短溝道nfet裝置的制造方法
【專利摘要】本發明涉及短溝道NFET裝置，具體提供一種形成半導體裝置的方法，其包括以相對于垂直于半導體層的表面的方向的有限傾斜角度，在該半導體層中共布植光暈物種及碳。另外，提供一種半導體裝置，其包括N溝道晶體管，該N溝道晶體管包含由光暈物種所制成的光暈區，該光暈區于半導體層中形成有摻質分布，該半導體裝置還包括碳物種，該碳物種于該半導體層中布植成與該光暈區具有實質相同的摻質分布。
【專利說明】
短溝道NFET裝置
技術領域
[0001]大體上，本文中所揭示的專利標的是關于集成電路，而且尤指短溝道匪OS晶體管裝置。更具體地說，本文中所揭示的專利標的是關于減少光暈物種的擴散的改良型N溝道MOSFETo
【背景技術】
[0002]半導體晶圓上形成的集成電路一般包括大量的電路元件，這些電路元件形成電路。除了例如場效應晶體管及/或雙極型晶體管等主動裝置外，集成電路還可包括諸如電阻器、電感器及/或電容器等被動裝置。特別的是，在使用CMOS技術制作復雜的集成電路期間，數百萬個晶體管，即N溝道晶體管及P溝道晶體管，是在包括結晶半導體層的襯底上形成。
[0003]舉例而言，MOS晶體管無論是N溝道晶體管或P溝道晶體管，都包含所謂由高摻雜的漏極與源極區的介面所形成的PN結，該漏極區與該源極區之間布置有反相或低度的摻雜溝道區。溝道區的導電性，即導電溝道的驅動電流能力，是藉由形成于該溝道區附近的柵極電極來控制并藉由薄絕緣層從中分隔。
[0004]溝道區的導電性在對柵極電極施加適當的控制電壓而形成導電溝道時，取決于(但不限于)摻質濃度、多數電荷載子的迀移率，而對于溝道區順著晶體管寬度方向的給定延展，還取決于源極與漏極區之間的距離，該距離也稱為溝道長度。
[0005]因此，結合對柵極電極施加控制電壓時于絕緣層下面快速建立導電溝道的能力，溝道區的整體導電性實質決定MOS晶體管的效能。
[0006]現今，由于IC的半導體裝置的小型化有持續需求，所以所制作的MOS晶體管的溝道長度稍低于70nm或60nm。對于此類尺寸，反轉短溝道效應(reverse short-channeIeffect)會為短溝道MOSFET的可靠操作帶來嚴重的問題。此反轉短溝道效應可說明為臨界(threshold)電壓隨著溝道長度的縮減而增大。
[0007]反轉短溝道效應的一種成因可從溝道植入物的擴散看出，舉例而言，該擴散乃是由源極/漏極延展植入物或深源極/漏極植入物或光暈植入物所誘發。注入間隙原子(self-1nterstitial)所造成的氧化增強型擴散在這種情況下造成嚴重的問題。這類娃點(silicon point)缺陷尤其促使光暈物種的擴散，該光暈物種如硼，是在制造N溝道MOSFET時當作光暈植入物使用。事實上，已證實硼的擴散性主要是由氧化步驟期間所造成的硅間隙原子的濃度來決定。
[0008]在所屬技術領域中，已知要提供碳植入物以便抑制光暈物種的擴散，例如硼擴散。然而，目前在TFT的溝道中的碳布植未可靠地抑制增強的光暈物種的擴散，尤其是硼，從而未可靠地抑制反轉短溝道效應。
[0009]因此，本發明的一目的在于減輕N溝道TFT中光暈物種的擴散(尤其是硼擴散)的問題。
【發明內容】
[0010]以下介紹本發明的簡化概要，以便對本發明的一些態樣有基本的了解。本概要并非本發明的詳盡概述，用意不在于鑒別本發明的重要或關鍵要素，或敘述本發明的范疇。目的僅在于以簡化形式介紹一些概念，作為下文更詳細說明的引言。
[0011]大體上，本文中揭示的專利標的是關于在溝道區中具有光暈布植的N溝道TFT。提供一種形成半導體裝置的方法，其包括下列步驟:以相對于垂直于半導體層的表面的方向的有限傾斜角度(tilt angle)，在該半導體層中共布植(co-1mplant)光暈物種(halospecies)及碳。尤其是，碳及光暈物種，例如硼，可在同一布植程序中進行布植。
[0012]此外，提供一種形成半導體裝置的方法，其包括下列步驟:(a)在半導體層中布植第一P型摻質(P-dopants)以在該半導體層中形成N溝道晶體管的P型講，(b)在該半導體層中布植第二P型摻質以在該半導體層中形成該N溝道晶體管的光暈區，以及(c)在該半導體層中布植與該光暈區具有實質相同的摻質分布的碳。可在半導體層中布植第二 P型摻質以在為了布植碳而實行的同一布植程序中形成光暈區。換句話說，該碳可與該光暈物種(例如硼)進行共布植。
[0013]另外，提供一種半導體裝置，其包含:N溝道晶體管，其包含由光暈物種所制成的光暈區，該光暈區于半導體層中形成有摻質分布，該半導體裝置還包括碳物種，該碳物種于該半導體層中布植成與該光暈區具有實質相同的摻質分布。光暈物種可包含硼或由硼組成。光暈物種與碳的布植能量可實質相同。
【附圖說明】
[0014]本揭露可搭配附圖參照以下說明來了解，其中相同的參考附圖標記表示相似的元件，并且其中:
[0015]圖1a及圖1b根據本發明的一實施例，繪示一用于制造N溝道晶體管的程序流程，其中碳是布植于溝道區中；以及
[0016]圖2a至圖2d根據本發明的一實施例，繪示另一用于制造N溝道晶體管的程序流程，其中碳是布植于溝道區中。
[0017]盡管本文中揭示的專利標的易受各種修改及替代形式影響，其特定具體實施例仍已在圖式中舉例展示，并且于本文中詳述。然而，應了解的是，本文中特定具體實施例的說明用意不在于將本發明限制于所揭示的特定形式，相反地，如隨附的權利要求書所界定，用意在于涵蓋落于本發明的精神及范疇內的所有修改、均等例、及替代方案。
【具體實施方式】
[0018]下面說明本發明的各項說明性的具體實施例。為了澄清，實際實作態樣不是所有特征都有在本說明書中說明。當然，將領會的是，在開發任何此實際的具體實施例時，必須做出許多實作態樣的特定決策才能達到開發者的特定目的，例如符合系統有關及業務有關的限制條件，這些限制條件會隨實作態樣的不同而改變。此外，將領會的是，此一開發努力可能復雜且耗時，雖然如此，仍會是具有本揭露的效益的所屬技術領域中具有通常知識者的例行工作。
[0019]以下具體實施例是經充分詳述而使所屬技術領域中具有通常知識者能夠利用本發明。要了解的是，其它的具體實施例基于本揭露將是會顯而易見的，而且可進行系統、結構、程序或機械的變更而不會脫離本揭露的范疇。在以下說明中，所提供的許多特定的細節是為了能夠透徹了解本揭露。然而，將會顯而易見的是沒有這些特定細節也可實踐本揭露的具體實施例。為了避免混淆本揭露，一些眾所周知的電路、系統組態、結構組態及程序步驟并未詳細揭示。
[0020]本揭露現將參照附圖來說明。各種的結構、系統及裝置在圖式中只是為了闡釋而繪示，為的是不要因所屬技術領域中具有通常知識者眾所周知的細節而混淆本揭露。雖然如此，仍將附圖包括進來以說明并闡釋本揭露的說明性實施例。本文中使用的字組及詞組應了解并詮釋為與所屬技術領域中具有通常知識者了解的字組及詞組具有一致的意義。與所屬技術領域中具有通常知識者了解的通常或慣用意義不同的詞匯或詞組(即定義)的特殊定義，用意不在于藉由本文詞匯或詞組的一致性用法提供暗示。就一詞匯或詞組用意在于具有特殊意義的方面來說，即有別于所屬技術領域中具有通常知識者了解的意義，此一特殊定義必須按照為此詞匯或詞組直接且明確提供此特殊定義的定義方式，在本說明書中明確提出。
[0021]大體上，所述乃是制造技術及內有形成N溝道晶體管的半導體裝置，其中進行碳摻雜是為了減少光暈物種在溝道區中的擴散，特別是硼光暈植入物的硼擴散。尤其是，溝道區的碳摻雜是以有限傾斜角度通過與光暈物種進行共布植來達成。特別的是，光暈物種與碳物種可呈相同傾斜角度進行布植，并且具有相同的布植能量。
[0022]根據本發明的一實施例，用于制造N溝道晶體管裝置的程序流程是參照圖1a及圖1b來說明，其中碳是在溝道區中與光暈物種進行共布植。
[0023]圖1a示意性繪示半導體裝置100的截面圖，該半導體裝置包含襯底101，該襯底上面設有半導體層102。半導體層102—般是區分成多個半導體區或主動區，該多個區應理解為其內及其上面待形成至少一個晶體管。為了方便起見，圖1a中繪示晶體管150的N溝道的單一主動區102a。該主動區102a是通過隔離區102b來橫向劃定，該隔離區可代表淺溝槽隔離(shallow trench isolat1ns，STI) I型講是通過適當的布植在主動區102a形成。
[0024]半導體層102可包含(包括)相當大量的硅，因為高集成密度的半導體裝置可基于硅而在大量生產時形成，原因在于可利用性增強，并且過去數十年來已開發出廣為接受的制程技術。然而，可使用任何其它適當的半導體材料，例如，含有諸如鍺、碳、硅/鍺、硅/碳、其它I1-VI族或II1-V族半導體化合物及類似者等其它等電子成分的硅基礎材料。襯底101可以是任何能適用的襯底，例如包含硅的半導體襯底，尤其是單晶硅、或鍺、或兩者的混合物、或磷酸鎵、砷化鎵。
[0025]舉例而言，襯底101及半導體層102可以是一包含埋置型絕緣層(圖未示)的絕緣層上覆硅(SOI)晶圓的部分，該埋置型絕緣層設置于半導體層102與襯底101之間。該埋置型絕緣層可以是可包含(二)氧化硅的埋置型氧化物(buried oxide，Β0Χ)層，例如硼硅酸玻璃。BOX層可由不同層所組成，該不同層其中一者可包含硼磷硅酸鹽玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)、或包含硼或磷的SiC>2化合物。半導體層102的厚度可以在5nm至30nm的范圍內，尤其是5nm至15nm，而BOX層的厚度可落于1nm至50nm的范圍內。
[0026]在圖1a所示的制造階段時，晶體管150包含柵極電極結構160，該柵極電極結構進而可包含柵極介電層161，該柵極介電層包括高k介電材料，可能與習知的介電材料組合，取決于整體程序及裝置要求而定。舉例而言，該柵極介電層161可包含氧化鉿、氧化鋯及類似者。該柵極介電層161可包含高k柵極絕緣層。該高k柵極絕緣層可在氧化物層上形成，并且可包含各種的高k材料(k值大于10)，諸如氧化鉿、鉿硅酸鹽、氧化鑭、氧化鋯等。高k絕緣材料的層的厚度可隨著特定應用而改變，例如:可具有約2nm至3nm的厚度。
[0027]另外，諸如氮化鈦、氮化鉭及類似者的含金屬電極材料162可在柵極介電層161上面形成，接著形成半導體為基礎的電極材料163，例如非晶硅及/或多晶硅及類似者。含金屬電極材料162可包含多層，該多層包含不同的金屬物種。柵極電極160的功函數(workfunct1n)可藉由金屬物種來適度調整。還有，舉例而言，諸如氮化硅或氧化硅材料的介電質覆蓋層或層系統164—般是在電極材料163上形成。
[0028]柵極電極結構160可具有任何適當的柵極長度，即在圖1a中，柵極電極結構160的水平延展部對應等于及小于50nm的柵極長度，例如等于及小于35nm。在所示制造階段中，柵極電極結構160及主動區102a是通過例如氮化硅、二氧化硅及類似者所構成的保護襯墊(liner)或襯墊系統165來包覆。
[0029]如圖1a所示，半導體裝置100可基于以下程序策略來形成。隔離區102b可基于尖端的光刻、蝕刻、沉積、退火及平坦化技術來形成，從而還定義主動區102a的橫向大小、位置及形狀。在形成隔離區102b之前或之后，可將P型阱摻質物種并入主動區102a，以便調整待于主動區102a中及上面形成的N溝道晶體管的基本電子特性。
[0030]其次，實施形成敏感(sensitive)材料161及162的程序序列，其可包括適當的沉積及圖形化策略，為的是要結合含金屬電極材料以提供高k介電材料，其中，若有需要，可實施附加的退火程序，以便將諸如鑭的功函數調整金屬物種并入介電層161及/或電極層162中。
[0031]之后，半導體材料163結合一或多種諸如層164的覆蓋材料是通過實施任何適當的沉積技術來沉積，然后進行復雜的光刻與蝕刻序列，以便由產生的層堆棧形成柵極電極結構160。所以，基于上述程序序列，可在早期制造階段調整高k金屬柵極電極結構160的電子特性，然而，這需要可靠約束敏感材料161、16 2。為此，例如以二氧化娃材料、氮化娃材料或這些層的可能組合的形式提供襯墊165，該襯墊可通過使用諸如多層沉積程序及類似者等廣為接受的沉積技術來沉積。
[0032]圖1b示意性繪示更晚期制造階段中的半導體裝置100。如圖所示，可實施布植序列以便將摻質物種引入主動區102a。為此，可進行布植程序103以便合并漏極與源極摻質物種，藉以初步形成具有所欲的摻質濃度及深度的漏極與源極延展區151e。布植程序103可基于適當的程序參數來進行，以便透過層165合并摻質物種。布植程序103可順著如圖1b的實線箭號所示實質垂直于半導體層102的表面的方向來進行。
[0033]此外，可實施傾斜布植程序104以便相對漏極與源極延展區151e的摻質物種并入反摻雜物種(P型摻質)，藉以形成反摻雜區，即光暈區102h。特別的是，反摻雜物種可包含硼。
[0034]離子布植程序104可相對于垂直方向呈一角度來進行，該角度可在約20度至40度之間變化，如圖1b的虛線箭號所示。應領會的是，其它裝置區可根據廣為接受的遮罩方法通過適當的布植遮罩來可靠地包覆。因此，在布植程序103、104及相關阻劑移除程序期間，柵極電極結構160的敏感材料可通過襯墊165來可靠地包覆。
[0035]離子布植程序104不僅包含光暈物種的布植，除此之外，還共布植碳以便在往后處理步驟中，達到減少光暈物種的擴散的目的。舉例來說，可在離子布植程序104的期間，以一傾斜角度(相對主動區l〇2a的表面的法線方向來測量，即相對于垂直于半導體層的表面的方向來測量)來布植光暈物種，例如硼，該傾斜角度介于10度至50度之間，例如20度至40度之間。特別的是，碳物種可用與光暈物種相同的傾斜角度及/或布植能量來布植。[〇〇36] 光暈物種的布植能量的范圍可以是5keV至10keV，例如6keV至8keV。光暈摻質的密度可調整成約1〇13至1014cnT2。附加的碳物種可用與光暈物種相同的傾斜角度、及范圍相當于5keV至10keV或6keV至8keV的布植能量來布植。碳摻質的密度可調整成約1014至1015cnf2。 原則上，使光暈成分與共布植的碳的摻質分布實質匹配可能較佳。
[0037]圖lb所示的組態可能經受退火程序，該退火程序中是對裝置100實施適當的溫度， 以便重新結晶化主動區1 〇2a中的布植誘發型損壞。此外，可在同一及/或一或多道附加的退火程序期間完成摻質物種的適度活化。為此，可實施諸如激光式退火程序、快速熱退火程序技術、閃光式退火程序及類似者等任何廣為接受的技術。在退火程序之后，延展區151e與光暈區102h及經布植的碳物種具有適當的分布，同時也已重新建立所欲的高晶體品質。
[0038]本案發明人所進行的詳盡實驗已展示出，上述光暈成分的非所欲的擴散可在共布植后所進行的退火處理之后，通過如此進行的碳共布植而顯著減少。可達成更佳的溝道連接，并且抑制短溝道效應，如沖穿及高漏電流。藉此，可獲得更高的驅動電流及更低的斷開電流，并且可提升N溝道晶體管的整體操作可靠度。[〇〇39]圖2a至圖2d中繪示另一根據本發明制造半導體裝置的程序流程的實施例。圖2a示意性繪示包含半導體層201的半導體裝置200的截面圖，該半導體層可能在埋置型氧化物層 (圖未示)上形成，該埋置型氧化物層形成于襯底(圖未示)上。P型阱可在半導體層201中形成，半導體層可包含硅。如參照圖la所述，半導體層201可通過隔離區(未示于圖2a中)來橫向劃定，該隔離區可代表STI。例如氧化硅層的薄氧化硅層202是通過熱氧化作用在半導體層201的表面上形成。襯墊203是在氧化物層202及柵極電極上形成。該襯墊可包含二氧化硅材料、氮化硅材料或這些層的組合，其可通過使用諸如多層沉積程序及類似者等廣為接受的沉積技術來沉積。
[0040]柵極電極包含多層204,該多層含有被氧化物覆蓋體(〇xideCap)206所包覆的金屬與多晶硅柵極材料205。金屬柵極層204是在高k柵極介電層207上形成。舉例而言，高k柵極介電層207可包含氧化鉿、氧化鋯及類似者。可將諸如鑭的功函數調整物種并入含金屬層 204及/或介電層207中最下層者。氧化物層203促成柵極介電質。另外，例如由氧化物材料構成的第一間隔物層208是在襯墊203上形成。第一間隔物層208可通過低壓化學氣相沉積來形成。[〇〇41]圖2b示意性繪示更晚期制造階段中的半導體裝置200。在此階段中，已蝕刻出第一間隔物層208以便形成第一側壁間隔物218。襯墊層203及薄氧化物層202兩者也在柵極電極與第一側壁間隔物218未包覆處遭到移除。從半導體層201的表面移除薄氧化物層期間，也可部分或完全移除多晶硅柵極上形成的氧化物覆蓋體206。
[0042]可實行布植程序310,以便形成具有所欲的摻質濃度及深度的漏極與源極延展區 220。此布植程序可垂直于半導體層201的表面來進行，即傾斜角度為零。此外，可實行傾斜布植程序320以便相對漏極與源極延展區220的摻質物種并入反摻雜物種(P型摻質)，藉以形成反摻雜區或光暈區230。特別的是，反摻雜物種可包含硼。舉例而言，傾斜的離子布植程序320可相對于法線/垂直方向呈一角度來進行，該角度可在約20度至40度之間變化。
[0043]離子布植程序320不僅包含光暈物種的布植，除此之外，還共布植碳以便在往后的處理步驟中，達到減少光暈物種的擴散的目的。舉例來說，可在離子布植程序302的期間以一傾斜角度來布植光暈物種，例如硼，該傾斜角度介于10度至50度之間，例如20度至40度之間。光暈物種的布植能量的范圍可以是5keV至10keV，例如6keV至8keV。
[0044]光暈物種與碳可用相同的傾斜角度及布植能量進行布植。光暈摻質的密度可調整成約1013至1014cnf2。附加的碳物種可用與光暈物種相同的傾斜角度、及范圍相當于5keV至 10keV或6keV至8keV的布植能量來布植。碳摻質的密度可調整成約1014至1015cm—2。原則上， 使光暈成分與共布植的碳的摻質分布相匹配可能較佳。[〇〇45]圖2c示意性繪示更晚期制造階段中的半導體裝置200。熱氧化作用導致薄氧化物層240在半導體層201的曝露部分上形成(還有第一側壁間隔物218)。氧化物層240上形成有第二間隔物層250,第二間隔物層250可由氮化物材料形成，第二間隔物層250的形成有助于源極/漏極區在往后的處理步驟中自對準形成。[〇〇46]圖2d示意性繪示更晚期制造階段中的半導體裝置200。在此階段中，已蝕刻出第二間隔物層250以在第一側壁間隔物218上形成第二側壁間隔物260。此外，薄熱生長的氧化物層240已自多晶硅柵極205的頂端及半導體層201的表面移除。[〇〇47]形成第二側壁間隔物260之后，進行第三實質垂直的離子布植程序330,以在半導體層201中形成源極/漏極布植區270。進行用以形成源極/漏極布植區270的離子布植程序 330可使用更高的摻質劑量來進行，而且是以比形成延展布植區220的離子布植程序310更高的布植能量來進行(圖2b)。布植程序330是使用待形成的NM0S晶體管的N型摻質來進行。 [〇〇48] 可進行加熱或退火程序，用以修復因布植程序310、320及330對半導體層201的晶格結構造成的損壞，并且用以活化經布植的摻質材料以調整源極/漏極區270、源極/漏極延展區220與光暈區230的空間關系。特別的是，可利用略高于1000 °C的溫度，例如在大約1050 °(:的溫度下，進行尖波(spike)退火以活化源極/漏極物種。[0〇49] 必要時，多晶娃柵極205及/或源極/漏極區270可進行娃化(silicidat1n)。原則上，可在先前于半導體層201中形成的受應力的硅鍺材料中形成源極與漏極區270。此外，第一與第二側壁間隔物218與260可由在柵極電極上呈現某些應力的本質應變材料構成。層間介電質可在圖2d中所示的結構上方形成，并且接觸部(contact)可在該層間介電質中形成， 用以電接觸柵極電極的多晶硅柵極材料205及源極與漏極區270。
[0050]由于本案揭示的專利標的，在一些說明性具體實施例中，提供一種N溝道晶體管， 例如N溝道M0SFET，其光暈物種(例如硼)的非所欲的擴散已減少，該非所欲的擴散乃導因于光暈成分的布植期間碳的共布植。
[0051]以上所揭示的特定具體實施例僅具有說明性，因為本發明可采用對受益于本文教示的所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的不同但均等方式來修改及實踐。舉例而言，以上所提出的程序步驟可按照不同的順序來進行。另外，除了如權利要求書中所述以夕卜，未意圖限制于本文所示構造或設計的細節。因此，證實可改變或修改以上揭示的特定具體實施例，而且所有此類變例全都視為在本發明的范疇及精神內。因此，本文尋求的保護乃如權利要求書中所述。
【主權項】
1.一種形成半導體裝置的方法，其包含下列步驟: 以相對于垂直于半導體層的表面的方向的有限傾斜角度，在該半導體層中共布植光暈物種及碳。2.如權利要求1所述的方法，其中，該碳與該光暈物種是以實質相同的布植能量來布植。3.如權利要求1所述的方法，其中，該光暈物種包含硼或由硼組成。4.如權利要求1所述的方法，還包含: 在該半導體層中形成源極與漏極延展區；以及 在該半導體層中形成源極與漏極區。5.如權利要求1所述的方法，其中，該光暈物種及該碳兩者是以相對于垂直于該半導體層的該表面的方向呈介于20度至40度之間的傾斜角度來布植。6.如權利要求1所述的方法，還包含在該半導體層的該表面上方形成高k柵極介電層，以及在該高k柵極介電層上方形成柵極電極。7.如權利要求1所述的方法，還包含在共布植該光暈物種及該碳之前，先于該半導體層上方形成柵極電極，并于該柵極電極的側壁處形成第一側壁間隔物。8.如權利要求7所述的方法，還包含在共布植該光暈物種及該碳之后，于該第一側壁間隔物上方形成第二側壁間隔物，以及在形成該第二側壁間隔物之后，于該半導體層中形成源極與漏極區。9.如權利要求7所述的方法，還包含在形成該第一側壁間隔物之后，于該半導體層中形成源極與漏極延展區。10.一種形成半導體裝置的方法，其包含下列步驟: 在半導體層中布植第一 P型摻質以在該半導體層中形成N溝道晶體管的P型阱； 在該半導體層中布植第二P型摻質以在該半導體層中形成該N溝道晶體管的光暈區；以及 在該半導體層中布植與該光暈區具有實質相同的摻質分布的碳。11.如權利要求10所述的方法，其中，該第二P型摻質及該碳是在單一布植程序中以實質相同的傾斜角度及實質相同的布植能量進行共布植。12.如權利要求10所述的方法，還包含在布植該第二P型摻質及該碳之前，先于該半導體層上形成柵極介電質，并于該柵極介電質上形成柵極電極。13.如權利要求12所述的方法，其中，形成該柵極介電質包含在該半導體層的表面上形成氧化物層、并于該氧化物層上形成高k介電材料，而形成該柵極電極包含在該柵極介電質上方形成含金屬層、并于該含金屬層上方形成多晶硅層。14.一種半導體裝置，其包含: N溝道晶體管，其包含由光暈物種所制成的光暈區，該光暈區于半導體層中形成有摻質分布；以及 碳物種，其布植于該半導體層中，該碳物種與該光暈區具有實質相同的摻質分布。15.如權利要求14的半導體裝置，其中，該光暈物種包含硼。16.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，該碳物種的密度超過該光暈區中該光暈物種的密度。
【文檔編號】H01L21/336GK106024600SQ201610178035
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月25日
【發明人】C·D·源, K·亨佩爾
【申請人】格羅方德半導體公司