晶圓良率分析方法和裝置的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種晶圓良率分析方法和裝置。其中，晶圓良率分析方法包括：將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，其中，待測晶圓包括多個待測芯片；獲取根據預先統計的芯片上多個區域的歷史殺傷率，其中，多個區域與歷史殺傷率一一對應；將獲取的歷史殺傷率作為待測芯片上多個區域對應的殺傷率，殺傷率用于表示與殺傷率對應的區域的存在致命缺陷的概率；根據待測芯片上多個區域對應的殺傷率計算待測晶圓對應的致命缺陷率；以及由致命缺陷率計算待測晶圓的良率。通過本發明，解決了現有技術中晶圓的良率計算不準確的問題。
【專利說明】
晶圓良率分析方法和裝置
技術領域
[0001]本發明涉及半導體領域，具體而言，涉及一種晶圓良率分析方法和裝置。
【背景技術】
[0002]在半導體組件的生產流程中，包含了諸多工藝，每一個工藝都存在污染晶圓(wafer)、碰壞晶圓表面等原因，導致晶圓良率不佳，因此，對晶圓的良率進行分析預測顯得十分必要。缺陷(Defect)殺傷率(killer rate)是表不晶圓存在致命殺傷的概率，缺陷殺傷率對于晶圓的良率預測至關重要。
[0003]目前，半導體業界使用系統在計算晶圓缺陷(Defect)殺傷率(killer rate)時往往采用以芯片(Die)為單位進行計算，給定芯片的殺傷率來計算待測晶圓的芯片的殺傷率。然而，由于同型晶圓在不同芯片中殺傷變化很大，采用這樣的計算方式導致良率的分析預測結果與實際結果存在很大差異，導致良率計算的結果不準確。
[0004]針對現有技術中晶圓的良率計算不準確的問題，目前尚未提出有效的解決方案。
【發明內容】
[0005]本發明的主要目的在于提供一種晶圓良率分析方法和裝置，以解決現有技術中晶圓的良率計算不準確的問題。
[0006]為了實現上述目的，根據本發明實施例的一個方面，提供了一種晶圓良率分析方法。根據本發明的晶圓良率分析方法包括:將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，其中，所述待測晶圓包括多個待測芯片；獲取根據預先統計的芯片上所述多個區域的歷史殺傷率，其中，所述多個區域與所述歷史殺傷率一一對應；將獲取的歷史殺傷率作為所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率，所述殺傷率用于表示與所述殺傷率對應的區域的存在致命缺陷的概率；根據所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率；以及由所述致命缺陷率計算所述待測晶圓的良率。
[0007]進一步地，根據所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率包括:通過判斷所述待測芯片上所述多個區域中是否存在殺傷率超過預設閾值的區域來逐個判斷所述待測晶圓上多個待測芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出所述待測芯片上所述多個區域中存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該所述待測芯片存在致命缺陷；如果判斷出所述待測芯片上所述多個區域中不存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該所述待測芯片不存在致命缺陷；記錄存在致命缺陷的待測芯片的數量；以及由所述存在致命缺陷的待測芯片的數量計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率。
[0008]進一步地，將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域包括:對所述待測晶圓上待測芯片進行缺陷檢測，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及將所述缺陷芯片劃分成多個區域。
[0009]進一步地，在獲取根據預先統計的芯片上所述多個區域的歷史殺傷率之后，所述晶圓良率分析方法還包括:依次判斷所述多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值是否小于差值閾值；如果判斷所述多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值小于所述差值閾值，則將所述相鄰的兩個區域合并成一個區域。
[0010]進一步地，在由所述致命缺陷率計算所述待測晶圓的良率之后，所述晶圓良率分析方法還包括:獲取所述待測晶圓的實際缺陷檢測結果，所述實際缺陷檢測結果包括所述多個區域的實際殺傷率；將所述多個區域的實際殺傷率與所述多個區域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
[0011 ] 為了實現上述目的，根據本發明實施例的另一方面，提供了一種晶圓良率分析裝置。根據本發明的晶圓良率分析裝置包括:劃分單元，用于將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，其中，所述待測晶圓包括多個待測芯片；第一獲取單元，用于獲取根據預先統計的芯片上所述多個區域的歷史殺傷率，其中，所述多個區域與所述歷史殺傷率一一對應；確定單元，用于將獲取的歷史殺傷率作為所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率，所述殺傷率用于表示與所述殺傷率對應的區域的存在致命缺陷的概率；第一計算單元，用于根據所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率；以及第二計算單元，用于由所述致命缺陷率計算所述待測晶圓的良率。
[0012]進一步地，所述第一計算單元包括:判斷模塊，用于通過判斷所述待測芯片上所述多個區域中是否存在殺傷率超過預設閾值的區域來逐個判斷所述待測晶圓上多個待測芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出所述待測芯片上所述多個區域中存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該所述待測芯片存在致命缺陷；如果判斷出所述待測芯片上所述多個區域中不存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該所述待測芯片不存在致命缺陷；記錄模塊，用于記錄存在致命缺陷的待測芯片的數量；以及計算模塊，用于由所述存在致命缺陷的待測芯片的數量計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率。
[0013]進一步地，所述劃分單元包括:檢測模塊，用于對所述待測晶圓上待測芯片進行缺陷檢測，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及劃分模塊，用于將所述缺陷芯片劃分成多個區域。
[0014]進一步地，所述晶圓良率分析裝置還包括:判斷單元，用于在獲取根據預先統計的芯片上所述多個區域的歷史殺傷率之后，依次判斷所述多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值是否小于差值閾值；第一合并單元，用于如果判斷所述多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值小于所述差值閾值，則將所述相鄰的兩個區域合并成一個區域。
[0015]進一步地，所述晶圓良率分析裝置還包括:第二獲取單元，用于在由所述致命缺陷率計算所述待測晶圓的良率之后，獲取所述待測晶圓的實際缺陷檢測結果，所述實際缺陷檢測結果包括所述多個區域的實際殺傷率；第二合并單元，用于將所述多個區域的實際殺傷率與所述多個區域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
[0016]本發明實施例中，通過將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，獲取根據預先統計的芯片上多個區域的歷史殺傷率，將獲取的歷史殺傷率作為待測芯片上多個區域對應的殺傷率，根據待測芯片上多個區域對應的殺傷率計算待測晶圓對應的致命缺陷率，由致命缺陷率計算待測晶圓的良率，從而實現對待測晶圓的良率的分析預測。由于是根據待測芯片上劃分的多個區域來確定待測芯片的致命殺傷率，再由該致命殺傷率計算得到待測晶圓的良率，相對于以芯片為單位來計算得到待測晶圓的良率而言，提高了計算的精度，解決了現有技術中晶圓的良率計算不準確的問題，達到了提高晶圓良率的計算準確性的效果。
【附圖說明】
[0017]構成本申請的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0018]圖1是根據本發明實施例的晶圓良率分析方法的流程圖；以及
[0019]圖2是根據本發明實施例的晶圓良率分析裝置的示意圖。
【具體實施方式】
[0020]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發明。
[0021]為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發明保護的范圍。
[0022]需要說明的是，本發明的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”等是用于區別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解這樣使用的數據在適當情況下可以互換，以便這里描述的本發明的實施例。此外，術語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統、產品或設備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或對于這些過程、方法、產品或設備固有的其它步驟或單元。
[0023]本發明實施例提供了一種晶圓良率分析方法。
[0024]圖1是根據本發明實施例的晶圓良率分析方法的流程圖。如圖1所示，該晶圓良率分析方法包括步驟如下:
[0025]步驟S102，將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域。其中，待測晶圓包括多個待測芯片。
[0026]每個待測晶圓上具有多個芯片電路，即待測芯片，本發明實施例根據預先設置的規則將每個待測芯片劃分為多個區域，其每個區域的大小可以根據需要進行設置。具體地，可以通過設計一套柵格系統自動對每個芯片進行劃分。
[0027]具體地，對待測芯片進行劃分可以是按照數量或者固定大小來劃分。用戶還可以根據經驗或者以前的測試結果對劃分的區域進行設定，以設定重要區域(可以是殺傷率較高的區域)和次要區域(可以是殺傷率較低的區域)。
[0028]步驟S104，獲取根據預先統計的芯片上多個區域的歷史殺傷率。其中，多個區域與歷史殺傷率一一對應。
[0029]步驟S106，將獲取的歷史殺傷率作為待測芯片上多個區域對應的殺傷率。該殺傷率用于表示與殺傷率對應的區域的存在致命缺陷的概率。
[0030]歷史殺傷率為根據以前芯片中每個區域的實際檢測結果得到的殺傷率，其中，每個區域對應有其殺傷率，將其作為待測芯片上對應區域的殺傷率。
[0031]具體地，可以按照劃分的區域從存儲有統計得到的歷史殺傷率的數據庫中查找相應的歷史殺傷率。例如，將待測芯片劃分成區域A、區域B、區域C……區域Z，根據獲取到的歷史殺傷率，其中，在歷史殺傷率中區域A、區域B、區域C……區域Z的殺傷率依次為:a、b、c……z，那么，將殺傷率a、b、c……z依次作為待測芯片的區域A、區域B、區域C……區域Z的殺傷率。
[0032]步驟S108，根據待測芯片上多個區域對應的殺傷率計算待測晶圓對應的致命缺陷率。
[0033]步驟S110，由致命缺陷率計算待測晶圓的良率。
[0034]在得到待測芯片上的每個區域對應的殺傷率之后，可以根據該殺傷率確定相應的待測芯片是否具有致命殺傷，采用上述方式對每個待測芯片進行判定，從而得到存在致命缺陷的待測芯片與不存在致命缺陷的待測芯片的數量，計算得到待測晶圓對應的致命缺陷率，再有該致命缺陷率分析計算得到待測晶圓的良率，從而實現對待測晶圓的良率的分析預測。
[0035]本發明實施例中，通過將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，獲取根據預先統計的芯片上多個區域的歷史殺傷率，將獲取的歷史殺傷率作為待測芯片上多個區域對應的殺傷率，根據待測芯片上多個區域對應的殺傷率計算待測晶圓對應的致命缺陷率，由致命缺陷率計算待測晶圓的良率，從而實現對待測晶圓的良率的分析預測。由于是根據待測芯片上劃分的多個區域來確定待測芯片的致命殺傷率，再由該致命殺傷率計算得到待測晶圓的良率，相對于以芯片為單位來計算得到待測晶圓的良率而言，提高了計算的精度，解決了現有技術中晶圓的良率計算不準確的問題，達到了提高晶圓良率的計算準確性的效果。
[0036]優選地，根據待測芯片上多個區域對應的殺傷率計算待測晶圓對應的致命缺陷率包括:通過判斷待測芯片上多個區域中是否存在殺傷率超過預設閾值的區域來逐個判斷待測晶圓上多個待測芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出待測芯片上多個區域中存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該待測芯片存在致命缺陷；如果判斷出待測芯片上多個區域中不存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該待測芯片不存在致命缺陷；記錄存在致命缺陷的待測芯片的數量；以及由存在致命缺陷的待測芯片的數量計算待測晶圓對應的致命缺陷率。
[0037]由于每個區域都對應存在一個殺傷率，本發明實施例中，通過設置相應的閾值，該閾值可以根據需要進行設置，與每個區域的殺傷率進行比較，根據比較結果確定待測芯片中是否存在致命殺傷。
[0038]具體地，如果待測芯片中只要存在一個致命殺傷的區域，則該待測芯片存在致命殺傷。通過上述預設閾值來逐個判斷每個待測芯片中是否存在致命殺傷的區域，如果是，則存在致命缺陷的待測芯片的計數加I。遍歷完每個待測芯片后，記錄存在致命缺陷的待測芯片的數量，該數量除以總的待測芯片的數量得到待測晶圓對應的致命缺陷率。
[0039]優選地，將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域包括:對待測晶圓上待測芯片進行缺陷檢測，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及將缺陷芯片劃分成多個區域。
[0040]先對待測晶圓進行缺陷掃描，得到掃描結果，該掃描結果中包含有存在缺陷的芯片和不存在缺陷的芯片。由于不存在缺陷的芯片中也不存在致命殺傷，而存在致命殺傷的芯片均為有缺陷的芯片。本發明實施例中優選將存在缺陷的缺陷芯片劃分成多個區域，以便于只對存在缺陷的區域進行判斷，從而提高致命殺傷率的計算速度。
[0041]優選地，在獲取根據預先統計的芯片上多個區域的歷史殺傷率之后，晶圓良率分析方法還包括:依次判斷多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值是否小于差值閾值；如果判斷多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值小于差值閾值，則將相鄰的兩個區域合并成一個區域。
[0042]在獲取到多個區域的歷史殺傷率之后，對相鄰的兩個區域的殺傷率進行判斷，判斷其殺傷率的差值是否小于預設閾值(該閾值很小)，即判斷相鄰兩個區域的殺傷率是否比較接近，如果是，則將兩個區域合并成一個區域。按照上述方式對劃分后的多個區域進行合并處理，從而減少區域的數量。由于只要芯片中存在殺傷率超過預設閾值的區域，則認為芯片存在致命缺陷，將殺傷率接近的區域合并，減少區域的數量可以提高對芯片進行致命缺陷判斷的速度。
[0043]優選地，在由致命缺陷率計算待測晶圓的良率之后，晶圓良率分析方法還包括:獲取待測晶圓的實際缺陷檢測結果，實際缺陷檢測結果包括多個區域的實際殺傷率；將多個區域的實際殺傷率與多個區域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
[0044]由于計算得到地待測晶圓的良率為分詞預測得到的值，可以用于判斷待測晶圓的可用性。本發明實施例中，為了提高晶圓良率的預測的準確性，在對該待測晶圓進行實際檢測之后，可以將檢測的結果再放入存在殺傷率的數據庫中，將該待測晶圓的實際檢測結果再作為歷史殺傷率。
[0045]可選地，本發明實施例的方法可以通過分析系統來實現，該分析系統由Dice分區設定系統、分區killer rate計算系統，Yield predict系統組成。具體地，系統運行流程如下:
[0046]I)系統運行時根據defect檢測結果按工程師定義或系統默認的劃分方法自動對檢測結果的每個Dice進行分區。并根據數據庫中對應分區的killer rate計算該defect對dice的影響，從而預測出defect impact wafer的良率。
[0047]2)當新的良率反饋后，系統自動根據該產品分區情況，對檢測的defect進行按站點，區域計算每層defect的killer rate，并結合歷史數據，更新到數據庫中，以備同型產品未來預測使用。
[0048]本發明實施例中，系統可以根據生產產品的缺陷檢測狀態，自動對wafer進行分組。并通過主系統，對分組后區域進行分析。其分組標準可由系統自動設定或由工程人員設定和修改，其分組以wafer或dice為對象。
[0049]系統可根據killer rate數據庫，并結合分組單元，進行不同區域defect分析，提供區域impact rate匯總分析。系統分析killer rate主要由defect所在分區，分類，大小等defect參數，并不局限與以上defect參數信息該數據可以由良率系統自動反饋更新。
[0050]系統可以根據分區統計wafer的良率，提示工程師該產品是否需要報廢。
[0051]本發明實施例還提供了一種晶圓良率分析裝置。該裝置可以通過計算機設備實現其功能。需要說明的是，本發明實施例的晶圓良率分析裝置可以用于執行本發明實施例所提供的晶圓良率分析方法，本發明實施例的晶圓良率分析方法也可以通過本發明實施例所提供的晶圓良率分析裝置來執行。
[0052]圖2是根據本發明實施例的晶圓良率分析裝置的不意圖。如圖2所不，該晶圓良率分析裝置包括:劃分單元10、第一獲取單元20、確定單元30、第一計算單元40和第二計算單元50。
[0053]劃分單元10用于將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，其中，待測晶圓包括多個待測芯片。
[0054]每個待測晶圓上具有多個芯片電路，即待測芯片，本發明實施例根據預先設置的規則將每個待測芯片劃分為多個區域，其每個區域的大小可以根據需要進行設置。具體地，可以通過設計一套柵格系統自動對每個芯片進行劃分。
[0055]具體地，對待測芯片進行劃分可以是按照數量或者固定大小來劃分。用戶還可以根據經驗或者以前的測試結果對劃分的區域進行設定，以設定重要區域(可以是殺傷率較高的區域)和次要區域(可以是殺傷率較低的區域)。
[0056]第一獲取單元20用于獲取根據預先統計的芯片上多個區域的歷史殺傷率，其中，多個區域與歷史殺傷率一一對應。
[0057]確定單元30用于將獲取的歷史殺傷率作為待測芯片上多個區域對應的殺傷率，殺傷率用于表示與殺傷率對應的區域的存在致命缺陷的概率。
[0058]歷史殺傷率為根據以前芯片中每個區域的實際檢測結果得到的殺傷率，其中，每個區域對應有其殺傷率，將其作為待測芯片上對應區域的殺傷率。
[0059]具體地，可以按照劃分的區域從存儲有統計得到的歷史殺傷率的數據庫中查找相應的歷史殺傷率。例如，將待測芯片劃分成區域A、區域B、區域C……區域Z，根據獲取到的歷史殺傷率，其中，在歷史殺傷率中區域A、區域B、區域C……區域Z的殺傷率依次為:a、b、c……z，那么，將殺傷率a、b、c……z依次作為待測芯片的區域A、區域B、區域C……區域Z的殺傷率。
[0060]第一計算單元40用于根據待測芯片上多個區域對應的殺傷率計算待測晶圓對應的致命缺陷率。
[0061]第二計算單元50用于由致命缺陷率計算待測晶圓的良率。
[0062]在得到待測芯片上的每個區域對應的殺傷率之后，可以根據該殺傷率確定相應的待測芯片是否具有致命殺傷，采用上述方式對每個待測芯片進行判定，從而得到存在致命缺陷的待測芯片與不存在致命缺陷的待測芯片的數量，計算得到待測晶圓對應的致命缺陷率，再有該致命缺陷率分析計算得到待測晶圓的良率，從而實現對待測晶圓的良率的分析預測。
[0063]本發明實施例中，通過將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，獲取根據預先統計的芯片上多個區域的歷史殺傷率，將獲取的歷史殺傷率作為待測芯片上多個區域對應的殺傷率，根據待測芯片上多個區域對應的殺傷率計算待測晶圓對應的致命缺陷率，由致命缺陷率計算待測晶圓的良率，從而實現對待測晶圓的良率的分析預測。由于是根據待測芯片上劃分的多個區域來確定待測芯片的致命殺傷率，再由該致命殺傷率計算得到待測晶圓的良率，相對于以芯片為單位來計算得到待測晶圓的良率而言，提高了計算的精度，解決了現有技術中晶圓的良率計算不準確的問題，達到了提高晶圓良率的計算準確性的效果。
[0064]優選地，第一計算單元包括:判斷模塊，用于通過判斷待測芯片上多個區域中是否存在殺傷率超過預設閾值的區域來逐個判斷待測晶圓上多個待測芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出待測芯片上多個區域中存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該待測芯片存在致命缺陷；如果判斷出待測芯片上多個區域中不存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該待測芯片不存在致命缺陷；記錄模塊，用于記錄存在致命缺陷的待測芯片的數量；以及計算模塊，用于由存在致命缺陷的待測芯片的數量計算待測晶圓對應的致命缺陷率。
[0065]由于每個區域都對應存在一個殺傷率，本發明實施例中，通過設置相應的閾值，該閾值可以根據需要進行設置，與每個區域的殺傷率進行比較，根據比較結果確定待測芯片中是否存在致命殺傷。
[0066]具體地，如果待測芯片中只要存在一個致命殺傷的區域，則該待測芯片存在致命殺傷。通過上述預設閾值來逐個判斷每個待測芯片中是否存在致命殺傷的區域，如果是，則存在致命缺陷的待測芯片的計數加I。遍歷完每個待測芯片后，記錄存在致命缺陷的待測芯片的數量，該數量除以總的待測芯片的數量得到待測晶圓對應的致命缺陷率。
[0067]優選地，劃分單元包括:檢測模塊，用于對待測晶圓上待測芯片進行缺陷檢測，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及劃分模塊，用于將缺陷芯片劃分成多個區域。
[0068]先對待測晶圓進行缺陷掃描，得到掃描結果，該掃描結果中包含有存在缺陷的芯片和不存在缺陷的芯片。由于不存在缺陷的芯片中也不存在致命殺傷，而存在致命殺傷的芯片均為有缺陷的芯片。本發明實施例中優選將存在缺陷的缺陷芯片劃分成多個區域，以便于只對存在缺陷的區域進行判斷，從而提高致命殺傷率的計算速度。
[0069]優選地，晶圓良率分析裝置還包括:判斷單元，用于在獲取根據預先統計的芯片上多個區域的歷史殺傷率之后，依次判斷多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值是否小于差值閾值；第一合并單元，用于如果判斷多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值小于差值閾值，則將相鄰的兩個區域合并成一個區域。
[0070]在獲取到多個區域的歷史殺傷率之后，對相鄰的兩個區域的殺傷率進行判斷，判斷其殺傷率的差值是否小于預設閾值(該閾值很小)，即判斷相鄰兩個區域的殺傷率是否比較接近，如果是，則將兩個區域合并成一個區域。按照上述方式對劃分后的多個區域進行合并處理，從而減少區域的數量。由于只要芯片中存在殺傷率超過預設閾值的區域，則認為芯片存在致命缺陷，將殺傷率接近的區域合并，減少區域的數量可以提高對芯片進行致命缺陷判斷的速度。
[0071]優選地，晶圓良率分析裝置還包括:第二獲取單元，用于在由致命缺陷率計算待測晶圓的良率之后，獲取待測晶圓的實際缺陷檢測結果，實際缺陷檢測結果包括多個區域的實際殺傷率；第二合并單元，用于將多個區域的實際殺傷率與多個區域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
[0072]由于計算得到地待測晶圓的良率為分詞預測得到的值，可以用于判斷待測晶圓的可用性。本發明實施例中，為了提高晶圓良率的預測的準確性，在對該待測晶圓進行實際檢測之后，可以將檢測的結果再放入存在殺傷率的數據庫中，將該待測晶圓的實際檢測結果再作為歷史殺傷率。
[0073]需要說明的是，對于前述的各方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領域技術人員應該知悉，本發明并不受所描述的動作順序的限制，因為依據本發明，某些步驟可以采用其他順序或者同時進行。其次，本領域技術人員也應該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優選實施例，所涉及的動作和模塊并不一定是本發明所必須的。
[0074]在上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關描述。
[0075]在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的裝置，可通過其它的方式實現。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結合或者可以集成到另一個系統，或一些特征可以忽略，或不執行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。
[0076]所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網絡單元上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現本實施例方案的目的。
[0077]另外，在本發明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現，也可以采用軟件功能單元的形式實現。
[0078]所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現并作為獨立的產品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質中。基于這樣的理解，本發明的技術方案本質上或者說對現有技術做出貢獻的部分或者該技術方案的全部或部分可以以軟件產品的形式體現出來，該計算機軟件產品存儲在一個存儲介質中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可為個人計算機、移動終端、服務器或者網絡設備等)執行本發明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質包括:U盤、只讀存儲器(ROM，Read-OnlyMemory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、移動硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。
[0079]以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種晶圓良率分析方法，其特征在于，包括: 將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，其中，所述待測晶圓包括多個待測芯片；獲取根據預先統計的芯片上所述多個區域的歷史殺傷率，其中，所述多個區域與所述歷史殺傷率一一對應； 將獲取的歷史殺傷率作為所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率，所述殺傷率用于表示與所述殺傷率對應的區域的存在致命缺陷的概率； 根據所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率；以及 由所述致命缺陷率計算所述待測晶圓的良率。2.根據權利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，根據所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率包括: 通過判斷所述待測芯片上所述多個區域中是否存在殺傷率超過預設閾值的區域來逐個判斷所述待測晶圓上多個待測芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出所述待測芯片上所述多個區域中存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該所述待測芯片存在致命缺陷；如果判斷出所述待測芯片上所述多個區域中不存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該所述待測芯片不存在致命缺陷； 記錄存在致命缺陷的待測芯片的數量；以及 由所述存在致命缺陷的待測芯片的數量計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率。3.根據權利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域包括: 對所述待測晶圓上待測芯片進行缺陷檢測，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及 將所述缺陷芯片劃分成多個區域。4.根據權利要求3所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，在獲取根據預先統計的芯片上所述多個區域的歷史殺傷率之后，所述晶圓良率分析方法還包括: 依次判斷所述多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值是否小于差值閾值；如果判斷所述多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值小于所述差值閾值，則將所述相鄰的兩個區域合并成一個區域。5.根據權利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，在由所述致命缺陷率計算所述待測晶圓的良率之后，所述晶圓良率分析方法還包括: 獲取所述待測晶圓的實際缺陷檢測結果，所述實際缺陷檢測結果包括所述多個區域的實際殺傷率； 將所述多個區域的實際殺傷率與所述多個區域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。6.一種晶圓良率分析裝置，其特征在于，包括: 劃分單元，用于將待測晶圓上待測芯片劃分為多個區域，其中，所述待測晶圓包括多個待測芯片； 第一獲取單元，用于獲取根據預先統計的芯片上所述多個區域的歷史殺傷率，其中，所述多個區域與所述歷史殺傷率一一對應； 確定單元，用于將獲取的歷史殺傷率作為所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率，所述殺傷率用于表示與所述殺傷率對應的區域的存在致命缺陷的概率； 第一計算單元，用于根據所述待測芯片上所述多個區域對應的殺傷率計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率；以及 第二計算單元，用于由所述致命缺陷率計算所述待測晶圓的良率。7.根據權利要求6所述的晶圓良率分析裝置，其特征在于，所述第一計算單元包括: 判斷模塊，用于通過判斷所述待測芯片上所述多個區域中是否存在殺傷率超過預設閾值的區域來逐個判斷所述待測晶圓上多個待測芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出所述待測芯片上所述多個區域中存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該所述待測芯片存在致命缺陷；如果判斷出所述待測芯片上所述多個區域中不存在殺傷率超過預設閾值的區域，則確定該所述待測芯片不存在致命缺陷； 記錄模塊，用于記錄存在致命缺陷的待測芯片的數量；以及 計算模塊，用于由所述存在致命缺陷的待測芯片的數量計算所述待測晶圓對應的致命缺陷率。8.根據權利要求6所述的晶圓良率分析裝置，其特征在于，所述劃分單元包括: 檢測模塊，用于對所述待測晶圓上待測芯片進行缺陷檢測，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及 劃分模塊，用于將所述缺陷芯片劃分成多個區域。9.根據權利要求8所述的晶圓良率分析裝置，其特征在于，所述晶圓良率分析裝置還包括: 判斷單元，用于在獲取根據預先統計的芯片上所述多個區域的歷史殺傷率之后，依次判斷所述多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值是否小于差值閾值； 第一合并單元，用于如果判斷所述多個區域中相鄰的兩個區域對應的殺傷率的差值小于所述差值閾值，則將所述相鄰的兩個區域合并成一個區域。10.根據權利要求6所述的晶圓良率分析裝置，其特征在于，所述晶圓良率分析裝置還包括: 第二獲取單元，用于在由所述致命缺陷率計算所述待測晶圓的良率之后，獲取所述待測晶圓的實際缺陷檢測結果，所述實際缺陷檢測結果包括所述多個區域的實際殺傷率；第二合并單元，用于將所述多個區域的實際殺傷率與所述多個區域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
【文檔編號】H01L21/66GK105990170SQ201510044709
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年1月28日
【發明人】楊健, 陳思安, 朱瑜杰, 方三軍
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司