15min后自然冷卻；步驟S406:將步驟S405所得ITO基片倒置放入刻有圖案的掩模板中，放入蒸鍍機中，在4.5X 15Pa的壓強條件下蒸鍍Ag電極，鈣鈦礦太陽能電池器件制備完成。
[0005]本發明與現有技術相比具有以下有益效果:
1、在鈣鈦礦太陽能電池中用V2O5薄膜修飾PEDOT:PSS空穴傳輸層，它不僅能阻止酸性PED0T:PSS薄膜對ITO電極的破壞，增強電池的穩定性，而且可以增強鈣鈦礦層對光子的吸收率；
2、在鈣鈦礦太陽能電池中用Bphen薄膜修飾PCBM電子傳輸層，增加電子傳輸層的覆蓋率，防止鈣鈦礦薄膜部分區域與Ag電極的直接接觸，增加空穴傳輸層對電子的收集率，并能降低鈣鈦礦層與大氣環境的直接接觸，提高鈣鈦礦太陽能電池的光電轉換效率與壽命；
3、制得的鈣鈦礦型太陽能電池最大的光電轉換效率為14.05%，并且在保存300h之后，仍然有9.69%的轉換效率，效率僅下降了 30%。
【附圖說明】
[0006]圖1是本發明實施例1所得鈣鈦礦太陽能電池的J-V曲線圖；
圖2是本發明實施例1所得鈣鈦礦太陽能電池的光電轉換效率PCE隨時間的變化圖； 圖3是本發明實施例1所得鈣鈦礦太陽能電池的填充因子FF隨時間的變化圖；
圖4是本發明實施例1所得鈣鈦礦太陽能電池的開路電壓Vqc隨時間的變化圖；
圖5是本發明實施例1所得鈣鈦礦太陽能電池的短路電流Jsc隨時間的變化圖；
圖6是本發明實施例2所得鈣鈦礦太陽能電池的J-V曲線圖；
圖7是本發明實施例3所得鈣鈦礦太陽能電池的J-V曲線圖。
【具體實施方式】
[0007]以下通過實施例對本發明的上述內容做進一步詳細說明，但不應該將此理解為本發明上述主題的范圍僅限于以下的實施例，凡基于本發明上述內容實現的技術均屬于本發明的范圍。
[0008]實施例1
步驟S1:刻蝕ITO基片
步驟SlOl:將大塊的ITO導電玻璃切割成尺寸為13mm X 15mm的矩形ITO導電玻璃，用12_寬的導電膠沿著矩形ITO導電玻璃的窄邊中央粘緊，避免導電膠和ITO導電玻璃中間存在氣泡；
步驟S102:在步驟SlOl所得未覆蓋導電膠的ITO導電玻璃邊緣撒上一層薄薄的Zn粉；步驟S103:將經步驟S102處理的ITO導電玻璃轉移到通風櫥中，用滴管將濃鹽酸緩慢滴到Zn粉上，在Zn粉作為催化劑的條件下，濃鹽酸將未覆蓋導電膠的ITO腐蝕掉，導電膠保護ITO導電玻璃中央不需刻蝕的部分，ITO基片即刻蝕完成；
步驟S2:清洗ITO基片
步驟S201:用蘸有洗滌劑的棉球反復擦洗刻蝕完成的ITO基片，除去ITO基片上附著的污漬；
步驟S202:將經步驟S201處理的ITO基片在摩爾濃度為0.5mol/L的NaOH溶液中超聲洗滌1min，中和未反應完全的濃鹽酸；
步驟S203:將經步驟202處理的ITO基片依次在去離子水、無水乙醇和丙酮中超聲洗滌1min并重復I次，分別除去ITO基片上附著的水溶性雜質和有機性雜質；
步驟S204:將經步驟S203處理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的條件下干燥1min;步驟S205:將經步驟S204處理的ITO基片放入紫外臭氧機中，紫外照射臭氧lOmin，即得干凈的ITO基片；
步驟S3:配制化學試劑
步驟S301:稱量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去離子水中，攪拌12h;
步驟S302:稱量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL DMF溶劑中，攪拌12h;
步驟S303:稱量20mg的PCBM粉末溶解于ImL氯苯溶劑中，攪拌12h ；
步驟S304:稱量0.5mg的Bphen粉末溶解于ImL無水乙醇溶劑中，攪拌12h;
步驟S4:制備鈣鈦礦太陽能電池器件
步驟S401:將步驟S301所得溶液用0.45μπι的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S2得到的干凈ITO基片上，以2000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火20min后自然冷卻，即得到V2O5修飾層； 步驟S402:將PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S401處理的IT0基片上，以4500rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火20min后自然冷卻，SP得到PEDOT: PSS空穴傳輸層；
步驟S403:將經步驟S402處理的ITO基片轉移到手套箱中，再將步驟S302所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S402處理的ITO基片上，以4000rpm的速率旋涂40s，重復涂覆操作一次，然后放置在加熱臺上退火，從30°C開始，每間隔1min升溫10°C，直至溫度升高至100°C，加熱10min后自然冷卻，即得到鈣鈦礦光吸收層；
步驟S404:將步驟S303所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S403處理的ITO基片上，以4000rpm的速率旋涂40s，即得到PCBM電子傳輸層；
步驟S405:將步驟S304所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S404處理的ITO基片上，以2000rpm的速率旋涂40s，放置在加熱臺上于60 °C退火1min后自然冷卻，即得到Bphen修飾層；
步驟S406:將經步驟S405處理的ITO基片倒置放入刻有圖案的掩模板中，放入蒸鍍機中，在4.5 X 15Pa的壓強下蒸鍍Ag電極，鈣鈦礦太陽能電池器件制備完成。
[0009]圖1是本實施例制得鈣鈦礦太陽能電池的J-V曲線圖。在AMl.5光譜條件、10mW/cm2的光源強度照射條件下，模擬日光測試所制電池器件的性能，從圖1可以看出，電池器件的光電轉換效率為14.05%，開路電壓為0.91V，短路電流密度為21.49mA/cm2，填充因子為0.73ο
[0010]圖2-5給出了本實施例制得的鈣鈦礦太陽能電池器件最初300h內的電池轉換效率的變化趨勢。從圖2-5中可以看到，在300h之后電池的光電轉換效率從14.05%降低到了9.69%，效率下降較慢，填充因子沒有明顯的下降，開路電壓和短路電流密度下降緩慢，該方法制得的鈣鈦礦太陽能電池器件的穩定性較好。
[0011]實施例2
步驟S1:刻蝕ITO基片
步驟SlOl:將大塊的ITO導電玻璃切割成尺寸為13mm X 15mm的矩形ITO導電玻璃，用12_寬的導電膠沿著矩形ITO導電玻璃的窄邊中央粘緊，避免導電膠和ITO導電玻璃中間存在氣泡；
步驟S102:在步驟SlOl所得未覆蓋導電膠的ITO導電玻璃邊緣撒上一層薄薄的Zn粉；步驟S103:將經步驟S102處理的ITO導電玻璃轉移到通風櫥中，用滴管將濃鹽酸緩慢滴到Zn粉上，在Zn粉作為催化劑的條件下，濃鹽酸將未覆蓋導電膠的ITO腐蝕掉，導電膠保護ITO導電玻璃中央不需刻蝕的部分，ITO基片即刻蝕完成；
步驟S2:清洗ITO基片
步驟S201:用蘸有洗滌劑的棉球反復擦洗刻蝕完成的ITO基片，除去ITO基片上附著的污漬；
步驟S202:將經步驟S201處理的ITO基片在摩爾濃度為lmol/L的NaOH溶液中超聲洗滌15min，中和未反應完全的濃鹽酸；
步驟S203:將經步驟S202處理的ITO基片依次在去離子水、無水乙醇和丙酮中超聲洗滌12min并重復I次，分別除去ITO基片上附著的水溶性雜質和有機性雜質；
步驟S204:將經步驟S203處理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的條件下干燥12min; 步驟S205:將經步驟S204處理的ITO基片放入紫外臭氧機中，紫外照射臭氧12min，即得干凈的ITO基片；
步驟S3:配制化學試劑
步驟S301:稱量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去離子水中，攪拌15h;
步驟S302:稱量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL DMF溶劑中，攪拌15h;
步驟S303:稱量20mg的PCBM粉末溶解于ImL氯苯溶劑中，攪拌15h ；
步驟S304:稱量0.5mg的Bphen粉末溶解于ImL無水乙醇溶劑中，攪拌15h;
步驟S4:制備鈣鈦礦太陽能電池器件
步驟S401:將步驟S301所得溶液用0.45μπι的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S2得到的干凈ITO基片上，以2500rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火15min后自然冷卻，即得到V2O5修飾層；
步驟S402:將PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S401處理的IT0基片上，以4000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火15min后自然冷卻，SP得到PEDOT: PSS空穴傳輸層；
步驟S403:將經步驟S402處理過的ITO基片轉移到手套箱中，再將步驟S302所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S402處理的ITO基片上，以4000rpm的速率旋涂40s，重復涂覆操作一次，然后放置在加熱臺上退火，從30°C開始，每間隔1min升溫10°C，直至溫度升高至100°C，加熱120min后自然冷卻，即得到鈣鈦礦光吸收層；
步驟S404:將步驟S303所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S403處理的ITO基片上，以3500rpm的速率旋涂40s，即得到PCBM電子傳輸層；
步驟S405:將步驟S304所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S404處理的ITO基片上，以2500rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于60 °C退火1min后自然冷卻，即得到Bphen修飾層；
步驟S406:將經步驟S405處理的ITO基片倒置放入刻有圖案的掩模板中，放入蒸鍍機中，在4.5 X 15Pa的壓強下蒸鍍Ag電極，鈣鈦礦太陽能電池器件制備完成。
[0012]圖6是本實施例制得鈣鈦礦太陽能電池的J-V曲線圖。在AMl.5光譜條件、10mW/cm2的光源強度照射條件下，模擬日光測試所制電池器件的性能，從圖6可以看出，太陽能電池器件的光電轉換效率為13.97%，開路電壓為0.90V，短路電流密度為21.62mA/cm2，填充因子為0.72，此實施制備的電池效率、開路電壓、填充因子略有下降，短路電流密度增大。
[0013]實施例3
步驟S1:刻蝕ITO基片
步驟SlOl:將大塊的ITO導電玻璃切割成尺寸為13mm X 15mm的矩形ITO導電玻璃，用12_寬的導電膠沿著矩形ITO導電玻璃的窄邊中央粘緊，避免導電膠和ITO導電玻璃中間存在氣泡；
步驟S102:在步驟SlOl所得未覆蓋導電膠的ITO導電玻璃邊緣撒上一層薄薄的Zn粉；步驟S103:將經步驟S102處理的ITO導電玻璃轉移到通風櫥中，用滴管將濃鹽酸緩慢滴到Zn粉上，在Zn粉作為催化劑的條件下，濃鹽酸將未覆蓋導電膠的ITO腐蝕掉，導電膠保護ITO導電玻璃中央不需刻蝕的部分，ITO基片即刻蝕完成； 步驟S2:清洗ITO基片
步驟S201:用蘸有洗滌劑的棉球反復擦洗刻蝕完成的ITO基片，除去ITO基片上附著的污漬；
步驟S202:將經步驟S201處理的ITO基片在摩爾濃度為0.8mol/L的NaOH溶液中超聲洗滌20min，中和未反應完全的濃鹽酸；
步驟S203:將經步驟S202處理的ITO基片依次在去離子水、無水乙醇和丙酮中超聲洗滌20min并重復I次，分別除去ITO基片上附著的水溶性雜質和有機性雜質；
步驟S204:將經步驟S203處理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的條件下干燥15min;步驟S205:將經步驟S204處理的ITO基片放入紫外臭氧機中，紫外照射臭氧15min，即得干凈的ITO基片；
步驟S3:配制化學試劑
步驟S301:稱量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去離子水中，攪拌24h;
步驟S302:稱量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL DMF溶劑中，攪拌24h;
步驟S303:稱量20mg的PCBM粉末溶解于ImL氯苯溶劑中，攪拌24h ；
步驟S304:稱量0.5mg的Bphen粉末溶解于ImL無水乙醇溶劑中，攪拌24h;
步驟S4:制備鈣鈦礦太陽能電池器件
步驟S401:將步驟S301所得溶液用0.45μπι的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S2得到的干凈ITO基片上，以3000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140 °C退火1min后自然冷卻，即得到V2O5修飾層；
步驟S402:將PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S401處理的IT0基片上，以5000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火1min后自然冷卻，SP得到PEDOT: PSS空穴傳輸層；
步驟S403:將經步驟S402處理的ITO基片轉移到手套箱中，再將步驟S302所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S402處理的ITO基片上，以3000rpm的速率旋涂40s，重復涂覆操作一次，然后放置在加熱臺上退火，從30°C開始，每間隔Smin升溫10°C，直至溫度升高至100°C，加熱90min后自然冷卻，即得到鈣鈦礦光吸收層；
步驟S404:將步驟S303所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S403處理的ITO基片上，以3000rpm的速率旋涂40s，即得到PCBM電子傳輸層；
步驟S405:將步驟S304所得溶液用0.22μπι的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S404處理的ITO基片上，以3000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于60°C退火15min后自然冷卻，即得到Bphen修飾層；
步驟S406:將經步驟S405處理的ITO基片倒置放入刻有圖案的掩模板中，放入蒸鍍機中，在4.5 X 15Pa的壓強下蒸鍍Ag電極，鈣鈦礦太陽能電池器件制備完成。
[0014]圖7是本實施例制得鈣鈦礦太陽能電池的J-V曲線圖。在AMl.5光譜條件、10mW/cm2的光源強度照射條件下，模擬日光測試所制電池器件的性能，從圖7可以看出，太陽能電池器件的光電轉換效率為13.93%，開路電壓為0.91V，短路電流密度為21.56mA/cm2，填充因子為0.71，此實施制備的電池效率、填充因子略有下降，開路電壓不變，短路電流密度增大。
[0015]以上實施例描述了本發明的基本原理、主要特征及優點，本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明原理的范圍下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進均落入本發明保護的范圍內。
【主權項】
1.一種V2O5和Bphen修飾的I丐鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于具體步驟為: 步驟S1:刻蝕ITO基片 步驟SlOl:將大塊的ITO導電玻璃切割成尺寸為13mm× 15mm的矩形ITO導電玻璃，用12_寬的導電膠沿著矩形ITO導電玻璃的窄邊中央粘緊，避免導電膠和ITO導電玻璃中間存在氣泡； 步驟S102:在步驟SlOl所得未覆蓋導電膠的ITO導電玻璃邊緣撒上一層Zn粉； 步驟S103:將經步驟S102處理的ITO導電玻璃轉移到通風櫥中，用滴管將濃鹽酸滴到Zn粉上，在Zn粉作為催化劑的條件下，濃鹽酸將未覆蓋導電膠的ITO腐蝕掉，導電膠保護ITO導電玻璃中央不需刻蝕的部分，ITO基片刻蝕完成； 步驟S2:清洗ITO基片 步驟S201:用蘸有洗滌劑的棉球反復擦洗刻蝕完成的ITO基片，除去ITO基片上附著的污漬； 步驟S202:將經步驟S201處理的ITO基片在摩爾濃度為0.5-lmol/L的NaOH溶液中超聲洗滌10-20min，中和未反應完全的濃鹽酸； 步驟S203:將經步驟S202處理的ITO基片依次在去離子水、無水乙醇和丙酮中超聲洗滌.10-20min并重復I次，分別除去ITO基片上附著的水溶性雜質和有機性雜質； 步驟S204:將經步驟S203處理的ITO基片放入干燥箱中，在100°C的條件下干燥10-.15min； 步驟S205:將經步驟S204處理的ITO基片放入紫外臭氧機中，紫外照射臭氧10-15min，即得到干凈的ITO基片； 步驟S3:配制化學試劑 步驟S301:稱量0.5mg的V2O5粉末溶解于ImL去離子水中，攪拌12h以上； 步驟S302:稱量256mg的CH3NH3I粉末和149mg的PbCl2粉末，混合后溶解于ImL二甲基甲酰胺溶劑中，攪拌12h以上； 步驟S303:稱量20mg的PCBM粉末溶解于1mL氯苯溶劑中，攪拌12h以上； 步驟S304:稱量0.5mg的Bphen溶解于1mL無水乙醇溶劑中，攪拌12h以上； 步驟S4:制備鈣鈦礦太陽能電池器件 步驟S401:將步驟S301所得溶液用0.45μm的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S2得到的干凈ITO基片上，以2000-3000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火10-20min后自然冷卻； 步驟S402:將PED0T:PSS溶液用0.22μm的水系濾頭過濾，涂覆在經步驟S401處理的IT0基片上，以4000-5000rpm的速率旋涂40s，然后放置在加熱臺上于140°C退火10-20min后自然冷卻； 步驟S403:將經步驟S402處理的ITO基片轉移到手套箱中，再將步驟S302所得溶液用.0.22μm的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S402處理的ITO基片上，以3000-4000rpm的速率旋涂.40s，重復涂覆操作一次，然后放置在加熱臺上退火，從30°C開始，每間隔8-10min升溫10°C，直至溫度升高至100°C，加熱90-120min后自然冷卻； 步驟S404:將步驟S303所得溶液用0.22μm的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S403處理的ITO基片上，以3000-4000rpm的速率旋涂40s ； 步驟S405:將步驟S304所得溶液用0.22μm的有機濾頭過濾，涂覆在經步驟S404處理的ITO基片上，以2000-3000rpm的速率旋涂40s，在加熱臺上于60°C退火10-15min后自然冷卻；步驟S406:將步驟S405所得ITO基片倒置放入刻有圖案的掩模板中，放入蒸鍍機中，在.4.5× 15Pa的壓強條件下蒸鍍Ag電極，鈣鈦礦太陽能電池器件制備完成。
【文檔編號】H01L51/48GK106033795SQ201610561112
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2016年7月18日
【發明人】劉志勇, 何庭偉, 黎文峰, 劉凱凱, 蘇健
【申請人】河南師范大學