半導體發光元件的制作方法

半導體發光元件的制作方法
【專利摘要】本發明的實施方式提供一種能夠獲得穩定的特性的半導體發光元件。根據實施方式，提供一種半導體發光元件，具備：基體；第1導電型的第1半導體層，與基體在第1方向上相隔；第2導電型的第2半導體層，設置在第1半導體層與基體之間；第3半導體層，設在第1半導體層與第2半導體層之間；第1電極，設置在基體與第1半導體層之間且與第1半導體層電連接；絕緣層，設置在第1電極與基體及第2半導體層之間；及金屬膜，設置在絕緣層與基體之間且覆蓋絕緣層及第2半導體層；且第1電極設置在從第2半導體層到達第1半導體層的凹部；絕緣層具有基體側的第1面，第1面具有沿從第2半導體層朝向第1電極的方向距基體的距離減小的區域。
【專利說明】半導體發光元件
[0001][相關申請]
[0002]本申請享有以日本專利申請2015-52119號(申請日:2015年3月16日)作為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。
技術領域
[0003]本發明的實施方式涉及一種半導體發光元件。
【背景技術】
[0004]在發光二極管(LED:Light Emitting D1de)等半導體發光元件中，要求獲得穩定的特性。

【發明內容】

[0005]本發明的實施方式提供一種能夠獲得穩定的特性的半導體發光元件。
[0006]根據本發明的實施方式，提供一種包含基體、第I半導體層、第2半導體層、第3半導體層、第I電極、絕緣層及金屬膜的半導體發光元件。所述第I半導體層為第I導電型。所述第I半導體層與所述基體在第I方向上相隔。所述第2半導體層為第2導電型。所述第2半導體層設置在所述第I半導體層與所述基體之間。所述第3半導體層設置在所述第I半導體層與所述第2半導體層之間。所述第I電極設置在所述基體與所述第I半導體層之間，且與所述第I半導體層電連接。所述絕緣層設置在所述第I電極與所述基體及所述第2半導體層之間。所述金屬膜設置在所述絕緣層與所述基體之間，且覆蓋所述絕緣層及所述第2半導體層。所述第I電極設置在從所述第2半導體層到達所述第I半導體層的凹部。所述絕緣層具有所述基體側的第I面，且所述第I面具有沿從所述第2半導體層朝向所述第I電極的方向距所述基體的距離減小的區域。
【附圖說明】
[0007]圖1(a)?(C)是例示第I實施方式的半導體發光元件的示意圖。
[0008]圖2(a)?(f)是例示第I實施方式的半導體發光元件的制造方法的步驟順序示意性剖視圖。
[0009]圖3是例示第I實施方式的半導體發光元件的一部分的示意性剖視圖。
[0010]圖4是例示第2實施方式的半導體發光元件的一部分的示意性剖視圖。
[0011 ]圖5是例示第3實施方式的半導體發光元件的一部分的示意性剖視圖。
【具體實施方式】
[0012]以下，針對本發明的各實施方式，一邊參照附圖一邊進行說明。
[0013]此外，附圖是示意性或概念性圖，各部分的厚度與寬度的關系、部分間的大小的比率等未必與實物相同。另外，即便在表示相同部分的情況下，也存在根據附圖將相互的尺寸或比率不同地表示的情況。
[0014]此外，在本申請的說明書及各圖中，對與關于已出現過的圖在上文中已敘述過的要素相同的要素標注相同的符號，并適當省略詳細的說明。
[0015](第丨實施方式)
[0016]圖1(a)?圖1(c)是例示第I實施方式的半導體發光元件的示意圖。
[0017]圖1(a)是圖1(c)的A1-A2線剖視圖。圖1(b)是將圖1(a)所示的一部分PA放大表示的剖視圖。圖1(c)是從圖1(a)的箭頭AA觀察的俯視圖。
[0018]如圖1(a)所示，本實施方式的半導體發光元件110包含第I半導體層11、第2半導體層12、第3半導體層13、基體70、絕緣層60、第I電極41及第2電極51。
[0019]作為基體70，可使用硅(Si)或藍寶石等的半導體襯底。基體70例如具有導電性。
[0020]第I半導體層11為第I導電型。第I半導體層11在第I方向上與基體70相隔。從基體70朝向第I半導體層11的方向為第I方向。
[0021]將第I方向設為Z軸方向。將相對于Z軸方向垂直的一個方向設為X軸方向。第2方向例如為X軸方向。將相對于Z軸方向及X軸方向垂直的一個方向設為Y軸方向。
[0022]第I半導體層11包含:第I半導體區域Ila;第2半導體區域11b，在與第I方向交叉的第2方向上與第I半導體區域Ila并排;及第3半導體區域11c，位于第I半導體區域Ila與第2半導體區域Ilb之間。第I半導體層11還包含第2半導體區域Ilb與第3半導體區域Ilc之間的第4半導體區域lid。
[0023]第2半導體層12為第2導電型。第2半導體層12設置在第2半導體區域Ilb與基體70之間C=Z軸方向對應于積層第2半導體層12及第I半導體層11的方向。
[0024]例如，第I導電型為η型，第2導電型為P型。也可以是第I導電型為P型，第2導電型為η型。在以下的示例中，設為第I導電型為η型且第2導電型為P型。
[0025]第3半導體層13設置在第2半導體區域Ilb與第2半導體層12之間。第3半導體層13例如包含活性層。第3半導體層13例如為發光部。
[0026]第I半導體層11、第2半導體層12及第3半導體層13包含于積層體10。積層體10沿X-Y平面擴展。積層體10包含臺面形狀的凸部10ρ。凸部1p包含第2半導體區域Ilb的一部分、第3半導體層13及第2半導體層12。在積層體10中，設置著在X軸方向上與凸部1p并排的凹部10d。這些凸部1p及凹部1d成為臺面的階差。
[0027]第I半導體層11、第2半導體層12及第3半導體層13例如包含氮化物半導體。第I半導體層11例如包含含有η型雜質的GaN層。η型雜質可使用S1、O、Ge、Te及Sn中的至少任一種。第I半導體層11例如包含η側接觸層。第2半導體層12例如包含含有P型雜質的GaN層。P型雜質可使用Mg、Zn及C中的至少任一種。第2半導體層12例如包含P側接觸層。
[0028]第I電極41設置在基體70與第I半導體區域Ila之間。第I電極41與第I半導體區域Ila電連接。第I電極41例如為η電極。第I電極41例如包含鋁(Al)或鋁系合金。第I電極41例如具有光反射性。
[0029]第2電極51設置在基體70與第2半導體層12之間。第2電極51與第2半導體層12及基體70電連接。第2電極51例如為P電極。第2電極51例如包含銀(Ag)或銀系合金。第2電極51例如具有光反射性。
[0030]在本說明書中，電連接的狀態包含第I導體與第2導體直接接觸的狀態。進而，電連接的狀態包含在第I導體與第2導體之間插入第3導體，經由第3導體在第I導體與第2導體之間流通電流的狀態。重疊的狀態包含在投影至與Z軸方向正交的平面(X-Y平面)上時，至少一部分重疊的狀態。
[0031]絕緣層60設置在基體70與第I電極41之間。絕緣層60將第I電極41與基體70電絕緣。絕緣層60將第I電極41與第2電極51絕緣。絕緣層60包含第I絕緣部分61。第I絕緣部分61設置在基體70與第3半導體區域Ilc之間。第I絕緣部分41在基體70與第I電極41之間延伸。第I絕緣部分61在第4半導體區域Ild與基體70之間以及第2半導體層12的一部分與基體70之間延伸。絕緣層60在X軸方向上設置在第I電極41與凸部1p之間。絕緣層60覆蓋第I電極41及第2半導體層12的一部分。絕緣層60例如包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。
[0032]在該例中，設置著金屬層75。
[0033]金屬層75設置在基體70與第2電極51之間以及基體70與絕緣層60之間。金屬層75例如包含錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、含錫及金的合金或含錫及鎳的合金中的任一種。金屬層75與基體70及第2電極51電連接。
[0034]如圖1(b)所示，在該例中還設置著金屬膜72。在圖1(a)中，省略了金屬膜72。金屬膜72設置在第2電極51與金屬層75之間以及絕緣層60與金屬層75之間。金屬膜72例如為障壁金屬。金屬膜72優選為具有光反射性。金屬膜72例如包含鈦(Ti)、鉑(Pt)、含鈦及鉑的合金、銀或銀系合金等中的任一種。
[0035]半導體發光元件110包含焊墊45及焊墊配線42。在金屬層75的一部分上，設置所述第I電極41、第2電極51、絕緣層60及積層體10。在金屬層75的另一部分上設置焊墊配線42。在焊墊配線42上設置焊墊45。
[0036]如圖1(c)所示，焊墊配線42與第I電極41連接。焊墊45經由焊墊配線42及第I電極41與第I半導體層11電連接。另一方面，基體70經由金屬膜72及金屬層75與第2電極51電連接。
[0037]通過在焊墊45與基體70之間施加電壓，而對第3半導體層13供給電流，從第3半導體層13放出光。所放出的光(發出的光)出射到半導體發光元件110的外部。發出的光被第2電極51及第I電極41反射。第I半導體層11的表面(圖1(a)中的上表面)成為光出射面。半導體發光元件110例如為LED。
[0038]在本實施方式中，第I電極41的厚度設定為相對較厚。由此，第I電極41的電阻變低，發光的面內均勻性提高。由此，能夠獲得高發光效率。例如，第I電極41與基體70之間的距離dl比第2半導體層12與基體70之間的距離d2短。
[0039]在實施方式中，絕緣層60的第I絕緣部分61包含第I面61f。第I面61f是基體70側的面。第I面61f相對于基體70傾斜。第I絕緣部分61與基體70之間的沿第I方向(Z軸方向)的距離dt沿從第2半導體層12朝向第I電極41的方向減小。距離dt例如在從第2半導體層12朝向第I電極41的方向上單調遞減。距離dt的變化例如具有連續性。
[0040]以下，對半導體發光元件110的制造方法的例進行說明。
[0041]圖2(a)?圖2(f)是例示第I實施方式的半導體發光元件的制造方法的步驟順序示意性剖視圖。
[0042]如圖2(a)所示，在生長用襯底90上，形成緩沖層(未圖示)，在緩沖層上，形成成為第I半導體層11的第I半導體膜Ilf。在第I半導體膜Ilf上，形成成為第3半導體層13的第3半導體膜13f。在第3半導體膜13f上，形成成為第2半導體層12的第2半導體膜12f。由此，能夠獲得成為積層體10的積層膜1f。在這些半導體膜的形成中，例如可使用有機金屬氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposit1n:MOCVD)等。生長用襯底90例如可使用S1、Si〇2、A102、石英、藍寶石、GaN、SiC及GaAs中的任一種的襯底。
[0043]如圖2(b)所示，去除第2半導體膜12f的一部分、第3半導體膜13f的一部分及第I半導體膜I If的一部分，而形成積層體10。在該去除中，例如可使用RIE (Reacti ve 1nEtching，反應性離子蝕刻)等。積層體10形成臺面形狀(凸部1p及凹部1d)。
[0044]在積層體10中的第I半導體層11上形成第I電極41及焊墊配線42。進而，在積層體10上及第I電極41上，形成成為絕緣層60的一部分的絕緣膜60f。例如可使用CVD(ChemicalVapor Deposit1n，化學氣相沉積)法、派鍍法或S0G(Spin On Glass，旋涂式玻璃)法等。
[0045]如圖2( c)所示，去除絕緣膜60f的一部分而形成絕緣層60。絕緣膜60的上表面的一部分(第I面61f)相對于Z軸方向傾斜。
[0046]如圖2(d)所示，在第2半導體層12上，形成第2電極51，進而，在第2電極51及絕緣層60上，形成金屬膜72(例如Ti/Pt/Ti的積層膜，在圖2(d)中未圖示)，進而形成成為金屬層75的一部分的金屬膜。另一方面，準備構造體，該構造體包含基體70及設置在基體70上且成為金屬層75的另一部分的金屬膜。使成為金屬層75的一部分的所述金屬膜與成為金屬層75的另一部分的金屬膜對向并接合。
[0047]如圖2(e)所示，去除生長用襯底90。在去除中，可使用研削、干式蝕刻(例如RIE)或LLO(Laser Lift Off，激光剝離技術)等。
[0048]如圖2(f)所示，去除積層體10的一部分，在露出的焊墊配線42上，形成焊墊45。此夕卜，也可以在第I半導體層11的上表面形成凹凸。也可以在積層體10的側面形成保護膜(絕緣層)。也可以進行使基體70的厚度變薄的處理。在所述制造步驟中，也可以在技術上可行的范圍內更換處理的順序。也可以適當進行退火處理。
[0049]通過以上操作，能夠獲得半導體發光元件110。
[0050]如已經說明那樣，在半導體發光元件110中，絕緣層60的第I絕緣部分61的第I面61f相對于基體70傾斜。第I絕緣部分61與基體70之間的沿第I方向(Z軸方向)的距離dt沿從第2半導體層12朝向第I電極41的方向減小。根據這種半導體發光元件110，能夠獲得穩定的特性。
[0051]例如，存在第I面61f相對于基體70平行的情況。在該參考例中，第I絕緣部分61的側面相對于第I絕緣部分61的下表面成為大致直角。在第I絕緣部分61的端部，階差變大。在這種參考例中，在第I絕緣部分61的端部的附近，第I絕緣部分61易產生損傷(龜裂等)。由此，存在絕緣層60的絕緣性變差的情況。因此，有電特性變差的可能性。進而，于在第I絕緣部分61上(在圖1 (a)中為下表面)形成金屬膜72或金屬層75時，有在金屬膜72或金屬層75發生剝離等的可能。進而，如果第I絕緣部分61的端部的階差大，那么也存在如下情況:在利用金屬層75進行接合時，難以獲得穩定的接合，且良率降低。除電特性變差以外，還有可靠性降低的可能性。
[0052]相對于此，在本實施方式中，絕緣層60的第I面61f(圖1 (b)中的下表面)相對于基體70傾斜。在第I絕緣部分61的端部，第I面61f大致沿第2半導體層20。因此，能夠抑制在第I絕緣部分61的端部的附近，第I絕緣部分61產生損傷(龜裂等)。由此，在絕緣層60中可獲得高絕緣性。根據實施方式，能夠獲得穩定的特性。進而，于在第I絕緣部分61上(在圖1(a)中為下表面)形成金屬膜72或金屬層75時，能夠抑制剝離。進而，由于第I絕緣部分61的端部的階差小、或無階差，所以能夠獲得穩定的接合。
[0053]這樣一來，根據實施方式，可提供一種能夠獲得穩定的特性的半導體發光元件。
[0054]圖3是例示第I實施方式的半導體發光元件的一部分的示意性剖視圖。
[0055]圖3是將圖1(a)的一部分放大而進行例示。
[0056]在實施方式中，包含第I面61f的平面與基體70之間的角度Θ1的絕對值大于O度且為10度以下。如果角度Θ1為O度，那么例如存在無法完全地保護電極的上端部的情況。如果角度Θ1大于10度，那么例如存在發生龜裂的情況。角度Θ1的范圍也包含相對較薄地形成第I電極41、較深地蝕刻出臺面階差的情況。以基體70作為基準，將向第I電極41側傾斜的角度設為+，將向與第I電極41側相反側傾斜的角度設為_。
[0057]包含第I面61f的平面與第2半導體層12的一部分之間的角度Θ2為I度以上且10度以下。如果角度Θ2小于I度，那么例如存在無法完全地保護電極的上端部的情況。如果角度Θ2大于10度，那么例如存在發生龜裂的情況。
[0058]第I電極41的厚度tl為0.6微米(μπι)以上且2.Ομπι以下。如果厚度tl薄于0.6μηι，那么例如存在電流容量不足而熔融斷開的情況。如果厚度tl厚于2.Ομπι，那么例如存在無法利用保護膜覆蓋，而引起電氣短路的情況。
[0059]第I電極41與基體70之間的沿Z軸方向的距離dl是第2電極51與基體70之間的沿Z軸方向的距離d3的1.0倍以上且1.5倍以下。如果距離dl比距離d3的1.0倍短，那么例如存在于第I電極41的正下方產生大空隙的情況。如果距離dl比距離d3的1.5倍長，那么例如存在于第I電極41的兩側面產生大空隙的情況。
[0060]如圖3所示，在該例中，絕緣層60包含第I膜61a及第2膜61b。第I膜61a在第I方向(Z軸方向)上與第I半導體區域11a、第3半導體區域Ilc及第4半導體區域Ild重疊。第2膜61b設置在第I膜61a的一部分與基體70之間(第I膜61a的一部分與金屬膜72之間)。第2膜61b在第I方向上與第3半導體區域Ilc重疊。也就是說，第I絕緣部分61包含第I膜61a及第2膜61b。在第I絕緣部分61，第I膜61a設置在第2膜61b與第3半導體層Ilc之間。例如，第I膜61a與第3半導體區域11C接觸，且包含氧化娃。第I膜61 a例如通過等離子體CVD (Chemi ca I VaporDeposit1n)而形成。第2膜61b包含氧化娃。第2膜6Ib例如通過S0G(Spin On Glass)而形成。
[0061]第I膜61a設置在積層體10的階差部分。第I膜61a具有依照該階差部分的形狀。利用第2膜61b將階差填埋。由此，第I絕緣部分61的下表面61f成為平緩的傾斜狀。由此，金屬膜72的被覆性提高，能夠確實地進行利用金屬層75的接合。
[0062]在實施方式中，在階差部分的填埋中，不限定于SOG法。例如，也可以使用如下方法:使用等離子體CVD法較厚地(例如為階差部分的高度的1.5倍以上)形成絕緣層，然后，涂布光阻劑，并通過干式蝕刻或濕式蝕刻進行回蝕處理。
[0063]例如，也可以使用如下方法:使用等離子體CVD法較厚地(例如為階差部分的高度的1.5倍以上)形成絕緣層，然后，通過化學機械研磨(CMP: Chemical MechanicalPolishing)使其平坦。
[0064]在實施方式中，第I電極41的光反射率比金屬層75的光反射率高。第2電極51的光反射率比金屬層75的光反射率高。所謂光反射率，例如指從第3半導體層13放出的發出光的峰值波長中的光反射率。所謂峰值波長是指光強度變為最大時的波長。由此，能夠獲得高光提取效率。
[0065](第2實施方式)
[0066]圖4是例示第2實施方式的半導體發光元件的一部分的示意性剖視圖。
[0067]圖4表示與圖1(a)所示的一部分PA對應的部分。
[0068]本實施方式的半導體發光元件111除了包含第I?第3半導體層11?13、第I電極41、第2電極51、基體70、金屬層75及金屬膜72以外，還包含第I絕緣層60a及第2絕緣層60b。在半導體發光元件111中，除第I絕緣層60a及第2絕緣層60b以外的部分與半導體發光元件110相同。
[0069]第I絕緣層60a設置在第3半導體區域Ilc與基體70之間及第I電極41與基體70之間。第2絕緣層60b設置在第I絕緣層60a與基體70之間。
[0070]這樣一來，也可以包含多層絕緣層。例如，第I絕緣層60a包含氧化硅，第2絕緣層60b包含氮化娃。
[0071]第2絕緣層60b包含第I絕緣部分61。第I絕緣部分61設置在第3半導體區域Ilc與基體70之間。第I絕緣部分61包含第I面61f。
[0072]在本實施方式中，具有第I絕緣部分61與基體70之間的沿第I方向(Z軸方向)的距離沿從第I電極41朝向第2半導體層12的方向減小的區域。因此，第I面6 If相對于基體70彎曲。
[0073]根據本實施方式，第I面61f彎曲，由此第I面61f與金屬膜72之間的接觸面積變大。第I面61f與金屬層75相互對向的面積變大。由此，例如，金屬膜72(金屬層75)與第2絕緣層60b之間的密接性變高。例如，能夠抑制金屬膜72的剝離等。由此，能夠獲得穩定的特性。
[0074]例如，第I絕緣層60a與第3半導體區域Ilc接觸，且包含氧化硅。在第I絕緣層60a的形成中，例如可使用等離子體CVD法。第2絕緣層60b例如包含氮化硅。在第2絕緣層60b的形成中，例如可使用等離子體CVD法及回蝕處理。例如，也可以使用如下方法:使用等離子體CVD法較厚地形成成為第2絕緣層60b的絕緣膜，然后，涂布光阻劑，通過干式蝕刻或濕式蝕刻進行回蝕處理。
[0075](第3實施方式)
[0076]圖5是例示第3實施方式的半導體發光元件的一部分的示意性剖視圖。
[0077]圖5表示與圖1(a)所示的一部分PA對應的部分。
[0078]本實施方式的半導體發光元件112除了包含第I?第3半導體層11?13、第I電極41、第2電極51、基體70、金屬層75及金屬膜72以外，還包含絕緣層60。在半導體發光元件112中，除絕緣層60以外的部分與半導體發光元件110相同。
[0079]絕緣層60設置在第3半導體區域IIc與基體70之間及第I電極41與基體70之間。
[0080]這樣一來，也可以將絕緣層設為一層。絕緣層60例如包含氧化硅。
[0081]絕緣層60包含第I絕緣部分61。第I絕緣部分61設置在第3半導體區域I Ic與基體70之間。第I絕緣部分61包含第I面61f。第I面61f為曲面。第I面61f為凹狀。第I面61f相對于基體70彎曲。
[0082]根據本實施方式，第I面61f彎曲，由此，第I面61f與金屬膜72之間的接觸面積變大。第I面61f與金屬層75相互對向的面積變大。由此，例如，金屬膜72(金屬層75)與第2絕緣層60b之間的密接性變高。例如，能夠抑制金屬膜72的剝離等。由此，能夠獲得穩定的特性。
[0083]根據實施方式，可提供一種能夠獲得穩定的特性的半導體發光元件。
[0084]以上，一邊參照具體例，一邊對本發明的實施方式進行了說明。但是，本發明并非限定于這些具體例。例如，關于基體、第I半導體層、第2半導體層、第3半導體層、第I電極及絕緣層等各要素的具體構成，只要通過業者從公知的范圍進行適當選擇而能夠同樣地實施本發明，并且獲得相同的效果，便也包含在本發明的范圍內。
[0085]另外，將各具體例中的任意兩個以上的要素在技術上可行的范圍組合所得的發明只要包含本發明的主旨，便也包含在本發明的范圍內。
[0086]此外，基于上文中作為本發明的實施方式而敘述的半導體發光元件及其制造方法，業者可適當進行設計變更而實施的所有半導體發光元件及其制造方法只要包含本發明的主旨，便也屬于本發明的范圍。
[0087]此外，在本發明的思想范疇內，只要為業者，理應能夠想到各種變更例及修正例，應明白這些變更例及修正例也屬于本發明的范圍。
[0088]對本發明的若干實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為示例而提出的，并非意圖限定發明的范圍。這些新穎的實施方式能以其它各種方式實施，且能在不脫離發明主旨的范圍內，進行各種省略、替換、變更。這些實施方式或其變化包含在發明的范圍或主旨內，并且包含在權利要求書所記載的發明及其均等的范圍內。
[0089][符號的說明]
[0090]10積層體
[0091]1f積層膜
[0092]1p凸部
[0093]1d凹部
[0094]11第I半導體層
[0095]Ila第丨半導體區域
[0096]Ilb第2半導體區域
[0097]He第3半導體區域
[0098]Ild第4半導體區域
[0099]Hf第I半導體膜
[0100]12第2半導體層
[0101]12f第2半導體膜
[0102]13第3半導體層
[0103]13f第3半導體膜
[0104]41第I電極
[0105]42焊墊
[0106]51第2電極
[0107]60絕緣層
[0108]60a第I絕緣層
[0109]60b第2絕緣層
[0110]61第I絕緣部分
[0111]61f第I面
[0112]61a第I膜
[0113]61b第 2膜
[0114]70基體
[0115]72金屬膜
[0116]75金屬層
[0117]90生長用襯底
[0118]110?112半導體發光元件
[0119]Θ1、Θ2角度
[0120]AA箭頭
[0121]PA一部分
[0122]dl、d2、d3、dt距離
[0123]tl厚度
【主權項】
1.一種半導體發光元件，其特征在于具備: 基體； 第I導電型的第I半導體層，與所述基體在第I方向上相隔； 第2導電型的第2半導體層，設置在所述第I半導體層與所述基體之間； 第3半導體層，設置在所述第I半導體層與所述第2半導體層之間； 第I電極，設置在所述基體與所述第I半導體層之間，且與所述第I半導體層電連接；絕緣層，設置在所述第I電極與所述基體及所述第2半導體層之間；以及金屬膜，設置在所述絕緣層與所述基體之間，且覆蓋所述絕緣層及所述第2半導體層；并且 所述第I電極設置在從所述第2半導體層到達所述第I半導體層的凹部； 所述絕緣層具有所述基體側的第I面，且所述第I面具有沿從所述第2半導體層朝向所述第I電極的方向距所述基體的距離減小的區域。2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于: 所述第I電極與所述基體之間的距離比所述第2半導體層與所述基體之間的距離短。3.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于: 包含所述第I面的平面與所述基體之間的角度的絕對值為大于O度且為10度以下。4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于: 所述絕緣層在所述第2半導體層的一部分與所述基體之間延伸。5.根據權利要求4所述的半導體發光元件，其特征在于: 包含所述第I面的平面與所述第2半導體層的所述一部分之間的角度為I度以上且為10度以下。6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于: 所述絕緣層在所述第I電極與所述基體之間延伸。7.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于: 所述第I電極的厚度為0.6微米以上且為2.0微米以下。8.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于還具備:第2電極，設置在所述第2半導體層與所述基體之間，且與所述第2半導體層電連接;并且 所述距離為所述第2電極與所述基體之間的距離的1.0倍以上且1.5倍以下。9.根據權利要求8所述的半導體發光元件，其特征在于還具備:金屬層，設置在所述第2電極與所述基體之間及所述絕緣層與所述基體之間；并且 所述第2電極與所述金屬層電連接。10.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于: 所述第I面還具有沿從所述第I電極朝向所述第2半導體層的方向距所述基體的距離減小的區域。11.根據權利要求10所述的半導體發光元件，其特征在于: 所述絕緣層為具有第I絕緣層及第2絕緣層的多層構造。12.根據權利要求11所述的半導體發光元件，其特征在于: 所述第I絕緣層包含氧化硅;并且 所述第2絕緣層包含氮化硅。
【文檔編號】H01L33/44GK105990486SQ201610134597
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年3月9日
【發明人】加賀廣持, 勝野弘, 澤野正和, 石黑陽, 宮部主之, 國弘隆志
【申請人】株式會社東芝