間隔層在堆疊晶粒封裝的應用方法
【專利摘要】本發明公開了間隔層在堆疊晶粒封裝的應用方法，包括多個堆疊的晶粒，其放置在基板上，多個堆疊的晶粒的底面貼有DAF膠膜，多個堆疊的晶粒之間貼有FOW膠膜，多個堆疊的晶粒之間使用間隔層取代FOW膠膜，間隔層使用在貼有DAF膠膜的晶粒上，所述間隔層取代FOW膠包括三個流程，其依次為硅晶圓減薄、減薄后貼DAF膠膜、劃片；通過上述技術方案，增加間隔層，降低封裝成本和封裝工藝難度，且間隔層所用DAF膜比FOW膜硬，使得劃片方便。
【專利說明】
間隔層在堆疊晶粒封裝的應用方法
技術領域
[0001]本發明屬于集成電路封裝技術領域，公開了間隔層在堆疊晶粒封裝中的應用方法。【背景技術】
[0002]在集成電路封裝中，堆疊封裝是1C封裝非常常用的一種封裝形式，可以使同種晶粒(die)的堆疊，也可以是不同晶粒(die)的堆疊，在堆疊設計時要避免下層金線與上層晶粒(die)接觸通常采用F0W膠膜(film over wire)這種比較貴的膠膜，F0W膠膜在晶圓減薄后，貼在晶圓背面，劃片時，將晶圓和F0W膠膜一起切開，其特性加熱固化前非常軟，固晶時，直接將貼有F0W膠膜的晶粒(die)壓在下層已焊線的晶圓(die)上，下層的金線就陷入 F0W膠膜里面。而且價格不菲的F0W膠膜對工藝條件要求也很高，由于其非常軟，在劃片時容易產生膠絲，容易粘刀將刀上的鉆石顆粒包裹失去切削能力，這樣的刀切出來的晶圓會有崩缺造成電性失效，另外，切割時產生的膠絲比較多有些會粘到晶圓正面的bond pad(焊線盤)上造成焊線問題，其對die bond(固晶)制程條件要求也比較嚴格，die bond(固晶) 的壓力和壓力的均勻性要足以使下層晶圓(die)上的金線完全陷進上層晶粒(die)下面貼覆的F0W膠膜里面，同時還要保證上層晶圓(die)的水平度。
【發明內容】
[0003]本發明為了解決現有技術F0W膠膜用料昂貴，工藝條件要求高的問題，本發明提供了通過增加間隔層降低封裝成本和封裝工藝難度，且間隔層所用DAF膠層硬度高于F0W 膠層，使得劃片方便的應用方法。
[0004]本發明的具體技術方案為:間隔層在堆疊晶粒封裝的應用方法，包括多個堆疊的晶粒，其放置在基板上，所述多個堆疊的晶粒的底面貼有DAF膠膜，所述多個堆疊的晶粒之間貼有F0W膠膜，所述多個堆疊的晶粒之間使用間隔層取代F0W膠膜，間隔層使用在貼有 DAF膠膜的硅晶圓上，所述間隔層取代F0W膠膜三個流程，其依次為晶圓減薄、減薄后貼DAF 膠膜、劃片；
[0005]其具體包括六個步驟:
[0006]步驟一、準備間隔層:即純硅晶圓減薄到所需厚度，背面貼DAF膠膜，經劃片制程切成所需大小的方塊；
[0007]步驟二、在基板上先貼第一層產品晶粒；
[0008]步驟三、將間隔層貼在第一層晶粒上；
[0009]步驟四、將步驟三完成的材料烘烤后，對第一層硅晶粒焊線；
[0010]步驟五、將步驟四完成材料，返回固晶工序貼第二層晶粒；
[0011]步驟六、將步驟四完成材料烘烤后，對第二層晶粒焊線，堆疊完成。
[0012]本發明的技術效果:本發明的間隔層在堆疊晶粒封裝的應用方法，通過增加間隔層，降低封裝成本和封裝工藝難度，且間隔層所用DAF膠膜比F0W膠膜硬，使得劃片方便。【附圖說明】
[0013]圖1是本發明實施例的F0W膠膜疊加兩個晶粒方式截面的橫截面示意圖。
[0014]圖2是本發明實施例的間隔層疊加兩個晶圓方式截面示意圖。
[0015]圖3是本發明實施例的F0W堆疊流程示意圖。
[0016]圖4是本發明實施例的間隔層堆疊流程示意圖。
[0017]圖5是本發明實施例的步驟一示意圖。
[0018]圖6是本發明實施例的步驟二示意圖。
[0019]圖7是本發明實施例的步驟三示意圖。
[0020]圖8是本發明實施例的步驟四示意圖。
[0021]圖9是本發明實施例的步驟五示意圖。
[0022]圖10是本發明實施例的步驟六示意圖。
[0023]圖11是本發明實施例運用在其它結構中的示意圖。
[0024]圖中，晶粒1，第一晶粒2，第二晶粒20，F0W膠膜3，DAF膠膜4，間隔層5，基板6， 金線線弧7,劃片后的娃晶圓8。【具體實施方式】
[0025]下面結合附圖對本發明做進一步說明。
[0026]如圖1和圖2所示，使用間隔層5取代F0W膠膜6，間隔層5使用貼DAF膠膜4的硅晶圓8,比如75um厚的F0W膠膜層可以使用50um厚背面貼10um厚的DAF膠膜4的硅晶粒取代，這樣增加間隔層的減薄，劃片和固晶(die bond)工序，但是，其取代了 F0W膠膜，降低了工藝難度。如圖1所示，使用75um厚的F0W膠膜，第一晶粒2的焊接的金線線弧7可以陷入F0W膠膜6;如圖2使用間隔層5,焊線邊比第一晶圓，第二晶圓短最多為250um，給第一晶圓和第二晶圓之間撐起一個空間，第二晶粒在作業時，不會壓到第一晶圓的金線線弧7。
[0027]如圖3和圖4所示，包括晶圓，烘烤，晶圓焊線，晶圓，烘烤，晶圓焊線，注塑，所述晶圓背面貼有F0W貼膜，其放置在基板上，所述間隔層取代F0W膠膜三個流程，其依次為硅晶圓減薄、減薄后貼DAF膠膜、劃片；
[0028]如圖5至圖10所示，間隔層在堆疊晶粒封裝的應用方法具體的實施步驟如下:
[0029]步驟一、準備間隔層:即硅晶圓減薄到所需厚度，背面貼DAF膠膜，然后經劃片制程切成所需大小的方塊(如圖一)；
[0030]步驟二、基板上先貼第一層產品晶粒(如圖二)；
[0031]步驟三、將間隔層貼在第一層晶粒上(如圖三)；
[0032]步驟四、將第三步完成的材料烘烤后，對第一層晶粒焊線(如圖四)；
[0033]步驟五、將步驟四完成材料返回固晶工序，貼第二層晶粒(如圖五)；
[0034]步驟六、將步驟四完成材料烘烤后，對第二層晶圓焊線，堆疊完成(如圖六)。
[0035]如圖11所示，多個晶圓的堆疊，除了從上到下的整齊的疊加方式外，還可以使用其它的疊加方式，如來回階梯堆疊。
[0036]本發明的間隔層在堆疊晶粒封裝的應用方法，，通過增加Spacer降低封裝成本和封裝工藝難度，而且間隔層所用DAF硬度比F0W膠層強，使得劃片方便。需要指出的是，上述較佳實施例僅為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容并據以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍。凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.間隔層在堆疊晶粒封裝的應用方法，包括多個堆疊的晶粒，其放置在基板上，所述多 個堆疊的晶粒的底面貼有DAF膠膜，所述多個堆疊的晶粒之間貼有一層有FOW膠膜，其特征 在于:所述多個堆疊的晶粒之間使用間隔層取代FOW膠膜，間隔層使用在貼有DAF膠膜的晶 圓上，所述間隔層取代FOW膠膜三個流程，其依次為硅晶圓減薄、減薄后貼DAF膠膜、劃片； 其具體包括六個步驟:步驟一、準備間隔層:即硅晶圓減薄到所需厚度，背面貼DAF膠膜，經劃片制程切成所 需大小的方塊；步驟二、在基板上先貼第一層產品晶粒；步驟三、將間隔層貼在第一層晶圓上；步驟四、將步驟三完成的材料烘烤后，對第一層晶粒焊線；步驟五、將步驟四完成材料，返回固晶工序貼第二層晶粒；步驟六、將步驟四完成材料烘烤后，對第二層硅晶粒焊線，堆疊完成。
【文檔編號】H01L21/56GK105990294SQ201510074772
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月11日
【發明人】凡會建, 李文化, 彭志文
【申請人】特科芯有限公司