具有單個金屬法蘭的多腔封裝件的制作方法
【專利摘要】本申請涉及具有單個金屬法蘭的多腔封裝件。其中，一種多腔封裝件包括：單個金屬法蘭，具有相對的第一主面和第二主面；電路板，附接至單個金屬法蘭的第一主面，電路板具有露出單個金屬法蘭的第一主面的不同區域的多個開口；以及多個半導體管芯，每一個都被設置在電路板的一個開口中并且附接至單個金屬法蘭的第一主面。電路板包括用于電互連半導體管芯以形成電路的多個金屬跡線。還提供了對應的制造方法。
【專利說明】
具有單個金屬法蘭的多腔封裝件
技術領域
[0001]本申請涉及功率半導體封裝件，具體地，涉及具有多個半導體管芯的功率半導體封裝件。
【背景技術】
[0002]在高度空間約束系統中，通常使用集成電路(IC)技術來實施多級功率放大器設計，集成電路技術具有多種限制而使其使用在許多情況下不具有吸引力。例如，制造IC的設計時間和工藝流程非常長，這又增加了總體的產品周轉時間。此外，對利用IC技術的芯片(管芯)設置不同放大器級之間的級間匹配，并且由于接合線的鄰近和所得到的耦合機制，IC具有非常大的不穩定且由此不可用的趨勢。此外，IC處理涉及昂貴的半導體制造工藝，這增加了制造這種產品的設計和開發成本。此外，傳統的多級電源放大器IC設計最多提供大約30dB的增益。任何更高的增益都增加了電源放大器IC不穩定的風險，由此使得IC不可用。
【發明內容】
[0003]根據多腔封裝件的實施例，多腔封裝件包括:單個金屬法蘭，具有相對的第一和第二主面;電路板，附接至單個金屬法蘭的第一主面，電路板具有露出單個金屬法蘭的第一主面的不同區域的多個開口；以及多個半導體管芯，每個均被設置在電路板的一個開口中并且附接至單個金屬法蘭的第一主面。電路板包括多條金屬跡線，用于電互連半導體管芯以形成電路。
[0004]根據制造多腔封裝件的方法的實施例，該方法包括:提供具有相對的第一和第二主面的單個金屬法蘭;將電路板附接至單個金屬法蘭的第一主面，電路板具有露出單個金屬法蘭的第一主面的不同區域的多個開口；將多個半導體管芯放置在電路板的開口中；將半導體管芯附接至單個金屬法蘭的第一主面；以及通過電路板的多條金屬跡線電互連半導體管芯以形成電路。
[0005]本領域技術人員在閱讀以下詳細描述并根據附圖可以意識到附加的特征和優勢。
【附圖說明】
[0006]附圖的原件不需要相對按比例繪制。類似的參考標號表示對應的類似部件。可以組合各個所示實施例的特征，除非它們相互排除。下面在附圖中示出并在說明書中詳細說明實施例。
[0007]圖1示出了多腔封裝件的實施例的頂視立體圖。
[0008]圖2示出了多腔封裝件的另一實施例的頂視立體圖。
[0009]圖3示出了多腔封裝件的又一實施例的頂視立體圖。
[0010]圖4A至圖4D示出了制造多腔封裝件的方法的實施例。
[0011 ]圖5示出了用于多腔封裝件的單個金屬法蘭和電路板結構的實施例的側視圖。
【具體實施方式】
[0012]以下描述設置在單個金屬法蘭上的多級電源放大器電路的實施例。使用用于實施級間匹配的諸如PCB(印刷電路板)的電路板技術或者諸如電感器、電容器、電阻器等的部件，最終的RF電源晶體管管芯(芯片)的輸入與驅動器RF電源晶體管管芯的輸出相匹配。單個金屬法蘭可以具有附接至法蘭的兩個或更多個電源放大器級。這種結構能夠以更小的面積實現更大的增益(例如，大于35dB增益)(針對兩級)，同時減少了放大器不穩定的問題。對于更多數量的級，所提供的增益可以在45dB左右，甚至更高。
[0013]本文描述的實施例能夠制造具有附接至單個金屬法蘭的主和峰值放大器管芯的封裝多爾蒂放大器電路器件以及位于封裝件的輸出側的多爾蒂組合器。這種結構節省空間，并降低了用戶基站設計的設計復雜度。這種設計也可以應用于發射器的其他應用。
[0014]在每一種情況下，本文描述的多級封裝設計實施例能夠使用多腔封裝件實現大增益器件，其中介電質由PCB或類似介電材料(諸如特氟龍、陶瓷、LTCC、聚酰亞胺等)組成，并且通過在封裝級集成RF放大器功能(諸如用于多爾蒂放大器設計的輸出匹配、輸入匹配、驅動器+輸入+輸出匹配等)來簡化用戶設計。本文描述的多級電源放大器封裝件的導線/端子可以被焊接在應用板上而不要求用于信號路徑的附加連接件。單個金屬法蘭可以根據應用制造實踐來焊接或擰緊。多級電源放大器封裝件是開放腔封裝件設計，并且可以設置蓋來保護互連件和電路部件。
[0015]圖1示出了多腔封裝件100的實施例的頂視立體圖。多腔封裝件100包括具有相對的第一和第二主面104、106的單個金屬法蘭102、以及附接至單個金屬法蘭102的第一主面104的電路板108 (諸如PCB)。單個金屬法蘭102可以包括Cu、CPC(銅、銅-鉬、銅層壓結構)Cuff或者任何類似的合金等。
[0016]電路板108可以通過標準的電路板附接工藝(諸如膠接、焊接、燒結、銅焊等)附接至單個金屬法蘭102的第一主面104。電路板108機械地支持并且使用導線(也稱為跡線)、焊盤和從層壓在非導電襯底110上的金屬(例如，銅)片蝕刻得到的其他部件來電連接電部件。電路板108可以是單側(一個金屬層)、雙側(兩個金屬層)或者多層。不同層上的導體與稱為通孔的鍍穿孔連接。電路板108可以包含嵌入在非導電襯底110中的諸如電容器、電阻器、有源器件等的部件。電路板108還可以具有多個開口 112，它們露出單個金屬法蘭102的第一主面104的不同區域114、116、118。
[0017]多腔封裝件100還包括多個半導體管芯120-142，每個均被設置在電路板108的一個開口 112中并且經由諸如焊料的管芯附接材料(未示出)、擴散焊接、燒結、粘合等附接至單個金屬法蘭102的第一主面104。例如，半導體管芯120-142可以使用軟焊料、共熔管芯附接材料(諸如AuSi或AuSn)、有機粘合劑等附接至單個金屬法蘭102。電路板108的金屬跡線144、146、148電互連半導體管芯120-142和外部電端子以形成電路。例如，接合線150可以將對應的金屬跡線144、146、148電連接至半導體管芯120-142的不同端子以形成期望的電路。
[0018]半導體管芯120-142中的一些或所有可以是有源半導體管芯(諸如功率晶體管管芯、功率二極管管芯等)，和/或包含無源部件(諸如電容器、電感器和電阻器)。每個有源半導體管芯124、132、140都可以是橫向或垂直器件或者是用于放大的晶體管的一些其他形式。
[0019]在垂直器件的情況下，電流流動方向在管芯的底側和頂側之間。晶體管管芯可以具有三個端子。例如，管芯的底側可以是功率端子，諸如功率M0SFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的源極或者IGBT(絕緣柵型雙極晶體管)的集電極或者功率二極管的陽極/陰極。功率端子例如通過擴散焊接附接至單個金屬法蘭102的區域114/116/118(其通過電路板108中的對應開口 112露出)。在晶體管管芯的情況下的柵極和漏極/發射極端子或者在功率二極管管芯的情況下的陰極/陽極端子被設置在管芯的相對側上，即背向單個金屬法蘭102的側面。
[0020]在橫向器件的情況下，電流流動方向是水平的，并且管芯的底側不是有源的。這些器件的對應漏極或集電極端子同樣在頂側具有互連件。然后，電路板108仍然連接位于半導體管芯的頂部上的漏極和柵極端子或等效控制端。半導體管芯120-142的頂側端子可以附接至相鄰管芯的側面端子或者例如通過接合線150附接至電路板金屬跡線144、146、148中的一條。
[0021]在電路板108中形成的開口 112中設置的一個或多個半導體管芯120-142可以是缺少有源器件的無源半導體管芯(諸如電容器、電阻器或電感器管芯)。在電容器管芯120、122、126、128、130、134、136、138、142的情況下，一個電容器端子位于電容器管芯的底側并且附接至單個金屬法蘭102。其他電容器端子被設置在電容器管芯的相對側，即背向單個金屬法蘭102的側面。
[0022]多腔封裝件100可以利用任選的蓋來密封，使得封裝件是開放腔封裝件。多腔封裝件100允許通過在電路板108中使用多個開口(開孔)112來簡化生產和研發工藝，使得電路板108提供開口 112，無源和/或有源部件通過開口附接至單個金屬法蘭102。例如，在電路板108中具有兩個開口 112的情況下，電路板108向管芯提供將有源/無源部件附接至單個金屬法蘭102的兩個腔。如此，通過在一個電路板開口 112中設置驅動級管芯并在另一開口 112中設置最終極管芯，可以在相同的金屬法蘭102上設置兩級大增益放大器器件。對于這種兩級放大器設計來說，代替使用諸如硅的半導體技術開發級間匹配，本文描述的多腔封裝件100能夠使用由電路板金屬跡線144、146、148以及安裝在腔中或板上的無源部件形成的傳輸線來實現級間匹配設計，這使得顯著減少了研發時間。設計基于電路板的級間匹配拓撲降低了總體的產品研發工藝的成本，因為不需要昂貴的硅處理。此外，多腔封裝件100通過在電路板108中具有更多的腔/開口 112而允許針對不同應用的定制解決方案。例如，移相器和/或衰減器可以由電路板金屬跡線144、148、148中的一個或多個來形成。這種實施方式能夠實現雙路徑獨立控制的驅動器和多爾蒂電源放大器器件。
[0023]根據圖1所示的多腔封裝件實施例，一個半導體管芯124是多爾蒂放大器電路的驅動器級管芯，第二個半導體管芯132是多爾蒂放大器電路的主(或載體)放大器管芯，以及第三個半導體管芯140是多爾蒂放大器電路的峰值放大器管芯。如圖1所示，形成多爾蒂放大器電路的各個匹配網絡(諸如輸入和輸出匹配網絡)的部分的無源半導體管芯120、122、126、128、130、134、136、138、142也可以被放置在電路板開口 112中并且附接至單個金屬法蘭 102。
[0024]—個電路板金屬跡線146形成驅動器級管芯124的輸出與主放大器管芯132的輸入和峰值放大器管芯140的輸入之間的級間匹配。第二個電路板金屬跡線148形成電連接至主放大器管芯132的輸出和峰值放大器管芯140的輸出的多爾蒂組合器。第三個電路板金屬跡線144將外部端子電連接至驅動器級管芯124的輸入。第三金屬跡線144可以在驅動器級管芯124的輸入處被成形為形成移相器、衰減器等。如此，圖1所示的多腔封裝件100在單個金屬法蘭102上具有主器件和峰值器件(利用地屏蔽分離來用于更好的隔離)以及位于封裝件上的多爾蒂組合器148。
[0025]多爾蒂放大器132、140的兩個信號輸出的相位相差90度。多爾蒂組合器148可以包括連接至峰值放大器140的輸出的λ/4(四分之一波長)傳輸線152。如此，多爾蒂放大器輸出重新入相并反應性地組合。此時，并行的兩個信號創建Ζ0/2阻抗，其中ZO對應于負載阻抗。多爾蒂組合器148可以進一步包括用于將阻抗步進至ZO的λ/4(四分之一波長)變壓器154。在50歐姆系統中，變壓器154可以為35.35歐姆。多爾蒂組合器148可以實施為電路板上的印刷傳輸線。變壓器154根據端子160處所需的阻抗可以為其他阻抗。
[0026]通過在電路板108上實施多爾蒂組合器，減小了封裝件寄生對放大器性能的影響。此外，多腔封裝件100與主系統板之間的界面相關損失被減小到與大體積生產環境不一致，同時保證不產生低產量影響。如此，可以減小總體的電路板尺寸并且簡化了總體的放大器設計。
[0027]電路板108可具有至少一個橫向延伸部156、158，它們懸在單個金屬法蘭102之上以形成用于將多腔封裝件100附接至另一結構(諸如另一PCB、金屬法蘭等)的接口。根據圖1所示的實施例，電路板108具有相對的第一和第二橫向延伸部156、158，每個均懸在單個金屬法蘭102之上以形成用于將多腔封裝件100附接至位于多腔封裝件100的相對端的一個或多個結構的兩個相對接口。電路板108的輸出金屬跡線148可以在多腔封裝件100的輸出側處在橫向延伸部158上延伸，和/或電路板108的輸入金屬跡線144可以在多腔封裝件100的輸入側處在橫向延伸部156上延伸。輸出金屬跡線148提供用于多爾蒂放大器電路的輸出電路徑，并且輸入金屬跡線144提供用于電路的輸入電路徑。在一個橫向延伸部156、158上延伸的每條跡線144、148均可以具有多個稱為通孔160的鍍穿孔，其延伸穿過對應的橫向延伸部156、158。通孔160提供針對主系統板(未示出)的連接的輸入/輸出點。例如，主系統板可以焊接至多腔封裝件100的對應通孔160。還可以通過焊接跡線或使用單個(大)填充通孔來提供連接。
[0028]圖2示出了多腔封裝件200的另一實施例的頂視立體圖。圖2所示的多腔封裝件實施例類似于圖1所示的實施例。然而，不同在于，第一個半導體管芯是功率放大器電路的驅動器級管芯202，并且第二個半導體管芯是功率放大器電路的功率或最終極管芯204。電路板108的一個金屬跡線206形成驅動器級管芯220的輸出與功率級管芯204的輸入之間的級間匹配。第二個電路板金屬跡線208電連接至功率級管芯204的輸出，并且第三個電路板金屬跡線210電連接至驅動器級管芯202的輸入。在RF功率放大器電路的情況下，第二金屬跡線208可以以天線的形式來成形，其傳輸功率級管芯204輸出的RF信號。在電路板108中形成的開口 112中設置的一個或多個半導體管芯可以是形成功率放大器電路的部分的如前所述的無源半導體管芯212、214、216、218(諸如電容器管芯)。
[0029]圖3示出了多腔封裝件300的又一實施例的頂視立體圖。圖3所示的多腔封裝件實施例類似于圖2所示的實施例。然而，不同在于，至少一個半導體管芯具有表面安裝結構，這些管芯可以直接安裝或放置在電路板108的金屬跡線206、208、210、220、222、224、226上。例如，組成電路的至少一些無源部件(諸如電容器管芯212、214、216、218)可以直接表面安裝在電路板108的金屬跡線206、208、210、220、222、224、226上而非單個金屬法蘭102上。
[0030]圖4A至圖4D示出了制造多腔封裝件的方法的實施例。
[0031]在圖4A中，設置單個金屬法蘭400，其具有相對的第一和第二主面402、404。單個金屬法蘭400可以包括Cu、CPC(銅、銅-鉬、銅層壓結構)CuW或者任何其他適當的合金等。
[0032]在圖4B中，諸如PCB的電路板406例如通過膠接、焊接、燒結、銅焊等附接至單個金屬法蘭404的第一主面402 ο電路板406具有多個開口(開孔)408，它們露出單個金屬法蘭400的第一主面402的不同區域410、412。電路板406還具有從層壓在非導電襯底420上的金屬(例如，銅)片蝕刻而來的導電跡線(軌跡)414、416、418。電路板406還可以具有至少一個橫向延伸部422、424，其懸在單個金屬法蘭400之上以形成附接接口。電路板406的輸入和/或輸出金屬跡線414、418可以在對應的橫向延伸部422、424上延伸，并且均可以具有多個鍍穿孔(通孔)426或單個(大)通孔，其延伸穿過對應的橫向延伸部422、424以提供如前所述的針對主系統板(未示出)的連接的輸入/輸出點。可選地或附加地，可以通過將橫向延伸部422、424直接焊接至主系統板來提供連接。
[0033]在圖4C中，多個半導體管芯428-438被放置在電路板406的開口408中。如前所述，半導體管芯428-438中的一些或所有是垂直和/或橫向有源半導體管芯(諸如功率晶體管管芯、功率二極管管芯等)，并且剩余的管芯是無源管芯(諸如電容器管芯)。
[0034]在圖4D中，半導體管芯428-438經由管芯附接材料(諸如焊料)、擴散焊接、燒結、粘合等附接至單個金屬法蘭400的第一主面402。此外，半導體管芯428-438通過電路板的金屬跡線414、416、418以及接合線440或者其他類型的電導體而電互連以形成諸如多爾蒂放大器電路、功率放大器電路等的電路。
[0035]圖5示出了用于多腔封裝件的單個金屬法蘭和電路板結構的實施例的側視圖。為了易于說明，在圖5中省略了通常被設置為封裝件的一部分的半導體管芯和接合線連接。類似于本文前面描述的多腔封裝件實施例，電路板500附接至單個金屬法蘭502。電路板500具有至少一個橫向延伸部504、506，其懸在單個金屬法蘭502的對應邊緣面508、510之上以形成用于封裝件的附接接口。電路板500具有在對應的橫向延伸部504、506上延伸的輸入和/或輸出金屬跡線512、514。輸入和/或輸出金屬跡線512、514進一步在對應的邊緣面516、518上延伸并且可選地在對應橫向延伸部504、506的對應底面502、522上延伸以提供針對主系統板(未示出)的連接的輸入/輸出點。例如，電路板500的每個橫向延伸部504、506都可以沿著邊緣面516/518以及可選地沿著對應輸入/輸出金屬跡線512、514的底面520/522焊接至主系統板。
[0036]諸如“下方”、“之下”、“下部”、“之上”、“上部”等的空間相對術語用于描述的方便以說明一個元件相對于第二元件的定位。除與附圖所示不同的定向之外，這些術語用于包括不同的器件定向。此外，諸如“第一”、“第二”等的術語也用于描述各個元件、區域、部分等并且也不用于限制。類似的術語在說明書中表示類似的元件。
[0037]如本文所使用的，術語“具有”、“包含”、“包括”等是開放性術語，其表示所提元件或特征的存在，但是不排除附加元件或特征。冠詞“一個”和“該”用于包括多個和單個，除非另有明確指定。
[0038]應該理解，本文描述的各個實施例的特征可以相互組合，除非另有明確指定。
[0039]盡管本文示出和描述了特定實施例，但本領域技術人員應該理解，在不背離本發明的范圍的情況下，可以針對所示和所述的具體實施例替換各種修改和/或等效實施。本申請用于覆蓋本文所討論的具體實施例的任何修改或變化。因此，僅通過權利要求及其等效物來限定本發明。
【主權項】
1.一種多腔封裝件，包括:單個金屬法蘭，具有相對的第一主面和第二主面；電路板，附接至所述單個金屬法蘭的所述第一主面，所述電路板具有露出所述單個金 屬法蘭的所述第一主面的不同區域的多個開口；以及多個半導體管芯，每個半導體管芯均被設置在所述電路板的一個所述開口中并且附接 至所述單個金屬法蘭的所述第一主面，其中所述電路板包括用于電互連所述半導體管芯以形成電路的多個金屬跡線。2.根據權利要求1所述的多腔封裝件，其中至少一個所述半導體管芯是晶體管管芯，所 述晶體管管芯具有第一端子以及第二端子和第三端子，所述第一端子穿過布置有所述半導 體管芯的所述電路板中的所述開口附接至所述單個金屬法蘭，所述第二端子和所述第三端 子位于垂直晶體管管芯的與所述第一端子相對的側面。3.根據權利要求2所述的多腔封裝件，其中所述晶體管管芯的所述第二端子電連接至 第一個所述金屬跡線，并且所述垂直晶體管管芯的所述第三端子電連接至第二個所述金屬 跡線。4.根據權利要求1所述的多腔封裝件，其中至少一個所述半導體管芯是缺少有源器件 的無源半導體管芯。5.根據權利要求1所述的多腔封裝件，其中:第一個所述半導體管芯是多爾蒂放大器電路的驅動器級管芯；第二個所述半導體管芯是所述多爾蒂放大器電路的主放大器管芯；第三個所述半導體管芯是所述多爾蒂放大器電路的峰值放大器管芯；第一個所述金屬跡線形成位于所述驅動器級管芯的輸出與所述主放大器管芯的輸入 和所述峰值放大器管芯的輸入之間的級間匹配；以及第二個所述金屬跡線形成電連接至所述主放大器管芯的輸出和所述峰值放大器管芯 的輸出的多爾蒂組合器。6.根據權利要求5所述的多腔封裝件，其中第三個所述金屬跡線在所述驅動器級管芯 的輸入處形成移相器或衰減器。7.根據權利要求1所述的多腔封裝件，其中:第一個所述半導體管芯是功率放大器電路的驅動器級管芯；第二個所述半導體管芯是所述功率放大器電路的功率級管芯；第一個所述金屬跡線形成所述驅動器級管芯的輸出與所述功率級管芯的輸入之間的 級間匹配；以及第二個所述金屬跡線電連接至所述功率級管芯的輸出。8.根據權利要求7所述的多腔封裝件，其中所述功率放大器電路是RF功率放大器電路， 并且第二個所述金屬跡線形成所述RF功率放大器電路的天線。9.根據權利要求1所述的多腔封裝件，還包括:一個或多個附加半導體管芯，附接至所 述電路板的背向所述單個金屬法蘭的表面并且電連接至設置在所述電路板的開口中的一 個或多個所述半導體管芯。10.根據權利要求1所述的多腔封裝件，其中所述電路板具有至少一個橫向延伸部，所 述至少一個橫向延伸部懸在所述單個金屬法蘭之上以形成用于將所述多腔封裝件附接至另一結構的接口。11.根據權利要求1所述的多腔封裝件，其中所述電路板具有橫向延伸部，所述橫向延 伸部懸在所述單個金屬法蘭之上，并且其中第一個所述金屬跡線延伸到所述橫向延伸部上 并提供用于所述電路的輸入或輸出電路徑。12.根據權利要求11所述的多腔封裝件，其中第一個所述金屬跡線包括延伸穿過所述 橫向延伸部的至少一個通孔。13.根據權利要求11所述的多腔封裝件，其中第一個所述金屬跡線還延伸到所述橫向 延伸部的邊緣面上。14.根據權利要求13所述的多腔封裝件，其中第一個所述金屬跡線從所述邊緣面延伸 到所述橫向延伸部的與所述單個金屬法蘭相鄰的底面上。15.根據權利要求1所述的多腔封裝件，其中:所述電路板具有相對的第一橫向延伸部和第二橫向延伸部，所述第一橫向延伸部和所 述第二橫向延伸部均懸在所述單個金屬法蘭之上；第一個所述金屬跡線延伸到所述第一橫向延伸部上并且提供用于所述電路的輸入電 路徑；以及第二個所述金屬跡線延伸到所述第二橫向延伸部上并且提供用于所述電路的輸出電 路徑。16.—種制造多腔封裝件的方法，所述方法包括:提供具有相對的第一主面和第二主面的單個金屬法蘭；將電路板附接至所述單個金屬法蘭的所述第一主面，所述電路板具有露出所述單個金 屬法蘭的所述第一主面的不同區域的多個開口；在所述電路板的開口中放置多個半導體管芯；將所述半導體管芯附接至所述單個金屬法蘭的所述第一主面；以及通過所述電路板的多個金屬跡線電互連所述半導體管芯以形成電路。17.根據權利要求16所述的方法，其中第一個所述半導體管芯是多爾蒂放大器電路的 驅動器級管芯，第二個所述半導體管芯是所述多爾蒂放大器電路的主放大器管芯，第三個 所述半導體管芯是所述多爾蒂放大器電路的峰值放大器管芯，并且通過所述金屬跡線電互 連所述半導體管芯以形成所述電路包括:在所述驅動器級管芯的輸出與所述主放大器管芯的輸入和所述峰值放大器管芯的輸 入之間電連接第一個所述金屬跡線，以形成所述驅動器級管芯與所述放大器管芯之間的級 間匹配；以及將第二個所述金屬跡線電連接至所述主放大器管芯的輸出和所述峰值放大器管芯的 輸出，以形成連接至所述放大器管芯的輸出的多爾蒂組合器。18.根據權利要求16所述的方法，其中第一個所述半導體管芯是功率放大器電路的驅 動器級管芯，第二個所述半導體管芯是所述功率放大器電路的功率級管芯，并且通過所述 金屬跡線電互連所述半導體管芯以形成所述電路包括:在所述驅動器級管芯的輸出與所述功率級管芯的輸入之間電連接第一個所述金屬跡 線，以形成所述驅動器級管芯與所述功率級管芯之間的級間匹配；以及將第二個所述金屬跡線電連接至所述功率級管芯的輸出。19.根據權利要求16所述的方法，其中所述電路板具有橫向延伸部，所述橫向延伸部懸 在所述單個金屬法蘭之上以形成用于將所述多腔封裝件附接至另一結構的接口。20.根據權利要求16所述的方法，其中所述電路板具有橫向延伸部，所述橫向延伸部懸 在所述單個金屬法蘭之上，并且其中一個所述金屬跡線延伸到在所述橫向延伸部上并提供 用于所述電路的輸入或輸出電路徑。
【文檔編號】H01L23/538GK106024728SQ201610190845
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月30日
【發明人】S·格爾, A·科姆波施, C·布萊爾, C·格茲
【申請人】英飛凌科技股份有限公司