一種oled基板的制備方法及oled基板的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種OLED基板的制備方法及OLED基板。該制備方法中的金屬圖案、PSPI圖案以ITO圖案為對位基準，而RIB圖案以PSPI圖案為對位基準，相比ITO、PSPI、RIB均以金屬圖案為對位基準的現有技術，即使PSPI的寬度做小也能保證PSPI與ITO搭接，且RIB不超過PSPI，從而可以設計加大像素發光面積，進而達到更好的顯示效果。
【專利說明】
一種OLED基板的制備方法及OLED基板
技術領域
[0001 ]本發明涉及0LED領域，尤其涉及一種0LED基板的制備方法及0LED基板。【背景技術】
[0002]典型的0LED像素結構如圖1和2所示，PSPI隔離出IT0發光區域，因此，不發光區域的面積決定于橫向及縱向的PSPI寬度。如圖1所示，橫向PSPI設計寬度a=c+2d，如圖2所示， 縱向PSPI設計寬度b=e+2f;實際生產中，其中c(RIB寬度)、e(IT0線間距)取決于制程能力， d、f取決于曝光時的對位精度。
[0003]現有的0LED基板的制備方法中，一般在制備金屬圖案時即制作出全部對位標，IT0 圖案、PSPI圖案和RIB圖案制程再依次按各自的對位標制作圖案，生產時極可能出現對位偏移的情況，即IT0和PSPI圖案相對于金屬圖案產生偏移。假設對位精度為Ax，則IT0相對于 PSPI的理論最大偏離值為2Ax，為保證PSPI與IT0搭接，f的設計值必須滿足f >2 Ax，同理， 為保證RIB不超過PSPI，d的設計值必須滿足d>2Ax，于是，OLED基板必須滿足a>c+4Ax及 b>e+4Ax的條件，按這樣設計，不發光區域面積過大，0LED的顯示效果較差。
【發明內容】
[0004]為了解決上述現有技術的不足，本發明提供一種0LED基板的制備方法，該制備方法簡單，可操作性強，能夠有效減小PSPI的寬度，加大IT0發光區域的面積，達到更好的顯示效果。
[0005]本發明還提供了一種使用上述制備方法制得的0LED基板。
[0006]本發明所要解決的技術問題通過以下技術方案予以實現:一種0LED基板的制備方法，包括如下步驟:S1:提供一 IT0基板；S2:在所述IT0基板上制作IT0圖案、金屬圖案對位標和PSPI圖案對位標；S3:對所述金屬圖案對位標進行對位，制作金屬圖案；S4:對所述PSPI圖案對位標進行對位，制作PSPI圖案、RIB圖案對位標；S5:對所述RIB圖案對位標進行對位，制作RIB圖案；S6:蒸鍍有機功能層和金屬陰極。[〇〇〇7] 進一步地，所述步驟S1包括:S1.1:提供一透明基板，清潔所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2:在所述透明基板上濺鍍一層IT0膜，形成IT0基板；S1.3:對所述IT0膜作平坦化處理，使其表面粗糙度Rs< lnm。
[0008] 進一步地，所述步驟S2包括:S2.1:在所述IT0基板上涂覆一層光刻膠；S2.2:利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖案；S2.3:通過刻蝕工藝，制作出IT0圖案、金屬圖案對位標和PSPI對位標；S2.4:剝離剩余的光刻膠。[00〇9] 進一步地，所述步驟S3包括:S3.1:濺鍍金屬膜；S3.2:在所述金屬膜上涂覆一層光刻膠；S3.:3:利用掩膜板對所述金屬圖案對位標進行對位，并對所述光刻膠進行曝光顯影， 形成光刻膠圖案；S3.4:通過刻蝕工藝，制作出金屬圖案；S3.5:剝離剩余的光刻膠。[〇〇1〇] 進一步地，所述步驟S4包括:S4.1:涂覆一層 PSPI;S4.2:利用掩膜板對所述PSPI圖案對位標進行對位，并對所述PSPI進行曝光顯影，形成 PSPI圖案和RIB圖案對位標。
[0011] 進一步地，所述步驟S5包括:S5.1:涂覆一層 RIB;S5.2:利用掩膜板對所述RIB圖案對位標進行對位，并對所述RIB進行曝光顯影，形成 RIB圖案。[〇〇12]進一步地，所述步驟S2中，還制作有位于RIB圖案對位標區域的IT0塊。
[0013]進一步地，所述步驟S3中，還制作有PSPI圖案對位標區域的金屬塊。[〇〇14] 進一步地，所述步驟S4和S5之間，還包括在所述RIB圖案對位標處涂覆油墨或者銀漿。[〇〇15] 一種0LED基板，由上述制備方法制得。[〇〇16]本發明具有如下有益效果:(1)該制備方法簡單，可操作性強，金屬圖案、PSPI圖案以IT0圖案為對位基準，而RIB圖案以PSPI圖案為對位基準，相比IT0、PSP1、RIB均以金屬圖案為對位基準的現有技術，即使 PSPI的寬度做小也能保證PSPI與IT0搭接，且RIB不超過PSPI，從而可以加大像素發光面積， 進而達到更好的顯示效果；(2)所述RIB圖案對位標區域上的IT0塊，可以增強PSPI材質的RIB圖案對位標的粘附力；(3)所述PSPI圖案對位標區域上的金屬塊可以增強PSPI圖案對位標的識別度；(4)在所述RIB圖案對位標處涂覆油墨或者銀漿可以增強半透明PSPI材質的RIB圖案對位標的識別度。【附圖說明】[〇〇17]圖1為現有技術中0LED像素結構單元的示意圖；圖2為現有技術中0LED像素結構的IT0與PSPI搭接的示意圖；圖3為本發明提供的0LED基板的制備方法的流程框圖。【具體實施方式】
[0018]下面結合附圖和實施例對本發明進行詳細的說明。
[0019]實施例一如圖3所示，一種0LED基板的制備方法，包括如下步驟:S1:提供一 IT0基板；其中，所述步驟S1包括:S1.1:提供一透明基板，清潔所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2:在所述透明基板上濺鍍一層IT0膜，形成IT0基板；S1.3:對所述IT0膜作平坦化處理，使其表面粗糙度Rs< lnm。
[0020]S2:在所述IT0基板上制作IT0圖案、金屬圖案對位標和PSPI圖案對位標；其中，所述步驟S2包括:S2.1:在所述IT0基板上涂覆一層光刻膠；S2.2:利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖案；S2.3:通過刻蝕工藝，制作出IT0圖案、金屬圖案對位標和PSPI對位標；S2.4:剝離剩余的光刻膠。[0021 ] S3:對所述金屬圖案對位標進行對位，制作金屬圖案；其中，所述步驟S3包括:S3.1:濺鍍金屬膜；S3.2:在所述金屬膜上涂覆一層光刻膠；S3.3:利用掩膜板對所述金屬圖案對位標進行對位，并對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖案；S3.4:通過刻蝕工藝，制作出金屬圖案；S3.5:剝離剩余的光刻膠。[〇〇22] S4:對所述PSPI圖案對位標進行對位，制作PSPI圖案、RIB圖案對位標；其中，所述步驟S4包括:S4.1:涂覆一層 PSPI;S4.2:利用掩膜板對所述PSPI圖案對位標進行對位，并對所述PSPI進行曝光顯影，形成 PSPI圖案和RIB圖案對位標。[〇〇23] S5:對所述RIB圖案對位標進行對位，制作RIB圖案；其中，所述步驟S5包括:S5.1:涂覆一層 RIB;S5.2:利用掩膜板對所述RIB圖案對位標進行對位，并對所述RIB進行曝光顯影，形成 RIB圖案。[0〇24]S6:蒸鍍有機功能層和金屬陰極。[〇〇25] 本技術方案中的金屬圖案、PSPI圖案以IT0圖案為對位基準，而RIB圖案以PSPI圖案為對位基準，相比IT0、PSP1、RIB均以金屬圖案為對位基準的現有技術，即使PSPI的寬度做小也能保證PSPI與IT0搭接，且RIB不超過PSPI，從而可以加大像素發光面積，進而達到更好的顯示效果。[〇〇26] 優選地，所述金屬圖案為MAM，即Mo/Al/Mo。[〇〇27] 特別說明，上述所有對位標均位于0LED基板的顯示區域外。[〇〇28]按照本技術方案的制備方法，PSPI圖案以IT0圖案為基準對位，對位精度為Ax，此時為保證PSPI與ITO搭接，只須滿足f > Ax;同理，RIB圖案以PSPI圖案為基準對位，只須滿足(1> Ax〇[〇〇29]因此，按本技術方案中的制備方法，只須滿足a>c+2Ax&b>e+2Ax，即采用本技術方案，橫向與縱向PSPI的寬度均可減小2Ax。
[0030] 具體的:1.若取八1=3_、1^=5〇11111、〇=1〇11111、6=1〇11111(]^為發光區11'0的寬度)，若采用本技術方案的制備方法，按極限情況a=c+2 Ax及b=e+2 Ax計算，像素面積增大22.56%。[〇〇31 ]2.若取八1=3_、1^=8〇11111、〇=1〇11111、6=1〇11111(1^為發光區11'0的寬度)，若采用本技術方案的制備方法，按極限情況a=c+2 Ax及b=e+2 Ax計算，像素面積增大14.44%。
[0032]3.若取八1=3_、1^=15〇11111、〇=1〇11111、6=1〇11111(1^為發光區11'0的寬度)，若采用本技術方案的制備方法，按極限情況a=c+2 Ax及b=e+2 Ax計算，像素面積增大7.84%。[〇〇33]可見，像素面積越小，采用本技術方案的效果越明顯，在高PPI顯示器中，本技術方案尤其具有價值。
[0034]作為本技術方案的進一步優化，所述步驟S2中，還制作有位于RIB圖案對位標區域的IT0塊。[〇〇35]所述RIB圖案對位標區域的IT0塊，可以增強PSPI材質的RIB圖案對位標的粘附力。
[0036]作為本技術方案的進一步優化，所述步驟S3中，還制作有PSPI圖案對位標區域的金屬塊。
[0037]在制作金屬圖案時，在IT0材質的PSPI圖案對位標區域覆蓋金屬塊，可以增強PSPI 圖案對位標的識別能力。[〇〇38]作為本技術方案的進一步優化，所述步驟S4和S5之間，還包括在所述RIB圖案對位標處涂覆油墨或者銀漿，或其它可以增加半透明PSPI材質的RIB圖案對位標的識別度的處理。[〇〇39] 實施例二一種0LED基板，由實施例一中所述的制備方法制得。
[0040]以上所述實施例僅表達了本發明的實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制，但凡采用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術方案，均應落在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種OLED基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:S1:提供一 IT0基板；S2:在所述IT0基板上制作IT0圖案、金屬圖案對位標和PSPI圖案對位標；S3:對所述金屬圖案對位標進行對位，制作金屬圖案；S4:對所述PSPI圖案對位標進行對位，制作PSPI圖案、RIB圖案對位標；S5:對所述RIB圖案對位標進行對位，制作RIB圖案；S6:蒸鍍有機功能層和金屬陰極。2.根據權利要求1所述的0LED基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S1包括:S1.1:提供一透明基板，清潔所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2:在所述透明基板上濺鍍一層IT0膜，形成IT0基板；S1.3:對所述IT0膜作平坦化處理，使其表面粗糙度Rs < lnm。3.根據權利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S2包括:S2.1:在所述IT0基板上涂覆一層光刻膠；S2.2:利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖案；S2.3:通過刻蝕工藝，制作出IT0圖案、金屬圖案對位標和PSPI對位標；S2.4:剝離剩余的光刻膠。4.根據權利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S3包括:S3.1:濺鍍金屬膜；S3.2:在所述金屬膜上涂覆一層光刻膠；S3.3:利用掩膜板對所述金屬圖案對位標進行對位，并對所述光刻膠進行曝光顯影，形 成光刻膠圖案；S3.4:通過刻蝕工藝，制作出金屬圖案；S3.5:剝離剩余的光刻膠。5.根據權利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S4包括:S4.1:涂覆一層 PSPI;S4.2:利用掩膜板對所述PSPI圖案對位標進行對位，并對所述PSPI進行曝光顯影，形成 PSPI圖案和RIB圖案對位標。6.根據權利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S5包括:S5.1:涂覆一層 RIB;S5.2:利用掩膜板對所述RIB圖案對位標進行對位，并對所述RIB進行曝光顯影，形成 RIB圖案。7.根據權利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，還制作有 位于RIB圖案對位標區域的IT0塊。8.根據權利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，還制作有 PSPI圖案對位標區域的金屬塊。9.根據權利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S4和S5之間，還 包括在所述RIB圖案對位標處涂覆油墨或者銀漿。10.—種OLED基板，其特征在于，由權利要求1-9中任一所述的制備方法制得。
【文檔編號】H01L27/32GK106024843SQ201610599957
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月28日
【發明人】羅志猛, 趙陽峰, 趙云, 張為蒼
【申請人】信利半導體有限公司