FinFET的摻雜方法

FinFET的摻雜方法
【專利摘要】本發明公開了一種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側壁和第二側壁，該摻雜方法包括以下步驟：T1、在Fin的頂面、第一側壁和第二側壁中形成摻雜層；T2、將惰性元素沿著該襯底的法線方向注入至Fin的頂面中以減小頂面中摻雜元素的劑量。本發明通過較長時間的離子注入實現注入的飽和，并在側壁完成注入之后增加一道注入的工藝，以實現Fin的均勻摻雜。
【專利說明】
FinFET的摻雜方法
技術領域
[0001]本發明涉及一種FinFET的摻雜方法，特別是涉及一種具有自調節功能的FinFET的摻雜方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路從22nm技術節點往更小尺寸發展，制程會采用FinFET (鰭式場效晶體管，Fin是魚鰭的意思，FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性)結構，旨在減少溝道效應，在抑制亞閾值電流和柵漏電流方面有著絕對的優勢。隨著集成度的提高，FinFET器件取代傳統體硅器件將是必然的趨勢。
[0003]圖1示出了 FinFET結構的一部分(包括100和200兩個單元)，附圖標記20表示襯底，例如硅襯底，附圖標記22表示形成于襯底20中或20上的淺溝道絕緣區域(shallowtrench isolat1n reg1n)，圖1中分別以附圖標記124和224表示所示的兩根Fin。
[0004]在FinFET結構中，需要在豎直的Fin中形成摻雜。業內現有的摻雜方式有生長法和離子注入法。生長法對于P型摻雜來說是可行的，然而在形成N型摻雜時就遭遇了困境。N型摻雜源比較常見的AsH3,其毒性非常大，因此必須采用砷離子注入的方式來形成N型摻雜。但是在實際應用中，離子注入卻面臨著三個急需解決的技術問題，即均勻性、非晶化和圓角的問題。
[0005]1、均勾性(doping conformity)
[0006]由于Fin是豎直結構的，為了在側壁中形成摻雜，離子注入的方向必須和Fin的長度方向呈一定角度。參考圖2和圖3，為了使得Fin的側壁中均實現有效摻雜，現有的注入方式通常是采用兩次注入，即先按照圖2中所示的箭頭方向完成Fin右側的注入，接著再按照圖3中所示的箭頭方向完成Fin左側的注入。在這種帶有傾角的注入中，Fin的頂部受到兩次離子注入和不同注入投影劑量，這就造成了每根Fin的頂部和側壁之間摻雜劑量的嚴重不均勻。
[0007]具體來說，依然參考圖2或者圖3，為了在Fin的側壁上形成摻雜，離子注入的方向必然是要和襯底的法線方向呈一定角度的，除了 45°之外，Fin的頂部和側壁上的摻雜劑量必然是不同的。隨著FinFET結構高寬比(aspect rat1，即Fin的高度和兩根Fin之間的距離之比)的增大，離子注入的角度(注入方向和襯底法線的夾角)也就越來越小，那么注入至頂部的離子勢必會多于注入側壁的離子，這就加劇了 Fin本身頂部和側壁摻雜劑量的不均勻。目前，這種不均勻性是極為顯著的，甚至達到了頂部和側壁摻雜劑量之比為20:1，最優的，也要達到10:1。也就是說，頂部的摻雜量要遠遠大于側壁，這種不均勻性對于器件性能的優化是極為不利的。
[0008]再者，倘若兩次的注入參數不能精確控制保持一致，又會造成Fin兩個側壁上的摻雜不均勻，從而影響到器件的性能。
[0009]2、非晶化(Amorphizat1n)
[0010]現有的注入法還遭遇了非晶化的問題，由于注入離子的能量較高，離子被注入的深度就很深，這會使得Fin被非晶化，原本的單晶結構難以保持，這對于器件的性能也是極為不利的。
[0011]3、圓角(Corner eros1n)
[0012]參考圖4，現有技術的高能量注入除了會帶來非晶化的問題之外，還會造成Fin的兩個角被離子撞擊損傷的情況，圖4中示出了被損傷后的圓角，這種結構也是不利于器件性能的。

【發明內容】

[0013]本發明要解決的技術問題是為了克服現有技術中采用離子注入法來完成Fin的摻雜時注入均勻性不佳、特別是Fin的頂部和側壁的不均勻性往往超過10:1的缺陷，提供一種FinFET的摻雜方法，通過較長時間的離子注入實現注入的飽和，并在側壁完成注入之后增加一道注入的工藝(惰性元素)，最終實現Fin的均勻摻雜。
[0014]本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題的:
[0015]—種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側壁和第二側壁，其特點在于，該摻雜方法包括以下步驟:
[0016]Tl、在Fin的頂面、第一側壁和第二側壁中形成摻雜層；
[0017]T2、將惰性元素沿著該襯底的法線方向注入至Fin的頂面中以減小頂面的摻雜層中摻雜元素的劑量或濃度。
[0018]由于Fin的豎直結構，頂面的摻雜劑量會大于側壁的摻雜劑量，這就造成了頂面和側壁摻雜嚴重不均的情況。為此，在完成摻雜層之后，增加惰性元素的注入工藝，通過濺射頂面中的摻雜元素來減小頂面中摻雜元素的劑量，并且惰性元素不會影響FinFET結構，從而保證了頂面和側壁摻雜的均勻性。
[0019]優選地，步驟T2中惰性元素的注入深度是可調的。
[0020]優選地，對于每根Fin來說，步驟Tl還包括:
[0021 ] Tl 1、使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中，
[0022]T12、使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中。
[0023]在該摻雜方法中，完成第一側壁和第二側壁的注入摻雜之后，由于頂面受到兩次離子注入，頂面中的摻雜劑量勢必會大于側壁的摻雜劑量。為了減少這種不均勻性，在完成Fin的兩個側壁的摻雜之后增加一道垂直注入的工藝，將惰性元素注入至頂部中，由于注入方向沿著該襯底的法線方向，因此惰性元素的注入不會影響Fin的兩個側壁上的摻雜，而僅會影響頂部的摻雜。注入惰性元素之后，惰性元素會將頂部中的摻雜元素濺射掉一部分，由此來減小頂部的摻雜劑量或濃度，有助于實現Fin的頂部和側壁的均勻性。
[0024]優選地，步驟Tll中使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中直至該第一側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，和/或，步驟T12中使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中直至該第二側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動態平衡狀態。
[0025]也就是說，對于每根Fin來說兩個側壁的摻雜過程是這樣的:
[0026]首先，使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中直至該第一側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，其中:
[0027]部分摻雜元素被注入至該第一側壁中以形成摻雜層；
[0028]部分摻雜元素撞擊該摻雜層后濺射出該摻雜層中的摻雜元素并且濺射出的摻雜元素射向相鄰Fin的第二側壁以在相鄰Fin的第二側壁上形成沉積層，
[0029]接著，使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中直至該第二側壁中摻雜元素的劑量達到飽和，其中:
[0030]部分摻雜元素被注入至該第二側壁中以形成摻雜層；
[0031]部分摻雜元素撞擊該摻雜層后濺射出該摻雜層中的摻雜元素并且濺射出的摻雜元素射向相鄰Fin的第一側壁；
[0032]部分摻雜元素撞擊該沉積層后濺射出該沉積層中的摻雜元素并且濺射出的摻雜元素射向相鄰Fin的第一側壁。
[0033]優選地，對于每根Fin來說，步驟Tl包括:
[0034]反復執行步驟TPl和步驟TP2直至該第一側壁和該第二側壁中的摻雜元素的劑量達到自飽和，之后執行步驟T2，
[0035]TP1、使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中；
[0036]TP2、使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中，
[0037]其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動態平衡狀態。
[0038]兩個側壁的摻雜情況具體如下，
[0039]進行第一側壁的注入時:
[0040]部分摻雜元素被注入至該第一側壁中以形成摻雜層；
[0041]部分摻雜元素撞擊該摻雜層后濺射出該摻雜層中的摻雜元素并且濺射出的摻雜元素射向相鄰Fin的第二側壁以在相鄰Fin的第二側壁上形成沉積層，
[0042]進行第二側壁的注入時:
[0043]部分摻雜元素被注入至該第二側壁中以形成摻雜層；
[0044]部分摻雜元素撞擊該摻雜層后濺射出該摻雜層中的摻雜元素并且濺射出的摻雜元素射向相鄰Fin的第一側壁；
[0045]部分摻雜元素撞擊該沉積層后濺射出該沉積層中的摻雜元素并且濺射出的摻雜元素射向相鄰Fin的第一側壁。
[0046]優選地，摻雜元素的注入方向與該襯底的法線所呈夾角為2° -45°，和/或，
[0047]該摻雜元素為砷、磷或硼。
[0048]優選地，該惰性元素為氖、氬、氪或氣。
[0049]優選地，摻雜元素的注入能量為200eV - 2keV。摻雜元素為砷時，注入能量小于等于IkeV，摻雜元素為硼時，注入能量小于等于300eV。
[0050]本發明還提供一種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側壁和第二側壁，其特點在于，該摻雜方法包括以下步驟:
[0051]R1、在Fin的頂面、第一側壁和第二側壁中形成摻雜層；
[0052]R2、將惰性元素沿著幾乎平行于該頂面的方向注入至Fin的頂面中以減小頂面的摻雜層中摻雜元素的劑量或濃度，其中幾乎平行于該頂面的方向表示注入方向與該頂面所呈夾角大于0°，小于等于5°。
[0053]在該技術方案中，為了解決Fin的頂面和側壁摻雜不均勻的問題，同樣地，在完成Fin的摻雜之后增加一道惰性元素的注入工藝，采用幾乎與頂面平行的注入方向將惰性元素注入于頂面中，通過濺射摻雜元素的方式來降低頂面中摻雜元素的劑量或濃度，從而提高頂面和側壁的摻雜均勻性。
[0054]優選地，對于每根Fin來說，步驟Rl還包括:
[0055]Rl 1、使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中，
[0056]R12、使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中。
[0057]優選地，步驟Rll中使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中直至該第一側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，和/或，步驟R12中使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中直至該第二側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動態平衡狀態。
[0058]優選地，對于每根Fin來說，步驟Rl包括:
[0059]反復執行步驟RPl和步驟RP2直至該第一側壁和該第二側壁中的摻雜元素的劑量達到自飽和，之后執行步驟R2，
[0060]RP1、使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中；
[0061]RP2、使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中，
[0062]其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動態平衡狀態。
[0063]兩種實現自飽和的方式上文已經做了詳細說明，這里不再贅述。
[0064]優選地，摻雜元素的注入方向與該襯底的法線所呈夾角為2° -45°，和/或，
[0065]該摻雜元素為砷、磷或硼。
[0066]優選地，該惰性元素為氖、氬、氪或氣。
[0067]優選地，摻雜元素的注入能量為200eV - 2keV。摻雜元素為砷時，注入能量小于等于IkeV，摻雜元素為硼時，注入能量小于等于300eV。
[0068]在符合本領域常識的基礎上，上述各優選條件，可任意組合，即得本發明各較佳實例。
[0069]本發明的積極進步效果在于:
[0070]1、通過在完成Fin的側壁摻雜之后增加垂直注入惰性元素的方式來減小頂部的摻雜劑量或濃度，或者通過幾乎水平的注入惰性元素的方式來減小頂部的摻雜劑量或濃度，從而實現Fin的頂部和側壁的摻雜均勻。
[0071]2、在對Fin的側壁進行注入摻雜時使側壁的摻雜劑量實現自飽和從而保證了每個側壁各個位置的摻雜是均勻的，并且保證了每根Fin的兩個側壁的摻雜也是均勻的。
[0072]3、由于將摻雜元素的注入能量控制在2keV以下，即低能注入，所以摻雜元素的注入深度較淺，對Fin的損傷也較小，既有利于單晶結構的保持，又改善了圓角的現象，減小了對Fin的磨損。
【附圖說明】
[0073]圖1為現有技術中Fin的一種示意圖。
[0074]圖2為Fin的一個側壁的注入示意圖。
[0075]圖3為Fin的另一個側壁的注入示意圖。
[0076]圖4為現有技術中Fin的兩個端角被磨損的示意圖。
[0077]圖5-圖7為本發明實施例2的注入示意圖。
[0078]圖8為本發明實施例4的注入示意圖。
【具體實施方式】
[0079]下面通過實施例的方式進一步說明本發明，但并不因此將本發明限制在所述的實施例范圍之中。
[0080]實施例1
[0081]本實施例所述的FinFET的摻雜方法中，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側壁和第二側壁，該摻雜方法包括以下步驟:
[0082]Tl、在Fin的頂面、第一側壁和第二側壁中形成摻雜層，摻雜層可采用現有工藝實現，由于Fin的豎直結構，頂面中的摻雜層的摻雜劑量必然大于側壁的摻雜層的摻雜劑量。
[0083]T2、將氬元素沿著該襯底的法線方向注入至Fin的頂面中以濺射出摻雜層中的摻雜元素從而減小頂面中摻雜元素的劑量或濃度。其中，氬元素的注入深度是可調的，這樣可以控制氬元素的注入深度在頂面中的分布，從而增加濺射的有效性。
[0084]實施例2
[0085]在本實施例中，FinFET的結構與實施例1 一致，參考圖5_圖7，襯底以100表示，Fin以200表示，摻雜方法包括以下步驟:
[0086]對于每根Fin 200來說:
[0087]參考圖5，使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中直至該第一側壁中慘雜兀素的劑M達到自飽和，其中頂面的慘雜層以302表不，側壁的慘雜層以301表不。
[0088]參考圖6，使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中直至該第二側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，頂面和側壁的摻雜層依然以302和301來表示。為了要在側壁中形成摻雜，摻雜元素的注入方向必然是與襯底的法線呈一定角度的，那么頂面就會有兩次注入摻雜，造成頂面的摻雜元素多于側壁中的摻雜元素。其中摻雜元素的注入能量為 IkeV0
[0089]參考圖7，在完成摻雜元素的注入后，將氬元素沿著該襯底的法線方向注入至Fin的頂面中以濺射出頂面中的摻雜元素從而減小頂面中摻雜元素的劑量。
[0090]實施例3
[0091]實施例3的基本原理與實施例2相同，不同之處在于:
[0092]本實施例中并非采用兩次注入的方式，而是采用多次注入的方式，多次依次實現第一側壁和第二側壁的離子注入直至兩個側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，之后再執行垂直的法向氬元素注入。
[0093]其余未提及之處參照實施例2。
[0094]實施例4
[0095]實施例4的基本原理與實施例2相同，都是在完成摻雜元素的注入之后增加氬元素的注入，不同之處在于注入方向，具體來說:
[0096]首先還是根據圖5和圖6所示先注入摻雜元素來形成頂面和側壁上的摻雜層，接著參考圖8，氬元素沿著幾乎平行于該頂面的方向注入至Fin的頂面中以通過濺射出摻雜元素的方式來減小頂面中摻雜元素的劑量或濃度，本實施例中幾乎平行于該頂面的方向為注入方向與該頂面所呈夾角為2°。這樣通過氬元素的注入濺射出了頂面中的部分摻雜元素，從而減小了頂面的摻雜劑量或濃度，從而提高了頂面和側壁的摻雜均勻性。
[0097]效果實施例1
[0098]首先進行As的注入，注入方向與襯底的法線方向所呈夾角為10°，注入能量為200eV，初始注入的劑量為7.5el5cm 2 (分左右兩次注入，每次注入3.25el5cm 2)，但是自飽和時摻雜至第一側壁和第二側壁中的摻雜劑量為9.9el4cm2，而頂部的摻雜劑量為
5.4el5cm20可以看出，此時頂部的摻雜遠遠大于兩個側壁的摻雜。
[0099]接著，以3keV的能量垂直注入8el5cm 2的Ar至頂面(由于是垂直注入，因此不會影響到側壁)，由于濺射作用，頂面中As的劑量減小到1.1el5cm20
[0100]由此可以看出，將頂面和側壁的劑量相除得到頂面和側壁的均勻性比值約為1.11:1，相比現有技術的10:1而言，有了較大的改善。
[0101]由于摻雜元素在注入時能量較低，本效果實施例中為200eV，因此非晶化情況也得到了改善，本效果實施例中非晶化結構的厚度(側壁上)僅為3nm。
[0102]效果實施例2
[0103]首先進行As的注入，注入方向與襯底的法線方向所呈夾角為20°，注入能量為200eV，初始注入的劑量為7.5el5cm 2 (分左右兩次注入，每次注入3.25el5cm 2)，自飽和時摻雜至第一側壁和第二側壁中的摻雜劑量為1.02el5Cm2，而頂面中的摻雜劑量為
5.3el5cm 20
[0104]接著，以3keV的能量垂直注入8el5cm 2的Ar至頂面(由于是垂直注入，因此不會影響到側壁)，由于濺射作用，頂面中As的劑量減小到1.1el5cm20
[0105]由此可以看出，將頂面和側壁的劑量相除得到頂面和側壁的均勻性比值約為
1.1:1，相比現有技術的10:1而言，有了較大的改善。
[0106]效果實施例3
[0107]Fin的摻雜依然參考效果實施例2，即采用As元素注入直至自飽和，之后與上述兩個效果實施例不同的是，Ar元素的注入并不是沿著法線方向的，而是沿著幾乎平行于襯底平面的方向，在本效果實施例中Ar元素的注入方向與襯底平面的夾角為2°，能量為3keV，Ar元素的量為2.3el7cm 2，在這樣幾乎平行襯底的角度下，Ar元素會撞擊Fin的頂面，一部分Ar元素會使Fin中的As被濺射出來，由此降低頂面中As的摻雜劑量或濃度，最終頂面和側壁中摻雜劑量為:頂面:1.58el5cm2，側壁1.02el5cm2。頂面和側壁之比為1.55:1。
[0108]從三個效果實施例來看，頂面和側壁上摻雜的均勻性比之現有技術而言都有了較明顯的改善。
[0109]為了清楚地表達本發明的各個技術方案，圖中的各個部分并未按照比例繪制。所有效果實施例的效果數據均采用MATLAB (—種計算模擬軟件)模擬得到。
[0110]雖然以上描述了本發明的【具體實施方式】，但是本領域的技術人員應當理解，這些僅是舉例說明，本發明的保護范圍是由所附權利要求書限定的。本領域的技術人員在不背離本發明的原理和實質的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側壁和第二側壁，其特征在于，該摻雜方法包括以下步驟: Tl、在Fin的頂面、第一側壁和第二側壁中形成摻雜層； T2、將惰性元素沿著該襯底的法線方向注入至Fin的頂面中以減小頂面的摻雜層中摻雜元素的劑量或濃度。2.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟T2中惰性元素的注入深度是可調的。3.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，對于每根Fin來說，步驟Tl還包括: T11、使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中， T12、使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中。4.如權利要求3所述的摻雜方法，其特征在于，步驟Tll中使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中直至該第一側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，和/或，步驟T12中使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中直至該第二側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動態平衡狀態。5.如權利要求3所述的摻雜方法，其特征在于，對于每根Fin來說，步驟Tl包括: 反復執行步驟TPl和步驟TP2直至該第一側壁和該第二側壁中的摻雜元素的劑量達到自飽和，之后執行步驟T2， TP1、使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中； TP2、使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中， 其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動態平衡狀態。6.如權利要求3-5中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，摻雜元素的注入方向與該襯底的法線所呈夾角為2° -45°，和/或， 該摻雜元素為砷、磷或硼，該惰性元素為氖、氬、氪或氣，和/或， 摻雜元素的注入能量為200eV_2keV。7.—種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側壁和第二側壁，其特征在于，該摻雜方法包括以下步驟: R1、在Fin的頂面、第一側壁和第二側壁中形成摻雜層； R2、將惰性元素沿著幾乎平行于該頂面的方向注入至Fin的頂面中以減小頂面的摻雜層中摻雜元素的劑量或濃度，其中幾乎平行于該頂面的方向表示注入方向與該頂面所呈夾角大于0°，小于等于5°。8.如權利要求7所述的摻雜方法，其特征在于，對于每根Fin來說，步驟Rl還包括: Rll、使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中， R12、使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中。9.如權利要求8所述的摻雜方法，其特征在于，步驟Rll中使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中直至該第一側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，和/或，步驟R12中使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中直至該第二側壁中摻雜元素的劑量達到自飽和，其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動態平衡狀態。10.如權利要求8所述的摻雜方法，其特征在于，對于每根Fin來說，步驟Rl包括: 反復執行步驟RPl和步驟RP2直至該第一側壁和該第二側壁中的摻雜元素的劑量達到自飽和，之后執行步驟R2， RP1、使摻雜元素注入至該第一側壁中以及注入至該頂面中； RP2、使摻雜元素注入至該第二側壁中以及注入至該頂面中， 其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動態平衡狀態。11.如權利要求8-10中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，摻雜元素的注入方向與該襯底的法線所呈夾角為2° -45°，和/或， 該摻雜元素為砷、磷或硼，該惰性元素為氖、氬、氪或氣，和/或， 摻雜元素的注入能量為200eV_2keV。
【文檔編號】H01L21/336GK106033715SQ201510107549
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月11日
【發明人】洪俊華, 吳漢明, 陳炯, 張勁
【申請人】上海凱世通半導體股份有限公司