電力用半導體裝置的制造方法

電力用半導體裝置的制造方法
【專利摘要】防止導熱層從絕緣基板和冷卻裝置之間向外被擠出。絕緣基板(10)具有基底部(11)、絕緣層(12)以及電路圖案(2)，該基底部(11)由金屬制成，成為散熱面(SR)。絕緣基板(10)在室溫時在散熱面具有凸形狀的翹曲。電力用半導體元件(3)安裝在電路圖案(2)之上。封裝材料(7)的厚度比絕緣基板(10)的厚度大。封裝材料(7)的線膨脹系數比在絕緣基板(10)的安裝面(SM)的面內方向上的絕緣基板(10)的線膨脹系數大。導熱層(20)設置在基底部(11)的散熱面(SR)之上，在室溫時為固體狀，在大于或等于比室溫高的相變溫度時為液狀。
【專利說明】
電力用半導體裝置
技術領域
[0001]本發明涉及電力用半導體裝置，特別是涉及具有通過冷卻裝置進行冷卻的散熱面的電力用半導體裝置。
【背景技術】
[0002]根據日本特開2012-191010號公報(專利文獻I)，公開有一種半導體裝置，該半導體裝置搭載有電力用半導體元件。為了對由半導體元件產生的熱量進行散熱，將半導體裝置安裝于涂布有導熱膏的冷卻鰭片，利用螺栓進行固定而使用。
[0003]專利文獻I:日本特開2012-191010號公報
[0004]在上述半導體裝置中，隔著導熱膏而安裝冷卻鰭片的散熱面的溫度有可能根據電力用半導體元件的工作狀態等而大幅變化。與此相伴，散熱面的翹曲形狀變化，從而有可能發生導熱膏從冷卻面和冷卻鰭片之間向外被擠出的現象。該現象還稱為油脂的栗出。如果在熱循環下反復進行栗出，則散熱面和冷卻鰭片之間的熱阻變大，從而電力用半導體裝置的散熱特性大幅惡化。

【發明內容】

[0005]本發明就是為了解決如上述的課題而提出的，其目的在于提供一種電力用半導體裝置，該電力用半導體裝置能夠防止在熱循環下導熱層從絕緣基板和冷卻裝置之間向外被擠出。
[0006]本發明的電力用半導體裝置具有框體、至少一個絕緣基板、至少一個電力用半導體元件、至少一個配線部、多個電極、封裝材料以及導熱層。絕緣基板安裝于框體。絕緣基板具有散熱面和與散熱面相反的安裝面。絕緣基板在室溫時在散熱面具有凸形狀的翹曲。安裝面收容在框體內。絕緣基板具有基底部、絕緣層以及電路圖案。基底部由金屬制成。基底部成為散熱面。絕緣層設置在基底部之上。電路圖案設置在絕緣層之上。電路圖案成為安裝面。電力用半導體元件安裝在絕緣基板的電路圖案之上。配線部將絕緣基板的電路圖案中的遠離電力用半導體元件的部分、和電力用半導體元件之間連接。電極安裝于框體，與絕緣基板的電路圖案以及電力用半導體元件中至少任一個電連接。封裝材料在框體內在絕緣基板之上對電力用半導體元件進行封裝。封裝材料的厚度比絕緣基板的厚度大。封裝材料的線膨脹系數比在絕緣基板的安裝面的面內方向上的絕緣基板的線膨脹系數大。導熱層設置在散熱面之上，在室溫時為固體狀，在大于或等于比室溫高的相變溫度時為液狀。
[0007]發明的效果
[0008]根據本發明，在由于來自電力用半導體元件的熱量所引起的溫度上升而使得導熱層液化時，充分厚的封裝材料具有比絕緣基板的線膨脹系數大的線膨脹系數，從而絕緣基板的散熱面的凸形狀得到緩和。由此，已液化的導熱層聚集在絕緣基板的中央，因此導熱層被保存在絕緣基板和冷卻裝置之間。另外，在由于溫度下降，因而絕緣基板的散熱面的形狀恢復原始的凸形狀時，導熱層喪失流動性，從而防止導熱層從絕緣基板和冷卻裝置之間向外被擠出。由此，防止在熱循環下導熱層從絕緣基板和冷卻裝置之間向外被擠出。
【附圖說明】
[0009]圖1是概略地表示本發明的實施方式I中的電力用半導體裝置的結構的剖視圖。
[0010]圖2是概略地表示在圖1的電力用半導體裝置設置有冷卻裝置的結構的剖視圖。
[0011]圖3是概略地表示本發明的實施方式2中的電力用半導體裝置的結構的俯視圖。
[0012]圖4是沿圖3的線IV-1V的概略剖視圖。
[0013]圖5是圖3的電路圖。
[0014]圖6是表示圖3的變形例的俯視圖。
[0015]圖7是圖6的電路圖。
[0016]圖8是概略地表示本發明的實施方式3中的電力用半導體裝置的結構的俯視圖。
[0017]圖9是表不圖8的變形例的俯視圖。
[0018]圖10是概略地表示本發明的實施方式4中的電力用半導體裝置的結構的俯視圖。
[0019]圖11是圖10的電路圖。
[0020]圖12是表示圖10的變形例的俯視圖。
[0021]圖13是圖12的電路圖。
[0022]標號的說明
[0023]HL貫通孔，SM安裝面，SR散熱面，SRh散熱面(第I散熱面)，SRi散熱面(第3散熱面)，SRj散熱面(第2散熱面)，l、lp框體，2、2c、2e電路圖案，3電力用半導體元件，4金屬線(配線部)，4?金屬框架(配線部)，5、5(:、56、50、5011?50￥電極，6粘接劑，7封裝材料，10、10(3、10(^?10幻、106、10611?106」、1011?10」絕緣基板，11基底板(基底部)，12絕緣片(絕緣層)，20導熱層，51冷卻鰭片(冷卻裝置)，52螺釘(安裝件)，101?104、102丨、103丨、10牡功率模塊(電力用半導體裝置)，201帶冷卻裝置的功率模塊(電力用半導體裝置)。
【具體實施方式】
[0024]下面，基于附圖對本發明的實施方式進行說明。此外，在下面的附圖中對相同或相當的部分標注相同的參照標號，不重復進行其說明。
[0025](實施方式I)
[0026]參照圖1，功率模塊101(電力用半導體裝置)具有框體1、絕緣基板10、電力用半導體元件3、金屬線4(配線部)、電極5、封裝材料7以及導熱層20。
[0027]框體I是由絕緣體制成的。在框體I設置有沿功率模塊101的外周配置的貫通孔HL。
[0028]絕緣基板10安裝于框體I。對于該安裝，例如能夠通過使用粘接劑6實施的接合而進行。絕緣基板10具有散熱面SR、與散熱面SR相反的安裝面SM。安裝面SM收容在框體I內。
[0029]具體而言，絕緣基板10具有基底板11(基底部)、絕緣片12(絕緣層)以及電路圖案
2。基底板11、絕緣片12以及電路圖案2進行了一體化。
[0030]基底板11成為散熱面SR。基底板11是由金屬制成的。基底板11的金屬優選具有高導熱性。在本實施方式的例子中，基底板11是由線膨脹系數為17ppm的銅制成的厚度2mm的板。
[0031]絕緣片12設置在基底板11之上。絕緣片12的材料優選具有高絕緣性。在本實施方式的例子中，絕緣片12是由環氧樹脂制成的厚度0.1mm的片材。
[0032]電路圖案2設置在絕緣片12之上。電路圖案2成為安裝面SM。電路圖案2優選由具有高導熱性的金屬制成。在本實施方式的例子中，電路圖案2是由線膨脹系數為17ppm的銅制成的厚度0.5mm的圖案。
[0033]與作為基底板11的厚度2mm的銅板以及作為電路圖案2的厚度0.5mm的銅層對絕緣基板10的線膨脹系數的貢獻相比，作為絕緣片12的厚度0.1mm的環氧樹脂片對絕緣基板10的線膨脹系數的貢獻充分小。由此，在本實施方式中，在絕緣基板10的安裝面SM的面內方向上的絕緣基板10的線膨脹系數與基底板11以及電路圖案的線膨脹系數即17ppm大致相等。
[0034]絕緣基板10在室溫(25°C左右)時在散熱面SR具有凸形狀的翹曲。另外，絕緣基板10在電力用半導體元件3的工作溫度的上限時，在散熱面SR具有凹形狀的翹曲。散熱面SR的形狀從凸形狀向凹形狀變化的溫度優選比正常工作時的工作溫度低，在本實施方式中設為125Γ。
[0035]電力用半導體元件3安裝在絕緣基板10的電路圖案2之上。電力用半導體元件3是例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)或M0SFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)等晶體管元件。
[0036]金屬線4將絕緣基板10的電路圖案2中的遠離電力用半導體元件3的部分、和電力用半導體元件3之間連接。
[0037]電極5用于與功率模塊1I的外部間的電連接。電極5安裝于框體I，在框體I之上露出。電極5與絕緣基板10的電路圖案2以及電力用半導體元件3中至少任一個通過金屬線4電連接。
[0038]封裝材料7在框體I內在絕緣基板10之上對電力用半導體元件3進行封裝。封裝材料7是由絕緣體制成的，例如由樹脂或凝膠制成。封裝材料7的厚度比絕緣基板10的厚度大，在本實施方式的例子中是I Omm ο封裝材料7的線膨脹系數比在安裝面SM的面內方向上的絕緣基板10的線膨脹系數大，在本實施方式的例子中是19ppm。另外，封裝材料7的線膨脹系數小于或等于在安裝面SM的面內方向上的絕緣基板10的線膨脹系數的1.5倍。
[0039]導熱層20設置在散熱面SR之上。導熱層20是由相變型導熱材料制成的，在室溫時是固體狀，在大于或等于比室溫高的相變溫度時是液狀。在此，“固體狀”可以指橡膠狀，另外，“液狀”可以指油脂狀。相變溫度比功率模塊101的工作溫度的上限低，優選比正常工作時的工作溫度低。另外，相變溫度優選與室溫相比充分高，優選例如大于或等于40°c。在本實施方式中，設為使用相變溫度為45°C的相變型導熱材料。作為上述相變型導熱材料例如能夠使用“八夕少少”公司的商品名“L0CTITE TCP 4000PM”。
[0040]此外，導熱層20的形成例如以下述方式進行。首先，準備包含相變型導熱材料和溶劑的膏體。接著，在基底板11之上涂布膏體。通過使膏體中的溶劑氣化，從而形成導熱層20。
[0041]參照圖2，帶冷卻裝置的功率模塊201(電力用半導體裝置)具有功率模塊101、冷卻鰭片51(冷卻裝置)和螺釘52(安裝件)。冷卻鰭片51經由導熱層20接觸于散熱面SR之上。螺釘52穿過框體I的貫通孔HL，旋入至冷卻鰭片51。通過螺釘52的軸力，將冷卻鰭片51隔著導熱層20按壓至絕緣基板10。
[0042]在本實施方式中，如果由于帶冷卻裝置的功率模塊201開始工作，絕緣基板10的溫度上升至45°C左右，則導熱層20開始變為油脂狀，如果上升至125°C左右，則散熱面SR的形狀從凸形狀向凹形狀變化。然后，絕緣基板10的溫度有可能上升至帶冷卻裝置的功率模塊201的工作溫度的上限。在這期間，散熱面SR具有凹形狀。如果由于帶冷卻裝置的功率模塊201停止工作，絕緣基板10的溫度下降至125 °C左右，則散熱面SR的形狀從凹形狀向凸形狀逐漸變化，如果向45°C下降，則導熱層20從油脂狀向橡膠狀逐漸變化。
[0043]根據本實施方式，在由于來自電力用半導體元件3的熱量所引起的溫度上升而使導熱層20液化時，充分厚的封裝材料7具有比絕緣基板10的線膨脹系數大的線膨脹系數，從而絕緣基板10的散熱面SR的凸形狀得到緩和。由此，已液化的導熱層20聚集在絕緣基板10的中央，因此導熱層20被保存在絕緣基板10和冷卻裝置之間。另外，在由于溫度下降，因而絕緣基板10的散熱面SR的形狀逐漸恢復原始的凸形狀時，導熱層20喪失流動性，從而防止導熱層20從絕緣基板10和冷卻裝置之間向外被擠出。由此，防止在熱循環下導熱層20從絕緣基板10和冷卻鰭片51之間向外被擠出。換言之，防止栗出現象。
[0044]通過防止栗出現象，從而防止絕緣基板10和冷卻裝置之間的接觸熱阻的增大。由此，能夠使用小型的冷卻鰭片51。因此，能夠將帶冷卻裝置的功率模塊201小型化。
[0045]另外，在使用螺釘52在室溫將冷卻鰭片51向設置有導熱層20的散熱面SR安裝時，散熱面SR的凸形狀被按壓至冷卻鰭片51，從而容易得到螺釘52的軸力。由此，能夠將冷卻鰭片51更充分地按壓至絕緣基板10。由此，防止因按壓不充分引起的接觸熱阻的增大。由此，能夠更可靠地對絕緣基板10進行冷卻。
[0046]另外，在電力用半導體元件3的工作溫度的上限時，絕緣基板10的散熱面SR具有凹形狀的翹曲，從而已液化的導熱層20更可靠地聚集在絕緣基板10的中央。由此，更可靠地防止在熱循環下導熱層20從絕緣基板10和冷卻裝置之間向外被擠出。
[0047]另外，封裝材料7的線膨脹系數小于或等于絕緣基板10的在安裝面SM的面內方向上的線膨脹系數的1.5倍，從而能夠使得絕緣基板10的翹曲量隨溫度的變化不會過剩。例如，能夠將翹曲量的變動抑制為溫度每變化100°C時小于或等于50μπι左右。由此，更可靠地防止因熱循環下的基板的翹曲的變化引起導熱層20從絕緣基板10和冷卻裝置之間向外被擠出的現象。此外，在現有的典型結構中，翹曲量的變動是溫度每變化100 °C時例如為200μπι左右。
[0048]此外，在本實施方式中，使用金屬線4作為配線部(圖1)，但代替金屬線4，也可以使用在實施方式2中說明的金屬框架。
[0049](實施方式2)
[0050]圖3是概略地表示本實施方式的功率模塊102(電力用半導體裝置)的結構的俯視圖。圖4是沿線IV-1V (圖3)的概略剖視圖。圖5是功率模塊102的電路圖。此外，在圖3中，省略圖示封裝材料7(圖4)，另外，對于框體Ip(圖4)僅示出其外緣以及貫通孔HL(圖4)。
[0051]參照圖4，在功率模塊102中，絕緣基板10包含:絕緣基板1ch(第I絕緣基板)，其具有散熱面SRh(第I散熱面)；絕緣基板1cj(第2絕緣基板)，其具有散熱面SRj(第2散熱面)；以及絕緣基板1ci(第3絕緣基板)，其配置在絕緣基板1ch以及1cj之間，具有散熱面SRi(第3散熱面)。與散熱面SRh以及SRj相比，散熱面Sri向與冷卻鰭片51(圖2)相對的方向凸出。
[0052]參照圖3，絕緣基板10還具有絕緣基板1eh?1ej (圖3)。絕緣基板1eh?1ej各自的散熱面的結構與上述的絕緣基板1ch?1cj的散熱面的結構相同。
[0053]另外，功率模塊102具有多個電力用半導體元件3。在絕緣基板1ch?1cj以及1eh?1ej各自，僅安裝有電力用半導體元件3中的一個。換言之，功率模塊102具有多個絕緣基板10，這些絕緣基板10分別安裝有多個電力用半導體元件3中的各個電力用半導體元件3 0
[0054]另外，為了將圖5所示的電路的電流路徑與電路圖案2—起構成，代替金屬線4(圖1 )，在功率模塊102設置有金屬框架4F(配線部)。
[0055]另外，功率模塊102構成為，代替框體1(圖1)而具有框體lp。框體Ip如圖4所示，具有位于多個絕緣基板10之間的分隔部。由此，能夠將多個絕緣基板10安裝于框體lp。除了這一點以外，框體IP具有與框體I大致相同的結構。
[0056]另外，功率模塊102具有電極5c(第I輸入電極)、電極5e(第2輸入電極)以及電極5ο(輸出電極)。電極5c以及5e分別與圖5所示的電路中的兩個電力用半導體元件3的串聯構造的集電極側以及發射極側連接。另外，電極5ο連接于上述串聯構造的中間部。因而，正電位(第I電位)施加至電極5c，負電位(與第I電位不同的第2電位)施加至電極5e。另外，從電極5o輸出在正電位以及負電位之間進行切換的電位。
[0057]此外，關于除了上述以外的結構，與上述的實施方式I的結構大致相同，因此對相同或相應的要素標注相同的標號，不重復進行其說明。
[0058]根據本實施方式，使用金屬框架4F(圖3以及圖4)作為配線部，從而與使用金屬線4(圖1)的情況相比，能夠增大配線部的截面面積。由此，能夠增大配線部的容許電流。
[0059]另外，使用多個絕緣基板10而并不是僅使用一個絕緣基板，從而能夠抑制將多個絕緣基板1視為整體時的翹曲量。由此，更可靠地防止因熱循環下的基板的翹曲的變化弓I起導熱層20從絕緣基板10和冷卻鰭片51(圖2)之間向外被擠出的現象。
[0060]另外，在多個絕緣基板10各自僅安裝有電力用半導體元件3中的一個。由此，能夠抑制電力用半導體元件3間的熱干涉。
[0061]另外，散熱面SRi(圖4)與散熱面SRh以及SRj相比凸出。由此，能夠將由于配置在絕緣基板1ch和絕緣基板1cj之間而難以從框體Ip施加充分的力的絕緣基板1ci更可靠地向冷卻鰭片51(圖2)按壓。由此，能夠更可靠地對絕緣基板1ci進行冷卻。此外，即使沒有散熱面Sri的凸出，也能實現至前面段落為止說明的效果。
[0062]圖6是概略地表示變形例的功率模塊102t(電力用半導體裝置)的結構的俯視圖。圖7是功率模塊102t的電路圖。功率模塊102t構成為，代替電極5ο，具有用于3相輸出的電極5ou?5ow (輸出電極)。此外，在圖6中，省略圖示封裝材料7以及框體I ρ (圖4)。根據本變形例，在多相型的功率模塊中能夠實現與上述相同的效果。
[0063]此外。在上述中說明了電力用半導體元件3是具有集電極以及發射極的元件(例如IGBT)，但電力用半導體元件3不限定于具有集電極以及發射極的元件，例如也可以是具有與集電極以及發射極分別對應的漏極以及源極的元件。
[0064](實施方式3)
[0065]圖8是概略地表示本實施方式的功率模塊103(電力用半導體裝置)的結構的俯視圖。此外，在圖8中省略圖示封裝材料7以及框體I ρ (圖4)。
[0066]功率模塊103具有絕緣基板1h?1j。在絕緣基板1h?1j各自，安裝有彼此串聯地電連接的兩個電力用半導體元件3。由此，在絕緣基板1h?1j各自，能夠構成具有彼此串聯地電連接的兩個電力用半導體元件3的單元。能夠通過對單元的數量進行調整而調整功率模塊103的容量。另外，能夠通過單元化而對功率模塊103所使用的絕緣基板的結構進行統一。能夠通過如上所述地將單元的結構標準化，提高功率模塊的生產性。
[0067]此外，也可以在各絕緣基板安裝串聯地連接的大于兩個電力用半導體元件。
[0068]此外，關于除了上述以外的結構，與功率模塊102(實施方式2)的結構大致相同，因此對相同或相應的要素標注相同的標號，不重復進行其說明。
[0069]圖9是概略地表示變形例的功率模塊103t(電力用半導體裝置)的結構的俯視圖。功率模塊103t具有與功率模塊102t的電路結構(圖7)相同的電路結構。此外，在圖9中，省略圖示封裝材料7以及框體Ip(圖4)。根據本變形例，能夠在多相型的功率模塊中實現與上述相同的效果。具體而言，能夠通過對單元的數量進行調整而調整相數。
[0070](實施方式4)
[0071]圖10是概略地表示本實施方式的功率模塊104(電力用半導體裝置)的結構的俯視圖。此外，在圖1O中省略圖示封裝材料7以及框體I ρ (圖4)。
[0072]功率模塊104具有絕緣基板1c(第I絕緣基板)以及絕緣基板1e(第2絕緣基板)。絕緣基板1c的電路圖案2c具有與電極5c相連的部分。另外，絕緣基板1e的電路圖案2e具有與電極5e相連的部分、和與電極5o相連的部分。
[0073]此外，關于除了上述以外的結構，與上述的功率模塊102(實施方式2)的結構大致相同，因此對相同或相應的要素標注相同的標號，不重復進行其說明。
[0074]根據本實施方式，如圖11所示，根據絕緣基板1c以及1e的排列，能夠將來自電極5c的電流Ic的方向、和向電極5e的電流Ie的方向設為大致相反方向。通過由此引起的互感效應，能夠降低特別是在大容量的功率模塊中成為課題的圖案間的電感。
[0075]圖12是概略地表示變形例的功率模塊104t(電力用半導體裝置)的結構的俯視圖。圖13是功率模塊104t的電路圖。此外，在圖12中，省略圖示封裝材料7以及框體Ip(圖4)。根據本變形例，能夠在多相型的功率模塊中實現與上述相同的效果
[0076]此外，本發明能夠在其發明的范圍內自由地組合各實施方式，或者對各實施方式進行適當變形、省略。
【主權項】
1.一種電力用半導體裝置，其具有: 框體；以及 至少一個絕緣基板，其安裝于所述框體，具有散熱面和與所述散熱面相反的安裝面，在室溫時在所述散熱面具有凸形狀的翹曲， 所述安裝面收容在所述框體內，所述絕緣基板包含: 基底部，其由金屬制成，成為所述散熱面； 絕緣層，其設置在所述基底部之上；以及 電路圖案，其設置在所述絕緣層之上，成為所述安裝面， 并且，該電力用半導體裝置還具有: 至少一個電力用半導體元件，其安裝在所述絕緣基板的電路圖案之上； 至少一個配線部，其將所述絕緣基板的所述電路圖案中的遠離所述電力用半導體元件的部分、和所述電力用半導體元件之間連接； 多個電極，它們安裝于所述框體，與所述絕緣基板的所述電路圖案以及所述電力用半導體元件中至少任一個電連接;以及 封裝材料，其在所述框體內在所述絕緣基板之上對所述電力用半導體元件進行封裝，所述封裝材料的厚度比所述絕緣基板的厚度大，且所述封裝材料的線膨脹系數比在所述絕緣基板的所述安裝面的面內方向上的所述絕緣基板的線膨脹系數大， 并且，該電力用半導體裝置還具有導熱層，該導熱層設置在所述散熱面之上，在室溫時為固體狀，在大于或等于比室溫高的相變溫度時為液狀。2.根據權利要求1所述的電力用半導體裝置， 所述絕緣基板在所述電力用半導體元件的工作溫度的上限時，在所述散熱面具有凹形狀的翹曲。3.根據權利要求1或2所述的電力用半導體裝置， 所述封裝材料的線膨脹系數小于或等于在所述絕緣基板的所述安裝面的面內方向上的所述絕緣基板的線膨脹系數的1.5倍。4.根據權利要求1或2所述的電力用半導體裝置， 所述配線部包含金屬框架。5.根據權利要求1或2所述的電力用半導體裝置， 所述電力用半導體元件包含多個電力用半導體元件，所述絕緣基板包含多個絕緣基板。6.根據權利要求5所述的電力用半導體裝置， 所述多個絕緣基板包含:第I絕緣基板，其具有第I散熱面;第2絕緣基板，其具有第2散熱面；以及第3絕緣基板，其配置在所述第I絕緣基板以及所述第2絕緣基板之間，具有第3散熱面，所述第3散熱面與所述第I散熱面以及所述第2散熱面相比凸出。7.根據權利要求5所述的電力用半導體裝置， 在所述多個絕緣基板各自，僅安裝有所述電力用半導體元件中的一個。8.根據權利要求5所述的電力用半導體裝置， 在所述多個絕緣基板各自，安裝有彼此串聯地電連接的大于或等于兩個所述電力用半導體元件。9.根據權利要求1或2所述的電力用半導體裝置，所述電極包含:第I輸入電極，其被施加第I電位；第2輸入電極，其被施加與所述第I電位不同的第2電位；以及輸出電極，其輸出在所述第I電位以及所述第2電位之間切換的電位，所述絕緣基板包含:第I絕緣基板，其具有所述電路圖案中的與所述第I輸入電極相連的部分；以及第2絕緣基板，其具有所述電路圖案中的與所述第2輸入電極相連的部分。10.根據權利要求1或2所述的電力用半導體裝置，還具有冷卻裝置，該冷卻裝置經由所述導熱層接觸于所述散熱面之上。
【文檔編號】H01L23/367GK105990277SQ201610150847
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年3月16日
【發明人】中原賢太, 吉田博
【申請人】三菱電機株式會社